DEP0012856DA - Verfahren zum Herstellen unsymmetrisch leitender Systeme - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen unsymmetrisch leitender Systeme mit im wesentlichen aus Selen bestehendem Halbleiter. Die vordringlichste Aufgabe bei der Herstellung solcher Systeme, insbesondere von Trockengleichrichtern, besteht in der Beschränkung des in der Sperrrichtung noch fließenden Stromes auf ein Mindestmaß. Zu diesem Zweck hat man zwischen dem Halbleiter und der gutleitenden Gegenelektrode eine Schicht aus Selendioxyd vorgesehen. Andererseits darf dabei der Widerstand in der Durchlaßrichtung nicht unzulässig vergrössert werden. Man hat daher zur Verbesserung der Leitfähigkeit in der Durchlaßrichtung dem Halbleiter, insbesondere dem Selen, leitfähigkeitserhöhende Substanzen in geringer Menge zugefügt. Eine besondere Rolle spielen in diesem Zusammenhang die Halogene, vor allem Brom.

Nach der Erfindung gelingt es durch ein ganz einfaches Verfahren bei Halbleitersystemen mit im wesentlichen aus Selen und geringen Halogenbeimengungen bestehendem Halbleiter die Sperrfähigkeit im Vergleich zu der der bekannten Selengleichrichter beträchtlich zu verbessern. Das Verfahren nach der Erfindung besteht darin, dass die Selenoberfläche - vorzugsweise nach der thermischen Formierung des Halbleiters - in einem flüssigen oder gasförmigen Medium behandelt wird, welches das nahe der Oberfläche befindliche Halogen mindestens teilweise aufnimmt. Als besonders vorteilhaft hat sich die Behandlung mit Alkohol oder Chloroform erwiesen, und zwar sind in gleicher Weise Aethyl- und Methylalkohol verwendbar.

Dem Selen wird Halogen zweckmässig in einem solchen Überschuß beigemengt, daß die an sich angestrebte Leitfähigkeit in Durchlaßrichtung eintritt.

Die Herstellung eines unsymmetrisch leitenden Systems nach diesem Verfahren kann beispielsweise auf folgende Weise vor sich gehen:

Nachdem auf eine vernickelte Eisenplatte bei einer Temperatur von etwa 130°C Selen aufgedämpft und in der wirksamen kristallinen Modifikation niedergeschlagen worden ist, wird die so mit dem Halbleiter bedeckte Platte bei Zimmertemperatur in praktisch reinem Äthylalkohol gebadet. Man stellt fest, dass bei einer Badedauer von 5 Minuten der Rückstrom auf die Hälfte bis ein Drittel des bei handelsüblichen Selengleichrichtern beobachteten Betrages herabsinkt. Bei einer Behandlungsdauer von 24 Stunden nimmt der Rückstrom weiter ab, und zwar bis auf 1/15 des normalerweise gemessenen Rückstromes. Belässt man die Platten bis zu 8 Tagen in dem Bad, so lässt sich eine Absenkung des Rückstromes bis auf etwa 1/30 des normalerweise gemessenen Rückstromes erzielen. Nach Vollendung der Behandlung und Trocknung wird in an sich bekannter Weise die aus einer leichtschmelzenden Legierung bestehende Gegenelektrode auf die frei Selenoberfläche aufgespritzt, und gegebenenfalls nach einer Wärmebehandlung zur Verfestigung der Gegenelektrode oder auch einer an sich bekannten elektrischen Belastung in Sperrrichtung ist der Gleichrichter fertig.

Claims (4)

1. Verfahren zum Herstellen unsymmetrisch leitender System mit im wesentlichen aus Selen bestehendem Halbleiter, dadurch gekennzeichnet, dass dem Selen in an sich bekannter Weise Spuren von Halogen beigemengt wird und dass die Selenoberfläche, vorzugsweise nach der thermischen Formierung, in einem das nahezu an der Oberfläche befindliche Halogen mindestens teilweise aufnehmenden gasförmigen oder flüssigen Medium behandelt wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Behandlung im dampfförmigen oder flüssigen Alkohol.

3. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch die Behandlung im dampfförmigen oder flüssigen Chloroform.

4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass dem Selen Halogen in solchem Überschuss beigemengt wird, dass auch nach mehrstündiger Behandlung in einem das Halogen teilweise aufnehmenden Medium keine unerwünschte Abnahme der elektrischen Leitfähigkeit in Durchlassrichtung eintritt.