DEC0000375MA - Verfahren zum Emaillieren von kupfernen Gegenständen - Google Patents
Verfahren zum Emaillieren von kupfernen GegenständenInfo
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Description
Co&pagnis us Pr&mttts Chtmiques &t >1 ectr<MHallurgtQue3 , fm§m 0t Cmorgue, J.«t., in mris, /rwkreieh.
¥erf&hrm zum mmiiZt@rm mn kupfernen Gegenständen y
ds ist b&kannt, 4am uie aus Kupfer oder Hup ^legierungen hergestellten Letter aü&tmft isoliert und gescftätzt werden können, dass mm sie mit gewöhnlich eis oiltcane bezeichneten stoffen beaecXt.
m ist ferner bekcmt, mr atm malll leren ein*
ms 3Chiuer oxydierbarem α stall, wie z.B.
vhrm oder Mi&el, anzubringen, tm die Bildung pm Kopf sr*
oxyaMutohm bei ®foShUr Tmpemtur zu Oemelderi, die dU
Haftfähigkeit des Silicon-Laches am Kupfer veminäern und
dessen Abblättern verursachen.
Mr xrftnäung l tegt ate isfk&mttits zu unmae, dass asuf ate Anbringung eines anderen Metalles auf 4m tupfer mrtm kmn, mm aas SmUZterm des Zupfers am ^tI tcon-Lack to einer assersto ff atmosphäre oder in der Atmosphäre eines inerten* bei am mrmnäetm Temperaturen (UU 5Gü° C) nteht oxydierenden closes durchgeführt mirtt wobei der Kupferne Gegenstand vor ύΦΤ ^maUlienmgsbehanulwig @tn$r reduzierenden Sehandlm unterworfen »tm. Auf diese tM&e wiwü vor dem Emaillieren jeäe Spur einer Oxydation mrmtgam oder besetzt; die otlUxm-änaille übt msmeftr gegm jaäe .rmrtung die ;chutzwirkung mm und mrktnä$ri ate Oxydation am Kupfers, am nunmehr ohne Aoshtgil einer oxydierenden ..tmsptiäre ausgesetzt mräm Kann.
Unter ^r Bezetcftnung otlieon-Laek stnä M >inne 4er
vorliegenden Erfindung sämtliche St&ffe zu üerstehen,
in ihren miekiilmJl-O-A- und/oder ΐ^(ΟΗ^η- Μ
und
organische mülkole, mis μ.B. ms Radikal M^t^ß, Aeth\ß, Phmiß, $mißt rdljß usw. enthalten, Mbe" η ζ tischen
I und iQ variieren kann.
Im f0l§&fidm ist die Ausführung dm ¥erfe£rwna gemäß if#r Erfindung m ämd eim@s Beispiels näher
mtet Jedoch dsm^f hingewiesen wtrd§ de$$ die fimamg nUht ouf dtmm Beispiel beschränkt ist. In diesem BtUpUiI ist auf die beigefügte Zeichnung Bezug genommen, die ebenfalls la for* eines Beispiels et&e für dte mrmfmnmg dieses Verfahrens geettgnet* farrichtung ser* anschaulicht. In aimer Zeichnung stellt
#**#. X einen senkrechten ocinttt durch ais Vorrichtung,
?i§* 2 «im far #'Iq* 1 mtspfwtenae Seitenonsicht aar.
XtmfentrefoU äer auf einer U einem (JtMuse S ang&» ordneten ipule I mtf$mUMi ist, vlnt mhr&re stvnätn lang oberhalb 2500 | in asser^toffataosphSn mrhtUU
3 IWt alsäom auwh eine senk ntc nie 4, term Länge beispielsweise 1,50 * und mrm mmmtmer beispMsmis* 1*5 cm betragen kann ma ate am üehäuse 2 mti um behause 5 verbindett dessen mmtmmmr beispielsweise 1$ m gross ist und das den SUteon-Uck € ma eine Molle f enthält, uer üraht durchläuft alsdann die senkrechten Glühöfen 8 mi % ate eins samthöhe mm beispielsweise 3 m ma einen intmfmesser 9m beispielsweise 2 m haben, tmd seriässt uU Vorrichtung durch «lit dünneres aohr 10. vieses Bohr dient 4er führung am ifrahtes und gewährleistet eimm genügenden imm~
verlust, m im ßer gesamten, sonst überall gesehlossenm richtung einen leichUn ^as3erstoffüberartte^ aufrechterhalten m könnm. Per Wasserstoff druck 1mm vermittels
sines urudmessers U überwacht werden, m Ausgang mr Vor~ richtung vicUlt sieh der tjreht mf einer durch etnen
Motor XJ ^getriebenen ^pul* 12 mi. f*m uU HeduktUm fur 4m gesamten in 4m Gehäuse 2 enthaltenen Draht *eijh>
ständig dumhffefmrt tstt lässt mm dm areht <M*eh die Vorrichtung laufen,
Der als (mmdbestandtetl Zethul-Phenyl-Silicm enthaltende Lae* setzt steh auf am mer die BM* 7 Im&mdm JJraht Φ imd polymerisiert stm in &m uitä&fen $ md
denen der Aufenthalt etm $ Mimten und Me few*-
35G bis 400° i betrogen miss* äs ist ersichtlich,
dass die Reauktions- und Maill ijTungsvorgänge auf diese
eise in reduzierender Atmosphäre Oonstatten gehen.
Die mrliegemie m>ftnaung ist JeOOCh1 toohlgemerkt,
nicht auf ate mrstehend beschriebenen dermale und
das beschriebene Beispiel beschränkt, sondern Harn auch
tn zahlreichen mtoren AusfUhrungsfomen
Claims (1)
- Patentansprüche.L· Verfahren mm Mail Ii ere η von Gegenständen mm oder gtopferlegienmgen durch Jtlt&me, dadurch getennzetcfmet, daß die Gegenstände wr dm ämUlteren der tnmirkung reduzierender stoffe ausgesetzt mräm, worauf die maiUtervng in niatä osyäierenaer Atmosphäre durchgeführt wtrtU2· Verfahren mm MaUl Urem van Kupferdrühten durch silicone gemäss Anspruch I9 dadurch gekennzeichnet, daß die die Oberfläche des mantes bedeckenden fiupfer&xyde redwlert werden und ute tewillterung in Oer eise in einer osserstoffatmoaphäre durchgeführt wird, dass der Kupferlßiter zwischen der tittduktUm und der keiner oxydierenden !.tnwifkung ausgesetztiiu
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