DE955624C - Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen

Info

Publication number
DE955624C
DE955624C DEW16443A DEW0016443A DE955624C DE 955624 C DE955624 C DE 955624C DE W16443 A DEW16443 A DE W16443A DE W0016443 A DEW0016443 A DE W0016443A DE 955624 C DE955624 C DE 955624C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
electrodes
semiconductor material
semiconductor
opposite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEW16443A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
William Gardner Pfann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
Western Electric Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co Inc filed Critical Western Electric Co Inc
Application granted granted Critical
Publication of DE955624C publication Critical patent/DE955624C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
DEW16443A 1954-06-29 1955-04-14 Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen Expired DE955624C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US440151A US2859142A (en) 1954-06-29 1954-06-29 Method of manufacturing semiconductive devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE955624C true DE955624C (de) 1957-01-03

Family

ID=23747647

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEW16443A Expired DE955624C (de) 1954-06-29 1955-04-14 Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US2859142A (enExample)
BE (1) BE539366A (enExample)
DE (1) DE955624C (enExample)
GB (1) GB777403A (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1067935B (enExample) * 1958-01-17 1959-10-29
DE1096501B (de) * 1958-04-12 1961-01-05 Intermetall Legierungsbegrenzungsform zur Herstellung von Legierungskontakten an Halbleiterbauelementen

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3016313A (en) * 1958-05-15 1962-01-09 Gen Electric Semiconductor devices and methods of making the same
US3025192A (en) * 1959-01-02 1962-03-13 Norton Co Silicon carbide crystals and processes and furnaces for making them
NL246971A (enExample) * 1959-01-02 1900-01-01
US3186065A (en) * 1960-06-10 1965-06-01 Sylvania Electric Prod Semiconductor device and method of manufacture

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1353571A (en) * 1914-06-27 1920-09-21 Elektrochemische Werke Gmbh Method of and apparatus for forming large crystals
US2273926A (en) * 1938-12-20 1942-02-24 Bakelite Corp Method of forming metal shells and arbor for the saem
US2727839A (en) * 1950-06-15 1955-12-20 Bell Telephone Labor Inc Method of producing semiconductive bodies
US2671264A (en) * 1952-05-24 1954-03-09 Rca Corp Method of soldering printed circuits

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1067935B (enExample) * 1958-01-17 1959-10-29
DE1096501B (de) * 1958-04-12 1961-01-05 Intermetall Legierungsbegrenzungsform zur Herstellung von Legierungskontakten an Halbleiterbauelementen

Also Published As

Publication number Publication date
GB777403A (en) 1957-06-19
US2859142A (en) 1958-11-04
BE539366A (enExample)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE961913C (de) Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit p-n-UEbergaengen
DE1056747C2 (de) Verfahren zur Herstellung von mehreren p-n-UEbergaengen in Halbleiterkoerpern fuer Transistoren durch Diffusion
DE1063007B (de) Verfahren zum Fortbewegen eines fest-fluessigen Grenzbereichs durch einen Koerper aus schmelzbarem Material zwecks Durchfuehrung einer gelenkten Diffusion
DE2654063A1 (de) Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial
DE1084381B (de) Legierungsverfahren zur Herstellung von pn-UEbergaengen an der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers
DE1217348B (de) Verfahren zur Herstellung von reinstem Silicium
DE1179646B (de) Flaechentransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE976348C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit pn-UEbergaengen und nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente
DE2207056A1 (de) Verfahren zum selektiven epitaxialen Aufwachsen aus der flüssigen Phase
DE955624C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen
DE3150748A1 (de) "verfahren zur herstellung einer halbleiter-vorrichtung"
DE2931432A1 (de) Eindiffundieren von aluminium in einem offenen rohr
DE2523055A1 (de) Minoritaetstraeger-trennzonen fuer halbleitervorrichtungen und verfahren zu ihrer herstellung
DE1166938B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE2517252A1 (de) Halbleiterelement
DE2659303A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterelementen
DE1288687B (de) Verfahren zur Herstellung eines Flaechentransistors mit einlegierter Elektrodenpille, aus welcher beim Einlegieren Stoerstoffe verschiedener Diffusionskoeffizienten in den Halbleitergrundkoerper eindiffundiert werden
DE1044279B (de) Verfahren zur Herstellung von Kontakten an Halbleiterkoerpern fuer Halbleiteranordnungen
DE2040761A1 (de) Infrarotempfindliches photoleitendes Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen dieses Halbleiterbauelementes
DE1936443A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung homogener und planparalleler epitaktischer Aufwachsschichten aus halbleitenden Verbindungen durch Schmelzepitaxie
DEW0016443MA (enExample)
DE1564170B2 (de) Halbleiterbauelement hoher schaltgeschwindigkeit und ver fahren zu seiner herstellung
DE2709628A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleitern
DE1160953B (de) Legierungsverfahren zur Herstellung von Tunneldioden
DE1015937B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitern mit p-n-Schichten