DE925987C - Verwendung von Silberlegierungen als Hartlot fuer die Hochvakuumtechnik - Google Patents
Verwendung von Silberlegierungen als Hartlot fuer die HochvakuumtechnikInfo
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- DE925987C DE925987C DED13428A DED0013428A DE925987C DE 925987 C DE925987 C DE 925987C DE D13428 A DED13428 A DE D13428A DE D0013428 A DED0013428 A DE D0013428A DE 925987 C DE925987 C DE 925987C
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550°C
- B23K35/3006—Ag as the principal constituent
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- Mechanical Engineering (AREA)
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Description
- Verwendung von Silberlegierungen als Hartlot für die Hochvakuumtechnik Die Erfindung bezieht sich auf eine Metallegierung, die sich zum Hartlöten in der Hochvakuumtechnik eignet.
- Zum Zweck der Hartlötung von Bauteilen der Hochvakuumtechnik, wie z. B. Gittern in; Radioröhren usw., werden Lote gefordert, die frei von Metallen mit niedrigem Siedepunkt wie Zink und Kadmium sind. Da andererseits ein niedriger Schmelzpunkt der Lote erwünscht ist, sind zahlreiche Vorschläge gemacht worden; diese beiden Forderungen in einem Werkstoff zu vereinigen.
- Der Schmelzpunkt der reinen Zweistofflegierungen von Silber und Kupfer liegt bei cutektischer Zusammensetzung bei 779°, also für die genannten Zwecke noch reichlich hoch. Als drittes Legierungselement zur weiteren Herabsetzung des Schmelzpunktes ist Zinn vorgeschlagen worden, und Lote mit einem Gehalt von -rund 5 % Zinn haben eine gewisse praktische Bedeutung erlangt, da sich das Schmelzintervall bei dieser Zusammensetzung auf 743 bis 76o° herabsetzen läßt.
- Eine weitere wesentliche Erhöhung des. Zinngehaltes bringt zwar eine noch stärkere Herabsetzung der Schmelztemperatur mit sich, hat jedoch eine Versprödung der Werkstoffe zur Folge, die ihre Herstellungs- und Verwendungsmöglichkeiten einschränken.
- Es hat sich nun überraschenderweise gezeigt, daß sich durch die Zugabe von Indium als drittem Legierungsbestandteil zu Kupfer-Silber-Legierungen Lote entwickeln lassen, die den gestellten Anforderungen in hohem Maße gerecht werden. Das Indium hat als reines Metall einen ausreichend hohen Siedepunkt, um den Ansprüchen in dieser Hinsicht zu genügen. Es erniedrigt andererseits bei den hier interessierenden Konzentrationen den Schmelzpunkt der Legierungen wirksam, ohne zu einer Versprödung zu führen, so daß keinerlei Verarbeitungsschwierigkeiten entstehen. Der Gehalt an Indium liegt dabei im Gebiet der ternären Mischkristalle, also im Bereich von 5 bis i5 %..
- Eine Legierung in der Nähe des Eutektikums, die 15 bis 450/0 Kupfer, 5 bis i5 % Indium, Rest 45 bis 8o % Silber, vorzugsweise 64,4% Silber, 25,6% Kupfer und io% Indium enthält, hat sich besonders bewährt; sie ermöglicht die Durchführung von Lötungen bereits.bei Temperaturen von 68o°.
- Als weitere Legi,erungsbestandte:ile können Nickel oder Mangan oder beide neben den genannten Komponenten enthalten sein, falls das Lot noch andere spezielle Eigenschaften, wie Benetzungsfähigkeit von Wolfram und Mo@lybdän usw., erhalten soll. Aus führungsbeispiele i. 64,411/o Ag, 25,6% Cu, io% In.
- 2. 65 0/ö Ag, 26 % Cu, 8 0/11 In, i 1/o Ni. 3. 6'3'% Ag, 24 % Cu, 12 % In, i % Mn.
Claims (3)
- PATENTANSPROCHG: i. Verwendung einer Legierung aus -15 bis 45% Kupfer, 5 bis i5% Indium, Rest 45 bis 8o % Silber als Hartlot in der Hochvakuumtechnik.
- 2. Verwendung einer Legierung aus 25;6% Kupfer, io0/a Indium, 64,4% Silber für den im Anspruch i angegebenen Zweck.
- 3. Verwendung von Legierungen der im Anspruch i oder 2 genannten Zusammensetzung: die jedoch 'unter entsprechender Verringerung des Silbergehaltes noch bis i °/oi Nickel oder Mangan oder beide enthalten, für den im Anspruch i angegebenen Zweck. Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 839 o67.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DED13428A DE925987C (de) | 1952-10-28 | 1952-10-28 | Verwendung von Silberlegierungen als Hartlot fuer die Hochvakuumtechnik |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DED13428A DE925987C (de) | 1952-10-28 | 1952-10-28 | Verwendung von Silberlegierungen als Hartlot fuer die Hochvakuumtechnik |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE925987C true DE925987C (de) | 1955-04-04 |
Family
ID=7034401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DED13428A Expired DE925987C (de) | 1952-10-28 | 1952-10-28 | Verwendung von Silberlegierungen als Hartlot fuer die Hochvakuumtechnik |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE925987C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1170758B (de) * | 1958-09-10 | 1964-05-21 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-anordnung |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE832067C (de) * | 1950-09-12 | 1952-02-21 | Rau Fa G | Durch Ausscheidungshaertung verguetbare Silberlegierung |
-
1952
- 1952-10-28 DE DED13428A patent/DE925987C/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE832067C (de) * | 1950-09-12 | 1952-02-21 | Rau Fa G | Durch Ausscheidungshaertung verguetbare Silberlegierung |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1170758B (de) * | 1958-09-10 | 1964-05-21 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-anordnung |
| DE1176451B (de) * | 1958-09-10 | 1964-08-20 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-bauelementes |
| DE1200102B (de) * | 1958-09-10 | 1965-09-02 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-bauelementes |
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