DE880185C - Halbleiter-Schichtenfotozelle - Google Patents
Halbleiter-SchichtenfotozelleInfo
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- DE880185C DE880185C DEF5403A DEF0005403A DE880185C DE 880185 C DE880185 C DE 880185C DE F5403 A DEF5403 A DE F5403A DE F0005403 A DEF0005403 A DE F0005403A DE 880185 C DE880185 C DE 880185C
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 9
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 8
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002871 Dammar gum Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIDTVPHHDGRGAF-UHFFFAOYSA-N selenium sulfide Chemical compound [Se]=S VIDTVPHHDGRGAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005265 selenium sulfide Drugs 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
- Halbleiter-Schichtenfotozelle Es ist bekannt, Halbleiter-Schichtenfotozellen so auszubilden, daß auf der der Leuchtquelle zuzuwendenden Seite der Zelle eine Quarzplatte vorgesehen wird, die die Aufgabe hat, die Fotoschicht zu schützen. Es ist ferner bekannt, eine die Zelle schützende Schicht aus Quarz, Silicium-Monoxvd oder ähnlichen geeigneten Stoffen vorzugsweise im Wege einer Verdampfung auf der Selenschicht bzw. der auf ihr befindlichen Stromal)nahmeschicht anzubringen.
- Eingehende Versuche mit derartigen Zellen ergaben ein nicht völlig befriedigendes Arbeiten derselben. Insbesondere wurden bereits nach kurzer Einwirkung sehr schwacher Säuren Leistungsminderungen festgestellt. Diese Beobachtungen führten zu der Feststellung, daß die aufgedampften Quarzschichten porös sind, so daß zum mindesten im Laufe längerer Betriebszeiten schädliche Einwirkungen durch die Quarzschicht hindurch auf die Stromabnahmeelektrode bzw. die von ihr bedeckte Selenschicht gelangen.
- Gemäß der Erfindung werden die beschriebenen Nachteile der bekannten Schichtenfotozellen dadurch beseitigt, daß außer der durch Aufdampfen oder ähnlich hergestellten Glas-, Quarz- oder Silicium-Monox_vdschicht eine zusätzliche Lackschicht auf der Zellenoberfläche vorgesehen wird. Ein solcher Lack hat die Eigenschaft, entweder in die Poren der aufgedampften Schicht einzudringen und diese zu schließen oder auf der Quarzoberfläche eine zusammenhängende, feuchtigkeits- und dampfdichte Schicht zu bilden. Die Lackschicht wird entweder außen auf der iQuarzschicht aufgebracht oder vor dem Aufbringen der Quarzschicht auf der Stromabnahmeelektrode in an sich bekannter Weise aufgetragen.
- Als Material für die Lackschicht sind in erster Linie Damarharzlösungen in Reinbenzol oder bekannte Kunstharzlösungen geeignet.
- Für gewisse Anwendungszwecke kann es sich empfehlen, die Lackschicht farbig zu gestalten, so daß sie zugleich als Filter für die von der Zelle aufzunehmende Strahlung verwendbar ist und damit spektrale Korrekturen der Zellenempfindlichkeit ermöglicht.
- Eine beispielsweise Ausführungsform für eine erfindungsgemäß ausgeführte Fotozelle besteht aus folgenden Teilen: Eine leitende Grundplatte, z. B. aus Graphit, bildet die Unterlage für eine fotoelektrische Schicht aus Selen oder einer Selenverbindung, z. B. einem Selenoxyd oder Selensulfid. Auf dieser Fotoschicht befindet sich eine strahlendurchlässige Schicht mit netzartiger Stromabnahmeelektrode, z. B. aus Cadmiumoxyd. Auf dieser ist wiederum eine dünne Schicht aus Quarz aufgedampft, die schließlich eine abschließende, ebenfalls dünne, strahlendurchlässige Schicht aus einem Lack, z. B. Kunstharzlack, trägt.
- In der Fertigung der beschriebenen Fotozellen wird zweckmäßig derart vorgegangen, daß der Lack oder die Lackschichten nach der Auftragung durch eine an sich bekannte Wärmebehandlung gehärtet und mit der Quarzschicht innig vereinigt wird.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Halbleiter-Schichtenfotozelle mit lichtdurchlässiger Stromabnahmeelektrode und darauf befindlicher, vorzugsweise aufgedampfter ,Quarzschicht, dadurch gekennzeichnet, daß Tiber oder unter der Quarzschicht eine strahlendurchlässige Lackschicht vorgesehen ist.
- 2. Zelle nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als Lackschicht eine Kunstharzschicht in einem säurefreien Lösungsmittel dient.
- 3. Verfahren zur Herstellung von Zellen nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Lackschicht durch Wärmebehandlung gehärtet und mit der Quarzschicht innig vereinigt -wird. q.. Zelle nach Anspruch i, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die strahlendurchlässige Lackschicht derart gefärbt ist, daß sie als die spektrale Zellenempfindlichkeit der Fotozelle korrigierendes Filter dient. Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 721 743, 72q.288.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEF5403A DE880185C (de) | 1951-01-13 | 1951-01-13 | Halbleiter-Schichtenfotozelle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEF5403A DE880185C (de) | 1951-01-13 | 1951-01-13 | Halbleiter-Schichtenfotozelle |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE880185C true DE880185C (de) | 1953-06-18 |
Family
ID=7084567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEF5403A Expired DE880185C (de) | 1951-01-13 | 1951-01-13 | Halbleiter-Schichtenfotozelle |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE880185C (de) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE721743C (de) * | 1939-03-21 | 1942-06-17 | Ernst Presser | Ultraviolettempfindliche Generatorzelle der Schichtenbauart |
| DE724288C (de) * | 1936-07-04 | 1942-08-22 | Ernst Presser | Verfahren zur Haltbarmachung von lichtelektrischen Zellen, welche kristalline Schichten enthalten |
-
1951
- 1951-01-13 DE DEF5403A patent/DE880185C/de not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE724288C (de) * | 1936-07-04 | 1942-08-22 | Ernst Presser | Verfahren zur Haltbarmachung von lichtelektrischen Zellen, welche kristalline Schichten enthalten |
| DE721743C (de) * | 1939-03-21 | 1942-06-17 | Ernst Presser | Ultraviolettempfindliche Generatorzelle der Schichtenbauart |
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