DE833227C - Selengleichrichter kleiner Baulaenge - Google Patents

Selengleichrichter kleiner Baulaenge

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DE833227C
DE833227C DE1949833227D DE833227DA DE833227C DE 833227 C DE833227 C DE 833227C DE 1949833227 D DE1949833227 D DE 1949833227D DE 833227D A DE833227D A DE 833227DA DE 833227 C DE833227 C DE 833227C
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DE
Germany
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nickel
selenium
layer
base plate
manufacture
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Expired
Application number
DE1949833227D
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English (en)
Inventor
Hans Nagorsen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08Preparation of the foundation plate

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Description

  • Selengleichrichter kleiner Baulänge Die Selengleichrichter sind bisher aus aneinandergereihten Scheiben aufgebaut worden, die je aus einer vorzugsweise vernickelten Trägersch6be und einer daran sitzenden Selenschicht und Gegenelektrode bestehen. Infolge der Dicke der Trägerscheibe erhalten die Gleichrichter, insbesondere \\,enn sie für mittlere oder hohe Spannungen verwendet werden, eine verhältnismäßig große Baulänge, auch wenn sie für 'kleine Belastungen bestimmt sind.
  • Die Erfindung befaßt sich mit der Aufgabe, Selengleichrichter kleiner Baulänge zu schaffen. Erfindungsgemäß wird der Selengleichrichter aus aufeinandergeschichteten, Gleichrichterzellen bildenden Folien zusammengesetzt, die durch Lösen von Grundscheiben gewonnen sind, die die Gleichrichterzellen bei ihrer Herstellung tragen. Solche Folien lassen sich vorzugsweise, durch folgende \'erfa'hren herstellen: Man kann als Grundscheibe eine Aluminiumscheibe verwenden, dIe im einem heißen Nickelsalzhad durch Metallaustausch vernickelt wird. Dadurch entsteht auf der Aluminiumscheibe eine poröse, rauhe Nickelschicht. Auf diese Nickelschicht wird in an sich bekannter Weise die Selenschicht aufgetragen und zur Erzeugung einer leistungsfähigen Gleichrichterzelle thermisch behandelt. Alsdann wird auf die Selenschicht die Gegenelektrode aufgebracht. Dies kann z. B. durch Aufspritzen von Zinn-Kadmium mitThalliumgehalt geschehen. Die Nickelschicht ist imstande, die Selenschicht anhaften zu lassen. Nach wenigen Tagen, insbesondere unter Einwirkung von. feuchter Luft, überzieht sich die Aluminiumscheibe mit einer .11umi-niumoxyd- und Aluminiumhydroxydschicht. Infolge der Porosität der Nickelschicht findet auch diese Oxydbildung unterhalb der Nickelschicht statt. Sobald sich unterhalb der Nickelschicht die Aluminiumscheibe mit Aluini-tiitinioxyd bzw. Aluminiumhydroxyd hinreichend überzogen hat, haftet ini,cht mehr die Nickelschicht auf der Grundscheibe, sondern löst sich von selbst von ihr ah. Sie bildet finit der an ihr sitzenden Selenschicht und Gegenelektrode eine dünne Folie, die für sich eine Gleichrichterzelle darstellt.
  • Zur Herstellung der Folien für den Aufbau des Seleiigleiclirichters gemäß der Erfindung kann auch folgeti(ier @\'eg beschritten werden: Zunächst wird eine Grundscheibe, die zweckmäßig aus Eisen besteht. in an sich bekannter Weise, z. B. durch Galvanisieren, vernickelt. Die vernickelte Grundc eil)e läßt man dann oxydieren. Alsdann wird aluf die oxydierte Nickelschicht nochmals eine .N ickelschicht aufgetragen. Auf die zweite Nickelschicht wird wieder in an sich bekannter Weise die Selenschicht und danach die Gegenelektrode auf-@ebracht. Wird die in dieser Weise hergestellte (@leichrichterscheilye einer nachträglichen Erwä rtnung, z. 13. auf 200° C, unterworfen, so löst sich von selbst die zweite Nickelschicht von der oxydierten Nickelschicht ab. An der zweiten Nickelschicht sitzt die Selenschicht und daran die Gegenelektrode. Der von der Grundscheibe abgelöste Teil stellt eine Folie dar, die wieder für sich e i@ue Gleichrichterzelle bildet. Das Ablösen der Folie wird besonders erleichtert, wenn vor dem Auftragen der Selenschicht die zweite Nickelschicht nochmals oxydiert und wieder vernickelt und diese Schichtung wiederholt wird.
  • Zu der Herstellung der Folie (können als Grundsclieiben auch andere ebene Platten verwendet werden, die geeignet sind, als Grundlage für den Aufbau der Gleichrichterzellen vor ihrem Ablösen zu (1 iene,n .
  • Nach Ablösen der Folie von der Grundscheibe ist es zweckmäßig, die Folie auf der Nickelseite finit einer dünnen Zinn-Kadmium-Schicht zu versehen, die durch Aufspritzen aufgebracht werden kann. Diese Zinn, Kadmium-Schicht verfestigt die 1#olie. Sie gewährleistet aber auch eine gute Kontaktgabe, wenn die Folie mit anderen Folien zu einer Säule geschichtet wird. Aus der Folie, die in größeren Abmessungen hergestellt werden ikann, lassen sich Scheiben ausstanzen, deren Größe sich nach (lern Belastungsstrom richtet. Bevor die Scheiben zu Säulen geschichtet werden, müssen sie noch gesund gel)i-@itiiit nver<leit. ttln die beim Stanzen an den Schnittstellen entstehenden Fehlerstellen zti beseitigen.
  • Da die Folien, die <Itirch Abhisen von der Grundscheibe gewonnen wer(ien, sehr dünn sind, haben die @elengleichrichter. die aus diesen Folien aufgebaut wer(i@n. ei-tie kleine Baulänge. SolcheGleichrichter lassen sich als besondere Bauelemente ausbilden, die vorteilhaft in 1#eriiniel(leanlagei, Radioanlagen, Steueranlagen usw. vet-wendbar sind. Durch die Erfindung lassen sich auch l)vson(lei-s kleine Netzgleichrichter und I@oc@ispannungäg@eichri@chter herstellen, wie sie z. 13. zum Betrieb von Hraunschen Röhren, lZöntgenr<ilircn, Hochspannungserzeugern gel»-auclit wer(ien.

Claims (4)

  1. PATt:NTANSPRLCHE: 1.
  2. Selehgleiclii-iclitci- kleiner Baulänge, gekennzeichnet durch aufeinandergeschichtete, (ilei.cliricliterzelleii hilden(le Folien, die durch Ablösen von (irun.(Isclieiireit gewonnen sind, die die Gleichrichtcrzelleu lief ihrer Herstellung t r age.il. ?. \'ei-f21111-ett zttt- Ilerstellttng Vou@e@eng@eichrichtern stach Anspruch i, dadurch -gekennzeichnet, dati eilte <tls Grundscheibe dienende Altinliniumscheilx@ porös \-ernickelt und in an sich bekannter \\'eise niit (ler Selenschicht und Gegenelektrode versehen wird, wonach sich von selbst, iiisl>eson(lci-e unter I:iinwirkung von feuchter Luft, die (lieGleicliricliterzelle bildende Folie von der Grundscheibe ablöst.
  3. 3. \-erfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, (1 .aß eine bereits vernickelte Grundscheilw, insbesondere aus Eisen, oxydiert, danach nochmals vernickelt. gegebenenfalls diese Schichtung wiederholt wird und darauf in an sich bekannter \\-eise niit der Selenschicht und (3egeuelektro(le versehen wird, worauf sich hei Erwärmung von selbst die dieGleichrichterzelle bildendeFolie \-()u derGrundscheibe ablöst.
  4. 4. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern nach Anspruch 2'oder 3, dadurch gekennzeichnet, da13 die von (ler Grunrdscheibe abgelöste Folie durch Aufspritzen einer Zinn-Kadinitini-Schicht auf diie finit Nickel hehaftete Seite der Folie verstärkt wird.
DE1949833227D 1949-06-11 1949-06-11 Selengleichrichter kleiner Baulaenge Expired DE833227C (de)

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