DE701576C - Elektronenoptische Anordnung zur Abbildung eines grossflaechigen Elektronenbildes auf eine Schirmelektrode unter Zwischenschaltung einer oder mehrerer undurchlaessiger Prallelektroden fuer Sekundaeremissionsverstaerkung - Google Patents
Elektronenoptische Anordnung zur Abbildung eines grossflaechigen Elektronenbildes auf eine Schirmelektrode unter Zwischenschaltung einer oder mehrerer undurchlaessiger Prallelektroden fuer SekundaeremissionsverstaerkungInfo
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- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf elektronenoptische Einrichtungen, im besonderen auf
Mittel zur Verstärkung eines optischen Bildes durch Umwandlung in ein Primärelektronenbild
und nachfolgende ein- oder mehrstufige Elektronenvervielfachung, wobei das letzte
Sekundärelektronenbild wieder in ein optisches Bild gewünschter Intensität verwandelt
wird.
S olche Einrichtungen sind unter dem Namen Bildverstärker bekannt und lassen sich besonders
vorteilhaft für Elektronenfernrohre verwenden, besonders dann, wenn man Bilder von Körpern beobachten will, welche Infrarotstrahlen
oder andere Strahlen aussenden, auf welche das menschliche Auge nicht anspricht.
Ein solcher Bildverstärker besteht im wesentlichen aus einer Photokathode zur Erzeugung
des Primärelektronenbildes aus dem ?.<> Lichtbild, einer sekundäremissionsfähigen
Elektrode, auf welcher das Primärelektronenbild auftrifft, und einer Schirmelektrode,
durch welche das Sekundärelektronenbild ausgewertet wird. Diese Schirmelektrode ist gewohnlich
ein Fluoreszenzschirm, kann aber auch eine Mosaikelektrode sein, wenn das verstärkte Bild an einen anderen Ort übertragen
werden soll.
Bis jetzt wurden zwei verschiedene An-Ordnungen solcher Elektroden verwendet. In
einem Fall besteht die Sekundäremissionselektrode aus einer Art Gitter oder Netz,
dessen eine Oberfläche der Photokathode,
dessen andere der Schirmelektrode zugekehrt ist. Im zweiten Fall wird als Sekundäremissionsverstärker
eine Platte verwendet, die so angeordnet ist, daß die emissionsfähige Plattenoberfläche einen Winkel mit der
Kathode und der Schirmelektrode bildet.
Ein Nachteil der erstgenannten Anordnung besteht darin, daß ein Gitter- oder netzartiger
Schatten der Verstärkerelektrode auf dem ίο Schirm auftritt und das Bild verdirbt. Wenn
das Xetz der Verstärkerelektrode zu fein ist, so daß keine wesentlichen Bildstörungen auftreten,
erreicht man nur eine geringe Elektronenverviel fachung, da dann nur wenig
Sekundärelektronen durch die winzigen Gitteröffnungen hindurchgehen.
Für den Fall, daß die plattenförmige Sekundäremissionselektrode einen Winkel mit
der Photokathode und der Schirmelektrode bildet, d. h. schief zu beiden angeordnet ist,
läßt die Axialsymmetrie zu wünschen übrig, und man erhält dementsprechend gewisse
Bildverzerrungen.
Gegenstand der Erfindung ist ein elektronenoptisches System, welches ein großflächiges
Elektronenbild erzeugt, das frei von Schatten, Aberration und anderen Bildfehlern ist, wie
sie bei den bisher benutzten Anordnungen auftreten.
Gemäß der Erfindung verwendet man ein Linsensystem für die Primärelektronen und
ein zweites Linsensystem für die Sekundärelektronen. Die Linsenelemente sind so ausgebildet
und angeordnet, daß die Zentral- *3S achse beider Systeme zueinander parallel verläuft.
Genauer ausgedrückt, gibt die vorliegende Erfindung ein elektronenoptisches System an, welches aus einer Linsenanordnung
für die Primärelektronen und einer zweiten für die Sekundärelektronen besteht, wobei das zweite Linsensystem eine Symmetrieachse
hat, die senkrecht zur Photokathodenebene, Vervielfacherelektroden- und Schirmelektrodenebene verläuft. Die Achse
des Linsensystems für die Sekundärelektronen ist von der Symmetrieachse des ersten Linsensystems
etwa um die Hälfte des Halbmessers der Vervielfacherelektrode entfernt. Diese Anordnung wird, wie später auseinandergesetzt
werden soll, durch die Verwendung übermäßig großer Fokussierungs- und Ausgangselektroden
im zweiten Linsensystem möglich. Primär- und Sekundärelektronenstrahlengang durchdringen sich im spitzen
Winkel, da die Ebenen der Photokathode und der Schirmelektrode gemeinsam der Vervielfacherelektrodenebene
zugekehrt sind.
Die Erfindung soll an Hand der Abbildungen genauer beschrieben werden.
Beim Ausführungsbeispiel der Abb. 1 bezeichnet T die hochevakuierte zylindrische
Röhrenhülle, deren Längsachse durch die ge-1
strichelte Linie x-x angegeben ist. Die Röhrenhülle besteht vorzugsweise ganz oder teilweise
aus Glas und besitzt ein durchsichtiges Fenster W in der Nähe der durchsichtigen
Photokathode C. Ein nicht dargestelltes lichtoptisches Linsensystem dient dazu, ein infrarotes
oder sonstiges Lichtbild auf die Photokathode zu werfen. Die Kathode C ist vorzugsweise
in bekannter Weise gekrümmt, um die Bildfeldkrümmung und die sogenannte kissenförmige \rerzeichnung auszugleichen.
Eine Reihe von Ringen 1, 3 und 5 sind in geeignetem Abstand angeordnet. In dem
ersten Ring ist die Photokathode C untergebracht. Diese Ringe bilden zusammen mit
einem kurzen Zylinder 7 das Primärelektronensystem. Es erhält seine Spannung über
einen Spannungsteiler R und dient dazu, die Primärelektronen der Kathode auf einen Teil
der Oberfläche der Elektrode M am entgegengesetzten Ende der Röhre T zu fokussieren.
Das Primärelektronenlinsensystem aus den Elementen 1, 3, 5 und 7 hat eine Symmetrieachse
y-y, die parallel zur Achse x-x verläuft und senkrecht zur Ebene der Kathode C und
der Elektrode M steht. Die punktierte Linie p deutet die Fokussierungswirkung dieses
Linsensystems auf die Elektronen des Primärelektronenbildes an. Wie der Pfeil erkennen
läßt, wird das Bild dabei umgekehrt. Man erkennt, daß die Oberfläche der Elektrode
M1 auf welche das Primärelektronenbild
auftrifft, sehr viel größer ist als es für dieses Bild nötig wäre. Bei der angegebenen
Ausführungsform der Erfindung ist die Fläche der Elektrode M etwa viermal so groß wie
die Fläche der Photokathode C. Die genaue Flächengröße hängt natürlich in gewissem'
Maße von dem Vergrößerungsgrad des Bildes ab.
Die Elektrode M oder zum mindesten der Teil, auf welchen das Primärelektronenbild
auf trifft, wird mit Zäsium oder einem ahnliehen Stoff behandelt, um seine Sekundäremissionsfähigkeit
zu erhöhen. Aus dem gleichen Grunde wie die Kathode C ist auch die Elektrode M gekrümmt.
Die Ringe 2, 4, 6, 8, 10 und 12 und der
Fokussierungszylinder 14 bilden die Elemente eines Linsensystems für die Sekundärelektronen.
Bei geeigneter Spannungszuführung fokussiert es die von der Elektrode M ausgehenden
Sekundärelektronen auf eine Schirmelektrode, die ein Willemit-Schirm S in
einem Metallring 15 sein kann. Die Fokussierungselektroden haben vorzugsweise denselben
übermäßigen Durchmesser wie die Sekundäremissionselektrode M. Eine Abschirmung N
dicht auf der inneren Röhrenwand zwischen den beiden Linsensystemen bildet keinen Teil
der Linsen, sondern dient nur dazu, Streuelektronen auf dem Glas abzuleiten.
Man erkennt, daß die Achse x-x auch die Achse der Elektroden des Sekundärelektronensystems
darstellt und parallel zur Achse y-y des Linsensystems für die Primärelektronen
verläuft, aber gegen diese etwa um die Hälfte des Halbmessers der SekundäremissionselektrodeM
versetzt ist.
to Im Betrieb erhalten die Fokussierungszylinder J und 14, die Abschirmung N und
der Träger ring 15 für den Schirm ,S* durch
die Zuführung ιζα ein Potential von etwa
5000 Volt, bezogen auf die Kathode C. In diesem Fall wird der Fokussierungsring S
durch eine Leitung 5a mit einem Punkt auf
dem Spannungsteiler R verbunden, welcher gegenüber der Kathode C an einer Spannung
von 175 Volt positiv liegt. Der Ring 3 wird
so durch die Leitung 3a mit einem dazwischenliegenden
Punkt verbunden. Die Sekundäremissionselektrode M liegt über einen einstellbaren
Abgriffpunkt 2a an einem Punkt von R, welcher etwa 800 Volt positiv gegenüber
Kathode C ist, die Fokussierungsringe 2, 4, 6, 8, 10 und 12 auf 825, 850, 875, 900 und
925 Volt.
Dann treten die Primärelektronen der Kathode C in den Zylinder 14 des Linsensystems
für die Sekundärelektronen mit einer Geschwindigkeit von etwa 5000 Volt ein. Bei
dieser Geschwindigkeit bleiben die Primärelektronen praktisch von den Fokussierungsringen
2, 4, 6, 8, 10, 12 und Zylinder 14 des
Sekundärelektronensystems unbeeinflußt. Die Sekundärelektronen der Elektrode M verlassen
diese Elektrode mit sehr geringen Geschwindigkeiten und unterliegen der Fokussierungswirkung
des elektrostatischen Feldes zwischen den Linsenelementen 2, 4, 6, 8, 12
und 14.
Weil das elektrostatische Linsensystem ein umgekehrtes Elektronenbild erzeugt, gelangen
alle Sekundärelektronen der Elektrode M auf die gegenüberliegende Seite der Achse x-x des
Sekundärelektronensystems und werden auf den Schirm 5" zur Erzeugung eines sichtbaren
umgekehrten verstärkten Bildes fokussiert, welches dem Lichtbild auf der Kathode C
entspricht.
Man kann auch mehrere Vervielfacherstufen mit .getrennten Elektronenlinsensystemen
verwenden, wenn man ein noch höheres Maß von Verstärkung haben will. In Abb. 2 sind drei Vervielfacherelektroden M1, M2 und
M3 angegeben. Die übrigen Elemente, d. h.
Kathode C3 Schirmelektrode 5* und Abschirmung^
entsprechen denen in Abb. 1. Die Achse des Primärelektronensystems ist wie
vorher mit y-y angegeben, während die Achsen der Sekundärelektronenlinsen mit
X1-Z1, X2-X2 und X3-X3 bezeichnet sind.
An Stelle der elektrostatischen Elektronenlinsen kann man auch elektromagnetische
verwenden.
Claims (3)
1. Elektronenoptische Anordnung zur Abbildung eines großflächigen Elektronenbildes
auf eine Schirmelektrode unter Zwischenschaltung einer oder mehrerer undurchlässiger Prallelektroden für Sekundäremis-sionsverstärkung,
dadurch gekennzeichnet, daß ein Elektronenlinsensystem für das Primärelektronenbild und
je ein Elektronenlinsensystem für die Sekundärelektronenbilder vorhanden sind, daß die Symmetrieachsen aller Elektronenlinsensysteme
parallel verlaufen und gegeneinander versetzt sind und daß die Symmetrieachse des Primärelektronenlinsensystems
senkrecht zur Ebene der Sekundäremissionsvervielfacherelektroden sowie die Achsen des bzw. der Sekundärelektronenlinsensysteme
senkrecht zur Ebene der Schirmelektrode verlaufen.
2. Elektronenoptisches System nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß der
Durchmesser der Sekundäremissionselektroden mindestens so groß wie der doppelte
Durchmesser des Primärelektronenbildes ist und der Durchmesser des Linsensystems,
durch das die Primär- und die Sekundärelektronen gemeinsam hindurchtreten, nicht kleiner ist als der Durchmesser
der ersten Sekundäremissionselektrode.
3. Elektronenoptisches System nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die
Ebenen der Photokathode und der Schirmelektrode gemeinsam der Vervielfacherelektrodenebene
zugekehrt sind.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US199111A US2222181A (en) | 1938-03-31 | 1938-03-31 | Electron-optical device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE701576C true DE701576C (de) | 1941-01-20 |
Family
ID=22736267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1939R0104895 Expired DE701576C (de) | 1938-03-31 | 1939-04-01 | Elektronenoptische Anordnung zur Abbildung eines grossflaechigen Elektronenbildes auf eine Schirmelektrode unter Zwischenschaltung einer oder mehrerer undurchlaessiger Prallelektroden fuer Sekundaeremissionsverstaerkung |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2222181A (de) |
DE (1) | DE701576C (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2580697A (en) * | 1949-06-30 | 1952-01-01 | Bell Telephone Labor Inc | Image dissector tube |
-
1938
- 1938-03-31 US US199111A patent/US2222181A/en not_active Expired - Lifetime
-
1939
- 1939-04-01 DE DE1939R0104895 patent/DE701576C/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US2222181A (en) | 1940-11-19 |
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