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Feld Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Gleichtaktrückkopplungsschaltung.
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Beschreibung des Standes der
Technik
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Der
Zweck einer Gleichtaktrückkopplungsschaltung
ist, einen zugehörigen
voll differentiellen Verstärker
zu stabilisieren. Ein stabiler voll differentieller Verstärker kann
nur erreicht werden, wenn die Bandbreite der Gleichtaktrückkopplungsschaltung größer ist
als die Bandbreite des voll differentiellen Verstärkers. Die
Gleichtaktrückkopplungsschaltung muss
auch stabil sein. Instabilität
innerhalb einer Gleichtaktrückkopplungsschaltung
wird zum Beispiel durch Knoten hoher Impedanz verursacht. Traditionell
werden Kondensatoren verwendet, um Knoten hoher Impedanz zu kompensieren,
aber das Hinzufügen
von Kondensatoren verringert die Bandbreite der Gleichtaktrückkopplungsschaltung
und bringt dadurch eine Einschränkung
für die
Bandbreite des voll differentiellen Verstärkers ein.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung ist eine Schaltungsanordnung mit einer Gleichtaktrückkopplungsschaltung
gemäß Anspruch
1 vorgesehen.
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Eine
Schaltungsanordnung mit einer Gleichtaktrückkopplungsschaltung gemäß Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung enthält
demnach eine Um wandlungsschaltung, die die Ausgangsspannungen eines
voll differentiellen Verstärkers
in Ströme
umwandelt, und eine Additionsschaltung, die die Ströme addiert,
um einen Summenstrom zu erzeugen. Der Summenstrom wird dann von
einer Vergleichsschaltung mit einem Referenzstrom verglichen. Eine
Rückkopplungsschaltung
erzeugt eine Rückkopplungsspannung
zum Steuern des voll differentiellen Verstärkers, basierend auf den Ergebnissen
des Vergleichs. Vorteilhafterweise enthält die Gleichtaktrückkopplungsschaltung
gemäß Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung keine Knoten hoher Impedanz oder leidet
an den damit verbundenen Problemen und Nachteilen.
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Beschreibung der Zeichnungen
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Die
vorliegende Erfindung wird aus der hierin gegebenen detaillierten
Beschreibung und den beigefügten
Zeichnungen, die nur als Veranschaulichung gegeben werden, vollständiger verständlich, wobei
gleiche Referenzzeichen entsprechende Teile in den verschiedenen
Zeichnungen bezeichnen, und wobei:
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1 eine
Ausführungsform
der Gleichtaktrückkopplungsschaltung
gemäß der vorliegenden Erfindung
veranschaulicht, die auf einen konventionellen voll differentiellen
Verstärker
angewendet ist; und
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2 eine
andere Ausführungsform
der Gleichtaktrückkopplungsschaltung
gemäß der vorliegenden
Erfindung veranschaulicht, die auf den konventionellen voll differentiellen
Verstärker
angewendet ist.
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Detaillierte Beschreibung
der bevorzugten Ausführungsformen
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1 veranschaulicht
eine Ausführungsform
der Gleichtaktrückkopplungsschaltung
gemäß der vorliegenden
Erfindung, die auf den voll differentiellen Verstärker 10 angewendet
ist. Weil der voll differentielle Verstärker 10 in 1 wohl
bekannt ist, wird auf eine Beschreibung der Struktur und des Betriebs
des voll differentiellen Verstärkers 10 verzichtet.
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Die
Gleichtaktrückkopplungsschaltung 100 enthält einen
ersten und einen zweiten Bipolartransistor 102 bzw. 104,
die die Ausgangsspannungen des voll diffe rentiellen Verstärkers 10 an
ihren jeweiligen Gate-Anschlüssen
empfangen. Der erste Bipolartransistor 102 ist in Serie
mit einem ersten NMOS-Transistor 106 zwischen der Energiequellenspannung
VDD und Masse angeschlossen. Der zweite Bipolartransistor 104 ist
in Serie mit einem zweiten NMOS-Transistor 108 zwischen
der Energiequellenspannung VDD und Masse angeschlossen. Die Gate-Anschlüsse des
ersten und des zweiten NMOS-Transistors 106 bzw. 108 sind
mit der vierten festen Vorspannung verbunden.
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Ein
erster und ein zweiter Widerstand 110 bzw. 112 sind
in Serie zwischen den Emitter-Anschlüssen des ersten und des zweiten
Bipolartransistors 102 bzw. 104 angeschlossen.
Eine erste Konstantstromquelle 114 ist zwischen der Verbindung des
ersten und des zweiten Wiederstands 110 bzw. 112 und
Masse angeschlossen. Die Verbindung zwischen dem ersten und dem
zweiten Widerstand 110 bzw. 112 wird von hier
an als Knoten 122 bezeichnet.
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Wie
weiterhin in 1 gezeigt, ist eine zweite Konstantstromquelle 116 in
Serie mit einem Referenzbipolartransistor 118 zwischen
der Energiequellenspannung VDD und dem Knoten 122 angeschlossen.
Ein Rückkopplungs-PMOS-Transistor 120 ist parallel
zu der zweiten Konstantstromquelle 116 und dem Referenzbipolartransistor 118 angeschlossen. Der
Gate-Anschluss des Referenzbipolartransistors 118 empfängt eine
Referenzspannung Vref, die den Referenzbipolartransistor 118 in
den aktiven Zustand setzt. Der Gate-Anschluss des Rückkopplungs-PMOS-Transistors 120 ist
mit der Verbindung zwischen der zweiten Konstantstromquelle 116 und dem
Referenzbipolartransistor 118 verbunden. Weiterhin führt ein
Rückkopplungspfad 124 die
Spannung an dem Gate-Anschiuss des Rückkopplungs-PMOS-Transistors 120 zu
den Gate-Anschlüssen
des ersten und des zweiten resistiven PMOS-Transistors 18 bzw. 26 in
dem voll differentiellen Verstärker 10.
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Der
Betrieb der Gleichtaktrückkopplungsschaltung 100 wird
nun in Bezug auf einen Anstieg der Ausgangsspannungen des voll differentiellen Verstärkers 10 beschrieben.
Da die Ausgangsspannungen des voll differentiellen Verstärkers 10 ansteigen,
fließt
mehr Strom durch den ersten und den zweiten Bipolartransistor 102 bzw. 104.
Demzufolge steigen die Ströme,
die durch den ersten und den zweiten Widerstand 110 bzw. 112 zu
dem Knoten 122 fließen,
an.
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Der
von dem Knoten 122 zu Masse fließende Strom ist durch die erste
Konstantstromquelle 114 fest. Der zu dem Knoten 122 über den
Referenzbipolartransistor 118 fließende Strom ist im Wesentlichen fest
durch das Anlegen der Referenzspannung Vref an den Gate-Anschluss
des Referenzbipolartransistors 118 und das Vorhandensein
der zweiten Konstantstromquelle 116, mit Ausnahme eines
vernachlässigbaren
Basis-Stroms in dem Referenzbipoiartransistor 118.
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Dementsprechend
beeinflusst jegliche Differenz zwischen (1) dem durch den Referenzbipolartransistor 118 zu
dem Knoten 122 fließenden
Strom und (2) dem durch den ersten und den zweiten Widerstand 110 bzw. 112 zu
dem Knoten 122 fließenden
Strom den Strom, der durch den Rückkopplungs-PMOS-Transistor 120 zu
dem Knoten 122 fließt.
Folglich nimmt der durch den Rückkopplungs-PMOS-Transistor 120 fließende Strom
um denselben Betrag ab, den der Gesamtstrom durch den ersten und
den zweiten Widerstand 110 bzw. 112 ansteigt.
Mit einer Abnahme des durch den Rückkopplungs-PMOS-Transistor 120 fließenden Stroms steigt
die Spannung an dem Gate-Anschluss des Rückkopplungs-PMOS-Transistors 120 an.
Der Rückkopplungspfad 124 führt diese
erhöhte
Spannung dem ersten und dem zweiten resistiven PMOS-Transistor 18 bzw. 26 des
voll differentiellen Verstärkers 10 zu.
Demzufolge fließt
weniger Strom durch den zweiten und den vierten resistiven PMOS-Transistor 18 bzw. 26,
und die Ausgangsspannungen von dem voll differentiellen Verstärker 10 nehmen
ab.
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Während der
Betrieb der Gleichtaktrückkopplungsschaltung 100 in
Bezug auf einen Anstieg der Ausgangsspannungen des voll differentiellen Verstärkers 10 beschrieben
worden ist, ist es zu verstehen, dass die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 100 auf
eine ähnliche,
aber entgegengesetzte Weise funktioniert, wenn die Ausgangsspannungen
des voll differentiellen Verstärkers 10 abnehmen.
Sowohl Anstiege als auch Abnahmen der Ausgangsspannungen des Differenzverstärkers 10 werden
in Bezug auf die Referenzspannung Vref durchgeführt. Die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 100 dient
nämlich dazu,
die Ausgangsspannungen um die Referenzspannung Vref herum zu stabilisieren.
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Im
Gegensatz zu konventionellen Gleichtaktrückkopplungsschaltungen beruht
die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 100 nicht
auf einem Vergleich von Spannungen, um die Rückkopplungsspannung zu erzeugen.
Stattdessen ist die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 100 eine
Gleichtaktrückkopplungsschaltung
des Stromtyps, die eine Rückkopplungsspannung
basierend auf dem Vergleich von Strömen erzeugt, die die Ausgangsspannungen eines
voll differentiellen Verstärkers
mit einer Referenzspannung repräsentieren.
Der Referenzstrom in der Gleichtaktrückkopplungsschaltung 100 entspricht der
Referenzspannung Vref; und deshalb stabilisiert die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 100 die
Ausgangsspannungen des voll differentiellen Verstärkers 10 um
diese Referenzspannung Vref herum. Im Gegensatz zu konventionellen
Gleichtaktrückkopplungsschaltungen
enthält
die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 100 auch
keine Knoten hoher Impedanz oder leidet an den damit verbundenen
Problemen und Nachteilen.
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Weiterhin
sollte zur Kenntnis genommen werden, dass bei niedrigen Frequenzen
die Verstärkung
des Rückkopplungstransistors 120 die
Eingangsimpedanz an dem Emitter-Anschluss des Referenzbipolartransistors 118 steuert.
Wenn jedoch die Frequenz ansteigt, nimmt die Verstärkung des
Rückkopplungstransistors 120 ab
und der Effekt dieser Verstärkung
auf die Eingangsimpedanz an dem Emitter-Anschluss des Referenzbipolartransistors 118 nimmt
ab. Bei höheren
Frequenzen wird die Eingangsimpedanz an dem Emitter-Anschluss des
Referenzbipolartransistors 118 von der Transkonduktanz
des Referenzbipolartransistors 118 und den diesbezüglichen
parasitischen Kapazitäten
bestimmt. Die zwei Pole, die mit dem Emitter-Anschluss des Referenzbipolartransistors 118 und
dem Gate-Anschluss des Rückkopplungs-PMOS-Transistors 120 in
Zusammenhang stehen, interagieren miteinander und ein komplexes
Polyar kann entstehen, das mit unerwünschter Spitzenbildung in der
Frequenzantwort einhergeht. Um dieses komplexe Polpaar zu vermeiden,
sollte die Transkonduktanz des Referenzbipolartransistors 118 größer sein
als die des Rückkopplungs-PMOS-Transistors 120.
Dies wird in der mit Bezug auf 1 oben diskutierten
BiCMOS (Bipolar-CMOS)-Realisierung leicht erreicht, da mit bipolaren
Transistoren höhere
Transkonduktanzen erreicht werden können als mit ihren MOS-Gegenstücken. Es sollte
jedoch verstanden sein, dass Realisierungen der vorliegenden Erfindung
unter Verwendung jeglicher anderer Silikontechnologien durchgeführt werden
können,
solange die oben genannte Regel eingehalten wird.
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Während die
mit Bezug auf 1 oben diskutierte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung gut funktioniert, wenn die Energiequellenspannung VDD
größer oder
gleich 3 Volt ist, ist die Gleichtaktrückkopplungsschaltung aus 1 nicht
auf voll differentielle Verstärker
niedriger Leistungsaufnahme anwendbar. 2 veranschaulicht
eine andere Ausführungsform
der Gleichtaktrückkopplungsschaltung gemäß der vorliegenden
Erfindung, die auf voll differentielle Verstärker niedriger Leistungsaufnahme
anwendbar ist. Zu Erleichterung der Beschreibung ist jedoch die
Gleichtaktrückkopplungsschaltung 200 von 2 angewendet
auf den voll differentiellen Verstärker 10 gezeigt worden.
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Wie
in 2 gezeigt, sind die Ausgangsspannungen des voll
differentiellen Verstärkers 10 mit
dem jeweiligen Gate-Anschluss eines ersten PMOS-Transistors 202 und
eines zweiten PMOS Transistors 204 in der Gleichtaktrückkopplungsschaltung 200 verbunden.
Der erste PMOS-Transistor 202 ist in Serie mit einem dritten
PMOS-Transistor 206 zwischen der Energiequellenspannung
VDD und Masse angeschlossen. Der zweite PMOS-Transistor 204 ist
auch in Serie mit einem vierten PMOS-Transistor 208 zwischen
der Energiequellenspannung VDD und Masse angeschlossen. Die Gate-Anschlüsse des
dritten und des vierten PMOS-Transistors 206 bzw. 208 sind
mit der ersten festen Vorspannung des voll differentiellen Verstärkers 10 verbunden.
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Ein
erster und ein zweiter Widerstand 210 bzw. 212 sind
in Serie zwischen den Source-Anschlüssen des ersten und des zweiten
PMOS-Transistors 202 bzw. 204 angeschlossen. Wie
weiterhin in 2 gezeigt, sind ein Rückkopplungs-PMOS-Transistor 214,
ein Referenz-PMOS-Transistor 216 und eine Konstantstromquelle 218 in
Serie zwischen der Energiequellenspannung VDD und Masse angeschlossen.
Der Source-Anschluss des Referenz-PMOS-Transistors 216 ist
mit der Verbindung zwischen dem ersten und dem zweiten Widerstand 210 bzw. 212 verbunden.
Von hier an werden die Verbindung zwischen dem ersten und dem zweiten
Widerstand 210 bzw. 212 und die Verbindung zwischen dem Rückkopplungs-PMOS-Transistor 214 und
dem Referenz-PMOS-Transistor 216 gemeinsam als Knoten 222 bezeichnet.
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Der
Gate-Anschluss des Referenz-PMOS-Transistors 216 ist mit
einer Referenzspannung Vref verbunden, während der Gate-Anschluss des
Rückkopplungs-PMOS-Transistors 214 mit
dem Drain-Anschluss des Referenz-PMOS-Transistors 216 verbunden
ist. Ein Rückkopplungspfad 220 verbindet
auch den Gateanschluss des Rückkopplungs-PMOS-Transistors 214 mit
den Gate-AnschlOssen des ersten und des zweiten resistiven PMOS-Transistors 18 bzw. 26 in
dem voll differentiellen Verstärker 10.
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Der
Betrieb der Gleichtaktrückkopplungsschaltung 200 wird
nun mit Bezug auf einen Anstieg der Ausgangsspannungen des voll
differentiellen Verstärkers 10 beschrieben.
Wenn die Ausgangsspannungen des voll differentiellen Verstärkers 10 ansteigen,
fließt
mehr Strom durch den ersten und den zweiten PMOS-Transistor 202 bzw. 204.
Demzufolge steigen die Ströme
an, die durch den ersten und den zweiten Widerstand 210 bzw. 212 fließen.
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Der
Stromfluss von dem Knoten 222 zu Masse ist fest durch das
Anlegen der Referenzspannung Vref an den Referenz-PMOS-Transistor 216 und
die Konstantstromquelle 218. Entsprechend beeinflusst jegliche
Differenz zwischen (1) dem von dem Knoten 222 durch den
Referenz-PMOS-Transistor 216 fließenden Strom und (2) dem zu
dem Knoten 222 von dem ersten und dem zweiten Widerstand 210 bzw. 212 fließenden Strom
den Strom, der durch den Rückkopp-Iungs-PMOS-Transistor 214 fließt. Folglich
nimmt der Strom, der durch den Rückkopplungs-PMOS-Transistor 214 fließt, um denselben
Betrag ab, den der Gesamtstrom durch den ersten und den zweiten
Widerstand 210 bzw. 212 ansteigt. Mit einer Abnahme
des durch den Rückkopplungs-PMOS-Transistor 214 fließenden Stroms
steigt die Spannung an dem Gate-Anschluss des Rückkopplungs-PMOS-Transistors 214 an.
Der Rückkopplungspfad 220 führt diese
erhöhte
Spannung den Gate-Anschlüssen
des ersten und des zweiten resistiven PMOS-Transistors 18 bzw. 26 in
dem voll differentiellen Verstärker 10 zu.
Demzufolge fließt weniger
Strom durch den ersten und den zweiten resistiven PMOS-Transistor 18 bzw. 26,
und die Ausgangsspannungen des voll differentiellen Verstärkers 10 nehmen
ab.
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Im
Gegensatz zu konventionellen Gleichtaktrückkopplungsschaltungen beruht
die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 200 nicht
auf einem Vergleich von Spannungen, um die Rückkopplungsspannung zu erzeugen.
Stattdessen ist die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 200 eine
Gleichtaktrückkopplungsschaltung
des Stromtyps, die eine Rückkopplungsspannung
basierend auf dem Vergleich von Strömen erzeugt, die die Ausgangsspannungen des
voll differentiellen Verstärkers
mit einer Referenzspannung repräsentieren.
Der Referenzstrom in der Gleichtaktrückkopplungsschaltung 200 entspricht der
Referenzspannung Vref; und deshalb stabilisiert die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 200 die
Ausgangsspannungen des voll differentiellen Verstärkers 10 um
diese Referenzspannung Vref herum. Im Gegensatz zu konventionellen
Gleichtaktrückkopplungsschaltungen
enthält
die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 200 auch
keine Knoten hoher Impedanz oder leidet an den damit verbundenen
Problemen und Nachteilen. Außerdem
funktioniert die Gleichtaktrückkopplungsschaltung 200 sogar,
wenn sie bei niedrigen Spannungen mit Leistung versorgt wird.