DE69913337D1 - Verfahren zur Programmierung EEPROM Speicheranordnungen mit verbesserter Zuverlässigkeit, und entsprechende EEPROM Speicheranordnung - Google Patents

Verfahren zur Programmierung EEPROM Speicheranordnungen mit verbesserter Zuverlässigkeit, und entsprechende EEPROM Speicheranordnung

Info

Publication number
DE69913337D1
DE69913337D1 DE69913337T DE69913337T DE69913337D1 DE 69913337 D1 DE69913337 D1 DE 69913337D1 DE 69913337 T DE69913337 T DE 69913337T DE 69913337 T DE69913337 T DE 69913337T DE 69913337 D1 DE69913337 D1 DE 69913337D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
eeprom memory
improved reliability
programming
arrangements
arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69913337T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69913337T2 (de
Inventor
Enrico Gomiero
Federico Pio
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE69913337D1 publication Critical patent/DE69913337D1/de
Publication of DE69913337T2 publication Critical patent/DE69913337T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • G11C16/12Programming voltage switching circuits
DE69913337T 1999-07-26 1999-07-26 Verfahren zur Programmierung EEPROM Speicheranordnungen mit verbesserter Zuverlässigkeit, und entsprechende EEPROM Speicheranordnung Expired - Fee Related DE69913337T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP99830478A EP1079395B1 (de) 1999-07-26 1999-07-26 Verfahren zur Programmierung EEPROM Speicheranordnungen mit verbesserter Zuverlässigkeit, und entsprechende EEPROM Speicheranordnung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69913337D1 true DE69913337D1 (de) 2004-01-15
DE69913337T2 DE69913337T2 (de) 2004-10-07

Family

ID=8243520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69913337T Expired - Fee Related DE69913337T2 (de) 1999-07-26 1999-07-26 Verfahren zur Programmierung EEPROM Speicheranordnungen mit verbesserter Zuverlässigkeit, und entsprechende EEPROM Speicheranordnung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6473341B1 (de)
EP (1) EP1079395B1 (de)
DE (1) DE69913337T2 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6950336B2 (en) * 2000-05-03 2005-09-27 Emosyn America, Inc. Method and apparatus for emulating an electrically erasable programmable read only memory (EEPROM) using non-volatile floating gate memory cells
WO2006001058A1 (ja) * 2004-06-25 2006-01-05 Spansion Llc 半導体装置及びソース電圧制御方法
US7233528B2 (en) * 2005-07-25 2007-06-19 Atmel Corporation Reduction of programming time in electrically programmable devices

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07109720B2 (ja) * 1988-07-29 1995-11-22 三菱電機株式会社 不揮発性半導体記憶装置
US5051793A (en) * 1989-03-27 1991-09-24 Ict International Cmos Technology, Inc. Coplanar flash EPROM cell and method of making same
US5467306A (en) * 1993-10-04 1995-11-14 Texas Instruments Incorporated Method of using source bias to increase threshold voltages and/or to correct for over-erasure of flash eproms
US5487033A (en) * 1994-06-28 1996-01-23 Intel Corporation Structure and method for low current programming of flash EEPROMS
JP3730272B2 (ja) * 1994-09-17 2005-12-21 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
KR0172441B1 (ko) * 1995-09-19 1999-03-30 김광호 불휘발성 반도체 메모리의 프로그램 방법
US5661687A (en) * 1996-09-30 1997-08-26 Symbios Logic Inc. Drain excluded EPROM cell
FR2756658B1 (fr) * 1996-11-29 1999-01-22 Sgs Thomson Microelectronics Memoire electronique non volatile et son procede de gestion
US5790460A (en) * 1997-05-12 1998-08-04 Eon Silicon Devices, Inc. Method of erasing a flash EEPROM memory

Also Published As

Publication number Publication date
EP1079395B1 (de) 2003-12-03
DE69913337T2 (de) 2004-10-07
US6473341B1 (en) 2002-10-29
EP1079395A1 (de) 2001-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60142868D1 (de) Speichersystem und zugehöriges Programmierverfahren
DE69832609D1 (de) Emulierte EEPROM Speicheranordnung und entsprechendes Verfahren
DE69904320D1 (de) On-chip schaltung und verfahren zur speicherschaltungs-prüfung
DE69413960D1 (de) Nicht-flüchtiger EPROM und Flash-EEPROM-Speicher und Verfahren zu seiner Herstellung
DE60037301D1 (de) Universales speicherelement und systeme mit einem solchen element, sowie anordnung und verfahren zum lesen. schreiben und programmieren des elements.
DE69931494D1 (de) Universales speicherelement und programmierverfahren
GB9609979D0 (en) Flash eeprom cell,method of manufacturing the same,method of programming and method of reading the same
DE60035736D1 (de) EEPROM mit Redundanz
DE10194689T1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1220318A4 (de) Nichtflüchtiger speicher
NO20016420L (no) Höytetthets ikke-flyktig minneanordning
AU2003296988A8 (en) An improved method for making high-density nonvolatile memory
DE69428516D1 (de) Flash-EEPROM-Speicher-Matrix und Verfahren zur Vorspannung
SG60103A1 (en) Non-volatile memory with embedded programmable controller
GB0101452D0 (en) Methods and apparatus for updating a nonvolatile memory
DE60040896D1 (de) Informationsspeichersystem und Informationskontrollverfahren
DE60224369D1 (de) Speichersteuerungssystem und Verfahren dazu
DE69824386D1 (de) Verfahren für kontrolliertes Löschen von Speicheranordnungen, insbesondere Analog- oder Mehrwert-Flash-EEPROM Anordnungen
DE60034894D1 (de) Datenerfassungs- und steuersystem für spritzgiessformen
DE69909930D1 (de) Verfahren zum Löschen und Programmieren von Speicheranordnungen
DE60109478D1 (de) Flächeneffizientes verfahren zur programmierung von elektrischen schmelzsicherungen
DE60041479D1 (de) Datenverarbeitungsgerät, dazugehöriges verarbeitungsverfahren und programmspeichermedium
DE60042500D1 (de) Halbleieterspeicheranordnung und zugehöriges Steuerungsverfahren
DE60139527D1 (de) Informationsverarbeitungsgerät, verfahren und programmspeichermedium
DE69930605D1 (de) Synchroner nichtflüchtiger mehrwertiger Speicher und Leseverfahren dafür

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee