-
Technisches
Gebiet
-
Die vorliegende Erfindung betrifft
ein Mobiltelefon, und im Spezielleren ein Mobiltelefon, das in der Lage
ist, drahtlose Kommunikation mit ei- ner drahtlosen externen Schnittstellenvorrichtung
zu führen.
-
Stand der Technik
-
Bezug nehmend auf 7 hat man in letzter Zeit eine Technologie
vorgeschlagen, bei der drahtlose externe Schnittstellenvorrichtungen 33, 34 in
einem Mobiltelefon 31 bzw. einem weiteren, digitalen Gerät 34 (ein
Personal Computer in 7)
angeordnet sind, um das Senden und Empfangen von Daten zwischen
den beiden Geräten
durch drahtlose Kommunikation zu ermöglichen. An dieser Stelle sei
angenommen, dass das Mobiltelefon 31 mit dem W-CDMA-System
arbeitet, bei dem Daten in einem 1,95-GHz-Band gesendet und in einem 2,14-GHz-Band
empfangen werden, und dass Daten zwischen den drahtlosen externen
Schnittstellenvorrichtungen 33, 34 in einem 2,45-GHz-Band (ISM-Band)
gesendet und empfangen werden.
-
8 ist
ein Blockschema, in dem der Aufbau eines solchen Mobiltelefons 31
dargestellt ist. Unter Bezug auf 8 umfasst
dieses Mobiltelefon 31 eine Antenne 41 für das Telefon,
eine Antenne 42 für
die drahtlose externe Schnittstelle, Anpassungsschaltungen 43, 44,
einen Hochfrequenz teil 45 für das Telefon, einen Hochfrequenzteil 46 für die drahtlose
externe Schnittstelle, einen Basisbandteil 47 für das Telefon,
und einen Basisbandteil 48 für die drahtlose externe Schnittstelle.
-
Die Antenne 41 wird für das Senden
und Empfangen eines Sendesignals Tx und eines Empfangssignals Rx
für das
Telefon verwendet, und die Antenne 42 wird für das Senden
und Empfangen eines Sende-/Empfangssignals TRx für die drahtlose externe Schnittstelle
verwendet.
-
Unter Bezug auf 9 umfasst die Anpassungsschaltung 43 eine
Spule 51 und Kondensatoren 52, 53. Die
Spule 51 ist zwischen einem Basisende 41a der
Antenne 41 und einem Eingangs-/Ausgangsknoten 45a des
Hochfrequenzteils 45 für
das Telefon angeschlossen. Die Kondensatoren 52, 53 sind
zwischen dem Basisende 41a und der Massespannungsleitung
GND, bzw. zwischen dem Eingangs-/Ausgangsknoten 45a und
der Massespannungsleitung GND angeschlossen. Die Anpassungsschaltung 43 liefert
eine Anpassung zwischen der Antenne 41 und dem Hochfrequenzteil 45,
um für
einen hohen Wirkungsgrad von Eingang/Ausgang der Signale Rx, Tx
zu sorgen.
-
Unter Bezug auf 10 umfasst die Anpassungsschaltung 44 eine
Spule 54 und Kondensatoren 55, 56. Die
Spule 54 ist zwischen einem Basisende 42a der
Antenne 42 und einem Eingangs-/Ausgangsknoten 46a des
Hochfrequenzteils 46 für
die drahtlose externe Schnittstelle angeschlossen. Die Kondensatoren 55, 56 sind
zwischen dem Basisende 42a und der Massespannungsleitung
GND, bzw. zwischen dem Eingangs-/Ausgangsknoten 46a und
der Massespannungsleitung GND angeschlossen. Die Anpassungsschaltung 45 liefert
eine Anpassung zwischen der Antenne 42 und dem Hochfrequenzteil 46, um
für einen
hohen Wirkungsgrad von Eingang/Ausgang des Signals TRx zu sorgen.
-
Der Hochfrequenzteil 45 für das Telefon
moduliert ein Trägersignal
gemäß einem
Basisbandsignal, das im Basisbandteil 47 für das Telefon
erzeugt wird, um das Sendesignal Tx zu erzeugen. Dieses Signal Tx
wird über
die Anpassungsschaltung 43 und die Antenne 41 an
eine Telefonbasisstation gesendet. Der Hochfrequenzteil 45 für das Telefon
demoduliert das empfangene, über
die Antenne 41 und die Anpassungsschaltung 43 erhaltene
Signal Rx, um ein Basisbandsignal zu erzeugen, das an den Basisbandteil 47 für das Telefon
geleitet wird.
-
Der Hochfrequenzteil 46 für die drahtlose
externe Schnittstelle moduliert ein Trägersignal gemäß einem
Basisbandsignal, das im Basisbandteil 48 für die drahtlose
externe Schnittstelle erzeugt wird, um das Sendesignal TRx zu erzeugen.
Dieses Signal TRx wird über
die Anpassungsschal- tung 44 und die Antenne 42 an eine
weitere drahtlose externe Schnittstellenvorrichtung 34 gesendet.
Der Hochfrequenzteil 46 für die drahtlose externe Schnittstelle demoduliert
das empfangene, über
die Antenne 42 und die Anpassungsschaltung 44 erhaltene
Signal TRx, um ein Basisbandsignal zu erzeugen, das an den Basisbandteil 48 für die drahtlose
externe Schnittstelle geleitet wird.
-
Der Basisbandteil 47 für das Telefon
erzeugt Empfangsdaten auf der Grundlage des vom Hochfrequenzteil 45 für das Telefon
erhaltenen Basisbandsignals. Während
des Gesprächs
wird auf der Grundlage dieser Empfangsdaten ein Sprachsignal erzeugt,
und das Sprachsignal wird dem Benutzer des Mobiltelefons übermittelt.
Der Basisbandteil 47 für das
Telefon erzeugt gemäß den auf
der Grundlage des Sprachsignals des Benutzers des Mobiltelefons erzeugten
Sendedaten ein Basisbandsignal und leitet dieses an den Hochfrequenzteil 45 für das Telefon.
Die Empfangs- und Sendedaten werden, gemäß einer Anweisung des Benutzers
des Mobiltelefons 31, an den Basisbandteil 48 für die drahtlose
externe Schnittstelle übermittelt.
-
Der Basisbandteil 48 für die drahtlose
externe Schnittstelle erzeugt Empfangsdaten auf der Grundlage des
vom Hochfrequenzteil 46 für die drahtlose externe Schnittstelle
erhaltenen Basisbandsignals. Darüber
hinaus erzeugt der Basisbandteil 48 für die drahtlose externe Schnittstelle
ein Basisbandsignal auf der Grundlage der Daten vom Basisbandteil 47 für das Telefon,
und leitet das Basisbandsignal an den Hochfrequenzteil 46 für die drahtlose
externe Schnittstelle weiter.
-
Als Nächstes wird der Betrieb dieses
Mobiltelefons 31 beschrieben. Während des normalen Gesprächs wird
das durch die Antenne 41 empfangene Signal Rx über die
Anpassungsschaltung 43 an den Hochfrequenzteil 45 für das Telefon
geleitet, und wird durch den Hochfrequenzteil 45 in ein
Basisbandsignal umgewandelt. Dieses Basisbandsignal wird durch den
Basisbandteil 47 für
das Telefon in Empfangsdaten umgewandelt, und die empfangenen Gesprächsdaten
werden in ein Sprachsignal umgewandelt, das dem Benutzer zu übermitteln
ist. Das Sprachsignal des Benutzers wird in Sendegesprächsdaten
umgewandelt, die durch den Basisbandteil 47 für das Telefon
in ein Basisbandsignal umgewandelt werden. Dieses Basisbandsignal
wird durch den Hochfrequenzteil 45 für das Telefon in ein Sendesignal
Tx umgewandelt, das über
die Anpassungsschaltung 43 und die Antenne 41 an
die Basisstation gesendet wird.
-
Für
den Fall, dass die von dem Mobiltelefon 31 empfangenen
Daten (Bilddaten, Musikdaten, Mails und andere) an einen Personal
Computer 32 gesendet werden, wird das von der Antenne 41 empfangene
Signal Rx durch die Anpassungsschaltung 43, den Hochfrequenzteil 45 für das Telefon,
den Basisbandteil 47 für
das Telefon, den Basisbandteil 48 für die drahtlose externe Schnittstelle,
und durch den Hochfrequenzteil 46 für die drahtlose externe Schnittstelle
in ein Signal TRx umgewandelt, das über die Anpassungsschaltung 44 und
die Antenne 42 an die drahtlose externe Schnittstellenvorrichtung 43 des Personal
Computers 32 gesendet wird.
-
Für
den Fall, dass die im Personal Computer 32 gespeicherten
Daten an das Mobiltelefon 31 gesendet werden, werden die
im Personal Compu ter 32 gespeicherten Daten durch die drahtlose
externe Schnittstellenvorrichtung 34 in ein Signal TRx
umgewandelt und zur drahtlosen externen Schnittstelle 33 des
Mobiltelefons 31 gesendet. Das von der Antenne 42 empfangene
Signal TRx wird durch den Hochfrequenzteil 46 für die drahtlose
externe Schnittstelle und den Basisbandteil 48 für die drahtlose
externe Schnittstelle in Empfangsdaten umgewandelt und in einem
im Basisbandteil 48 enthaltenen Speicherelement gespeichert.
Gemäß einer
Anweisung des Benutzers des Mobiltelefons 31 werden die
Empfangsdaten durch den Basisbandteil 47 für das Telefon
und den Hochfrequenzteil 45 für das Telefon in ein Sendesignal
Tx umgewandelt, und dieses Signal Tx wird über die Anpassungsschaltung 43 und
die Antenne 41 an die Basisstation gesendet.
-
Nun werden, als ein Verfahren zum
Aufbau einer solchen drahtlosen externen Schnittstellenvorrichtung 33,
ein Verfahren zum Anordnen der Schnittstellenvorrichtung 33 und
des Mobiltelefons in separaten Gehäusen und das mechanische Verbinden der
beiden Gehäuse,
ein Verfahren zum Anbringen der drahtlosen externen Schnittstellenvorrichtung 33 auf
einer Rückseite
einer Hilfsbatterie des Mobiltelefons sowie andere Verfahren vorgeschlagen.
-
Für
die Zukunft erwartet man jedoch, dass ein Verfahren zum Anbringen
der in 8 gezeigten Teile
auf ein wie in 11 gezeigtes
Substrat 60 eingeführt
werden kann. Unter Bezug auf 11 wird ein
Basisbandteil 47 für
das Telefon im Mittelteil auf einer rechteckigen Fläche des
Substrats 60 angeordnet, und ein Hochfrequenzteil für das Telefon
inklusive einer Anpassungsschaltung 61 ist an einer Seite davon
angeordnet, und ein Basisende einer Antenne 41 ist an den
Hochfrequenzteil für
das Telefon inklusive der Anpassungsschaltung 61 angeschlossen. Darüber hinaus
sind an der anderen Seite des Basisbandteils 47 für das Telefon
ein Basisbandteil für
die drahtlose externe Schnittstelle inklusive eines Hochfre quenzteils,
einer Anpassungsschaltung 62 und einer Antenne 42 angeordnet.
-
Das Substrat 60 ist ein
Schichtsubstrat, das wenigstens eine Metallgrundschicht 60a,
eine dielektrische Schicht und eine Verdrahtungsschicht enthält. Unter
Bezug auf 12 hat die
Metallgrundschicht 60a dieselbe rechteckige Form wie das
Substrat 60. Ein Oszillator 65 ist zwischen einem
Ende einer diagonalen Linie der Metallschicht 60a und dem
Basisende der Antenne 41 angeschlossen. Dieser Oszillator 65 ist
im Hochfrequenzteil 45 für das Telefon von 8 angeordnet und ist genau
gesprochen über
die Anpassungsschaltung 43 und weitere Elemente an das
Basisende der Antenne 41 angeschlossen.
-
In diesem Fall fließt ein Hochfrequenzstrom in
der Metallschicht 60a, wie in 12 durch gekrümmte Linien gezeigt ist, wodurch
die Antenne 41 mit der Antenne 42 gekoppelt ist.
In dem Falle, wo die beiden Antennen 41 und 42 gekoppelt
sind, tritt somit folgendes Hindernis auf.
-
Und zwar enthält, mit Bezug auf 13, das Sendesignal TRx
der drahtlosen externen Schnittstellenvorrichtungen 33, 34 eine
Rauschkomponente eines breiten Bandes mit ihrem Zentrum bei 2,45 GHz,
und diese Rauschkomponente erstreckt sich bis zum Empfangsband (2,14-GHz-Band)
des Mobiltelefons 31. Daher verursacht der Empfang dieser Rauschkomponente
durch die Antenne 41 eine Herabsetzung der Empfangsempfindlichkeit
des Mobiltelefons 31.
-
Wenn außerdem der Empfang durch die
Antenne 41 und das Senden durch die Antenne 42 gleichzeitig
erfolgen, ist das Signal TRx von der Antenne 42 auf einem
höheren
Pegel an der Antenne 41 als das ursprüngliche Empfangssignal Rx,
da die Antennen 41, 42 nahe beieinander liegen.
Aus diesem Grunde werden die Verstärkungseigenschaften des in
dem Hochfrequenzteil 45 für das Telefon enthaltenen Verstärkers mit
niedrigem Rau schen (LNA) gesättigt,
was die Herabsetzung der Empfindlichkeit verursacht. Das oben Gesagte
gilt in gleicher Weise für
die Seite der drahtlosen externen Schnittstellenvorrichtung 33.
-
Offenbarung
der Erfindung
-
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung liegt
darin, ein Mobiltelefon mit hoher Empfindlichkeit bereitzustellen.
-
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung
wird gelöst,
indem ein Mobiltelefon bereitgestellt wird, das in der Lage ist,
drahtlose Kommunikation mit einer drahtlosen externen Schnittstellenvorrichtung
zu führen,
wobei das Mobiltelefon ein Schichtsubstrat mit mindestens einer
rechteckigen Metallgrundschicht umfasst; eine erste Antenne, die
an einer Ecke des Schichtsubstrats angeordnet ist; eine zweite Antenne,
die auf einer Fläche
des Schichtsubstrats ausgebildet ist; eine erste Sende-/Empfangsschaltung,
die auf einer Fläche
des Schichtsubstrats ausgebildet ist, um ein Senden/Empfangen von
Signalen für
das Telefon über
die erste Antenne zu bewerkstelligen; und eine zweite Sende-/Empfangsschaltung,
die auf einer Fläche
des Schichtsubstrats ausgebildet ist, um ein Senden/Empfangen für die drahtlose
externe Schnittstelle über
die zweite Antenne zu bewerkstelligen, bei dem die zweite Antenne
auf einer diagonalen Linie, die eine Verbindung zwischen der einen Ecke
des Schichtsubstrats, an dem die erste Antenne angeordnet ist, und
einer dazu entgegengesetzten Ecke herstellt, an einer Position angeordnet
ist, die ¼ der
Wellenlänge
des Sendesignais für
das Telefon von der entgegengesetzten Ecke entfernt ist.
-
Ein Hauptvorteil der vorliegenden
Erfindung liegt darin, dass die durch die Interferenz zwischen der
ersten und zweiten Antenne verursachte Abnahme der Empfindlichkeit
auf einen kleinen Wert begrenzt werden und ein Mobiltelefon mit
hoher Empfindlichkeit bereitgestellt werden kann, da die zweite Antenne
an einer Position angeordnet ist, wo die Kopplung zwischen der ersten
und zweiten Antenne auf der Fläche
des Schichtsubstrats am schwächsten ist.
-
Vorzugsweise ist die zweite Antenne
in einem rechteckigen Bereich angeordnet, dessen Zentrum sich an
einem Punkt befindet, der ¼ der
Wellenlänge
des Sendesignals für
das Telefon von der entgegengesetzten Ecke entfernt angeordnet ist,
dessen kurze Seite eine Länge
von ca. 1/20 der Wellenlänge
des Sendesignals für
das Telefon aufweist, und dessen lange Seite eine Länge von
ca. 1/10 der Wellenlänge
des Sendesignals für
das Telefon aufweist, wobei die lange Seite zur diagonalen Linie
parallel ist. In diesem Bereich ist die Kopplung zwischen der ersten
und zweiten Antenne um ca. 10 Dezibel schwächer, verglichen mit der Ecke
des Schichtsubstrats.
-
Die zweite Antenne ist vorzugsweise
ein Chip-Antenne, die mit einem spiral- oder mäanderförmigen, in einem dielektrischen
Material ausgebildeten Antennenleiter gestaltet ist. In diesem Fall
kann die zweite Antenne leicht auf dem Schichtsubstrat aufgebaut
werden.
-
Vorzugsweise ist darüber hinaus
eine Resonanzschaltung zwischen der ersten Antenne und der ersten
Sende-/Empfangsschaltung angeordnet, um das von der ersten Antenne
empfangene Signal für die
drahtlose externe Schnittstelle zu dämpfen. In diesem Fall kann
das Signal für
die drahtlose externe Schnittstelle, das von der zweiten Antenne
gesendet und von der ersten Antenne empfangen wird, gedämpft werden,
wodurch die durch Interferenz zwischen der ersten und zweiten Antenne
verursachte Abnahme der Empfindlichkeit auf einen noch kleineren
Wert begrenzt werden kann.
-
Vorzugsweise ist darüber hinaus
eine Resonanzschaltung zwischen der zweiten Antenne und der zweiten
Sende-/Empfangsschaltung angeordnet, um das von der zweiten Antenne
empfangene Sendesignal für
das Te lefon zu dämpfen.
In diesem Fall kann das Sendesignal für das Telefon, das von der ersten
Antenne gesendet und von der zweiten Antenne empfangen wird, gedämpft werden,
wodurch die durch Interferenz zwischen der ersten und zweiten Antenne
verursachte Abnahme der Empfindlichkeit auf einen noch kleineren
Wert begrenzt werden kann.
-
Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
-
1 ist
eine Ansicht, in der ein wesentlicher Teil eines Mobiltelefons gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dargestellt ist;
-
2 ist
eine Ansicht, in der eine Wellenfront eines durch eine in 1 gezeigte Metallgrundschicht
fließenden
Hochfrequenzstroms dargestellt ist;
-
3 ist
eine Ansicht, in der eine elektrische Feldstärke in der in 2 gezeigten Metallgrundschicht dargestellt
ist;
-
4 ist
eine Abbildung, in der ein Berechnungsergebnis einer elektrischen
Feldstärkeverteilung
in der und um die in 2 gezeigte
Metallgrundschicht herum dargestellt ist;
-
5 ist
ein Schaltungsblockschema eines Aufbaus einer Anpassungsschaltung 10 in
einem Mobiltelefon gemäß einer
zweiten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
-
6 ist
ein Schaltungsblockschema eines Aufbaus einer Anpassungsschaltung 20 im
in 5 beschriebenen Mobiltelefon;
-
7 ist
eine perspektivische Ansicht zur Beschreibung eines Verfahrens unter
Verwendung eines herkömmlichen
Mobiltelefons;
-
8 ist
ein Blockschema eines Aufbaus des in 7 gezeigten
Mobiltelefons;
-
9 ist
ein Schaltungsblockschema eines Aufbaus einer in 8 gezeigten Anpassungsschaltung 43;
-
10 ist
ein Schaltungsblockschema eines Aufbaus einer in 8 gezeigten Anpassungsschaltung 44;
-
11 ist
eine Ansicht, in der eine innere Struktur des in 7 gezeigten Mobiltelefons dargestellt
ist;
-
12 ist
eine Ansicht zur Beschreibung von Problemen in dem in 7 gezeigten Mobiltelefon;
und
-
13 ist
ein Frequenzspektrendiagramm zur Beschreibung der Probleme in dem
in 7 gezeigten Mobiltelefon.
-
Beste Arten zur Ausführung der
Erfindung
-
[Erste Ausführungsform]
-
1 ist
eine Ansicht, in der ein wesentlicher Teil eines Mobiltelefons gemäß der ersten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung gezeigt ist, und ist eine Ansicht, die
mit 12 verglichen wird.
-
Mit Bezug auf 1 ist in diesem Mobiltelefon ein Oszillator 65 zwischen
einem Ende La einer diagonalen Linie L einer rechteckigen Metallschicht 60a und
einem Basisende einer Antenne 41 angeschlossen, und eine
Antenne 1 für
eine drahtlose externe Schnittstellenvorrichtung ist in solcher
Weise angeordnet, dass sie einen Punkt A auf der diagonalen Linie L
an einer Position bedeckt, die um λ/4 (wobei λ die Wellenlänge eines Sendesignals Tx des
Mobiltelefons ist) vom anderen Ende Lb der diagonalen Linie L entfernt
angeordnet ist.
-
Die Antenne 1 besitzt eine
rechteckige Form mit einer kurzen Seite, die eine Länge von λ/20 und einer
langen Seite, die eine Länge
von λ/20
hat, und ist so angeordnet, dass ihr Zentrum im Punkt A liegt und
ihre lange Seite parallel zur diagonalen Linie L ist. Zur Vereinfachung
der Berechnung sei angenommen, dass das Sendesignal Tx 2 GHz hat; λ beträgt ca. 150
mm,so dass λ/4
= 37,5 mm, λ/10
= 15 mm und λ/20
= 7,5 mm ist. Die Antenne 1 ist eine Chip-Antenne, die
mit einem spiral- oder mäanderförmigen,
in einem dielektrischen Material ausgebildeten Antennenleiter gestaltet
ist. Da der Aufbau ausgenommen der Position der Antenne 1 derselbe
wie derjenige des in den 7 bis 13 gezeigten Mobiltelefons
ist, wird dessen Beschreibung nicht wiederholt.
-
Im Folgenden wird der Grund dafür beschrieben,
dass die Antenne 1 in einem solchen Bereich S angeordnet
ist. 2 ist eine Ansicht,
in der eine Wellenfront eines durch die Metallschicht 60a des Substrats 60 fließenden Hochfrequenzstroms
dargestellt ist. Mit Bezug auf 2 sind
die Wellenfronten der sich ausbreitenden Welle des Hochfrequenzstroms
mit durchgezogenen Linien dargestellt, und die Wellenfronten der
reflektierten Welle mit unterbrochenen Linien. Die Welle des Hochfrequenzstroms
läuft vom
Punkt La aus, wo der Oszillator 65 angeschlossen ist, in
der Ausbreitungsrichtung der diagonalen Linie L und wird am anderen
Ende Lb der diagonalen Linie L reflektiert, um sich in der zur sich ausbreitenden
Welle entgegengesetzten Richtung fortzupflanzen. Deshalb ist der
Punkt Lb ein offenes Ende, wodurch die elektrische Feldstärke am Punkt Lb
den höchsten
Wert erreicht, und die elektrische Feldstärke erreicht den kleinsten
Wert am Punkt A auf der diagonalen Linie L an einem Punkt, der um λ/4 vom Punkt
Lb entfernt ist. Darüber
hinaus wird in dem vorerwähnten
Bereich S mit einer Größe von λ/20 × λ/10 und seinem
Zentrum im Punkt A die Kopplung zwischen den Antennen 41 und 1 um
ca. 10 Dezibel schwächer
sein als am anderen Ende Lb der diagonalen Linie L.
-
4 ist
eine Abbildung, in der ein Berechnungsergebnis der elektrischen
Feldstärkeverteilung in
der und um die Metallschicht 60a herum dargestellt ist.
Auch anhand dieses Verteilungsdiagramms stellte sich heraus, dass
die elektrische Feldstärke
am Punkt A den kleinsten Pegel aufweist, d. h. dass die schwächste Kopplung
zwischen den Antennen 41 und 1 erreicht werden
kann, indem man die Antenne 1 an Punkt A anordnet, wodurch
die durch Interferenz zwischen den Antennen 41, 1 verursachte
Abnahme der Empfindlichkeit verhindert werden kann. Da hier die
elektrische Feldstärke
den größten Pegel
an den Punkten B, C, D, E in der Nähe der vier Ecken der Metallschicht 60a hat,
wird sich eine starke Kopplung zwi- scheu den Antennen 41 und 1 ergeben,
wenn die Antenne 1 an einer der vier Ecken (anders macht's keinen Sinn) der
Metallschicht 60a angeordnet ist, wodurch die durch Interferenz
zwischen den Antennen 41, 1 verursachte Abnahme
der Empfindlichkeit groß sein
wird.
-
Wie zuvor in der ersten Ausführungsform
beschrieben kann die durch Interferenz zwischen den Antennen 41, 1 verursachte
Abnahme der Empfindlichkeit auf einen kleinen Wert begrenzt werden,
weil die Antenne 1 in dem Bereich S angeordnet ist, wo die
Kopplung zwischen den Antennen 41, 1 auf der Oberfläche des
Substrats 60 am schwächsten
ist.
-
Hier in der ersten Ausführungsform
kann, obwohl die Antenne 1 mit einer Größe von λ/20 × λ/10 im Bereich S mit einer Größe von λ/20 × λ/10 angeordnet
ist, eine Antenne im Bereich S angeordnet werden, die kleiner als
die Antenne 1 ist, oder eine Antenne, die etwas größer als
die Antenne 1 ist, kann derart angeordnet werden, dass
sie den Bereich S bedeckt.
-
Obwohl die Antenne 1 so
angeordnet ist, dass die lange Seite der Antenne 1 parallel
zur diagonalen Linie L ist, kann die Antenne 1 darüber hinaus so
angeordnet sein, dass die lange Seite der Antenne 1 parallel
zur langen Seite der Metallschicht 60a ist. In diesem Fall
wird die wirtschaftliche Ausbeute beim Anbringen der Antenne 1 auf
dem Substrat 60 höher sein,
obwohl die Kopplung zwischen den Antennen 41, 1 etwas
stärker
ist.
-
[Zweite Ausführungsform]
-
Die 5 und 6 sind Schaltungsblockschemata,
in denen die Anpassungsschaltungen 10, 20 eines
Mobiltelefons gemäß der zweiten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dargestellt sind, und sie sind Ansichten,
die den 9 und 10 gegenüberstehen.
-
Mit Bezug auf 5 zielt diese Anpassungsschaltung 10 darauf
ab, einen hohen Wirkungsgrad von Eingang/Ausgang der Signale Rx,
Tx bereitzustellen, indem für
eine Anpassung zwischen der Antenne 41 und dem Hochfrequenzteil 45 für das Telefon
gesorgt wird, und sie verhindert die Abnahme der Empfangsempfindlichkeit
des Mobiltelefons, indem das durch die Antenne 41 empfangene
Signal TRx für
die drahtlose externe Schnittstelle gedämpft wird. Aus diesem Grunde
hat die Anpassungsschaltung 10 Resonanzeigenschaften, die
das Signal TRx für
die drahtlose externe Schnittstellenvorrichtung dämpfen.
-
Im Einzelnen umfasst die Anpassungsschaltung 10 Spulen 11 bis 13 und
Kondensatoren 14 bis 16. Die Spule 11 und
der Kondensator 14 sind zwischen dem Basisende 41a der
Antenne 41 und dem Eingangs-/Ausgangsknoten 45a des
Hochfrequenzteils 45 für
das Telefon parallel angeschlossen. Der Kondensator 15 und
die Spule 12 sind in Reihe zwischen dem Basisende 41a und
der Massespannungsleitung GND angeschlossen. Der Kondensator 16 und
die Spule 13 sind in Reihe zwischen dem Eingangs-/Ausgangsknoten 45a und
der Massespannungsleitung GND angeschlossen. Die oben beschriebenen
Anpassungs- und Resonanzeigenschaften können erhalten werden, indem
man die induktiven Widerstände
der Spulen 11 bis 13 und die Kapazitanzen der
Kondensatoren 14 bis 16 jeweils auf einen geeigneten
Wert einstellt.
-
Weiterhin zielt mit Bezug auf 6 die vorliegende Anpassungsschaltung 20 darauf
ab, einen hohen Wirkungsgrad von Eingang/Ausgang des Signals TRx
bereitzustellen, indem für
eine Anpassung zwischen der Antenne 1 und dem Hochfrequenzteil 46 für die drahtlose
externe Schnittstellenvorrichtung gesorgt wird, und sie verhindert
die Abnahme der Empfangsempfindlichkeit der drahtlosen externen Schnittstellenvorrichtung,
indem das durch die Antenne 1 empfangene Sendesignal Tx
für das
Telefon gedämpft
wird. Aus diesem Grunde hat die Anpassungsschaltung 20 Resonanzeigenschaften,
die das Signal Tx für
das Telefon dämpfen.
-
Im Einzelnen umfasst die Anpassungsschaltung 20 Spulen 21 bis 23 und
Kondensatoren 24 bis 26. Die Spule 21 und
der Kondensator 24 sind zwischen dem Basisende 1a der
Antenne 1 und dem Eingangs-/Ausgangsknoten 46a des
Hochfrequenzteils 46 für
die drahtlose externe Schnittstelle parallel angeschlossen. Der
Kondensator 25 und die Spule 22 sind in Reihe
zwischen dem Basisende 42a und der Massespannungsleitung
GND angeschlossen. Der Kondensator 26 und die Spule 23 sind
in Reihe zwischen dem Eingangs-/Ausgangsknoten 46a und der
Massespannungsleitung GND angeschlossen. Die oben beschriebenen
Anpassungs- und Resonanzeigenschaften können erhalten werden, indem
man die induktiven Widerstände
der Spulen 21 bis 23 und die Kapazitanzen der
Kondensatoren 24 bis 26 jeweils auf einen geeigneten
Wert einstellt.
-
Der weitere Aufbau und der Betrieb
sind genau wie in der ersten Ausführungsform, so dass deren Beschreibung
nicht wiederholt wird.
-
In dieser zweiten Ausführungsform
kann die Anpassungsschaltung 10 zwischen der Antenne 41 für das Telefon
und dem Hochfrequenzteil 45 für das Telefon Resonanzeigenschaften
haben, die das durch die Antenne 41 empfangene Signal TRx
für die drahtlose
externe Schnittstelle dämpfen,
und die Anpassungsschaltung 20 zwischen der Antenne 42 für die drahtlose
externe Schnittstelle und dem Hochfrequenzteil 46 für die drahtlose
externe Schnittstelle kann Resonanzeigenschaften haben, die das
durch die Antenne 42 empfangene Sendesignal Tx für das Telefon
dämpfen,
so dass die durch Interferenz zwischen den Antennen 41, 1 verursachte
Abnahme der Empfindlichkeit auf einen kleinen Wert begrenzt werden
kann.