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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung
und eine elektrodenlose Hochfrequenz-Entladungslampe.
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Ein
Plasmagenerator, der elektromagnetische Hochfrequenzfelder verwendet,
um ein Gas in einer Plasmaröhre
zu erregen, wird in US-A-4 792 732 beschrieben. Zwei Sätze von
gegenseitig senkrechten Elektroden umgeben die Röhre. Beide Sätze sind
mit einer Hochfrequenz-Leistungsquelle
verbunden, wobei ein Satz über
einen 90° Phasenschieber
angesteuert wird, um ein zirkular polarisiertes Feld innerhalb der
Röhre herzustellen.
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Eine
elektrodenlose Hochfrequenz-Entladungslampe ist vorteilhafter als
Bogenentladungslampen mit Elektroden, weil elektromagnetische Energie
einfach in die Füllung
zu koppeln ist, Quecksilber zur Entladungsemission aus der Füllung entfernt
werden kann und höhere
Lichtausbeute erwartet wird, weil es keinen Verlust der Elektroden
gibt. Da es keine Elektroden in dem Entladungsraum gibt, tritt keine
Schwärzung
der Innenwand des Kolbens infolge der Verdampfung von Elektroden
aus. Dies verlängert
in hohem Maße
die Lebensdauer der Lampe. Aufgrund dieser Eigenschaften ist in
den letzten Jahren eine elektrodenlose Hochfrequenz-Entladungslampe
als eine Hochleistungs-Entladungslampe der nächsten Generation nachhaltig
untersucht worden.
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EP-A-0
684 629 beschreibt eine elektrodenlose Entladungslampe, die eine
Lampenkapsel und vier Applikatoren umfasst, die zur resonanzfreien
Kopplung der elektromagnetischen Hochfrequenzenergie in die Lampenkapsel
in 90° Intervallen
um die Lampenkapsel herum beabstandet sind. Die Applikatoren umfassen elektromagnetische
Wendelkoppler, die mit elektromagnetischen Hochfrequenzwellen gespeist
werden, die je um 90° phasenverschoben
sind. An die Lampenkapsel wird daher ein rotierendes elektrisches
Feld angelegt.
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US-A-5
227 698 zeigt eine mikrowellenbetriebene Entladungslampe, die in
einem Hohlraum angeordnet ist. Mikrowellen von einer einzelnen Mikrowellenquelle
werden durch Kopplungsschlitze in den Hohlraum gekoppelt. Da die
durch die Kopplungsschlitze gekoppelten Mikrowellen verschieden
Phasenwinkel aufweisen, wird ein rotierendes Feld mit konstanter
Elliptizität
in den Hohlraum eingeführt,
um die Gasfüllung
der Entladungslampe zu erregen.
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Da
auch bei gewöhnlichen
Entladungslampen eine ideale Konstruktion zur Lichtstärkeverteilung
erreicht werden kann, indem die Größe der Lichtquelle verringert
wird, um sich einer Punktlichtquelle zu nähern, wird die Größenverminderung
des Plasmabogens, der die Licht quelle ist, nachdrücklich verlangt.
Wenn eine Anwendung auf normale Flüssigkristall-Videoprojektoren
erwogen wird, ist zur Erhöhung
des Nutzungsgrades der Lichtemission eine Größe des Plasmabogens von etwa
3 mm oder weniger für
die optische Konstruktion erforderlich. Andererseits wird bei einer
elektrodenlosen Entladungslampe die Größe des Plasmabogens durch den
Innendurchmesser des Kolbens bestimmt. Da jedoch die Größerverringerung
von herkömmlichen elektrodenlosen
Hochfrequenz-Entladungslampen, die Resonatoren verwenden, abhängig von
Wellenlängen begrenzt
ist, sind sie in Anwendungsgebieten, die Punktlichtquellen mit hoher
Leuchtdichte benötigen,
nicht geeignet. In den letzten Jahren ist daher eine Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung
entwickelt worden, die ein elektromagnetisches Hochfrequenz-Resonanzfeld
liefern kann, das in einem Raum kleiner als der Raum, an den es
der Resonator liefert, konzentriert ist.
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Mit
Verweis auf 10 wird
ein Stand der Technik basierend auf "a high-frequency energy supply means
und a high-frequency elektrodeless discharge lamp device", offenbart in der
ungeprüften
japanischen Patentveröffentlichung
Nr. 14-189270, beschrieben.
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Eine
solche elektrodenlose Hochfrequenz-Entladungslampe und eine Hochfrequenz-Energieversorgung
zum Liefern von Energie an die elektrodenlose Entladungslampe werden
auch in EP-A-0 840 354 beschrieben. Spezifisch benutzt die Hochfrequenz-Energieversorgung
eine kreisrunde Gruppe von Seitenresonatoren, um elektromagnetische
Hochfrequenzenergie im Mikrowellenbereich in eine elektrodenlose
Entladungslampe zu koppeln, die sich in der Mitte der kreisrunden
Gruppe von Seitenresonatoren befindet.
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Die
in der ungeprüften
japanischen Patentveröffentlichung
Nr. 10-189270 offenbarte Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung
umfasst eine Vielzahl von Seitenresonatoren, die gleichzeitig einen elektromagnetisch
induktiven Funktionsteil, der von einem kreisrunden leitenden Material
hervorgebracht wird, und einen elektrisch kapazitiven Funktionsteil
haben, der aus Lücken
besteht, und hat eine Zusammensetzung, um Hochfrequenzenergie zu
liefern, die zum Entladen mit dem elektromagnetischen Hochfrequenz-Resonanzfeld
in der Mitte der Gruppe von Seitenresonatoren, die aus einer Vielzahl
von kreisrund angeordneten Seitenresonatoren besteht, sodass der
elektrisch kapazitive Funktionsteil nach innen gerichtet ist, benötigt wird.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung
bereitzustellen, die ein elektromagnetisches Hochfrequenz-Resonanzfeld
liefern kann, das in einem Raum kleiner als der Raum, an den es
der Resonator liefert, konzentriert ist, sowie eine elektrodenlose
Hochfrequenz-Entladungslampe, die eine solche Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung
benutzt.
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Als
ein Beispiel von Gruppen von Seitenresonatoren zeigt 10 einen Resonator 102 des
8-Fahnentyps, der acht plattenartige Fahnen 105 umfasst,
die aus einem leitenden Material bestehen und in Richtung der Mitte
aus einem Zylinder 104 hervorstehen, der aus dem gleichen
leitenden Material besteht. Die Oberfläche der Innenwand von zwei
angrenzenden Fahnen 105 und des Zylinders 104 und
der von diesen erzeugte Raum wirken als der elektromagnetisch induktive
Funktionsteil, und die zwei hervorstehenden Teile von aneinandergrenzenden
Fahnen und die Lücke
zwischen ihnen wirken als der elektrisch kapazitive Funktionsteil. Eine
elektrodenlose Entladungslampe 101 befindet sich auf dem
Mittelteil des 8-Fahnen-Resonators 102.
Die durch die Hochfrequenz-Oszillatoreinrichtung ausgebreitete Hochfrequenzenergie
wird durch eine Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung 103 des
Elektrofeld-Kopplungstyps,
die mit einer der Fahnen 105 dichtend oder schweißend elektrisch
verbunden ist, in den Resonator 102 gekoppelt. Der Resonator 102 ist
so konstruiert, dass er auf der Frequenz der zu koppelnden Hochfrequenzenergie
schwingt. Die zur Hochfrequenzentladung benötigte Energie wird daher durch
das im Mittelteil des Resonators 102 erzeugte elektrische
Hochfrequenz-Resonanzfeld E an die elektrodenlose Entladungslampe 101 geliefert.
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Das
heißt,
wenn die Zahl der Seitenresonatoren N ist, hat, wenn die Frequenz
der Hochfrequenz oder die Form eines Seitenresonators so ausgelegt
ist, dass die Gruppe von Seitenresonatoren in dem Modus getrieben
wird, wo die Phase eines Seitenresonators um 2π/N von dem angrenzenden Seitenresonator
verschoben ist, das elektrische Feld eines hervorstehenden Teils
die entgegengesetzte Polarität
von der elektrischen Ladung des gegenüberliegenden hervorstehenden
Teils. Das durch diese elektrische Ladung erzeugte elektrische Hochfrequenz-Resonanzfeld
E ist in der Durchmesserrichtung des Mittelteils der Gruppe von
Seitenresonatoren ausgerichtet und verteilt sich über der
elektrodenlosen Entladungslampe 101. Wenn der Resonator in
dem 2π/N
Modus betrieben wird, wird das stärkste elektrische Feld im dem
Mittelteil erhalten, wo die elektrodenlose Entladungslampe 101 platziert
ist.
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Die
Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung kann auch von einem Magnetfeld-Kopplungstyp
sein, wie in 11 gezeigt.
In 11 ist der Endabschnitt
der Schleifenantenne 113 elektrisch mit dem zylindrischen
Teil des 8-Fahnentyp-Resonators 112 verbunden. Ein elektrisches
Hochfrequenz-Resonanzfeld E wird in dem Mittelteil des Resonators 112 durch
das von der Schleifenantenne 113 in Schwingung versetzte
hochfrequente Magnetfeld erzeugt. Durch dieses elektrische Hochfrequenz-Resonanzfeld
E wird Hochfrequenz-Entladungsenergie an die elektrodenlose Entladungslampe 111 geliefert.
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Durch
die in der japanischen Patentveröffentlichung
Nr. 8-291420 offenbarte Hochfrequenz-Entladungsenergie-Versorgungseinrichtung
kann ein relativ kleiner Plasmabogen bis zu 10 mm oder weniger erzeugt
und selbst durch Hochfrequenz von 2.5 GHz aufrechterhalten werden.
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Durch
die Verwendung der obigen Anordnungen wird jedoch, da die Richtung
der elektrischen Felder konstant ist, wenn im 2π/N Modus gearbeitet wird, um
das stärkste
elektrische Feld zu erhalten, der Modus gestört, wenn das Plasma durch thermische
Konvektion verlagert wird, und das Entladungsplasma wird oft unstabil.
Da außerdem
das elektrische Feld in einer bestimmten Richtung abgelenkt wird,
lenkt die thermische Last der elektrodenlosen Entladungslampe an
der Wand der Entladungsröhre
die Richtung des elektrischen Feldes ab und wird erhöht.
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Es
ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine verbesserte elektromagnetische
Hochfrequenz-Energieversorgung für
eine elektrodenlose Entladungslampe bereitzustellen.
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Diese
Aufgabe wird durch die Merkmale von Anspruch 1 erfüllt.
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Wertere
Ausführungen
sind Gegenstand von unabhängigen
Ansprüchen.
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Infolge
der Eigenschaften der vorliegenden Erfindung werden die Ablenkung
der elektrischen Felder in eine bestimmte Richtung, was die Erzeugung
und Aufrechterhaltung von stabilem Entadungsplasma zur Folge hat,
und die gemittelte thermische Last der elektrodenlosen Entladungslampe
an der Wand der Entladungsröhre
beseitigt.
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Der
hierin gebrauchte Begriff "Hochfrequenz" meint elektromagnetische
Wellen in einem Bereich von 1 MHz bis 100 GHz. Insbesondere wird
die vorliegende Erfindung praktiziert, wenn die Frequenz innerhalb
des "Mikrowellen"-Bereiches zwischen
300 MHz und 30 GHz liegt.
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1 ist eine Zeichnung, die
einen 8-Fahnentyp-Resonator mit zwei Elektrofeld-Kopplungstyp-Antennen
nach einer ersten Ausführung
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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2 ist eine schematische
Zeichnung, die eine elektrodenlose Hochfrequenz-Entladungslampe zeigt,
die einen 8-Fahnentyp-Resonator mit zwei Elektrofeld-Kopplungstyp-Antennen
nach einer ersten Ausführung
der vorliegenden Erfindung verwendet.
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3 ist ein Diagramm, das
die zeitliche Änderung
in elektrischen Feldern in einer ersten Ausführung der vorliegenden Erfindung
zeigt.
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4 ist eine Zeichnung, die
einen 8-Fahnentyp-Resonator mit zwei Magnetfeld-Kopplungstyp-Antennen
nach einer ersten Ausführung
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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5 ist eine schematische
Zeichnung, die eine elektrodenlose Hochfrequenz-Entladungslampe zeigt,
die einen 6-Fahnentyp-Resonator mit drei Elektrofeld-Kopplungstyp-Antennen
nach einer ersten Ausführung
der vorliegenden Erfindung verwendet.
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6 ist eine Zeichnung, die
einen 6-Fahnentyp-Resonator mit drei Elektrofeld-Kopplungstyp-Antennen
nach einer zweiten Ausführung
der vorliegenden Erfindung zeigt.
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7 ist eine schematische
Zeichnung, die eine elektrodenlose Hochfrequenz-Entladungslampe zeigt,
die einen 6-Fahnentyp-Resonator mit drei Elektrofeld-Kopplungstyp-Antennen
nach einer zweiten Ausführung
der vorliegenden Erfindung verwendet.
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8 ist eine schematische
Zeichnung, die eine elektrodenlose Hochfrequenz-Entladungslampe zeigt,
die zwei Hochfrequenz-Stromquellen nach einer dritten Ausführung der
vorliegenden Erfindung verwendet.
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9 ist eine Grafik, die einen
Ort von zeitlicher Änderung
in elektrischen Feldern in einer dritten Ausführung der vorliegenden Erfindung
zeigt.
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10 ist eine Zeichnung, die
einen 8-Fahnentyp-Resonator mit einer Elektrofeld-Kopplungstyp-Antenne
nach einem Stand der Technik zeigt.
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11 ist eine Zeichnung, die
einen 8-Fahnentyp-Resonator mit einer Magnetfeld-Kopplungstyp-Antenne
nach einem Stand der Technik zeigt.
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Ausführung 1
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Eine
erste Ausführung
einer Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung der vorliegenden
Erfindung wird im Folgenden mit Verweis auf 1 bis 5 beschrieben.
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Bei
dem in 1 gezeigten 8-Fahnentyp-Resonator 12 sind
die Frequenz und die Form der Resonatoren so ausgelegt worden, dass
das elektrische Hochfrequenz-Resonanzfeld durch die im mittleren
Teil platzierte elektrodenlose Entladungslampe 11 läuft, um
ein starkes elektrisches Feld zu erhalten. Das heißt, die Frequenz
ist vorher entsprechend der Frequenz der zu koppelnden Hochfrequenzenergie
bestimmt worden, sodass die Resonatoren in einem Modus betrieben
werden, wo die Phase eines Seitenresonators um π/4(2π/8) von der Phase des angrenzenden
Seitenresonators verschoben wird, wenn die Hochfrequenzenergie durch eine
einzelne Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung in den Resonator 12 gekoppelt
wird. Zwei Elektrofeld-Kopplungstyp-Antennen 13, die Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen
sind, sind mit dem 8-Fahnentyp-Resonator 12 so verbunden,
dass der kleinere Winkel der Winkel gegen den Mittelteil des Resonators
90°C (π/2) beträgt. Durch
die durch die erste Elektrofeld-Kopplungstyp-Antenne 13a gekoppelte
Hochfrequenzenergie wird ein elektrisches Hochfrequenz-Resonanzfeld
Ex im mittleren Teil des 8-Fahnentyp-Resonators 12 in der
Horizontalrichtung in 1 erzeugt.
Desgleichen wird durch die durch die zweite Elektrofeld-Kopplungstyp-Antenne 13b gekoppelte
Hochfrequenzenergie ein elektrisches Hochfrequenz-Resonanzfeld Ey im mittleren Teil des 8-Fahnentyp-Resonators 12 in
der Vertikalrichtung in 1 erzrugt.
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Als
nächstes
wird die Zusammensetzung, die eine Hochfrequenz-Oszillatoreinrichtung
und eine Hochfrequenz-Teilungs- und Phasenverschiebungseinrichtung
umfasst, mit Verweise auf 2 beschrieben.
Die von der Hochfrequenz-Leistungsquelle erzeugte Hochfrequenzenergie
wird durch eine Hochfrequenz-Verarbeitungseinrichtung, die aus einer
Koaxialleitung, einem Wellenleiter und dergleichen besteht, zu einem
Teiler oder einem Phasenschieber geführt. Die durch den Teiler,
der eine Hochfrequenz-Teilungseinrichtung ist, verbreitete Hochfrequenzenergie
wird in zwei Teile geteilt. Außerdem
werden die zwei geteilten Teile durch den Phasenschieber, der eine
Hochfrequenz-Phasenverschiebungseinrichtung ist, so eingestellt,
dass die Phase der Hochfrequenz an der Verbindung 23a der
ersten Elektrofeld-Kopplungsantenne 13a, die mit dem 8-Fahnen-Resonator 22 gekoppelt
ist, sich von der Phase der Hochfrequenz an der Verbindung 13b der
zweiten Elektrofeld-Kopplungsantenne 13b um 90°C (π/2) unterscheidet.
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Das
elektrische Feld im mittleren Teil des obigen 8-Fahnen-Resonators
zu dieser Zeit ist gegeben durch Gleichung 1. Gleichung
1
wo ω die
Winkelfrequenz der eingegebenen Hochfrequenz darstellt, t die Zeit
darstellt, und E
0 den Maximalwert des durch
jede Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung gekoppelten elek trischen
Resonanzfeldes darstellt. Gleichung 1 zeigt, dass das elektrische
Feld im mittleren Teil eines 8-Fahnen-Resonators mit der Winkelfrequenz ω der eingegebenen
Hochfrequenz rotiert.
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Die
zeitliche Änderung
in elektrischen Hochfrequenz-Resonanzfeldern im mittleren Teil der
8-Fahnen-Resonatoren 12 und 22, in denen elektrodenlose
Entladungslampen bereitgestellt werden, wird in 3 gezeigt.
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Die
Hochfrequenz-Oszillatoreinrichtung schwingt in Sinuswellen von 2.45
GHz, und die zeitliche Änderung
in dem durch die erste Elektrofeld-Kopplungsantenne 13a gekoppelten
elektrischen Hochfrequenz-Resonanzfeld in der x-Richtung Ex wird im oberen Teil der linken Spalte gezeigt,
und die zeitliche Änderung
in dem durch die zweite Elektrofeld-Kopplungsantenne 13b gekoppelten
elektrischen Hochfrequenz-Resonanzfeld in der y-Richtung Ey wird im unteren Teil der linken Spalte
gezeigt. Wenn die Phase des elektrischen Hochfrequenz-Resonanzfeldes in
der x-Richtung Ex um 90° von der Phase des elektrischen
Hochfrequenz-Resonanzfeldes
in der y-Richtung Ey verschoben ist, werden
die sich im Mittelteil überschneidenden
elektrischen Felder synchron mit Frequenz der Hochfrequenz rotieren,
wie in der rechten Spalte gezeigt.
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Die
Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung ist nicht auf die in 1 gezeigte Elektrofeld-Kopplungstyp-Antenne
begrenzt, sondern die Magnetfeld-Kopplungstyp-Antenne, wie in 4 gezeigt, kann benutzt
werden. In 4 sind die
die Endteile von zwei Schleifenantennen 43a und 43b jeweils
mit der Innenwand des Zylinders des 8-Fahnentyp-Resonators 42 elektrisch
verbunden. Durch zwei für
die Schleifenantenne 43 in Schwingung versetzte phasenverschobene
Hochfrequenz-Magnetfelder wird ein rotierendes elektrisches Hochfrequenz-Resonanzfeld
im Mittelteil des 8-Fahnen-Resonators 42 erzeugt, und Hochfrequenzenergie
wird an die elektrodenslose Entladungslampe 41 geliefert.
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Die
Anordnung, die die obige Wirkung liefert, ist nicht auf den 8-Fahnentyp-Resonator
und zwei Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen begrenzt. Zum Beispiel
können,
wie in 5 gezeigt, ein
6-Fahnentyp-Resonator und drei Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen
verwendet werden.
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Der
in 5 gezeigte 6-Fahnentyp-Resonator 52 ist
hier so ausgelegt worden, dass er die Frequenz der zu koppelnden
Hochfrequenzenergie trifft, um in dem 2π/3 Modus zu arbeiten, in dem
das elektrische Hochfrequenz-Resonanzfeld die auf dem Mittelteil
platzierte elektrodenlose Entladungslampe 51 kreuzt, wenn die
Hochfrequenzenergie durch eine einzelne Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung
gekoppelt wird.
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Drei
Verbindungen einer Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung 52 sind
mit einem 6-Fahnentyp-Resonator, der aus sechs Fahnen besteht, verbunden,
um einen Winkel 60° (π/3) zu dem
Mittelteil des 6-Fahnen-Resonators 52 zu bilden. Durch
die Hochfrequenz-Leistungsversorgung erzeugte Hochfrequenzenergie wird
durch eine Hochfrequenz-Ausbreitungseinrichtung, die Koaxialleitungen
oder Wellenleiter umfasst, zu dem Teiler und dem Phasenschieber
geleitet. Die durch den obigen Teiler, der eine Hochfrequenz-Teilungseinrichtung
ist, geleitete Hochfrequenzenergie wird in drei Teile geteilt. Außerdem werden
die drei geteilten Teile durch den Phasenschieber, der eine Hochfrequenz-Phasenverschiebungseinrichtung
ist, so eingestellt, dass die sich Phase jeder Hochfrequenz an den
drei Verbindungen zu dem 6-Fahnen-Resonator 52 um 60° (π/3) voneinander
unterscheiden. Durch eine solche Anordnung kann, wie bei der oben
beschriebenen Anordnung, die den obigen 8-Fahnentyp-Resonator und
zwei Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen umfasst, dass elekrische
Hochfrequenz-Resonanzfeld im Mittelteil des 6-Fahnentyp-Resonators 52 synchron
mit der Frequenz der zu koppelnden Hochfrequenz gedreht werden,
und die gleiche Wirkung kann erreicht werden.
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Bei
der oben beschriebenen Anordnung dieser Ausführung ist, wenn die Zahl von
Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen M ist, und der Maximalwert des
mit jeder Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen
zu koppelnden elektrischen Resonanzfeldes E
0 ist,
das elektrische Feld im Mittelteil der Gruppen von Seitenresonatoren
gegeben durch Gleichung 2. Gleichung
2
wo ω die
Winkelfrequenz der eingegebenen Hochfrequenz darstellt, und t Zeit
darstellt, wie in Gleichung 1. Wenn jedoch die Zahl von Seitenresonatoren,
die die Gruppe von Seitenresonatoren bilden, N ist, ist M eine Ganzzahl
von 2 oder mehr und N/2 oder weniger. Glei chung 2 zeigt, dass das
elektrische Feld im Mittelteil der Gruppe von Seitenresonatoren
mit der Winkelfrequenz ω,
die der Frequenz der eingegebenen Hochfrequenz entspricht, rotiert.
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Durch
die obige Anordnung werden, da die Richtung des elektrischen Feldes
gedreht wird, ohne in eine Richtung abgelenkt zu werden, das Entladungsplasma
der elektrodenlosen Entladungslampe und die Wärmeverteilung der Wand der
Röhre gleichmäßig. Dadurch
tritt eine Störung
des Plasmamodus infolge thermischer Konvektion schwerlich auf, und
der Wärmewiderstand
der elektrodenlosen Entladungslampe wird verbessert.
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Ausführung 2
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Eine
zweite Ausführung
einer Hochfrequenz-Leistungsversorgungseinrichtung der vorliegenden
Erfindung wird unten mit Verweis auf 6 und 7 beschrieben.
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Der
in 6 gezeigte 6-Fahnentyp-Resonator 62 ist
so ausgelegt worden, dass er die Frequenz der zu koppelnden Hochfrequenzenergie
erfüllt,
um in dem 2π/3
Modus zu arbeiten, in dem das elektrische Hochfrequenz-Resonanzfeld
die auf dem Mittelteil platzierte elektrodenlose Entladungslampe 61 kreuzt,
wenn die Hochfrequenzenergie durch eine einzelne Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung
gekoppelt wird. Drei Elektrofeld-Kopplungsantennen 63,
die Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen sind, sind mit dem 6-Fahnentyp-Resonator 62 verbunden,
um einen Winkel von 120° (2π/3) zu dem
Mittelteil des 6-Fahnentyp-Resonators 62 zu bilden.
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Als
Nächstes
wird die Anordnung, die eine Hochfrequenz-Oszillatoreinrichtung
und eine Hochfrequenz-Teilungs und -Phasenverschiebungseinrichtung
umfasst, mit Verweis auf 7 beschrieben.
Die von der Hochfrequenz-Leistungsquelle zum Schwingen gebrachte
Hochfrequenzenergie wird durch eine Hochfrequenz-Ausbreitungseinrichtung,
die aus einer Koaxialleitung, einem Wellenleiter und dergleichen
besteht, zu einem Teiler oder einem Phasenschieber geleitet. Die
durch den Teiler, der eine Hochfrequenz-Teilungseinrichtung ist,
geleitete Hochfrequenzenergie wird in drei Teile geteilt. Außerdem werden
die drei geteilten Teile durch den Phasenschieber, der eine Hochfrequenz-Phasenverschiebungseinrichtung
ist, so eingestellt, dass sich die Phase der Hochfrequenz an der
Verbindung 73a der mit dem 6-Fahnentyp-Resonator 72 gekoppelten ersten
Elektrofeld-Kopplungstyp-Antenne 63a von der Phase der
Hochfrequenz an der Verbindung 73b der zweiten Elektrofeld-Kopplungstyp-Antenne 63b und
der Phase der Hochfrequenz an der Verbindung 73c der dritten
Elektrofeld-Kopplungstyp-Antenne 63c um
360° (2π/3) unterscheidet.
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Das
elektrische Feld im Mittelteil des obigen 6-Fahnentyp-Resonators
zu dieser Zeit ist gegeben durch Gleichung 3. Gleichung
3
wo ω die
Winkelfrequenz der eingegebenen Hochfrequenz darstellt, t Zeit darstellt,
und E
0 den Maximalwert des durch jede Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung
gekoppelten elektrischen Resonanzfeldes darstellt. Gleichung 3 zeigt,
dass das elektrische Feld im Mittelteil des 6-Fahnentyp-Resonators
72 mit
der Winkelfrequenz ω wie
die Frequenz der eingegebenen Hochfrequenz rotiert.
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Die
Anordnung, die die obiege Wirkung liefert, ist nicht auf den 6-Fahnentyp-Resonators
und drei Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen begrenzt.
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Wenn
bei der oben beschriebenen Anordnung dieser Ausführung die Anzahl von Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen
M ist, und der Maximalwert des mit jeder Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung
zu koppelnden elektrischen Resonanzfeldes E
0 ist,
ist das elektrische Feld im Mittelteil der Gruppe von Seitenresonatoren gegeben
durch Gleichung 4. Gleichung
4
wo ω die
Winkelfrequenz der eingegebenen Hochfrequenz darstellt und t Zeit
darstellt, wie in Gleichung 3. Wenn jedoch die Zahl von Seitenresonatoren,
die die Gruppe von Seitenresonatoren bilden, N ist, ist M eine Ganzzahl
von 3 oder mehr oder N oder weniger. Gleichung 4 zeigt, dass das
elektrische Feld im Mittelteil der Gruppe von Seitenresonatoren
mit der Winkelfrequenz ω wie
die Frequenz der eingegebenen Hochfrequenz rotiert.
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Durch
die obige Anordnung werden, da wie in der ersten Ausführung die
Richtung des elektrischen Feldes gedreht wird, ohne in eine Richtung
abgelenkt zu werden, das Entladungsplasma der elektrodenlosen Entladungslampe
und die Wärmeverteilung
der Wand der Röhre
gleichmäßig. Dadurch
tritt eine Störung
des Plasmamodus infolge thermischer Konvektion schwerlich auf, und
der Wärmewiderstand
der elektrodenlosen Entladungslampe wird verbessert. Außerdem kann,
da das elektrische Feld auch von der der Gruppe von Seitenresonatoren
gegenüberliegenden
Seite überlappt
wird, verglichen mit der ersten Ausführung die Gruppe von Seitenelektroden
leichter dazu gebracht werden, im 2π/N Modus zu arbeiten.
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Ausführung 3
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Eine
dritte Ausführung
einer Hochfrequenz-Leistungsversorgungseinrichtung der vorliegenden
Erfindung wird unten mit Verweis auf 8 und 9 beschrieben.
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Eine
elektrodenlose Hochfrequenz-Entladungslampe, die einen 8-Fahnentyp-Resonator
mit je zwei Hochfrequenz-Oszillatoreinrichtungen, zwei Hochfrequenz-Ausbreitungseinrichtungen
und zwei Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen verwendet, wird mit
Verweis auf 8 beschrieben.
Der 8-Fahnentyp-Resonator 82 und die zwei Antennen 83a und 83b,
die Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen sind, sind die gleichen
wie die in 1 oder 4 entsprechend der ersten
Ausführung
gezeigten.
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Die
von der Hochfrequenz-Leistungsquelle 1 in Schwingung versetzte Hochfrequenzenergie
wird durch die erste Hochfrequenz-Ausbreitungseinrichtung, die aus
Koaxialleitungen, Wellenleitern und dergleichen besteht, ausgebreitet
und durch die erste Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung in den Teil 83a des
8-Fahnentyp-Resonators 82 gekoppelt. Die von der Hochfrequenz-Leistungsquelle
2 in Schwingung versetzte Hochfrequenzenergie wird durch die zweite
Hochfrequenz-Ausbreitungseinrichtung, die aus Koaxialleitungen,
Wellenleitern und dergleichen besteht, ausgebreitet und durch die
zweite Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung in den Teil 83b des
8-Fahnentyp-Resonators 82 gekoppelt. Durch die durch die
erste Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung 83a gekoppelte
Hochfrequenzenergie wird ein elektrisches Hochfrequenz-Resonanzfeld
Ex seitlich in 8 im Mittelteil des 8-Fahnentyp-Resonators 82 erzeugt.
Desgleichen wird durch die durch die zweite Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung 83b gekoppelte
Hochfrequenzenergie ein elektrisches Hochfrequenz-Resonanzfeld Ey vertikal in 8 erzeugt.
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In
diesem Fall sind, wenn die Winkelfrequenz der von der Hochfrequenz-Leistungsquelle
1 erzeugten Hochfrequenz durch ω
1 bezeichnet wird, und die Winkelfrequenz
der von der Hochfrequenz-Leistungsquelle 2 erzeugten Hochfrequenz
mit ω
2 bezeichnet wird, die x-Komponente und die
y-Komponente des im Mittelteil des 8-Fahnentyp-Resonators
82 erzeugten
elektrischen Felds gegeben durch Gleichung 5. Gleichung
5
wo t verstrichene Zeit darstellt, und E
0 den Maximalwert des von jeder Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung
gekoppelten elektrischen Resonanzfeldes darstellt. Wenn z. B. die
Winkelfrequenz der von der Hochfrequenz-Leistungsquelle 2 erzeugten
Hochfrequenz ω
2 10% größer ist
als die Winkelfrequenz der von der Hochfrequenz-Leistungsquelle
1 erzeugten Hochfrequenz ω
1, wird Gleichung 5 durch Gleichung 6 dargestellt.
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Das
Ergebnis der Aufzeichnung des Ortes von x- und y-Komponenten des
im Mittelteil des 8-Fahnentyp-Resonators 82 erzeugten elektrischen
Feldes, wenn die Zeit t verändert
wird, bis die von der Hochfrequenz-Leistungsquelle 1 erzeugte Hochfrequenz
5 Zyklen (0 <= ω2t <=
10π) gelaufen
ist, wird in 9 gezeigt.
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Wenn
t 0 ist, wird die synthetische Komponente von Ex und
Ey, die in der schräg rechts Richtung zu der schräg unten
links Richtung lag, die Verschiebung von Frequenzen begleitend allmählich verschoben
und schließlich
von der schräg
unten rechts Richtung zu der schräg oben links Richtung verändert.
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Wie
oben beschrieben wiederholt durch Unterscheiden der Frequenz der
von der Hochfrequenz-Leistungsquelle 1 erzeugten Hochfrequenz von
der Frequenz der von der Hochfrequenz-Leistungsquelle 2 erzeugten
Hochfrequenz jede der synthetischen Komponenten des durch die 8-Fahnentyp-Resonatoren 82 zu
koppelnden elektrischen Hochfrequenzfeldes die Rotation infolge
des Unterschiedes der Frequenzen.
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Durch
die obige Anordnung werden wie in der ersten und zweiten Ausführung, da
die Rich tung des elektrischen Feldes varriert, ohne in eine Richtung
abgelenkt zu werden, das Entladungsplasma der elektrodenlosen Entladungslampe 81 und
die Wärmeverteilung
der Wand der Entladungsröhre
gleichmäßig. Dadurch tritt
die Störung
des Plasmamodus infolge thermischer Konvektion kaum auf, und der
Wärmewiderstand
der elektrodenlosen Entladungslampe 81 wird verbessert.
Außerdem
ist die recht heikle Operation des Abgleichens von Phasenunterschieden
verglichen mit der ersten und zweiten Ausführung nicht erforderlich.
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Obwohl
hier ein Beispiel gezeigt, das einen 10% Frequenzunterschied benutzt,
ist der Frequenzunterschied natürlich
nicht auf 10% begrenzt. Da jedes der ISM-(industriell, wissenschaftlich
und medizinisch)Frequenzbänder
von Hochfrequenz, deren Gebrauch industriell erlaubt ist, eine spezifische
Bandbreite hat, fällt die
Frequenzdifferenz besser in eine solche Bandbreite. Zum Beispiel
beträgt
eine zulässige
Bandbreite in dem ISM-Frequenzband mit der Mittenfrequenz von 2.45
GHz +/– 0.05
GHz. Daher kann in diesem Fall die Frequenzdifferenz im Bereich
von 0.1 GHz verändert
werden. Da ein Hochfrequenzoszillator, z. B. ein Magnetron, immer
einen Fehler in der erzeugten Frequenz innerhalb der obigen zulässigen Bandbreite
hat, wird in Wirklichkeit die Frequenzdifferenz natürlich erhalten,
wenn eine Vielzahl von Hochfrequenzoszillatoren ohne Anstrengungen,
Frequenzen zu ändern,
bereitgestellt wird.
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Eine übermäßig große Frequenzdifferenz
ist jedoch nicht vorzuziehen, weil sie jenseits der Resonanzfrequenz
der Gruppe von Seitenresonatoren liegen wird, oder das Auftreten
von anderen Resonanzmodi erwogen wird. Daher wird bevorzugt, dass
die Frequenzdifferenz innerhalb des Bereiches von Frequenzen liegt, in
dem der gleiche Resonanzmodus auftreten kann.
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Die
Anordnung, die die obige Wirkung Liefert, ist nicht auf den 8-Fahnentyp-Resonator
mit je zwei Hochfrequenz-Oszillatoreinrichtungen, zwei Hochfrequenz-Ausbreitungseinrichtungen
und zwei Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen begrenzt.
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Zum
Beispiel kann die Anordnung, die drei Hochfrequenz-Oszillatoreinrichtungen,
drei Hochfrequenz-Ausbreitungseinrichtungen und drei Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen
umfasst, unter Verwendung eines 6-Fahnentyp-Resonators und drei
Hochfrequenz-Kopplungseinrichtungen, wie in 5 gezeigt, gebildet werden.
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Obwohl
Beispiele, die Fahnentyp-Resonatoren als die Gruppe von Seitenresonatoren
verwenden, in der obigen ersten bis dritten Ausführung gezeigt werden, können andere
Gruppen von Seitenresonatoren, z. B. Lochschlitztyp-Resonatoren,
ebenfalls verwendet werden.
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Obwohl
in den obigen Ausführungen
eins bis drei die Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung der
vorliegenden Erfindung, die die Gruppe von Seitenresonatoren verwendet,
nur unter dem Aspekt der Anwendung auf eine elektrodenlose Hochfrequenz-Entladungslampe
gezeigt wird, sind die Anwendungsgebiete der Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung
der vorliegenden Erfindung nicht darauf begrenzt. Zum Beispiel ist
die Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung der vorliegenden
Erfindung auch nützlich,
wenn die Zufuhr von Energie durch elektrische Hochfrequenz-Resonanzfelder
konzentriert und nicht abgelenkt zum Bilden eines stabilen Entladungsplasmas
eines relativ kleinen Durchmessers in Einrichtungen benötigt wird,
die Hochfrequenzentladung benutzen, z. B. Plasma-CVDs, Plasma-Taschenlampen und Gasentladungslaser.
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Die
Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung der vorliegenden Erfindung
ist auch nützlich,
wenn die Zufuhr von Entladungsenergie durch gleichmäßige elektrische
Hochfrequenz-Resonanzfelder
konzentriert und nicht abgelenkt zum Heizen, Lichtemittieren, Schmelzen
oder Verdampfen eines Werkstückes
mit einem relativ kleinen Durchmesser, das auf dem Mittelteil der
obigen Hochfrequenz-Energieversorgungseinrichtung platziert wird,
mittels Hochfrequenzenergie erforderlich ist.
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Zusätzlich zu
dem Obigen kann bei der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl von
Hochfrequenzen durch die Hochfrequenz-Kopplungseinrichtung gekoppelt
werden, und Phasendifferenzen können
voneinander verschieden sein.
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Wie
oben beschrieben kann erfindungsgemäß gleichförmige Hochfrequenzenergie zugeführt werden, weil,
verglichen mit einer herkömmlichen
Mikrowellen-Energieversorgungseinrichtung, die eine Gruppe von Seitenelektroden
verwendet, die Ablenkung von elektrischen Feldern in einer Richtung
beseitigt und die Richtung der elektrischen Felder gedreht oder
periodisch verändert
wird.
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Indessen
ermöglicht
es geringe Störung
des Plasmamodus infolge thermischer Konvektion, stabiles Entladungsplasma
zu illuminieren und aufrechtzuerhalten. Außerdem wird die Wärmebelastung
der Wand der Entladungsröhre
einer elektrodenlosen Entladungslampe gemittelt, und der Wärmewiderstand
der elektrodenlosen Entladungslampe wird verbessert.
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Des
Weiteren kann die Zufuhr von Energie zum Heizen, Emittieren von
Licht, Schmelzen oder Verdampfen gleichmäßig gemacht werden.