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Diese
Erfindung betrifft eine Abbildungsvorrichtung und insbesondere eine
Halbleiterabbildungsvorrichtung. Die Erfindung findet Anwendung bei
einer Abbildung großer
Flächen
und ist insbesondere für
Röntgen-Abbildungen
geeignet.
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Abbildungsvorrichtungen
werden bei der medizinischen Diagnose, in der Biotechnologie oder
bei der industriellen, zerstörungsfreien
Prüfung
und Qualitätskontrolle
verwendet. Eine Abbildung wird hauptsächlich mittels ionisierender
Strahlung durchgeführt, wie
beispielsweise durch Röntgen-Strahlen, Gamma-Strahlen
oder Beta-Strahlen. Die Strahlung wird durch eine Abbildungsoberfläche erfasst,
welche nicht planar sein muss. Eine Bildentstehung wird entweder
durch Betrachten der zweidimensionalen Matrix, welche die Strahlungsintensität repräsentiert, welche
auf den Detektor einfällt,
oder durch Decodierung und/oder Kombinieren eines oder mehrerer
Bildersätze
ausgeführt
(Abbildung mit codierten Blenden in der Nuklearmedizin, Computertomographie).
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Die
herkömmliche
Abbildungsvorrichtung ist eine Filmkassette. Andere Vorrichtungen,
welche in den vergangenen 40 Jahren entwickelt und verwendet wurden
umfassen Drahtkammern, Szintillator-Kristalle oder -Schirme (z.
B. Natriumiodid NaI), BGO-Kristalle und digitale Abbildungsplatten (CR-Platten)
unter Verwendung stimulierter Lumineszenz. In letzter Zeit wurden
Halbleitervorrichtungen, wie beispielsweise ladungs gekoppelte Geräte (CCDs),
entweder autonom oder gekoppelt mit Szintillator-Schirmen, Silizium-(Si)-Microstrip-Detektoren und
Halbleiterpixeldetektoren eingesetzt.
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Halbleiterpixelabbildungsvorrichtungen
auf der Grundlage von ASIC-(anwendungsspezifischer integrierter
Schaltkreis)-CMOS-Verarbeitung sind eine wünschenswerteste Option für Abbildungsanwendungen
wegen ihrer hohen Bildauflösung,
Kompaktheit, unmittelbaren Erfassungsfähigkeit, hohen Absorptionseffizienz
und ihrer Echtzeit-Abbildungsfähigkeit.
Beschränkungen
in der ASIC-CMOS-Technik begrenzen jedoch die praktische Größe monolithischer
Detektoren auf eine maximale Fläche
von wenigen Quadratzentimetern. Es ist wünschenswert, mehrere derartige
monolithische Detektoren zu verwenden, um eine große Fläche als „geflieste" Abbildungsoberfläche auszubilden.
Ein derartiger Ansatz wird in den Patentanmeldungen GB 9605978.7
und GB 9517608.7 des Anmelders beschrieben. Unter Verwendung unkomplizierter
Computer-Rekonstruktion können
die Daten von den individuellen monolithischen Detektoren kombiniert
werden, um eine im Allgemeinen kontinuierliche, große Bildfläche auszubilden,
welche äquivalent
zum Bild aus einem hypothetischen Einzeldetektor ist, welcher die
gleiche Gesamtabbildungsfläche
aufweist.
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Es
ist jedoch ein bedeutendes Problem, die inaktiven Flächen zwischen
den aktiven Abbildungsflächen
benachbarter Detektorvorrichtungen zu eliminieren. Derartige inaktive
Flächen
vermindern die Auflösung
der gesamten Abbildungsoberfläche
unter die ausgezeichnete Auflösung,
welche gewöhnlich jedem
individuellen Detektor zugeordnet ist, und verursacht Blindregionen.
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1 illustriert einen Vorschlag
(beschrieben in der Patentanmeldung US 08/454789 des Anmelders),
bei welchem die Abbildungsvorrichtungen 2 getrennt auf
der Abbildungsebene 1 gestaffelt sind. Die Abbildungsoberfläche ist
innerhalb der Abbildungsebene angeordnet, und es werden mehrere Aufnahmen
zu verschiedenen Zeitpunkten aufgenommen, wobei die Vorrichtungen 2 auf
verschiedenen räumlichen
Positionen sind. Durch Kombinieren der Ausgangsinformationen von
den verschiedenen Aufnahmen kann ein vollständiges Bild aufgebaut werden,
welches die ganze Bildfläche
ohne inaktive Regionen abdeckt.
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Ein
alternativer Vorschlag zum Reduzieren inaktiver Regionen bei Fliesung
(welcher keine Bewegung umfasst) ist, die Detektoren in einer dicht
gepackten Anordnung zu positionieren (man siehe 2), welche die ganze Abbildungsebene 1 abdeckt
und keinen-freien Raum zwischen benachbarten Detektorvorrichtungen 2 lässt. Diese
Anordnung behandelt das Problem der inaktiven Fläche zwischen benachbarten Detektorvorrichtungen,
es behandelt jedoch nicht das Problem, dass jedes Detektorelement
einen inaktiven Oberflächenbereich
oder eine Region innerhalb der Abgrenzungen der Vorrichtung aufweisen
kann.
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Beispielsweise
illustriert 3 eine bekannte
Konstruktion einer Fliese oder eines Moduls der Abbildungsvorrichtung,
welche in WO-A-95/333332 des Anmelders beschrieben ist. Die Vorrichtung
besteht aus einem Halbleitersubstrat 3, welches einfallender
Strahlung aussetzbar ist und vor einem integrierten Schaltkreis 4 angeordnet
ist. Der integrierte Schaltkreis seinerseits wird auf einer Befestigung 5, beispielsweise
einer gedruckten Schaltungsplatine (PCB), aufgelegt. Vermittels
eines gleichmäßigen elektrischen
Driftfelds driftet die Ladung, welche im Substrat 3 durch
die einfallende Strahlung erzeugt wird, zu den Detektorzellen oder
Pixeln, welche durch Metallkontakte auf der Oberfläche des
Substrats benachbart zum integrierten Schaltkreis 4 definiert
werden. Die Kontakte sind durch Mikrohöcker (beispielsweise Indium- oder Löthöcker) an
Ausleseschaltungen 5 im integrierten Schaltkreis angeschlossen
und zu den Positionen der Substratkontakte ausgerichtet. Die Ausleseschaltungen 5,
das Produkt der ASIC-CMOS-Technik, akkumuliert die Ladung, welche
von aufeinanderfolgenden Strahlungstreffern erzeugt wird.
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In 3 werden eine Randüberkragung 8 oder
die integrierte Schaltplatine und eine weitere Randüberkragung 9 der
Befestigung erfordert, um Raum für
Drahtverbindungen 10 zwischen der Befestigung 5 und
dem integrierten Schaltkreis 4 bereitzustellen. Es ist
zu erkennen, dass, wenn mehrere Module Seite an Seite angeordnet
werden, die Projektionsregionen 8 und 9 eine inaktive
Fläche
innerhalb der Abgrenzungen des Detektors erzeugen.
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Die
vorliegende Erfindung entstand aus einer Erkenntnis der Probleme
und der Wechselbeziehung zwischen den nachfolgend diskutierten Verfahren.
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Ein
Ansatz, welcher vom vorliegenden Anmelder zur Behandlung des Problems
der inaktiven Fläche
entwickelt wurde, ist das Neigen des Substrats 3 und des
integrierten Schaltkreises 4 relativ zur Befestigung 5 und
das enge Anordnen der Befestigungen 5, so dass das angehobene
Ende 11 jedes Detektors die Randregionen 8 und 9 eines
benachbarten Detektors überlappt.
Ein derartiges Verfahren wird in 4 illustriert
und wird in der Patentanmeldung Nr. 9614620.4 des Anmelders beschrieben.
Die Neigung (typischerweise ungefähr 3 Grad) wird durch einen
Stützkeil 13 erzielt,
welcher auf der Befestigung 5 getragen wird. Dies kann
eine im Allgemeinen planare, gesamte Abbildungsoberfläche mit geringem
oder keinem Bildverlust in den Überlappungsregionen
erzielen.
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Die
oben stehende Anordnung kann jedoch nicht ausreichend sein, falls
der Detektor inaktive Regionen entlang zwei senkrechten Rändern aufweist. Beispielsweise
illustriert 5 schematisch
(von oben) einen Detektor, welcher einen integrierten Schaltkreis
mit einer überkragenden
Randregion 8, an welcher die Drahtverbindungen 10 angefertigt werden,
eine Auslesezelle 2 oder Pixelschaltungsfläche 14,
welche eine Matrix von Ausleseschaltungen 5 zum Anschluss
an die Pixelkontakte des Substrats umfasst, und eine zweite Randfläche 15 aufweist, welche
einen Steuerungs- und Multiplexerschaltkomplex enthält. Mit
einer derartigen Anordnung weist der Detektor zwei inaktive Randregionen 8 und 15 in
orthogonalen Richtungen auf. Die Anordnung in 4 behandelt keine Bildkontinuität in zwei
senkrechten Dimensionen.
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Es
wird auch auf EP-A-0421869 verwiesen, welches einen veröffentlichten,
bekannten Entwurf illustriert, welcher fähig sein soll, eine zweidimensionale
Bildkontinuität bereitzustellen.
Unter Bezugnahme auf 6 werden
die Detektorfliesen in zwei Dimensionen gestapelt. Ein deutlicher
Nachteil ist, dass dieses Verfahren notwendigerweise die Dicke des
gesamten Detektors erhöht;
Dieser Effekt tritt deutlicher hervor, wenn mehr Fliesen aufgenommen werden.
Es kann schwierig sein, eine symmetrische Detektoranordnung oder
eine planare wirksame Bildfläche
zu erhalten. weiterhin hängt
der Entwurf von der Existenz von Fliesen mit einer empfindlichen
oder aktiven Fläche 2 ab,
welche sich wenigstens über zwei
Fliesenränder
erstreckt.
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Die
vorliegende Erfindung wurde unter Berücksichtigung der oben stehenden
Probleme erdacht.
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EP-A-0,421,869
offenbart eine Matrixvorrichtung großer Dimensionen zum Aufnehmen
oder Bereitstellen von Bildern. Die Matrix umfasst eine abgestufte
Anordnung von gefliesten Sensorelementen.
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Die
vorliegende Erfindung wird in den angefügten Ansprüchen dargelegt. Im Gegensatz
zum Stand der Technik, bei welchem jeder Pixel-Ladungsspeicherkontakt
des Detektorsubstrats in Überdeckungsbeziehung
mit einer assoziierten Auslesezellenschaltung 2 für den Kontakt
ist, wird bei einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wenigstens ein
Ladungsspeicherkontakt des Halbleitersubstrats räumlich von seiner assoziierten
Zellenschaltung und/oder vom Eingang der jeweiligen Zellenschaltung
weg verschoben.
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Mit
der Erfindung wurde erkannt, dass durch Abweichen von einem herkömmlichen
Entwurf, bei welchem jeder Pixelkontakt seiner assoziierten Zellenschaltung überliegt,
es möglich
ist, die aktive Fläche 2 des
Substrats (d. h. die Ladungsspeicherungsfläche, von welcher durch die
Ladungsspeicherkontakte Bildsignale gesammelt werden können) sogar über Regionen
des integrierten Schaltkreises auszudehnen, welche zur Steuerung
und/oder Decodierung und/oder zum Multiplexieren und/oder für einen Post-Ausleseschaltkomplex
gebraucht werden.
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Dies
ist insbesondere vorteilhaft, da es zulässt, dass die inaktive Fläche des
Stands der Technik vermieden wird. Die Auflösung der Bilder, welche durch
geflieste oder gerasterte Abbildungsoberflächen erzeugt werden, kann dadurch
verbessert werden, ohne eine physikalische Translation der Abbildungsvorrichtungen
zu erfordern.
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Vorzugsweise
umfasst die Abbildungsvorrichtung eine Kombination erster Ladungsspeicherkontakte,
welche relativ zu ihren jeweiligen Zellenschaltungen verschoben
sind, und zweite Ladungsspeicherkontakte, welche für einen
unmittelbareren Anschluss damit in Überdeckungsbeziehung mit ihren
jeweiligen Zellenschaltungen sind. Die ersten Ladungsspeicherkontakte
können
mit ihren jeweiligen Zellenschaltungen durch „Leiterbahnen" kommunizieren, welche
sich seitwärts
zu Positionen in Überdeckungsbeziehung
mit den jeweiligen Eingängen der
Zellenschaltungen erstrecken.
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Der
Begriff „Zellenschaltung" wird hier verwendet,
um im Allgemeinen eine Schaltung zum Empfangen von Ladung vom Ladungsspeicherkontakt
und zum Herstellen eines Signals daraus zu bezeichnen, welches repräsentativ
für einen
Bildpixel oder eine -Region ist. Im Allgemeinen kann die Abbildungsvorrichtung
so angesehen werden, dass sie eine Mehrzahl von Detektorzellen umfasst,
wobei jede Zelle einen Ladungsspeicherkontakt und eine jeweilige
Zellenschaltung zur Behandlung der gesammelten Ladung umfasst. Die
Ladungsspeicherkontakte können
von jeder gewünschten
Größe und Form
sein (beispielsweise quadratisch, rechteckig, rund, vieleckig).
Das Auslesesubstrat kann auch einen anderen Schaltkomplex tragen
oder umfassen, wie beispielsweise einen Steuerungsschaltkomplex oder
einen Multiplexerschaltkomplex, welcher mit einer Mehrzahl von Zellenschaltungen
assoziiert ist.
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Eine
andere Ausführungsform
stellt eine Halbleiterabbildungsvorrichtung bereit, welche ein Detektorsubstrat
umfasst, welches einfallender Strahlung aussetzbar ist, und welches
eine Mehrzahl von Ladungsspeicherkontakten zum Speichern von Ladung
davon aufweist, wobei das Detektorsubstrat, welches vor einem Auslesesubstrat
angeordnet ist, einen Ausleseschaltkomplex trägt oder umfasst, wobei das
Auslesesubstrat eine erste Region mit einer jeweiligen Zellenschaltung,
welche an jeden Ladungsspeicherkontakt zum Empfangen von Signalen vom
Detektorsubstrat gekoppelt ist, und eine zweite Region mit einem
weiteren Schaltkomplex umfasst, welcher mit einer Mehrzahl von Zellenschaltungen assoziiert
und verbunden ist, und wobei die Ladungsspeicherkontakte über der
ersten und der zweiten Region des Auslesesubstrats angeordnet sind.
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Eine
Ausführungsform
stellt eine Halbleiterabbildungsvorrichtung bereit, welche ein Detektorsubstrat
umfasst, welches einfallender Strahlung aussetzbar ist, und eine
Mehrzahl von Ladungsspeicherkontakten zum Speichern von Ladung davon aufweist,
wobei das Detektorsubstrat, welches vor einem Auslesesubstrat angeordnet
ist, eine Auslesezellenschaltung trägt oder umfasst, welche an
jeden Ladungsspeicherkontakt zum Akkumulieren der Ladung gekoppelt
ist, welche vom Ladungsspeicherkontakt empfangen wird, wobei wenigstens
ein erster Ladungsspeicherkontakt nicht in Überdeckungsbeziehung mit seiner
assoziierten Zellenschaltung angeordnet ist, und wobei wenigstens
ein zweiter Ladungsspeicherkontakt in Überdeckungsbeziehung mit seiner
assoziierten Zellenschaltung angeordnet ist, wobei die Zellenschaltung
für die
erste Ladungsspeicherungsschaltung eine von der Zellenschaltung für den zweiten
Ladungsspeicherkontakt verschiedene Ladungsakkumulationskapazität aufweist.
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Es
werden nun Ausführungsformen
der Erfindung beispielhaft nur unter Bezugnahme auf die begleitenden
weiteren Zeichnungen beschrieben, bei welchen:
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7 eine schematische Teilseitenansicht einer
ersten Ausführungsform
des Detektors ist;
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8 eine Schemaansicht entlang
der Linie 8-8 der 7 ist;
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9 eine Schemaansicht entlang
der Linie 9-9 der 7 ist;
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10 eine Schemaansicht (ähnlich zu 8) einer zweiten Ausführungsform
ist; und
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11 eine Schemaansicht (ähnlich zu 10) der zweiten Ausführungsform
ist.
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Unter
Bezugnahme auf die 7, 8 und 9 umfasst der Detektor ein Halbleiterdetektorsubstrat 3,
welches einfallender Strahlung aussetzbar ist und vor einem Auslesesubstrat
in der Form eines integrierten Schaltkreises 4 angeordnet
ist. In 8 wird die Position
des Detektorsubstrats 3 durch eine unterbrochene Linie
angezeigt; in 9 wird
die Position des integrierten Schaltkreises durch eine unterbrochene
Linie angezeigt. Das Detektorsubstrat kann aus jedem geeigneten
Material sein, beispielsweise Cadmiumzinktellurid (CdZnTe), Cadmiumtellurid
(CdTe), Bleiiodid (PbI), Galliumarsenid (GaAs), Germanium (Ge),
Silizium (Si) oder Indiumantinomid (InSb). Bei der vorliegenden
Ausführungsform
ist CdZnTe das bevorzugte Material.
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Der
integrierte Schaltkreis 4 umfasst eine erste Region 20,
welche Pixelzellen-Ausleseschaltungen 19 mit Metalleingängen 21 enthält, eine
zweite Randregion 22, welche einen zusätzlichen Schaltkomplex, wie
beispielsweise einen Steuerungs-, Decodierungs- und Multiplexerschaltkomplex
enthält, und
eine dritte Randregion 24, an welcher herkömmliche
Drahtverbindungen gefertigt sind. Das Substrat überlappt die ersten und zweiten
Regionen 20 und 22.
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Bei
der illustrierten Ausführungsform
ist der Schaltkomplex innerhalb des Auslesesubstrats unter Verwendung
von beispielsweise CMOS-Technik enthalten. Die Abgrenzungen der
Zellenschaltungen 19 sind schematisch durch die unterbrochenen
Linien illustriert. Unter Verwendung anderer Techniken kann der
Schaltkomplex jedoch auf der Oberfläche des Substrats implementiert
werden.
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Das
Substrat weist Pixel-(Ladungsspeicherungs-)-Kontakte 26 auf,
welche zum Anschluss an die Auslesezellenschaltungen darauf ausgebildet sind.
Die Kontakte 26 umfassen eine gleichmäßige Anordnung erster Kontakte 27 über dem
größten Teil der
Substratfläche
und sind so positioniert, dass sie unmittelbar in Überdeckungsbeziehung
mit den Eingängen
der jeweiligen Ausleseschaltungen sind.
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Gemäß den Grundsätzen der
Erfindung wird die Region des Substrats 3, welche auf der
zweiten Region 22 des integrierten Schaltkreises 4 aufliegt, durch
die Bereitstellung zweiter Pixel-(Ladungsspeicherungs-)-Kontakte 28 aktiviert.
Die zweiten Kontakte sind in der Randregion des Substrats außerhalb der
ersten Region 20 des integrierten Schaltkreises 4 positioniert,
welcher die Auslesezellenschaltungen enthält. Zum Kommunizieren mit einer
Zellenschaltung 19a ist jeder zweite Kontakt 28 durch
eine Leiterbahn 30 auf der Oberfläche 32 des Substrats
(auf der Oberseite benachbart zum integrierten Schaltkreis 4)
an eine Zwischenanschlussposition 34 gekoppelt, welche
in Überdeckungsbeziehung
mit einem Eingang 21 einer jeweiligen Ausleseschaltung 19a ist.
Die Leiterbahn 30 wird durch einen Metallstreifen bereitgestellt,
welcher durch das Substrat getragen wird. Der Streifen stellt nur
elektrischen Kontakt mit dem Substrat an der Position des Ladungsspeicherkontakts 28 her.
Bei dieser Ausführungsform ist
der Streifen auf eine Schicht von Passivierungsmaterial 31 gelegt,
welche auf die Oberfläche
des Detektorsubstrats 3 aufgebracht ist. Das Passivierungsmaterial
isoliert den Streifen wirksam vom Substrat 3, außer an der
Position, wo der Streifen als der Ladungsspeicherkontakt unmittelbar
mit dem Substrat Kontakt herstellt.
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Die
ersten Kontakte 26 und die Zwischenanschlüsse 34 sind
elektrisch durch Mikrohöcker 36 mit dem
integrierten Schaltkreis verbunden. Die Mikrohöcker können beispielsweise auf den
ersten Pixelkontakten 26 und auf den Zwischenanschlüssen 34 oder
ersatzweise auf den Eingangsanschlüssen der Zellenschaltungen
des integrierten Schaltkreises 4 aufgewachsen werden. Die
Mikrohöcker
können aus
jedem geeigneten Material sein, wie beispielsweise Indium, Lötmetall
oder Gold.
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Der
Abstand zwischen den Pixelkontakten ganz am Rand (d. h. den zweiten
Kontakten 28) ist nicht notwendigerweise der gleiche wie
der Abstand zwischen den ersten Kontakten 26. Beispielsweise kann
der Abstand der Kontakte ganz am Rand größer sein. In dem Fall sammelt
jeder Pixelkontakt 28 ganz am Rand das Signal von der Ionisierung,
welches in einem Volumen des Substrats 3 größer als
das Volumen entsprechend eines ersten Pixelkontakts 26 erzeugt
wird. Um dieses größere Signal
zu kompensieren, sollte die Kapazität der Ausleseschaltungen 5 für die Pixelkontakte 28 ganz
am Rand entspre chend eingestellt werden.
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10 und 11 illustrieren eine zweite Ausführungsform,
welche eine praktische Anordnung der Kontaktpositionen für eine verbesserte
Auflösung umfasst.
Wo passend, werden wieder die gleichen Bezugszeichen verwendet,
welche bei der ersten Ausführungsform
verwendet werden.
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Die
Breite der zweiten Region 22 (welche die Multiplexer- und
Decodierlogik enthält)
beträgt
ungefähr
350 μm.
In 10 und 11 ist der Pixelkontakt P1 unmittelbar
mit Eingang A1 des integrierten Schaltkreises 4 verbunden;
Pixelkontakt P2 ist durch einen Metallstreifen T2 und Zwischenanschluss
CP2 an Eingang A2 gekoppelt; Pixelkontakt P3 ist durch einen Metallstreifen
T3 und Zwischenanschluss CP3 an Eingang A3 gekoppelt; und Pixelkontakt
P4 ist durch einen Metallstreifen T4 und Zwischenanschluss CP4 an
Eingang A4 gekoppelt. Das Verbindungsmuster, in der Richtung 40 betrachtet,
wiederholt sich.
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Bei
dieser Beispielimplementierung beträgt die Pixelteilung zwischen
den ersten Pixelkontakten P ungefähr 35 μm, und die Pixelteilung unter
den Pixelkontakten ganz am Rand (P2 bis P4 usw.) beträgt ungefähr 146 μm. Da die
Region nahe des Detektorrands eine größere Pixelteilung aufweist,
ist die Kapazität
der jeweiligen Ausleseschaltungen 5 entsprechend diesen
größeren Pixeln
größer, um
das größere Signal
zu kompensieren. Der Abstand von den Pixeln ganz am Rand bis zum
Detektorrand beträgt
ungefähr
150 μm.
Dies wird in 10 durch
die schematischen Konturen der Zellenschaltungen 19a für die voneinander
beabstandeten Kontakte illustriert, welche größer als die Konturen der Zellenschaltungen 19 für die Hauptmatrix 3 der
ersten Pixelkontakte sind, um eine große Ladungsakkumulationskapazität zu beherbergen.
In 10 sind die Zellenschaltung 19b für den einzelnen
Ladungsspeicherkontakt P1 benachbart zur Hauptmatrix 3 und
die Zellenschaltungen 19c für periphere Ladungsspeicherkontakte 27a der
Hauptmatrix 3 auch größer, um
eine gesteigerte Ladungsakkumulationskapazität anzudeuten. Im Allgemeinen
weist jede Zellenschaltung eine Ladungsakkumulationskapazität gemäß dem erwarteten
Ladungspegel auf, welcher wahrscheinlich durch den Ladungsspeicherkontakt
empfangen wird. Dies hängt
von der Größe des Volumens
des Detektorsubstrats ab, von welchem der bestimmte Ladungsspeicherkontakt
in der Lage ist, die Ladung zu empfangen. Dies wiederum hängt vom
Teilungsabstand benachbarter Kontakte ab. Es ist auch zu erkennen, dass
Kontakte ganz am Rand mehr Ladung empfangen können, weil sie nicht von allen
Seiten von anderen Kontakten umgeben sind.
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Es
ist zu erkennen, dass die vorliegende Erfindung es zulässt, insbesondere
wie bei den bevorzugten Ausführungsformen
illustriert, dass sogar dann ein größerer Anteil des Detektorsubstrats
als aktive Abbildungsfläche
verwendet wird, wenn eine oder mehrere -Regionen des integrierten
Schaltkreises oder des anderen Auslesesubstrats, welches unmittelbar
manchen der Pixeln unterliegt, einem anderen Schaltkomplex, wie
beispielsweise einem Steuerungs-/Decodierungs-/Multiplexerschaltkomplex
gewidmet werden.