DE69802727D1 - Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur in einem Substrat aus ferroelektrischem Einkristall - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur in einem Substrat aus ferroelektrischem Einkristall

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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4667544B2 (ja) * 1997-04-17 2011-04-13 キネティック リミテッド エッチング方法
JP2000066050A (ja) * 1998-08-19 2000-03-03 Ngk Insulators Ltd 光導波路部品の製造方法及び光導波路部品
US6673330B1 (en) * 1999-03-26 2004-01-06 National Institute For Research In Inorganic Materials Single crystal of lithium niobate or tantalate and its optical element, and process and apparatus for producing an oxide single crystal
FR2794774A1 (fr) * 1999-06-14 2000-12-15 France Etat Procede et dispositif associe de fabrication d'une fibre cristalline a domaine alternes
US6690025B2 (en) 2001-05-11 2004-02-10 Lightwave Microsystems Corporation Devices for etch loading planar lightwave circuits
EP1273960A1 (de) * 2001-06-28 2003-01-08 Corning O.T.I. S.p.A. Integrierte ferroelektrische optische Wellenleitervorrichtung
DE10132850A1 (de) * 2001-07-06 2003-01-23 Fraunhofer Ges Forschung Ablenkeinrichtung und Verfahren zur Ablenkung elektromagnetischer Wellen und optisches Element hierfür, sowie Verfahren zur Herstellung photonischer Strukturen
DE102005053463A1 (de) * 2005-11-06 2007-05-10 Aj Innuscreen Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur automatisierten Isolierung und Aufreinigung von Nukleinsäuren aus beliebigen komplexen Ausgangsmaterialien

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0337194A (ja) * 1989-07-05 1991-02-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd リン酸チタン・カリウム結晶の強誘電分域の判定方法
JPH0517295A (ja) * 1991-07-05 1993-01-26 Ibiden Co Ltd ドメイン反転処理が施されたニオブ酸リチウム単結晶薄膜
JP3303346B2 (ja) * 1991-11-19 2002-07-22 ソニー株式会社 ニオブ酸リチウム及びタンタル酸リチウムの分極制御方法とこれによる光導波路デバイスの製造方法及び光導波路デバイス
US5544268A (en) * 1994-09-09 1996-08-06 Deacon Research Display panel with electrically-controlled waveguide-routing
US5756263A (en) * 1995-05-30 1998-05-26 Eastman Kodak Company Method of inverting ferroelectric domains by application of controlled electric field

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