DE69715308T2 - Faradayrotator mit rechteckiger Hysterese - Google Patents
Faradayrotator mit rechteckiger HystereseInfo
- Publication number
- DE69715308T2 DE69715308T2 DE69715308T DE69715308T DE69715308T2 DE 69715308 T2 DE69715308 T2 DE 69715308T2 DE 69715308 T DE69715308 T DE 69715308T DE 69715308 T DE69715308 T DE 69715308T DE 69715308 T2 DE69715308 T2 DE 69715308T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- faraday rotator
- magnetic field
- single crystal
- faraday
- crystal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 105
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 47
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 33
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 10
- -1 bismuth-substituted iron Chemical class 0.000 claims description 4
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 claims description 3
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 claims description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 24
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 6
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 229910003451 terbium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N terbium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3] SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 2
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910015372 FeAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005285 magnetism related processes and functions Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R33/0322—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft einen Seltene-Erden- Eisengranateinkristallfilm, der eine sehr hohe magnetische Hysterese aufweist, und insbesondere einen wismuthsubstituierten Seltene-Erden-Einkristallfilm, der ein gesättigtes magnetisches Feld aufweist, das höher ist als sein Nukleierungsfeld über einen weiten Bereich seiner praktischen Betriebstemperaturen. Ein solcher Einkristallfilm wirkt genau genommen als ein Faraday-Rotator, ohne daß ein externes magnetisches Feld daran angelegt ist, und ist daher als optischer Isolator geeignet.
- In jüngsten Jahren wurde die Forschung an optischen Isolatoren, optischen Schaltern und magnetooptischen Sensoren, die einen wismuthsubstituierten Seltene-Erden- Einsengranateinkristallfilm verwenden, intensiv ausgeführt. Der Faraday-Effekt ist ein magnetooptischer Effekt, bei dem die Ebene der Polarisation von Licht rotiert wird, wenn das Licht durch ein Faraday-Element durchdringt, das den Faraday-Effekt aufweist, d. h. einen Faraday-Rotator, der aus einem Material wie z. B. wismuthsubstituierten Seltene- Erden-Eisengranateinkristallfilmen hergestellt ist.
- Im allgemeinen erhöht sich der Faraday-Rotationswinkel mit der Intensität eines externen magnetischen Feldes, das auf den Faraday-Rotator angelegt wird.
- Fig. 1 ist eine Modelldarstellung einer magnetischen Eigenschaft eines wismuthsubstituierten Seltene-Erden- Eingranateinkristallfilms, der keine Hysterese aufweist. Wie in Fig. 1 gezeigt, weist ein wismuthsubstituierter Seltene-Erden-Eisengranateinkristallfilm einen gesättigten Rotationswinkel auf, wenn das externe magnetische Feld einen bestimmten Pegel überschreitet. Die magnetische Feldstärke, bei der die Faraday-Rotation einen konstanten Wert erreicht, wird gesättigtes magnetisches Feld (Hs) genannt. Dann verringert sich die Faraday-Rotation mit abnehmender Intensität des magnetischen Feldes, und wird Null, wenn das magnetische Feld Null wird. Anders ausgedrückt folgt die Faraday-Rotation einem Pfad o-a-b-c- b-a-o.
- Eigentlich zeigt die Faraday-Rotation magnetische Hysterese, so daß die Faraday-Rotation einem Pfad o-a-b-c- b-b'-a-o folgt, wie in Fig. 1 gezeigt. Es wurde ein Phänomen entdeckt, daß einige wismuthsubstituierte Seltene- Erden-Eisengranateinkristallfilme, die die chemische Formel [(YBi)&sub3;(FeAl)&sub5;O&sub1;&sub2;] aufweisen, gesättigte Faraday-Rotationswinkel beibehalten, selbst wenn ein externes magnetisches Feld angelegt wird, das im wesentlichen die gleiche Stärke aufweist, aber die entgegengesetzte Richtung zum magnetischen Feld aufweist, durch das die Einkristallfilme magnetisch gesättigt wurden, d. h. die Magnetisierungskurve folgt dem Pfad o-a-b-c-b-d-e-f-e (Journal of Applied Physics, Vol. 55(1984), pp1052-1061).
- Fig. 2 ist eine Modelldarstellung einer magnetischen Eigenschaft eines wismuthsubstituierten Seltene-Erden- Eisengranateinkristallfilms, der eine große rechteckige magnetische Hystereseschleife aufweist, die das gesättigte magnetische Feld (Hs) überschreitet.
- Bezugnehmend auf Fig. 2 wird die magnetische Feldstärke, bei der der Faraday-Rotationswinkel in seiner Polarität invertiert wird, Nukleierungsfeld (Hn) genannt. Der Unterschied zwischen Hs und Hn ist die Größe der magnetischen Hysterese.
- Eine Hysteresekurve einer Magnetisierung mit großer magnetischer Hysterese, wie die in Fig. 2 gezeigte, wird rechteckige Hystereseschleife genannt.
- Magnetooptische Materialien mit einer rechteckigen magnetischen Hystereseschleife dienen als ein Faraday- Rotator, der den Faraday-Effekt zeigt, selbst wenn kein externes magnetisches Feld daran angelegt ist. Somit benötigt der wismuthsubstituierte Seltene-Erden- Eisengranateinkristallfilm, der eine rechteckige Hystereseschleife aufweist, wenn er als ein Faraday-Rotator verwendet wird, keinen Permanentmagneten, der normalerweise benötigt wird, wenn ein optischer Isolator hergestellt wird. Somit verleiht ein solcher Film sich selbst die Miniaturisierung der Vorrichtung und eine Verringerung der Kosten des optischen Isolators.
- Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben herausgefunden, daß (GdYBi)&sub3;(FeGa)&sub5;O&sub1;&sub2;, das als wismuthsubstituierter Seltene-Erden- Eisengranateinkristallfilm für optische Schalter entwickelt ist, eine rechteckige Hystereseschleife aufweist, und haben den Einkristallfilm untersucht, um zu untersuchen, ob das Material als ein magnetfreier Faraday-Rotator für optische Isolatoren verwendet werden könnte.
- Die Erfinder untersuchten die Eigenschaften eines (GdYBi)&sub3;(FeGa)&sub5;O&sub1;&sub2; Einkristallfilms und sind auf das Problem gestoßen, daß das Material eine rechteckige Hystereseschleife bei Temperaturen nahe der Raumtemperatur aufweisen, aber daß sogar ein schwaches externes magnetisches Feld, das an das Material angelegt wird, ausreicht, um zu verursachen, daß die rechteckige Hysterese verschwindet, oder zu verursachen, daß der Faraday-Rotationswinkel aus der Sättigung tritt bei Temperaturen höher als +50ºC.
- Die Erfinder erforschten den wismuthsubstituierten Seltene-Erden-Eisengranateinkristallfilm, der in der japanischen vorläufigen Patentveröffentlichung (KOKAI) Nr. 6-222311 vorgeschlagen wird, und haben herausgefunden, daß das Material, das in eine Richtung magnetisch gesättigt ist, einen Faraday-Rotationswinkel einer invertierten Polarität zeigte, wenn es in einem externen magnetischen Feld von ungfähr 50 Oe ((1 Oe = 79,5775 A/m) in die entgegengesetzte Richtung plaziert ist, und das Material konnte die rechteckige Hysterese nur über einen engen Temperaturbereich halten.
- Optische Isolatoren werden für gewöhnlich in Umgebungstemperaturen in dem Bereich von -20 bis +50ºC verwendet. Zusätzlich kann ein externes magnetisches Feld in der Nähe des Ortes existieren, wo ein optischer Isolator installiert ist. Somit ist es notwendig, daß das Material seine gesättigten Faraday-Rotationswinkel beibehält, wenn das Material in externen magnetischen Feldern bis zu 50 Oe vorzugsweise 100 Oe gelegt wird.
- Dokument Hidema Uchishiba et al.: "Bi-Substituted Magnetic Garnet Film and its Application to an Optical Isolator" Fujitsu Scientific & Technical Journal, vol. 26, no. 2, 1. Januar 1990, Seiten 123-130, XP000148998, beschreibt einen optischen Isolator, der einen wismuthsubstituierten Terbium Eisen-Granat verwendet, wobei ein Teil des Eisens durch Aluminium und Gallium ersetzt wird.
- Dokument EP-A-0 752 713 ist nach Artikel 54(3) EPÜ relevant, und legt Granatmaterialien für einen optischen Isolator offen, in dem ein wismuthsubstituierter Eisengranateinkristall einen Ga-Anteil aufweist, der teilweise Fe von 0,42 bis 0,59 ersetzt, und in dem Fe teilweise durch einen oder mehrere von Al, Ga, Si, Ge, Mg, Mn und Zr in Bereichen von 0,2 bis 2,0 ersetzt, und vorzugsweise von 0,2 bis 1,5.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es einen Faraday-Rotator und einen optischen Isolator bereitzustellen, der einen Faraday-Rotator verwendet, in dem die oben erwähnten Nachteile vermieden werden.
- Diese Aufgabe wird durch die vorteilhaften Maßnahmen, wie sie in den Ansprüchen 1 und 5 angezeigt sind, gelöst.
- Um die zuvor genannten Nachteile zu lösen, haben die Erfinder das Material weiter untersucht, und sind bei der vorliegenden Erfindung angelangt.
- Ein Faraday-Rotator der Erfindung ist aus einem wismuthsubstituierten Eisengranateinkristallfilm ausgebildet, der mit einem Flüssiggasphasenepitaxialverfahren hergestellt wird, und durch die Formel dargestellt wird:
- Tb3-xBixFe5-y-zGayAlzO&sub1;&sub2;
- wobei x den Bereich 1,1 ≤ x ≤ 1,5, y + z den Bereich 0,65 ≤ y + z ≤ 1,2, und z den Bereich z ≤ y aufweist.
- Der wismuthsubstituierte Seltene-Erden-Einkristallfilm wird einem Magnetisierungsprozeß unterzogen, wobei der Einkristallfilm durch ein erstes externes magnetisches Feld magnetisiert wird und eine rechteckige magnetische Hystereseschleife aufweist.
- Das erste exterene magnetische Feld hat eine magnetische Feldstärke von 1,000 Oe oder höher und wird in eine Richtung senkrecht auf eine Fläche des wismuthsubstituierten Seltene-Erden- Eisengranateinkristallfilms angelegt.
- Der weitere Bereich der Anwendbarkeit der vorliegenden Erfindung wird durch die detaillierte Beschreibung, die nachstehend gegeben wird, deutlich. Allerdings soll verstanden werden, daß die detaillierte Beschreibung und spezifische Beispiele, während der Angabe von bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung, zu Illustrationszwecken gegeben werden, da verschiedene Veränderungen und Abwandlungen innerhalb des Bereiches der Erfindung, wie sie durch die Ansprüche definiert werden, dem Fachmann durch diese detaillierte Beschreibung deutlich werden.
- Die vorliegende Erfindung wird umfassender durch die detaillierte Beschreibung verstanden, die nachstehend gegeben wird, und die beiliegenden Zeichnungen, die nur zu Illustrationszwecken gezeigt werden, und somit nicht für die vorliegende Erfindung einschränkend sind, und wobei:
- Fig. 1 eine Modelldarstellung der magnetischen Eigenschaft eines wismuthsubstituierten Seltene-Erden- Eisengranateinkristallfilms ist, der keine Hysterese aufweist;
- Fig. 2 eine Modelldarstellung einer magnetischen Eigenschaft eines wismuthsubstituierten Seltene-Erden- Eisengranateinkristallfilms ist, der eine rechteckige Hysterese aufweist; und
- Fig. 3 einen optischen Isolator für eine Wellenlänge von 1,3 um darstellt, der unter Verwendung des Faraday- Rotators der Erfindung hergestellt wird.
- Der Faraday-Rotator entsprechend der vorliegenden Erfindung ist ein Faraday-Rotator vom Typ rechteckiger Hysterese, der aus einem wismuthsubstituierten Seltene- Erden-Eisengranateinkristallfilm ausgebildet ist, der durch ein Flüssigphasenepitaxialverfahren (LPE) hergestellt und magnetisiert wird. Das Material wird durch die vorliegende chemische Struktur definiert.
- Tb3-xBixFe5-y-zGayAlzO&sub1;&sub2; (1)
- wobei x einen Bereich von 1,1 ≤ x ≤ 1,5, y + z einen Bereich 1,5, 0,65 ≤ y + z ≤ 1,2 und z einen Bereich z ≤ y aufweist.
- In der vorliegenden Erfindung wird vorzugsweise ein magnetisches Feld größer als 1,000 Oe angelegt, um das Material zu magnetisieren, wenn der wismuthsubstituierte Seltene-Erden-Eisengranateinkristallfilm in die Sättigung rnagnetisiert wird, um eine rechteckige Hystereseschleife aufzuweisen. Es wurde nicht vollständig analysiert, warum ein externes magnetisches Feld höher als 1,000 Oe vorzuziehen ist, aber es scheint aufgrund der Tatsache zu sein, daß die Hysterese fortschreitend groß wird mit einer Erhöhung des externen magnetischen Feldes, das an das Material angelegt wird, ein Material erzielend, das für magnetfreie optische Isolatoren geeignet ist. In dieser Beschreibung wird der Ausdruck "magnetischer Prozeß" verwendet, um einen Prozeß abzudecken, in dem ein starkes magnetisches Feld auf ein Material angelegt wird, um das Material in die magnetische Sättigung zu bringen, so daß das gesättigte Material eine große Hysterese aufweist. Der Ausdruck "umgekehrter Magnetisierungsprozeß" wird verwendet, um einen Prozeß abzudecken, in dem das externe magnetische Feld auf Null reduziert wird, nachdem das Material magnetisch gesättigt wurde, und dann ein externes magnetisches Feld an das Material in eine Richtung entgegengesetzt der des Magnetisierungsprozesses angelegt wird.
- Die rechteckige Hysterese wird vorzugsweise in dem Temperaturbereich von -40 bis +70ºC gehalten, und die Polarität des Faraday-Rotationswinkels wird vorzugsweise beibehalten, wenn ein externes magnetisches Feld bis zu 50 Oe an das Material in einer Richtung entgegengesetzt zu der des Magnetisierungsprozesses angelegt wird. Diese Anforderungen sollten erfüllt werden, so daß der Faraday- Rotator zuverlässig in einer gewöhnlichen Umgebung funktionieren kann.
- Mit der Zusammensetzung des wismuthsubstituierten Seltene-Erden-Eisengranateinkristallfilms gemäß der vorliegenden Erfindung, wie sie in der Formel (1) ausgedrückt ist, ist der wismuthsubstituierte Betrag x vorzugsweise in dem Bereich 1,1 ≤ · ≤ 1,5. Ein wismuthsubstituierter Betrag x kleiner als 1,1 ist nicht wünschenswert, da der Faraday-Effekt sich verringert, und daher der Film dicker sein muß. Ein wismuthsubstituierter Betrag x ist größer als 1,5, bewirkt, daß der Ionenradius des Wismuths groß ist, was es schwer macht das Gitter des Films mit einem derzeit erhältlichen Substrat abzugleichen. Das macht die Herstellung des Faraday-Rotators schwierig.
- Ein Substitutionsbetrag y + z von Gallium und Aluminium ist vorzugsweise in dem Bereich 0,65 ≤ y + z ≤ 1,2. Der Substitutionsbetrag y + z kleiner als 0,65 stellt das Problem dar, daß die rechteckige Hystereseschleife nicht über den Temperaturbereich gehalten werden kann, in dem die optischen Isolatoren gewöhnlich verwendet werden, oder das Problem, daß der umgekehrte Magnetisierungsprozeß verursacht, daß der gesättigte Faraday-Rotationswinkel verschwindet. Der Substitutionsbetrag y + z größer als 1,2 verringert den Faraday-Effekt mit dem Ergebnis, daß ein dickerer Film benötigt wird, um einen Faraday-Rotator herzustellen, der denselben Faraday-Effekt aufweist. Der Anteil von Gallium und Aluminium ist in dem Verhältnis y ≥ z.
- Größere Anteile von Aluminium und Gallium machen es schwierig, das Gitter mit derzeit erhältlichen Substraten abzugleichen, was für die Herstellung von Faraday-Rotatoren nachteilig ist.
- Granatsubstrate, die zum Aufwachsen eines wismuthsubstituierten Seltene = Erden Eisengranateinkristallfilms verwendet werden, enthalten ein (111) Granateinkristall [(GdCa)&sub3;(GaMgZr)&sub5;O&sub1;&sub2;] Substrat, das eine Gitterkonstante von 1,2497 ± 0,0002 nm aufweist, und ein (111) Granateinkristall [Nd&sub3;Ga&sub5;O&sub1;&sub2;] Substrat, das eine Gitterkonstante von 1,2509 ± 0,0002 nm aufweist. Diese Substrate sind vom Standpunkt des Gitterabgleichs wünschenswert.
- Die vorliegende Erfindung wird detailliert mittels Beispielen und Vergleichen mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben.
- Die vorliegenden Materialien wurden in einen Platintiegel mit einer Kapazität von 2,000 ml gelegt: 3,542 gm Bleioxid (PbO, 4 N), 3,733 gm Wismuthoxid (Bi&sub2;O&sub3;, 4 N), 448 gm Eisenoxid (Fe&sub2;O&sub3;, 4 N), 167 gm Boroxid (B&sub2;O&sub3;, 5 N), 45,9 gm Terbiumoxid (Tb&sub2;O&sub3;, 3 N), 66,7 gm Galliumoxid (Ga&sub2;O&sub3;, 3 N) und 5,8 m Aluminiumoxid (Al&sub2;O&sub3;, 3 N).
- Die Materialien wurden erhitzt, um zu schmelzen, um dadurch eine Schmelze für das Züchten von wismuthsubstituierten Seltene-Erden- Eisengranateinkristallen vorzubereiten.
- Ein Substrat aus (111) Granateinkristall "(GdCa)&sub3;(GaMgZr)&sub5;O&sub1;&sub2;" wurde verwendet, um einen Einkristallfilm herzustellen, wobei das Substrat eine Gitterkonstante von 1,2497 ± 0,0002 nm aufweist. Unter Verwendung des herkömmlichen Verfahrens wurde eine Fläche des (111) Granateinkristalls mit der Oberfläche der Schmelze in Kontakt gebracht, um epitaxiales Wachstum durchzuführen, und dadurch den Tb1,63Bi1,37Fe4,01Ga0,84Al0,15O&sub1;&sub2;-Einkristallfilm mit einer Dicke von 365 um (als G-Film-1 bezeichnet) zu erhalten. Die Zusammensetzung des Einkristallfilms wurde durch induktiv gekoppelte Plasmaemissionsspektrometrie (ICP- Emissionsspektrometrie) analysiert.
- Der G-Film-1 wurde auf eine Dicke von 296 um poliert. Das Substrat wurde während des Polierens entfernt. Dann würde ein Antireflexionsfilm auf den beiden Seiten des G- Film-1 ausgebildet, um einen Faraday-Rotator (als Faraday- Rotator 1 bezeichnet) für Licht mit einer Wellenlänge von 1,31 um herzustellen. Die magnetischen Eigenschaften des G- Film-1 wurden wie folgt untersucht:
- Zunächst wurde ein Faraday-Rotator 1 in die Mitte eines magnetischen Feldgenerators mit einer Helmholtzspule gelegt, kommerziell erhältlich bei Magnetics. Dann wurde der Faraday-Rotator 1 einem Halbleiterlaser ausgesetzt, der eine Wellenlänge von 1,310 nm aufweist, während er in einem magnetischen Feld platziert wird. Das Sättigungsmagnetfeld wurde durch Messen des Rotationswinkels der Ebene der Polarisation des Laserlichts gemessen, das durch den Faraday-Rotator 1 übertragen wird. Zusätzlich wurde das Sättigungsmagnetfeld bei verschiedenen Umgebungstemperaturen gemessen.
- Das Sättigungsmagnetfeld des Faraday-Rotators 1 war 55 Oe bei +25ºC und erreichte ein Maximum von 164 Oe in dem Temperaturbereich von -40 bis +70ºC. Die magnetische Kompensationstemperatur (Temperatur bei der die Magnetisierung Null wird) war 0ºC.
- Dann wurde der Faraday-Rotator 1 in die Mitte eines Elektromagneten bei einer Umgebung von 25ºC platziert, und ein magnetisches Feld von 2,000 Oe wird in eine Richtung senkrecht auf die Filmoberfläche angelegt, so daß der Film magnetisch gesättigt war. Dann wurde das magnetische Feld auf Null verringert, nachdem der Film magnetisch gesättigt wurde. Es wurde herausgefunden, daß der Faraday-Rotator 1 denselben Faraday-Rotationswinkel beibehalten hat wie der, wenn der Faraday-Rotator 1 durch den Elektromagneten gesättigt wurde. Der Faraday-Rotationswinkel war 44,7º.
- Um das Nukleierungsfeld des Faraday-Rotators 1 zu untersuchen, wurde der Faraday-Rotator 1 wiederum in die Mitte der Helmholtzspule des Feldgenerators platziert und ein magnetisches Feld wurde an den Faraday-Rotator 1 in eine Richtung angelegt, entgegengesetzt der Richtung des externen magnetischen Feldes, die durch den Elektromagneten angelegt wird. Mit anderen Worten, wurde ein Test durchgeführt, um ein maximales externes magnetisches Feld zu bestimmen bei dem der Faraday-Rotator 1 seine magnetische Sättigung beibehalten kann. Es wurde herausgefunden, daß der Faraday-Rotator 1 bei einem maximalen magnetischen Feld von 143 Oe bei der Temperaturspanne von -40 bis +70ºC seine magnetische Sättigung beibehält.
- Dann wurde ein optischer Isolator für eine Wellenlänge von 1,31 um hergestellt, wie in Fig. 3 gezeigt, unter Verwendung des Faraday-Rotators 1. Bezugnehmend auf Fig. 3 wird der Faraday-Rotator 1 aus dem G-Film-1 mit 2 mm · 2 mm Größe ausgebildet, der in einem magnetischen Feld von 2,000 Oe bei Raumtemperatur magnetisiert wurde. Ein Polarisator 2 ist ein polarisierendes Element für eine Wellenlänge von 1,31 um, das aus Glas hergestellt wurde, und hat die Form von POLARCORE (Markenzeichen) erhältlich bei CORNING. Ein Analysator 3 ist ebenso ein polarisierendes Element für eine Wellenlänge von 1,31 um, das aus Glas hergestellt wird, und die Form von POLARCORE (Markenname) annimmt. Eine Metallvorrichtung 4 hält den Faraday-Rotator, Polarisator und Analysator fest zusammen. Eine Metallvorrichtung 5 hält den Analysator 3. Faraday- Rotator, Polarisator und Analysator werden an den Metallvorrichtungen 4 und 5 mit Epoxidharzklebstoff befestigt. Die Metallvorrichtungen 4 und 5 wurden mit Epoxidklebstoff zusammengeklebt, um dadurch einen optischen Isolator bereitzustellen.
- Die Isolation wurde bei dem Vorgehen von -40 bis +70ºC ohne externes magnetisches Feld, das an den optischen Isolator angelegt ist, gemessen. Die Isolation war 26 dB oder mehr in dem Temperaturbereich von -10 bis +40ºC und 21 dB oder mehr in dem Temperaturbereich von -40 bis +70ºC. Die Differenz bei der Isolation zwischen den Temperaturbereichen spiegelt die Temperaturabhängigkeit des Faraday-Rotationswinkels wieder.
- Dann wurde die Isolation des optischen Isolators bei Temperaturen von -40 bis +70ºC gemessen, während ein magnetisches Feld von 100 Oe in einer Richtung entgegengesetzt der Richtung angelegt wird, in der der Isolator in Sättigung magnetisiert wurde. Die erhaltene Isolation war gleich oder größer als 26 dB bei Temperaturen von -10 bis +40ºC gleich oder größer als 21 dB bei Temperaturen von -40 bis +70ºC.
- Die folgenden Materialien wurden in einen Platintiegel von 2,000 ml Kapazität gelegt: 3,546 gm Bleioxid (PbO, 4 N), 3,733 gm Wismuthoxid (Bi&sub2;O&sub3;, 4 N), 448 gm Eisenoxid (Fe&sub2;O&sub3;, 4 N), 167 gm Bor (B&sub2;O&sub3;, 5 N), 46,0 gm Terbiumoxid (Tb&sub2;O&sub3;, 3 N), 42,7 gm Galliumoxid (Ga&sub2;O&sub3;, 3 N) und 13,9 gm Aluminiumoxid (Al&sub2;O&sub3;, 3 N).
- Die Materialien wurden erhitzt um zu schmelzen, um dadurch eine Schmelze zum Züchten von wismuthsubstituierten Seltene-Erden-Eisengranateinkristallen vorzubereiten.
- Ein Tb1,58Bi1,42Fe4,06Ga0,63Al0,31O&sub1;&sub2;-Einkristallfilm mit einer Dicke von 530 um (G-Film-2 genannt) wurde auf dieselbe Weise wie Beispiel 1 hergestellt, mit dem Unterschied, daß die vorgenannte Schmelze verwendet wurde. Der G-Film-2 wurde auf eine Dicke von 481 um poliert.
- Das Substrat aus (111) Granateinkristall wurde während des Polierens entfernt. Dann wird ein Antireflektionsfilm für 1,55 um auf den beiden Seiten des G-Film-2 ausgebildet, um einen Faraday-Rotator (Faraday-Rotator 2 genannt) für Licht mit einer Wellenlänge von 1,55 um auszubilden. Die magnetischen Eigenschaften des Films wurden wie folgt untersucht:
- Zunächst wurde der Faraday-Rotator 2 in die Mitte eines Elektromagneten bei Raumtemperatur gelegt, der Elektromagnet legt ein magnetisches Feld von 3,000 Oe an den Faraday-Rotator 2 in einer Richtung senkrecht auf seine Filmoberfläche an, um ihn in Sättigung zu magnetisieren. Nach der Sättigung wurde das magnetische Feld auf Null verringert, aber der Faraday-Rotator 2 behielt seinen Faraday-Rotationswinkel, der erreicht wurde, wenn der Faraday-Rotator 2 magnetisch gesättigt wurde. Der Faraday- Rotationswinkel war 44,2º.
- Dann wurde der Faraday-Rotator 2 wieder in die Mitte der Helmholtzspule des Feldgenerators gelegt, um das Nukleierungsfeld zu untersuchen, so daß ein magnetisches Feld an den Faraday-Rotator 2 in eine Richtung entgegengesetzt dem externen magnetischen Feld, das von dem Elektromagneten angelegt wird, angelegt wird. Anders ausgedrückt wurde ein Test geführt, um ein maximales externes magnetisches Feld zu bestimmen, bei dem der Faraday- Rotator seine magnetische Sättigung beibehalten kann. Der Faraday-Rotator 2 behielt seine magnetische Sättigung bei einem maximalen externen magnetischen Feld von 170 Oe bei Temperaturen von -40 bis +70ºC.
- Die folgenden Materialien wurden in einen Platintiegel mit 2,000 ml Kapazität gelegt: 3,561 gm Bleioxid(PbO, 4 N), 3,717 gm Wismuthoxid (Bi&sub2;O&sub3;, 4 N), 459 gm Eisenoxid (Fe&sub2;O&sub3;, 4 N), 171 gm Bor (8203, 5 N), 45,9 gm Terbiumoxid (Tb&sub2;O&sub3;, 3 N) und 43,4 gm Galliumoxid (Ga&sub2;O&sub3;, 3 N).
- Die Materialien wurden erhitzt um zu schmelzen, um dadurch eine Schmelze zum Züchten von wismuthsubstituierten Seltene-Erden-Eisengranateinkristallen vorzubereiten.
- Ein Tb2,01Bi1,09Fe4,44Ga0,56O&sub1;&sub2;-Einkristallfilm mit einer Dicke von 413 um (G-Film-C1 genannt) wurde auf dieselbe Weise wie im Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die zuvor genannten Schmelze verwendet wurde. Der G-Film-C1 wurde auf die genannte gleiche Weise wie im Beispiel 1 verarbeitet, um einen Faraday-Rotator herzustellen (Faraday-Rotator C1 genannt), der für eine Wellenlänge von 1,31 um verwendet wird, und eine Dicke von 364 um aufweist. Das Sättigungsmagnetfeld war 329 Oe bei +25ºC und erreichte ein Maximum von 380 Oe in dem Temperaturbereich von -40 bis +70ºC.
- Der Faraday-Rotator C1 wurde in die Mitte eines Elektromagneten gelegt, um den Faraday-Rotator C1 durch Anlegen eines magnetischen Feldes von 5,000 Oe in einer Richtung senkrecht zur Filmoberfläche zu magnetisieren. Das Magnetfeld wurde dann auf Null verringert, nachdem der Faraday-Rotator C1 gesättigt wurde. Es wurde herausgefunden, daß der Faraday-Rotator C1 seine magnetische Sättigung beibehalten hat, die erreicht wurde, wenn der Faraday-Rotator C1 gesättigt wurde.
- Der Faraday-Rotator C1 wurde wieder in die Helmholtzspule des Feldgenerators gelegt, so daß ein magnetisches Feld an den Faraday-Rotator C1 angelegt wurde, um ein magnetisches Nukleierungsfeld zu bestimmen. Das an den Faraday-Rotator angelegte magnetische Feld wurde durch einen Elektromagneten in eine Richtung entgegengesetzt zum magnetischen Feld angelegt. Anders ausgedrückt wurde ein Test durchgeführt, um ein maximales externes magnetisches Feld zu bestimmen, bei dem der Faraday-Rotator seine magnetische Sättigung beibehalten kann. Es wurde herausgefunden, daß der Faraday-Rotator C1 eine magnetische Sättigung bei einem maximalen magnetischen Feld von 30 Oe beibehalten hat, in dem Temperaturbereich von -40 bis +70ºC.
- Der Faraday-Rotator 1, der im Beispiel 1 erhalten wurde, wurde in die Mitte eines Elektromagneten gelegt, um den Faraday-Rotator 1 durch Anlegen eines magnetischen Feldes von 500 Oe in eine Richtung senkrecht auf die Filmoberfläche magnetisch zu sättigen. Das magnetische Feld wurde dann auf Null verringert, nachdem der Faraday-Rotator 1 gesättigt wurde. Der Faraday-Rotator 1 hat die magnetische Sättigung beibehalten, die erreicht wurde, als der Faraday-Rotator 1 gesättigt war. Der Faraday-Rotator 1 wurde wiederum in die Helmholtzspule gelegt, um ein magnetisches Feld anzulegen, um das magnetische Nukleierungsfeld zu bestimmen. Das von der Helmholtzspule erzeugte magnetische Feld war in einer Richtung entgegengesetzt dem magnetischen Feld, das durch den Elektromagneten an den Faraday-Rotator 1 angelegt wurde. Anders ausgedrückt, wurde ein Test durchgeführt, um ein maximales externes magnetisches Feld zu bestimmen, bei dem der Faraday-Rotator seine magnetische Sättigung beibehalten kann. Es wurde herausgefunden, daß der Faraday-Rotator 1 seine magnetische Sättigung bei einem maximalen magnetischen Feld von 18 Oe in dem Temperaturbereich von - 40 bis +70ºC beibehält.
- Die folgenden Materialien wurden in einen Platintiegel mit 2,000 ml Kapazität gelegt: 3,560 gm Bleioxid (PbO, 4 N), 3,716 gm Wismuthoxid (Bi&sub2;O&sub3;, 4 N), 445 gm Eisenoxid (Fe&sub2;O&sub3;, 4 N), 171 gm Bor (8203, 5 N), 49,2 gm Gadoliniumoxid (Gd&sub2;O&sub3;, 3 N), 4,45 gm Aluminiumoxid (Al&sub2;O&sub3;, 3 N) und 54,6 gm Galliumoxid (Fa&sub2;O&sub3;, 3 N).
- Die Materialien wurden erhitzt um zu schmelzen, um dadurch eine Schmelze zum Züchten von wismuthsubstituierten Seltene-Erden-Eisengranateinkristallen vorzubereiten.
- Ein Gd2,07Bi0,93Fe4,21Ga0,68Al0,11O&sub1;&sub2;-Einkristallfilm mit einer Dicke von 425 um (G-Film-C3 genannt) wurde auf dieselbe Weise wie im Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die zuvor genannte Schmelze verwendet wurde.
- Der G-Film-C3 wurde auf genau dieselbe Weise wie im Beispiel 1 verarbeitet, um einen Faraday-Rotator (Faraday- Rotator C3 genannt) mit einer Dicke von 386 um für eine Wellenlänge von 1,31 um herzustellen. Die magnetischen Eigenschaften des G-Film-C3 wurden gemessen. Das gesättigte magnetische Feld von Faraday-Rotator C3 war 155 Oe bei +25ºC und erreichte ein Maximum von 439 Oe in dem Temperaturbereich von -40 bis +70ºC. Die magnetische Kompensationstemperatur war auf 58ºC.
- Der Faraday-Rotator C3 wurde dann in die Mitte eines Elektromagneten in einer Umgebung mit Raumtemperatur gestellt, und ein magnetisches Feld von 5,000 Oe wurde in eine Richtung senkrecht auf die G-Film-C3 Fläche angelegt, so daß der G-Film-C3 magnetisch gesättigt wurde. Das Magnetfeld wurde auf Null verringert, nachdem der G-Film-C3 magnetisch gesättigt wurde, aber der Faraday-Rotator C3 magnetisch gesättigt wurde, aber der Faraday-Rotator C3 behielt denselben Faraday-Rotationswinkel bei, wie den, wenn der Faraday-Rotator C3 magnetisch gesättigt wurde. Allerdings tritt der Faraday-Rotator C3 in seinen nichtgesättigten Zustand über, wenn er auf -25ºC heruntergekühlt wurde.
- Es wird offensichtlich sein, daß die somit beschriebene Erfindung auf viele Arten verändert werden kann. Solche Veränderungen sollen nicht dahingehend bewertet werden, daß sie von dem Bereich der Erfindung, wie er durch die nachstehenden Ansprüche definiert wird, abweichen.
Claims (5)
1. Ein Faraday-Rotator aus einem
Wismutsubstituiertem Eisengranateinkristallfilm, der durch ein
Flüssigphasen-epitaktisches Verfahren gewachsen wird und
durch eine Formel dargestellt wird:
Tb3-xBixFe5-y-zGayAlzO&sub1;&sub2;
wobei x in dem Bereich 1,1 ≤ · ≤ 1,5, y + z den
Bereich 0,65 ≤ y + z ≤ 1,2, und z den Bereich z ≤ y hat,
wobei der Einkristallfilm einem
Magnetisierungsprozeß unterzogen wird, in dem der Einkristallfilm durch
ein erstes externes magnetisches Feld magnetisiert wird,
so daß der Einkristallfilm eine rechteckige magnetische
Hystereseschleife aufweist.
2. Der Faraday-Rotator nach Anspruch 1, wobei das
erste externe magnetische Feld eine magnetische
Feldstärke von 79,5775 A/m (1,000 Oe) oder höher
aufweist, das erste externe magnetische Feld in eine
Richtung senkrecht auf einer Fläche des
Wismutsubstituierten Seltene-Erde-Einkristallfilms angelegt
wird, und dann entfernt wird, nachdem der
Wismutsubstituierte Seltene-Erde-Einkristallfilm magnetisiert
wurde.
3. Der Faraday-Rotator nach Anspruch 1, wobei die
rechteckige magnetische Hystereseschleife in dem
Temperaturbereich von -40 bis +70ºC gehalten ist.
4. Der Faraday-Rotator nach Anspruch 1, wobei der
Faraday-Rotator nach dem Magnetisierungsprozeß einen
Faraday-Rotationswinkel zeigt, und der
Faraday-Rotationswinkel dieselbe Polarität aufweist, wenn der Faraday-
Rotator in einem zweiten externen magnetischen Feld
gleich oder kleiner als 3978,9 A/m (50 Oe) angeordnet
wird, wobei das zweite externe magnetische Feld in einer
Richtung entgegengesetzt des ersten externen magnetischen
Feldes ist.
5. Eine optische Einwegleitung, die ein Faraday-
Rotator nach Anspruch 1 enthält, wobei die optische
Einwegleitung ferner umfasst:
einen Polarisator (2); und
einen Analysator (3);
wobei der Polarisator und der Analysator so
angeordnet sind, daß der Faraday-Rotator (1) zwischen dem
Polarisator (2) und dem Analysator (3) angeordnet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14002096A JP3520889B2 (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 角型ヒステリシスを示すファラデー回転子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69715308D1 DE69715308D1 (de) | 2002-10-17 |
DE69715308T2 true DE69715308T2 (de) | 2003-07-31 |
Family
ID=15259081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69715308T Expired - Fee Related DE69715308T2 (de) | 1996-06-03 | 1997-06-02 | Faradayrotator mit rechteckiger Hysterese |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5898516A (de) |
EP (1) | EP0811851B1 (de) |
JP (1) | JP3520889B2 (de) |
DE (1) | DE69715308T2 (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU1215400A (en) | 1998-10-21 | 2000-05-08 | Paul G. Duncan | Methods and apparatus for optically measuring polarization rotation of optical wave fronts using rare earth iron garnets |
JP2000241762A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Tokin Corp | 光アイソレータ |
JP2000241763A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Tokin Corp | 光アイソレータ |
JP2000357622A (ja) * | 1999-06-16 | 2000-12-26 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性ガーネット単結晶膜の製造方法、および磁性ガーネット単結晶膜 |
US6594068B2 (en) * | 2000-07-05 | 2003-07-15 | Zhifeng Sui | High switching speed digital faraday rotator device and optical switches containing the same |
JP2002287104A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-03 | Photocrystal Inc | 磁石不使用ファラデー回転子の製造法 |
CN1271454C (zh) | 2001-12-25 | 2006-08-23 | Tdk株式会社 | 硬磁性柘榴石材料、其单晶体膜的制造方法、法拉第旋转子、其制造方法和用途 |
US6795242B2 (en) * | 2002-02-06 | 2004-09-21 | Lightwaves 2020, Inc. | Miniature circulator devices and methods for making the same |
JP3997795B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2007-10-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 半導体モジュールの製造方法 |
US7187496B2 (en) * | 2002-03-14 | 2007-03-06 | Tdk Corporation | Manufacturing method of optical device, optical device, manufacturing method of faraday rotator, and optical communication system |
CN100437214C (zh) * | 2002-03-14 | 2008-11-26 | Tdk株式会社 | 光学器件与法拉第旋转器的制造方法、光学器件及光通信系统 |
US20090053558A1 (en) * | 2004-11-15 | 2009-02-26 | Integrated Phototonics, Inc. | Article comprising a thick garnet film with negative growth-induced anisotropy |
US9910299B2 (en) | 2013-10-23 | 2018-03-06 | Fujikura, Ltd. | Crystal body, optical device having the same, and method of manufacturing crystal body |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4981341A (en) * | 1989-07-14 | 1991-01-01 | At&T Bell Laboratories | Apparatus comprising a magneto-optic isolator utilizing a garnet layer |
JP3237031B2 (ja) * | 1993-01-27 | 2001-12-10 | 株式会社トーキン | ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜,光アイソレータ及び磁気光学スイッチ |
JPH07104224A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 非相反光デバイス |
JPH0933871A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-02-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | ファラデー回転子および旋光器 |
-
1996
- 1996-06-03 JP JP14002096A patent/JP3520889B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-02 EP EP97108805A patent/EP0811851B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-02 US US08/867,497 patent/US5898516A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-02 DE DE69715308T patent/DE69715308T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69715308D1 (de) | 2002-10-17 |
US5898516A (en) | 1999-04-27 |
EP0811851A3 (de) | 1998-04-01 |
EP0811851B1 (de) | 2002-09-11 |
JPH09328398A (ja) | 1997-12-22 |
JP3520889B2 (ja) | 2004-04-19 |
EP0811851A2 (de) | 1997-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69008443T2 (de) | Apparat mit einem magneto-optischen Isolator unter Verwendung einer Granatschicht. | |
DE69226394T2 (de) | Magnetooptisches Element und Magnetfeldmessgerät | |
DE3687548T2 (de) | Magnetfeldmessfuehler mit einem magnetooptischen element. | |
DE69715308T2 (de) | Faradayrotator mit rechteckiger Hysterese | |
DE69023064T2 (de) | Granatoxyd-Einkristall. | |
DE69608593T2 (de) | Magnetooptisches Element und optischer Magnetfeldfühler | |
US4698820A (en) | Magnetic device and method of manufacture | |
DE2925348A1 (de) | Temperaturstabilisierte ferritschichten mit niedrigen verlusten | |
DE69606356T2 (de) | Artikel aus magneto-optischem Material mit weichem Magnetmoment | |
DE69928152T2 (de) | Faraday-Rotator | |
DE68910148T2 (de) | Magnetooptischer Granat. | |
DE69503153T2 (de) | Faraday Rotador für optischen Isolator | |
DE2637380C2 (de) | Magnetblasenvorrichtung | |
US6673146B2 (en) | Method of manufacturing a magnet-free faraday rotator | |
DE60105228T2 (de) | Material für mit Wismut substituierte Granat-Dickschicht und zugehöriges Herstellungsverfahren | |
RU2138069C1 (ru) | Магнитооптическая тонкопленочная структура | |
DE68912181T2 (de) | Faradayrotor. | |
DE69508469T2 (de) | Oxyde-Granat-Einkristall | |
DE1177265B (de) | Magnetischer Werkstoff fuer Anwendung bei tiefen Temperaturen | |
DE69008442T2 (de) | Apparat mit einem magnetooptischen Isolator unter Verwendung einer Granatschicht. | |
Fratello et al. | Growth and characterization of magnetooptic garnet films with planar uniaxial anisotropy | |
Dillon Jr et al. | Magnetooptical rotation of PrIG and NdIG | |
Smith et al. | Uniaxial Magnetic Anisotropy in ErEu‐, YEu, and YGdTm‐Garnet Films for Bubble‐Domain Devices | |
Lenz et al. | Growth‐induced magnetic and optic anisotropy in bismuth‐substituted iron garnet films | |
DE69216871T2 (de) | Verwendung eines Garnet Dünnfilms in einem magnetostatischen Wellen Gerät |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |