JPH0933871A - ファラデー回転子および旋光器 - Google Patents

ファラデー回転子および旋光器

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JPH0933871A
JPH0933871A JP20166195A JP20166195A JPH0933871A JP H0933871 A JPH0933871 A JP H0933871A JP 20166195 A JP20166195 A JP 20166195A JP 20166195 A JP20166195 A JP 20166195A JP H0933871 A JPH0933871 A JP H0933871A
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JP
Japan
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magnetic field
faraday
faraday rotator
rotator
heat treatment
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JP20166195A
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English (en)
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Hiromitsu Umezawa
浩光 梅澤
Tomokazu Imura
智和 井村
Yoichi Suzuki
洋一 鈴木
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FDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 適度な角型ヒステリシスを有するファラデー
回転子を安定に大量生産すること 【解決手段】 液相エピタキシャル法により育成された
ビスマス置換鉄ガーネット単結晶の薄板からなるファラ
デー回転子について熱処理するにあたり、最高温度を縦
軸にとり、最高温度の持続時間を横軸にとってグラフ表
示したときに、1190℃−0時間の点a、1120℃
−1.5時間の点b、1050℃−12時間の点c、1
080℃−0時間の点dを順に直線で結んだ領域内に熱
処理条件が含まれるようにする。印加磁界を横軸にと
り、ファラデー回転角を縦軸にとって表現したファラデ
ー回転特性が磁界ゼロを中心にしたほぼ対称な角型ヒス
テリシスとなり、印加磁界がゼロでもファラデー回転角
は正または負に飽和している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光スイッチや光ア
イソレータあるいは偏波スクランブラなどの光デバイス
に用いられる旋光器(ファラデー回転子)の主要素であ
るファラデー回転子に関し、特に、液相エピタキシャル
法により育成されたビスマス置換鉄ガーネット単結晶の
薄板からなるファラデー回転子とそれを用いた旋光器に
関する。
【0002】
【従来の技術】よく知られているように、液相エピタキ
シャル法により育成されたビスマス置換鉄ガーネット単
結晶の薄板からなるファラデー回転子と、永久磁石また
は電磁石とを組み合わせて、旋光器(ファラデー回転
子)が構成される。その一例を図1(A)に示してい
る。同図に示すように、旋光器はコイル1を巻いたC字
型のヨーク2の磁気ギャップ部分にファラデー回転子3
を配置して構成される。そして、コイル1に流す励磁電
流を反転させることでファラデー回転子3に印加する磁
界の向きを反転させることができるようにしている。例
えば、正方向の磁界を印加した場合はファラデー回転角
は−45°であり、負方向の磁界を印加した場合はファ
ラデー回転角は+45°となる。つまり、コイル1に流
す電流の向きによりファラデー回転角を90°切り替え
ることができる。
【0003】なお、電磁石のヨーク2としてクロム・ス
テンレス鋼SUS420J2 などの半硬質磁性体を使用し、
コイル1に所定の励磁電流パルスを供給した後もヨーク
2の残留磁気によりファラデー回転子3に所定値以上の
磁界を印加し続けるように構成したものもある。係る構
成にすると、一旦ファラデー回転角を切替えた後は、ヨ
ーク2の自己保持力により発生する磁界がファラデー回
転子3に印加し続け、ファラデー回転角を所定角度に保
持する。これにより、ファラデー回転角を切り替えると
きにだけ励磁電流パルスを供給すればよく、電力消費量
が削減される。
【0004】前記のように構成された旋光器を用いた光
スイッチの構成例を同図(B)に示している。ファラデ
ー回転子3の両側にそれぞれ偏光ビームスプリッタ4,
5を配置し、これらを結ぶ光軸上の片側に2本の光ファ
イバ6aと6bを配置するとともに、反対側に光ファイ
バ7aと7bを配置する。ファラデー回転子3のファラ
デー回転角を前述のように切り替えることにより、例え
ば光ファイバ3aからの光ビームを光ファイバ7aに導
いたり、光ファイバ7bに導くなど、光の伝送経路を切
り替えるようになっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、ファ
ラデー回転子3は、液相エピタキシャル法により育成さ
れたビスマス置換鉄ガーネット単結晶から所定寸法の薄
板を切り出し、その表面を鏡面加工するとともに表面に
反射防止コーティングを施すというプロセスを経て製作
され、これと電磁石とを図1(A)のように組み合わせ
て旋光器(ファラデー回転子)を構成する。
【0006】ところで本発明者が各種実験を繰り返し行
い知得したところによると、液相エピタキシャル法によ
り育成したビスマス置換鉄ガーネット単結晶の薄板から
なるファラデー回転子は磁性体の一種であり、半硬質磁
性体に類似した特性を示すことが分った。つまりビスマ
ス置換鉄ガーネット単結晶は強い磁界が加わると内部に
多量の磁束を生じ、その磁界を取り去っても多くの磁束
が残留する。
【0007】したがって、前述したファラデー回転子の
製造プロセスのどこかで強い磁界が素材結晶や結晶薄板
に加わっていると、製造されたファラデー回転子がすで
に磁化されてしまう(残留磁気を帯びている)。したが
って、従来の方法ではほとんど磁化されていないファラ
デー回転子もあれば、相当強く磁化されているファラデ
ー回転子もある。
【0008】そのため、従来方法により製造されたファ
ラデー回転子に対して印加磁界を横軸にとり、ファラデ
ー回転角を縦軸にとって表現したファラデー回転特性
は、多くの場合ヒステリシスを示すが、その程度はきわ
めて大きくばらつくという問題があった。そして、その
ヒステリシスの幅(反転に要する磁界)もばらつき、大
きなものとなると、ファラデー回転角を反転させるため
の電磁石を大型化しなければならず、旋光器の大型化を
招くのみならず、切替に要する消費電力も多く必要とな
り、しかも、切替に時間を要する。
【0009】そこで係る問題を解決するため本出願人
は、事前に充分な温度と時間をかけて熱処理して消磁し
ていた。こうすることにより、図2に示すように、ヒス
テリシスのないファラデー回転特性の素子を得ることが
できた。図2において、縦軸θはファラデー回転角であ
る。横軸上の±h1は電磁石のコイル1に所定の励磁電
流を供給しているときの発生している有効磁界であり、
±h2は前記の励磁電流の供給を停止したときにヨーク
2の残留磁気により発生している有効磁界である。
【0010】熱処理により磁気的に初期化したファラデ
ー回転子3の特性は磁界H=0を中心にした対称な特性
であり、+h2の磁界がファラデー回転子3に印加され
ていればファラデー回転角は+45°に安定に保たれ、
−h2の磁界が印加されていればファラデー回転角は−
45°に安定に保たれる。この場合、前述のようにコイ
ル1に所定振幅の正または負の励磁電流パルスを供給す
ることで、ファラデー回転角を+45°または−45°
に切り替えることができ、かつ切り替え後は励磁電流を
流さなくてもファラデー回転角は+45°または−45
°に保たれる。
【0011】しかし、熱処理によりヒステリシスをなく
したファラデー回転特性のファラデー回転子の場合は次
のような問題がある。まず、ファラデー回転角を90°
反転させるのに必要な印加磁界(h1)が大きいので、
大出力の電磁石が必要で、大きな励磁電流を流さなけれ
ばならず、消費電力および発熱が大きくなってしまう。
また励磁電流をゼロにしたときもファラデー回転角を±
45°に保つために必要な印加磁界(h2)も大きく、
そのため半硬質磁性体ヨーク2としては残留磁気の大き
なものが必要で、このことでもファラデー回転角を反転
させるのに必要な励磁電流が大きくなってしまう。
【0012】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題点を解
決し、適度なヒステリシスを示すファラデー回転子を安
定に大量生産することにある。また、そのような適度な
ヒステリシスのファラデー回転子を用いた優れた特性を
もち、外部磁界に強く、消費電力が小さくて済み、発熱
が抑制でき、損失の少ない旋光器を提供することにあ
る。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係るファラデー回転子および旋光器で
は、液相エピタキシャル法により育成されたビスマス置
換鉄ガーネット単結晶の薄板からなるファラデー回転子
に次の条件で熱処理を行う。つまり、その熱処理時の最
高温度を縦軸にとり、最高温度の持続時間を横軸にとっ
てグラフ表示したときに、1190℃−0時間の点a、
1120℃−1.5時間の点b、1050℃−12時間
の点c、1080℃−0時間の点dを順に直線で結んだ
領域内に熱処理条件が含まれるようにする(請求項
1)。ここで上記条件は最高温度の条件であるので、そ
の前後で昇温作業と降温作業があり、「0時間」とは、
昇温させて所定温度(例えば1080℃)に達したなら
ばすぐに降温作業に移行し、瞬間的に係る温度に達する
ことを意味する。なお、ビスマス置換鉄ガーネット単結
晶は、(GdBi)3 (FeAlGa)5 12が良好な
結果が得られた(請求項2)。
【0014】その結果、係る条件を満たすファラデー回
転子は、飽和に要する磁界が200Oe以下になる。よ
って、製造後のファラデー回転子の磁気特性(飽和磁
界)を調べて選別する作業が不要或いは簡易に行え、歩
留まりも向上する。
【0015】さらに、印加磁界を横軸にとり、ファラデ
ー回転角を縦軸にとって表現したファラデー回転特性が
磁界ゼロを中心にしたほぼ対称な角型ヒステリシスとな
り、印加磁界がゼロでもファラデー回転角は正または負
に飽和している(図5)。よって、ファラデー回転子自
体に保持力を持たせたため、外部磁界の影響を受けにく
くなる。
【0016】そして本明細書で「角型ヒステリシス」と
は、磁気飽和時のファラデー回転角と、磁界ゼロの時の
ファラデー回転角が等しい特徴を有するヒステリシスの
ことをいう。
【0017】前記のような熱処理を経て製作されたファ
ラデー回転子に、所定の磁界を印加する励磁手段として
半硬質磁性体のヨークにコイルを巻いた電磁石を組み合
わせることで、良好な特性の旋光器が構成できる(請求
項3)。
【0018】上記のように飽和磁界が200Oe以下と
なるので、励磁手段も小型化することができ、製品全体
の小型化が図れる。さらに、ファラデー回転子自体が自
己保持力を持つとともに、励磁手段のヨークも自己保持
力を有するため、外部磁界にも強くなり、誤動作も起こ
しにくい。
【0019】そして、前記電磁石の通電時に発生する前
記ファラデー回転子に印加される磁界Ha′が前記ファ
ラデー回転子の磁化を反転させるのに必要な磁界Hsよ
りも大きくなり、かつ前記ヨークの自己保持機能により
前記ファラデー回転子に印加される磁界が、前記ファラ
デー回転子の磁化を反転させるのに必要な磁界よりも小
さくなるように設定するとなお良い(請求項4)。
【0020】すなわち、係る条件を満たすと、結果とし
てHa′を従来の装置に比べて小さくすることができ、
電磁石を作動させる際に通電する電流を小さくすること
ができ、発熱も抑制される。
【0021】
【発明の実施の形態】液相エピタキシャル法により育成
されたビスマス置換鉄ガーネット単結晶の具体例として
は(GdBi)3 (FeAlGa)5 12を採用した。
これのキューリー温度は260℃、25℃での飽和磁化
は80ガウス、補償温度は−5℃である。これから切り
出した薄板の寸法は2×7×0.33mmとした。そし
て、この結晶薄板の表裏両面を鏡面仕上げする。その
後、所要枚数の前記結晶薄板を白金板上に載せて電気炉
に入れ、大気中で熱処理する。この熱処理では、昇温速
度および降温速度は120℃/hとし、最高温度Pと最
高温度の持続時間Tをさまざまに変化させて試験した。
そして、熱処理後のファラデー回転子に2000Oeの
初期磁界を印加した後、すでに詳しく説明した図1
(A)の構成の旋光器を組み立てて、そのファラデー回
転特性を測定した。
【0022】その結果を下記表1と図3のグラフに示し
ている。ここで良品と判定したものは、図4に示すよう
に、印加磁界を横軸にとり、ファラデー回転角を縦軸に
とって表現したファラデー回転特性が磁界ゼロを中心に
したほぼ対称な角型ヒステリシスとなり、印加磁界がゼ
ロでもファラデー回転角は正または負に飽和しており、
かつ反転飽和に要する磁界Hsが200Oe以下のもの
である。図4の特性は表1中の試料番号6のものであ
る。
【0023】
【表1】 これらの熱処理試験と各試作品の特性試験を結果から、
熱処理としては、図3のグラフに示すように、1190
℃−0時間の点a、1120℃−1.5時間の点b、1
050℃−12時間の点c、1080℃−0時間の点d
を順に直線で結んだ領域内に熱処理条件が含まれるよう
にすれば、良好ヒステリシスのファラデー回転子を得ら
れることがわかった。
【0024】次に、旋光器の好適な実施の形態について
説明する。基本的な構成は、図1(A)に示して先に詳
しく説明した旋光器としての実施の形態や、図1(B)
に示した旋光器の応用デバイスである光スイッチとして
の実施の形態は従来例と特に変わるものではない。ここ
で本発明では、使用するファラデー回転子3として、上
記説明した所定の条件で熱処理した素子を用いるように
した。そして、本例でもヨーク2とし半硬質磁性材料の
ものを用いた。
【0025】係る構成のファラデー回転子が反転動作す
る時の様子を図5に示すようになる。コイル1にパルス
電流を印加すると、ギャップ間に所定の磁界Ha′が発
生し、ファラデー回転子3に印加される。これにより、
ファラデー回転角は反転する。そして、電流を0にする
と、印加電圧も0になるが、ヨーク2の自己保持力によ
り、ファラデー回転子3の飽和に要する磁界Hsよりも
小さい所定の磁界Hb′が発生し、ファラデー回転子3
に加わる。
【0026】すなわち、本発明では、ファラデー回転子
3自体に自己保持力を有し、角型ヒステリシスを有する
ので、一度ファラデー回転角が反転するとその後磁界を
ゼロにしてもファラデー回転角は保持する。したがっ
て、従来のようにヨーク側の自己保持力により発生する
磁界Hbを、ファラデー回転子が飽和に要する磁界Hs
以上にする必要がない。このように本発明でヨークの自
己保持力による磁界Hs′を小さくできることはそのま
ま通電時の発生磁界Ha′も従来よりも小さくすること
ができることを意味する。よって、コイル1に通電する
電圧印加装置を小型化でき、従来のものに比べ低電流で
動作し発熱も抑えることができる。
【0027】なお、スイッチング動作のみに着目する
と、Hb′はゼロでも良いが、そのようにすると外部磁
界により誤動作するおそれがあるので、Hb′が所定の
値をとるように設定する。したがって、小電流での駆動
を図るためにはHb′はできるだけ小さい方が良く、一
方外部磁界の影響を考慮するとHb′は高いほうが良
い。したがって、図5に示すようにHb′はHs/2以
上,Hs以下の範囲に設定すると、両方の効果を適宜発
揮させることができる。
【0028】表1中判定結果が良品の膜を用いて、図1
(B)に示すような1.31μm用の光スイッチを作成
した。ヨーク2はクロム・ステンレス鋼SUS420J2 を
用いた薄板(板厚0.2mm)からなり、平均磁路長を
30mm、ギャップ近傍のヨーク幅を4mmでコイル部
分のヨーク幅を2mmとした。そして、コイルにパルス
電流として0.2Aを与えると、ギャップ部分では電流
印加時で200Oeの空間磁界が発生し、電流遮断時に
100Oe(ヨークの自己保持力による)の空間磁界が
発生する。
【0029】上記構成にすると、100Oeまでの外部
磁界に対してはスイッチング動作が影響されなかった。
そして、パルス電流を変えていくと0.1A以上のパル
ス電流(電流印加時の空間磁界:100Oe)でスイッ
チング動作が正常に動作されることが確認された。
【0030】一方、比較例としてヒステリシスがないか
或いは小さい膜を用いて光スイッチを作成し、上記と同
様の実験を行ったところ、最低でも0.2A以上のパル
ス電流がないとスイッチング動作がせず、しかもその様
に高い電流を印加したとしても本発明よりも非常に小さ
い20Oeの外部磁界でスイッチング動作が劣化した。
すなわち、透過光強度が低下した。
【0031】
【発明の効果】本発明によれば、所定の温度条件で熱処
理することにより(請求項1,2)、適度な角型ヒステ
リシスを示すファラデー回転子を安定に大量生産でき
る。また、適度なヒステリシスを示すファラデー回転子
に所定の磁界を印加する励磁手段として半硬質磁性体の
ヨークにコイルを巻いた電磁石を組み合わせて旋光器を
構成すれば(請求項3,4)、動作応答速度が速く、外
乱磁界による誤動作のおそれが少ない優れた特性を実現
できる。そして、角型ヒステリシスを有するので、電流
遮断時にはファラデー回転子に大きな磁界を印加させる
必要がないので、切替時に簡易する磁界も小さくなり、
電磁石の消費電力および発熱が少なくでき、損失も小さ
くなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は本発明の実施例および従来例に共通す
る旋光器(ファラデー回転子)の構成図である。(B)
は本発明の実施例および従来例に共通する光スイッチの
構成図である。
【図2】ヒステリシスのないファラデー回転子の特性図
である。
【図3】本発明の実施例を含む条件の異なる熱処理によ
るファラデー回転子の特性試験結果を示す図表である。
【図4】同上特性試験結果を熱処理時の最高温度を縦軸
にとり、最高温度の持続時間を横軸にとって示したグラ
フである。
【図5】反転時の印加電圧及びギャップに発生する磁界
の強度を示す図である。
【符号の説明】
1 コイル 2 ヨーク 3 ファラデー回転子 4、5 偏光ビームスプリッタ 6a、6b、7a、7b 光ファイバ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 液相エピタキシャル法により育成された
    ビスマス置換鉄ガーネット単結晶の薄板からなるファラ
    デー回転子(3)であって、 あらかじめ熱処理されており、その熱処理条件がその熱
    処理時の最高温度を縦軸にとり、最高温度の持続時間を
    横軸にとってグラフ表示したときに、1190℃−0時
    間の点a、1120℃−1.5時間の点b、1050℃
    −12時間の点c、1080℃−0時間の点dを順に直
    線で結んだ領域内に熱処理条件が含まれてなり、 かつ印加磁界を横軸にとり、ファラデー回転角を縦軸に
    とって表現したファラデー回転特性が磁界ゼロを中心に
    したほぼ対称な角型ヒステリシスとなり、印加磁界がゼ
    ロでもファラデー回転角は正または負に飽和しているこ
    とを特徴とするファラデー回転子。
  2. 【請求項2】 ビスマス置換鉄ガーネット単結晶は(G
    dBi)3 (FeAlGa)5 12であることを特徴と
    する請求項1に記載のファラデー回転子。
  3. 【請求項3】 請求項1または請求項2のファラデー回
    転子に所定の磁界を印加する励磁手段として半硬質磁性
    体のヨーク(2)にコイル(1)を巻いた電磁石を組み
    合わせたことを特徴とする旋光器。
  4. 【請求項4】 前記電磁石の通電時に発生する前記ファ
    ラデー回転子に印加される磁界Ha′が前記ファラデー
    回転子の磁化を反転させるに必要な磁界Hsよりも大き
    くなり、 かつ前記ヨークの自己保持機能により前記ファラデー回
    転子に印加される磁界Hb′が、前記ファラデー回転子
    の磁化を反転させるに必要な磁界よりも小さくなるよう
    に設定されたことを特徴とする請求項3に記載の旋光
    器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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