DE69714368T2

DE69714368T2 - Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements

Info

Publication number: DE69714368T2
Application number: DE69714368T
Authority: DE
Inventors: Yasuyuki Unno
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-10-03
Filing date: 1997-10-02
Publication date: 2003-03-06
Anticipated expiration: 2017-10-03
Also published as: JP3287236B2; US6120950A; DE69714368D1; JPH10111407A; EP0834751A2; EP0834751A3; EP0834751B1; US6301001B1

Description

BEREICH DER ERFINDUNG UND STAND DER TECHNIK

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements, und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines binären optischen Beugungselements.
Es wurden viele Arten optischer Systeme mit einem optischen Beugungselement unter Verwendung des Lichtbeugungseffekts vorgeschlagen. Bei einem derartigen optischen Beugungselement sind beispielsweise eine Fresnel-Zonenplatte, ein Beugungsgitter und ein Hologramm vorgesehen.
Im allgemeinen wird bei einem optischen Beugungselement mit einer Hieb-Formung die Herstellung mit der Verkleinerung der Teilung (Pitch) schwieriger. Bezüglich der Form des optischen Beugungselements kann im Falle der Auswahl einer Form des Binärtyps eine Halbleitereinrichtungs-Herstellungstechnik angewendet werden, um das optische Beugungselement herzustellen, und eine feine Teilung kann dabei auf einfache Weise erreicht werden. Aus diesen Gründen wurden im Hinblick auf optische Beugungselemente vom Binärtyp Forschungen und Entwicklungen betrieben, wobei die Hieb-Formung angenähert wird unter Verwendung einer abgestuften Form (mit Höhenstufen bzw. Höhenpegeln).
Für Einzelheiten des optischen Beugungselements vom Binärtyp wird auf die folgenden Publikationen verwiesen:
a) G. J. Swanson, "Binary Optics Technology: The Theory and Desgin of Multi-level Diffractive Optical Elements", Massachusetts Institute of Technology Lincoln Laboratory, Technical Report 854, 14, August 1989.
b) G. J. Swanson, "Binary Optics Technology:
Theoretical Limits on the Difraction Efficiency of Multilevel Diffractive Optical Elements", Massachusetts Institute of Technology Lincoln Laboratory, Technical Report 914, 1 March 1991.
In einem Artikel mit dem Titel "Fabricating Binary Optics: Process Variables Critical to Optical Efficiency" by M. B. Stern et al. published in J. Vac. Sci. Technol. B9(6), Nov/Dec 1991, pages 3117 bis 3121, ist ein Verfahren zur Ausbildung eines optischen Elements vom Fresnel-Typ beschrieben, indem durch wiederholtes Ätzen eines Substrats ein abgestuftes Muster erzeugt wird. Ferner ist ein Prozess beschrieben zur Bestimmung eines Ausrichtfehlers (Anpassungsfehler) zwischen den Mustern, die bei aufeinanderfolgenden Ätzvorgängen verwendet werden.
Gemäß der Darstellung in Fig. 5, die die Art und Weise der Herstellung eines optischen Elements gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, wird die Art und Weise der Herstellung eines optischen Beugungselements mit einer Vier-Höhenstruktur kurz erklärt.
In der Zeichnung ist mit 100 eine transparente Glasplatte bezeichnet mit einem optischen Lichtbrechungsvermögen von n, und 101 bezeichnet ein Abdeckmittel (Abdeckmaterial). Eine Maske zur Verwendung bei einer ersten Belichtung ist mit 102 bezeichnet. Ein Belichtungslicht ist mit 103 bezeichnet. In diesem Beispiel umfasst das Abdeckmittel 101 ein fotopositives Abdeckmittel.
In einem Prozess A wird zuerst ein Muster einer Maske 102 auf das Abdeckmittel 101 unter Verwendung des Belichtungslichts 103 übertragen. In einem Prozess B wird das Abdeckmittel 101 (Beschichtung) entwickelt. In einem Prozess C wird ein Ätzvorgang des Glassubstrats 100 durchgeführt, während das Abdeckmittel 101 nach dem Entwicklungsvorgang als Maskenmuster verwendet wird. In einem Prozess D wird sodann unnötiges Abdeckmittel auf dem Substrat 100 entfernt, wobei ein optisches Element vom Binärtyp mit einem zweistufigen Aufbau (zwei Höhenstufen) erreicht wird.
Die Ätztiefe d&sub1; in dem Prozess C wird bestimmt, wenn die in Verbindung mit dem optischen Element vom Binärtyp zu verwendende Wellenlänge λ ist, wobei die nachfolgende Gleichung gilt:
d&sub1; = X/[2(n - 1)].
Auf dem Glassubstrat 100, auf welchem das optische Element vom Binärtyp der zweistufigen Struktur ausgebildet wurde, wird sodann erneut ein Abdeckmaterial (104) aufgetragen, und in einem Prozess E wird für eine zweite Belichtung eine Maske 105 verwendet. Das Muster der Maske 105 weist eine Teilung (Pitch) entsprechend der Hälfte des Musters der Maske 102 auf. Die Belichtung wird durchgeführt, während eine Kante (Rand) eines lichtabschirmenden Teils des Maskenmusters 105 mit der Kante der Zwei-Höhenbinärstruktur korrekt ausgerichtet wird. Mittels dieser Prozesse und nach einer Entwicklungsbehandlung in einem Prozess F wird ein Abdeckmuster gemäß der Darstellung ausgebildet. In einem Prozess G wird sodann ein zweiter Ätzvorgang durchgeführt unter Verwendung des in dem Prozess F gebildeten Abdeckmusters als Maskenmuster. In einem Prozess H wird das unnötige Abdeckmittel entfernt, wobei ein optisches Element vom Binärtyp mit einer Vier- Höhenstruktur erzielt wird. Hierbei wird die Ätztiefe d&sub2; des Prozesses G gemäß der nachfolgenden Gleichung bestimmt:
d&sub2; = λ/[4(n - 1)].
Während die vorstehende Beschreibung bezüglich einer Vier-Höhenstruktur erfolgt ist, ist es in dem Stand der Technik bekannt, ein optisches Element vom Binärtyp mit einer Acht-Höhenstruktur oder einer Sechzehn- Höhenstruktur herzustellen durch Wiederholen der vorstehend angegebenen Prozesse und mit einer Änderung der Maskenteilung.
In dem Prozess E der Prozesse zur Herstellung des optischen Beugungselements vom Binärtyp gemäß der vorstehenden Beschreibung ist es nicht einfach, die Maske 105 für die zweite Belichtung bezüglich der Maske 102 der ersten Belichtung auszurichten. Üblicherweise tritt ein Erfassungsfehler (Ausrichtfehler) bis zu einem gewissen Maß auf.
Die Auswirkungen eines derartigen Ausrichtfehlers werden nachstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 1A, 1B, 2A und 2B beschrieben. In den Figuren bezeichnet 110 ein Glassubstrat, auf welchem ein Beugungsgitter mit einer Zwei-Höhenstruktur ausgebildet wurde. Mit 111 ist eine Maske bezeichnet zur Verwendung bei einer zweiten Belichtung.
Hierbei ist eine Periode der Zwei-Höhenstruktur mit T bezeichnet, und die Maske 111 weist einen Lichtabschirmteil mit einer Breite von T/4 auf. Mit 112 ist eine Koordinatenachse zur erklärenden Darstellung bezeichnet, und das auf dem Glassubstrat 110 ausgebildete Muster weist ein periodisches Auftreten in der X- Achsenrichtung auf.
Fig. 1A zeigt einen Zustand, in welchem die Maske 111 von der idealen Position in der positiven X- Achsenrichtung um aT/4 (a > 0) abweicht.
Werden die Prozesse E bis H gemäß der Darstellung in Fig. 5 in diesem Zustand durchgeführt, dann wird ein daraus resultierendes hergestelltes optisches Beugungselement die in Fig. 1B gezeigte Form aufweisen.
Fig. 2A zeigt einen Zustand, in welchen die Maske 111 von der idealen Position in der negativen X- Achsenrichtung um aT/4 abweicht (a < 0). Werden in diesem Zustand die Prozesse E bis H gemäß Fig. 5 durchgeführt, dann wird ein fertiges Element erhalten mit dem in Fig. 2B gezeigten Aussehen (Form).
Mit diesen Ausführungen (Formen) tritt selbstverständlich eine Verminderung der Beugungseffizienz auf. Wird die Beugungseffizienz des Beugungslichts erster Ordnung unter Verwendung des Werts "a" als Parameter berechnet, dann ergibt sich folgende Beziehung:
c&sub1; ² = (8/π²){1 - sin[π( a /2)]} . . . (1)
Gleichung (1) wird in Abhängigkeit von der Skalartheorie abgeleitet, und Einzelheiten hierzu werden nachstehend unter Bezugnahme auf die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung beschrieben. Das Ergebnis lässt sich mittels einer graphischen Darstellung zeigen, wobei diese in Fig. 3 angegeben ist. In dem Fall, dass kein Ausrichtfehler vorliegt, d. h. wenn die Beziehung gilt a = 0, wird eine ideale Beugungseffizienz von 81% bezüglich einer Vier-Höhenstruktur erreicht. Mit der Vergrößerung des Ausrichtfehlers vermindert sich jedoch die Beugungseffizienz erheblich. Da die Verminderung der Beugungseffizienz zu unterschiedlichen Problemen führt, wie beispielsweise einer Verminderung der verwendbaren Lichtmenge oder einer Vergrößerung von unnötigem Beugungslicht, wobei Störlicht oder dergleichen auftritt, sollte diese so weit wie möglich unterdrückt werden.

KURZZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft somit die Bereitstellung eines Herstellungsverfahrens für ein optisches Element, in welchem ein Ausrichtfehler, sofern überhaupt vorhanden, lediglich eine geringe Verminderung der Beugungseffizienz bewirkt.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Herstellungsverfahren für ein optisches Element vorgesehen, mit einem ersten Prozess zur Bildung eines Maskenmusters auf einem Substrat, und einem zweiten Prozess zur Bildung einer stufenförmigen Struktur auf dem Substrat unter Verwendung des Maskenmusters, wobei der erste und der zweite Prozess N mal wiederholt werden, und wobei vor der k-ten Durchführung des zweiten Prozesses mit 2 ≤ k ≤ N ein Prozess vorliegt zur Bestimmung eines relativen Ausrichtfehlers zwischen einem Maskenmuster, wie es mittels des k-ten ersten Prozesses gebildet wurde, und einem Maskenmuster, wie es mit dem (k-1)-ten ersten Prozess gebildet wurde, und wobei die Höhe der mittels des k-ten zweiten Prozesses zu bildenden stufenförmigen Struktur in Abhängigkeit von dem Ausrichtfehler bestimmt wird.
In Abhängigkeit von einem weiteren Aspekt wird ein Herstellungssystem für ein optisches Element bereitgestellt, mit:
einer Einrichtung zur Bildung eines Maskenmusters auf einem Substrat;
einer Einrichtung zur Bestimmung eines relativen Ausrichtfehlers zwischen einem soeben gebildeten Maskenmuster und einem zuvor gebildeten Maskenmuster;
einer Einrichtung zur Bestimmung einer Höhe einer auf dem Substrat auszubildenden stufenförmigen Struktur in Abhängigkeit von dem relativen Ausrichtfehler; und
einer Einrichtung zur Bildung der stufenförmigen Struktur mit der bestimmten Höhe auf dem Substrat unter Verwendung des soeben gebildeten Maskenmusters.
Die vorliegende Erfindung kann angewendet werden bei einem Herstellungssystem für ein optisches Element oder bei einem Beleuchtungssystem oder einer Belichtungsvorrichtung in Verbindung mit der Herstellung eines optischen Elements in Abhängigkeit von dem Herstellungsverfahren für das optische Element. Ferner kann die Erfindung angewendet werden bei einem Einrichtungsherstellungsverfahren, das eine derartige Belichtungsvorrichtung verwendet.
Diese und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden deutlich unter Berücksichtigung der nachfolgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit den zugehörigen Zeichnungen.

KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN

Fig. 1A und 1B sind jeweils schematische Darstellungen zur Veranschaulichung der Beziehung zwischen einem Ausrichtfehler und der Form (Aussehen) des optischen Elements.
Fig. 2A und 2B sind jeweils schematische Darstellungen zur Veranschaulichung eines weiteren Beispiels der Beziehung zwischen einem Ausrichtfehler und der Form des optischen Elements.
Fig. 3 ist eine graphische Darstellung zur Veranschaulichung der Beziehung zwischen einem Ausrichtfehler und der Beugungseffizienz.
Fig. 4 ist ein Ablaufdiagramm zur Veranschaulichung des Herstellungsprozesses eines optischen Beugungselements vom Binärtyp gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 5 ist eine Reihe schematischer Darstellungen zur Veranschaulichung des Herstellungsprozesses eines optischen Beugungselements vom Binärtyp mit einer Vier- Höhenstruktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 6 ist eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung der Beziehung zwischen einem Ausrichtfehler und der Phasenverteilung eines optischen Elements.
Fig. 7 ist eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung eines weiteren Ausführungsbeispiels der Beziehung zwischen einem Ausrichtfehler und der Phasenverteilung eines optischen Elements.
Fig. 8 ist eine graphische Darstellung zur Veranschaulichung der Beziehung zwischen der Tiefe eines zweiten Ätzvorgangs und der Beugungseffizienz.
Fig. 9A und 9B sind jeweils schematische Darstellungen zur Veranschaulichung von Beispielen eines Maskenmusters.
Fig. 10 ist eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung der Positionsbeziehung zwischen Bildern zweier Ausrichtfehler-Messmarken.
Fig. 11A und 11B sind jeweils schematische Darstellungen eines Hauptteils eines Beleuchtungssystems, in welchem ein optisches Element, das entsprechend einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde, eingesetzt ist.
Fig. 12A und 12B sind jeweils vergrößerte schematische Darstellungen eines optischen Beugungselements mit der in den Fig. 11A und 11B gezeigten Struktur.
Fig. 13 ist eine schematische Darstellung eines Hauptteils einer Projektionsbelichtungsvorrichtung, in welche ein in Abhängigkeit von einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung hergestelltes optisches Element eingesetzt ist.
Fig. 14 ist ein Ablaufdiagramm zur Veranschaulichung eines Einrichtungsherstellungsprozesses.
Fig. 15 ist ein Ablaufdiagramm zur Veranschaulichung von Einzelheiten eines Scheibenprozesses in dem Prozessablauf gemäß Fig. 14.
Fig. 16 ist eine schematische Darstellung eines Herstellungssystems auf der Basis eines Herstellungsverfahrens gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Fig. 4 ist ein Ablaufdiagramm eines Herstellungsverfahrens für ein optisches Element gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Fig. 5 ist eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung des Herstellungsprozesses für ein optisches Element gemäß diesem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, und insbesondere zur Herstellung eines optischen Beugungselements vom Binärtyp mit einer Vier-Höhenstruktur (vierstufige Struktur).
In Fig. 5 bezeichnet 100 ein transparentes Glassubstrat mit einem optischen Lichtbrechungsvermögen n, und mit 101 und 104 sind Abdeckmittel (Abdecksubstanzen, Abdeckmaterialien) bezeichnet. Jedes der Abdeckmittel 101 und 102 umfasst bei dem vorliegenden Beispiel ein positives Abdeckmittel. Mit 102 ist eine Maske (erste Maske) bezeichnet zur Verwendung bei einer ersten Belichtung, und mit 105 ist eine Maske (zweite Maske) zur Verwendung bei einer zweiten Belichtung bezeichnet. Ein Belichtungslicht ist mit 103 oder 106 bezeichnet. In einem ersten Prozess A wird ein Muster der ersten Maske 102 auf das Abdeckmittel 101 unter Verwendung des Belichtungslichts 103 übertragen. In einem Prozess B erfolgt ein Entwicklungsvorgang des Abdeckmittels 101. In einem Prozess C wird ein Ätzvorgang mit dem Glassubstrat 100 durchgeführt, wobei das durch der Entwicklung bestimmte Abdeckmittelmuster als Maskenmuster verwendet wird. In einem Prozess D wird sodann das unnötige Abdeckmittel vom Substrat 100 entfernt, wobei ein optisches Element vom Binärtyp mit einer Zwei- Höhenstruktur (zweistufige Struktur) erzeugt wird.
Die Ätztiefe d&sub1; in dem Prozess C wird bestimmt, wenn die Wellenlänge zur Verwendung in Verbindung mit dem optischen Element vom Binärtyp λ ist, wobei die folgende Gleichung gilt:
d&sub1; = λ/[2(n - 1)].
Sodann wird auf dem Glassubstrat 100, auf dem ein optisches Element vom Binärtyp mit einer Zwei- Höhenstruktur ausgebildet wurde, erneut ein Abdeckmittel (Abdeckmaterial) aufgebracht, und in einem Prozess E wird die zweite Maske 105 zur Durchführung einer zweiten Belichtung verwendet.
In diesem Ausführungsbeispiel weist das Muster der Maske 105 eine Teilung (Pitch) auf, die der halben Teilung des Musters der Maske 102 entspricht. In einem Prozess E wird eine Belichtung durchgeführt, wobei eine Kante des lichtabschirmenden Abschnitts des Maskenmusters mit der Kante der zweistufigen binären Struktur korrekt ausgerichtet wird. In einem Prozess F wird eine Entwicklungsbehandlung durchgeführt, wobei ein Abdeckmuster in der veranschaulichten Form ausgebildet wird.
Der Prozess E wurde vorstehend in Verbindung mit einem Beispiel beschrieben, in welchem das Muster der Maske 105 und das Muster der Maske 102 zueinander korrekt ausgerichtet sind. In der Praxis ist es jedoch nicht einfach, die Maske 105 bezüglich der Maske 102 auszurichten, und insbesondere die Maske 105 mit dem Substrat 100 auszurichten, auf welchem eine stufenförmige Struktur mit zwei Höhen unter Verwendung der Maske 102 ausgebildet wurde. In der Praxis tritt ein Erfassungsfehler (Ausrichtfehler) zwischen diesen Masken auf.
In diesem Ausführungsbeispiel entsprechend der vorstehend angegebenen Tatsache wird die Messung eines Ausrichtfehlers durchgeführt nach der Vollendung der Belichtung (Prozess E) unter Verwendung der Maske 105 und der Entwicklung (Prozess F). Auf der Basis des gemessenen Ausrichtfehlers wird ein optimaler Ätzbetrag berechnet, wie dies nachstehend noch beschrieben wird, und in Abhängigkeit von der Berechnung wird in einem nachfolgenden Prozess G das Ätzen durchgeführt.
In einem Prozess H wird unnötiges Abdeckmittel entfernt, wobei ein optisches Beugungselement vom Binärtyp mit einer Vier-Höhenstruktur erzielt wird.
Es wird nun das vorliegende Ausführungsbeispiel beschrieben, und insbesondere die Art der Bestimmung des Ätzbetrags in Abhängigkeit von dem Betrag des Ausrichtfehlers zwischen der zweiten Maske 105 und der ersten Maske 102 in dem Prozess E.
Die Beziehung zwischen dem Ausrichtfehler der zweiten Maske 105 und der Beugungseffizienz des Beugungslichts erster Ordnung ist entsprechend der Darstellung in Fig. 3. Hierbei wird erneut eine Berechnung der Beugungseffizienz durchgeführt, wobei die Beziehung zwischen der Ätztiefe in dem zweiten Prozess berücksichtigt wird. Nach der Skalartheorie kann die Beugungseffizienz des Beugungslichts (m)ter Ordnung entsprechend einer Struktur mit einer Periode T in der X- Richtung und bei Bereitstellung einer Phasenverteilung p(x) bezüglich der einfallenden ebenen Wellenfront berechnet werden unter Verwendung eines Quadrats eines Absolutwerts gemäß:
wobei Cm ² verwendet wird.
Zuerst kann die in Fig. 1B gezeigte Form mit a > 0 in Termen einer Phasenfunktion ausgedrückt werden. In diesem Fall wird die Tiefe d&sub1; des ersten Ätzvorgangs bei
d&sub1; = λ/[2(n - 1)]
gehalten, d. h., sie wird bei der Phasendifferenz π festgelegt. Die Tiefe d&sub2; des zweiten Ätzvorgangs wird eingestellt als
d&sub2; = [λ(1 + b)]/[4(n - 1)]
und die Phasendifferenz wird als (1 + b)π/n ausgedrückt. Es ist auf diese Weise möglich, die Auswirkungen der Tiefe d&sub2; des zweiten Ätzvorgangs auf die Beugungseffizienz zu berücksichtigen, wobei b als ein Parameter verwendet wird.
Wie es aus dem Vorstehenden erkennbar ist, kann die Phasenfunktion p(x) bestimmt werden gemäß der Darstellung in Fig. 6. Während der Ursprung der Phase in gewünschter Weise eingestellt werden kann, ist sie hier aus Gründen der Einfachheit gemäß der Darstellung in Fig. 6 eingestellt. Eine Berechnung kann durchgeführt werden entsprechend dem Bereich der X-Richtung von 0 bis T als eine Periode, und bezüglich des Beugungslichts erster Ordnung entsprechend der Gleichung kann die folgende Gleichung abgeleitet werden.
Somit kann die Beugungseffizienz des Beugungslichts erster Ordnung ausgedrückt werden als:
C&sub1; ² = (8/π²) - (4/π²)[sin{π(a/2)} + cos{π(a/2)} - sin(π(b/2){+sin{π(a + b)/2))} - cos{π((a + b)/2))] . . . . (3)
So dann kann die in Fig. 2B mit a < 0 erhaltene Form in gleicher Weise wie vorstehend angegeben in Termen einer Phasenfunktion angegeben werden, und es wird ein Ergebnis gemäß der Darstellung in Fig. 7 erzielt. Bezüglich dieser Phasenverteilung kann die Beugungseffizienz des Beugungslichts erster Ordnung wie folgt berechnet werden. Zuerst ist
C&sub1; = (1/iπ)[(1 - i)exp{-iπ(a/2)} - 2iexp{-iπ(b/2)} + (1 + i)exp{-iπ((a + b)/2)}]
gegeben, und hieraus folgt die Beziehung:
C&sub1; ² = (8/π²) - (4/π²)[sin{-π(a/2)} + cos{π(a/2)} - sin{π(b/2)} + sin{π((-a + b)/2)} - cos{π((-a + b)/2)}] . . . . (4)
Werden die Gleichungen (3) und (4) unter Berücksichtigung des Vorzeichens von "a" miteinander verglichen, dann ist erkennbar, dass sie zusammengesetzt werden zu
C&sub1; ² = (8/π²) - (4/π²)[sin{π( a /2)} + cos{π( a /2)} - sin{π(b/2)} + sin{π(( a + b)/2)} - cos{π(( a + b)/2)}] . . . . (5)
Diese Gleichung ist völlig symmetrisch bezüglich eines positiven oder negativen Werts des Parameters "a". Falls in Gleichung (5) für den Parameter b gilt b = 0, dann folgt die Beziehung
C&sub1; ² = (8/π²)[1 - sin{π( a /2)}].
Dies entspricht genau der Beschreibung unter Bezugnahme auf Gleichung (1).
Fig. 8 zeigt das Ergebnis der Berechnung der Beugungseffizienz des Beugungslichts erster Ordnung, wobei der Parameter b zur Angabe der Ätztiefe d&sub2; der zweiten Ätzung auf der Abszissenachse dargestellt ist. Die Größe von a , womit der Ausrichtfehler bezeichnet ist, ändert sich in einem Bereich von 0 bis 0.4.
Aus dieser graphischen Darstellung ist erkennbar, dass im Falle eines Ausrichtfehlers 0 ( a = 0), ein Maximum der Beugungseffizienz bei b = 0 erhalten werden kann. Mit anderen Worten, die Beugungseffizienz wird am größten, wenn die Beziehung
d&sub2; = λ/[4(n - 1)]
erfüllt ist.
Im Vergleich hierzu, falls der Ausrichtfehler nicht gleich 0 ist ( a ≠ 0), wird der Wert b, bei dem die Beugungseffizienz am größten wird, von der Position b = 0 in Richtung von b < 0 versetzt. Es ist ferner erkennbar, dass diese Position veränderlich ist mit der Größe des Ausrichtfehlers. Wird insbesondere das Vorliegen eines Ausrichtfehlers einer bestimmten Größe angenommen, dann kann die Ätztiefe, bei der eine maximale Beugungseffizienz erhalten werden kann, als fester Wert bestimmt werden.
Liegt beispielsweise ein Ausrichtfehler entsprechend einem Wert a = 0.1 vor, dann kann insbesondere eine größte Beugungseffizienz erreicht werden, wenn die Ätztiefe d&sub2; bei dem zweiten Ätzvorgang b = -0.15 entspricht, d. h., einem Betrag, der um 15% kleiner ist als der mittels der Gleichung
d&sub2; = λ/[4(n - 1)]
bestimmte Wert.
In diesem Ausführungsbeispiel wird somit die Größe des Ausrichtfehlers gemessen, und in Abhängigkeit davon wird die Ätztiefe d&sub2; des zweiten Ätzvorgangs gesteuert. Auf diese Weise können die Auswirkungen des Ausrichtfehlers auf die Beugungseffizienz vermindert werden.
Entsprechend dieser Vorgehensweise ermöglicht es die vorliegende Erfindung, ein gutes optisches Beugungselement herzustellen.
Nachstehend wird die Art der Messung des Ausrichtfehlers beschrieben. Die Fig. 9A und 9B zeigen jeweils schematische Darstellungen einer ersten Maske 102 und einer zweiten Maske 105. Wird ein fotopositives Abdeckmittel (Abdeckmaterial) verwendet, dann werden Bilder der Öffnungen 10 und 11 auf ein Glassubstrat übertragen. Diese Masken sind mit Mustergruppen 12 und 13 ausgebildet zur Verwendung bei der Erzeugung eines optischen Beugungselements vom Binärtyp. Ferner sind Ausrichtfehlermessmarken 14 und 15 jeweils auf der ersten und zweiten Maske 102 und 105 ausgebildet.
Die Maskengruppe 12, die Ausrichtfehlermessmarke 14, die Maskengruppe 13 und die Ausrichtfehlermessmarke 15 sind entsprechend einer vorbestimmten Positionsbeziehung angeordnet, so dass lediglich dann, wenn die Maskengruppen 12 und 13 in idealer Weise zueinander auf dem Glassubstrat erfasst werden, die Bilder der Ausrichtfehlermessmarken 14 und 15 genau an derselben Position platziert sind.
Fig. 10 zeigt ein Beispiel der Positionsbeziehung zwischen einem Bild 20 der Ausrichtfehlermessmarke 14 und einem Bild 21 der Ausrichtfehlermessmarke 15 nach der Vollendung einer zweiten Belichtung (Prozess F).
Die beiden Masken 102 und 105, die in den Fig. 9A und 9B dargestellt sind, weisen (nicht gezeigte) Ausrichtmarken auf, und die Positionsbeziehung zwischen diesen Marken wird entsprechend unter Verwendung dieser Ausrichtmarken gesteuert. In der Praxis ist jedoch infolge unterschiedlicher Faktoren die Musterübertragung mit einer Fehlausrichtung behaftet. Fig. 10 zeigt ein Beispiel einer derartigen Fehlausrichtung.
Hierbei kann durch Messung die Positionsbeziehung zwischen den Bildern 20 und 21 der beiden Ausrichtfehlermessmarken 14 und 15 und die Positionsbeziehung zwischen den Bildern der Mustergruppen 12 und 13 erfasst werden. Die Abweichung zwischen den Bildern 20 und 21 kann in eine x-Komponente und eine y- Komponente aufgeteilt werden. Von diesen Komponenten entspricht die x-Komponente (Δx) dem Ausrichtfehler, der gemäß dem vorliegenden Beispiel die Beugungseffizienz nachteilig beeinflusst.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird für einen gemessenen Ausrichtfehler Δx eine optimale Ätztiefe d&sub2; in dem zweiten Prozess (Prozess G) in Abhängigkeit von der Gleichung (5) berechnet, und der zweite Ätzvorgang (Prozess) wird auf der Basis dieser Information durchgeführt. Somit können die Auswirkungen des Ausrichtfehlers auf die Verminderung der Beugungseffizienz minimiert werden.
Während das Ausführungsbeispiel beschrieben wurde unter Bezugnahme auf ein Beispiel, in welchem unter Verwendung zweier Masken eine Binärstruktur mit vier Höhen hergestellt wurde, können die Prozesse in gleicher Weise angewendet werden zur Herstellung eines optischen Beugungselements vom Binärtyp mit mehreren Höhen (Stufen).
Während die vorstehende Beschreibung erfolgt unter Bezugnahme auf ein Beispiel eines optischen Beugungselements vom Binärtyp, in welchem Muster derselben Periode eindimensional wiederholt werden, kann die vorliegende Erfindung in gleicher Weise auch angewendet werden bei einem binären optischen Beugungselements des Typs mit einer zweidimensionalen Periodenverteilung, und ferner mit einer nicht einheitlichen Periode, wie beispielsweise einer Fresnel- Linse. In diesem Fall kann bezüglich des Ausrichtfehlers zur Berechnung der Ätztiefe nicht nur Δx in Fig. 10 sondern ebenfalls Δy verwendet werden.
Nachstehend wird nun ein Ausführungsbeispiel eines Beleuchtungssystems und einer Projektionsbelichtungsvorrichtung zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen beschrieben, in welchen ein binäres optisches Beugungselement, das in Verbindung mit der vorliegenden Erfindung hergestellt wurde, eingesetzt ist als ein Linsenelement eines Lichtsammel- oder Streuungssystems (Divergenzsystem).
Die Fig. 11A und 11B sind schematische Darstellungen von Hauptteilen eines Beleuchtungssystems mit einem optischen Beugungselement entsprechend einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Fig. 11A bezieht sich auf eine erste Ebene, d. h., die X-Z-Ebene. Fig. 11B bezieht sich auf eine zweite Ebene, d. h., die Y-Z-Ebene.
In den Figuren ist mit 1 eine Lichtquelle wie beispielsweise eine Quecksilberlampe oder einen Excimerlaser bezeichnet. Mit 2 ist ein optisches Strahlenbündelformungssystem bezeichnet einschließlich beispielsweise eines Strahlenbündelkompressors. Dieser dient zur Anpassung des Lichts von der Lichtquelle 1 in eine gewünschte Strahlenbündelform und zum Projizieren desselben auf die Lichteintrittsoberfläche 5a eines optischen Integrators 5, der als Homogenisierungseinrichtung dient. Wie es nachstehend auch beschrieben wird, umfasst der optische Integrator 5 zwei optische Beugungselemente, d. h., ein erstes und zweites optisches Beugungselement mit unterschiedlicher Beugungseigenschaft bezüglich sowohl der X-Z-Teilebene (Fig. 11A) und der Y-Z-Teilebene (Fig. 11B). Eine Vielzahl von Sekundärlichtquellen wird daher bei der Lichtaustrittsoberfläche 5b derselben erzeugt. Mit 3 ist eine Kondensatorlinse bezeichnet zum Sammeln der Lichtstrahlen der Sekundärlichtquellen bei der Lichtaustrittoberfläche des optischen Integrators 5, so dass diese miteinander auf der beleuchtenden Oberfläche 4 überlagert werden.
In dem Beleuchtungssystem gemäß diesem Ausführungsbeispiel wird das von der Lichtquelle 1 erzeugte Licht mittels des optischen Strahlenbündelformungssystem 2 in einen gewünschten Strahlenbündeldurchmesser umgewandelt und wird sodann auf die Lichteintrittsoberfläche 5a des optischen Integrators projiziert. In entsprechender Weise wird eine Vielzahl von zweiten Lichtquellen bei der Lichtaustrittsoberfläche 5B gebildet. Das Licht dieser Sekundärlichtquellen an der Lichtaustrittsoberfläche 5B wird sodann mittels der Kondensatorlinse zur Koehler-Beleuchtung der zu beleuchtenden Oberfläche 4 projiziert. Hierbei ist der optische Integrator 5 vorgesehen mit einer numerischen Apertur Δx bezüglich der X-Richtungsteilebene von Fig. 11A und einer numerischen Apertur Δy bezüglich der Y- Richtungsteilebene von Fig. 11B, die jeweils unterschiedlich zueinander sind in der Weise, dass die Belichtungsregionen entsprechend dieser Teilebenen unterschiedliche Breiten Dx und Dy aufweisen.
Die Fig. 12A und 12B sind schematische Darstellungen eines Hauptteils des in den Fig. 11A und 11B gezeigten optischen Integrators 5. Die Fig. 12A bezieht sich auf die X-Z-Ebene, während sich die Fig. 12B auf die Y-Z- Ebene bezieht.
Gemäß der Darstellung in den Fig. 12A und 12B umfasst der optischen Integrator 5 eine Anzahl kleiner optischer Beugungselemente 21 mit einer Brennweite Fix mit einer Abbildungsleistung in der X-Richtungsteilebene, wie es in der Figur dargestellt ist, und mit einer Anordnung an der Vorderseite (Seite der Lichtquelle 1) auf demselben Substrat 20. Der optische Integrator umfasst ferner eine Anzahl kleiner optischer Beugungselemente 22 mit einer Brennweite Fiy mit einer Abbildungsleistung in der Y- Richtungsteilebene, wie es in der Figur dargestellt ist, und mit einer Anordnung an der Rückseite des Substrats. Die Kombination dieser kleinen optischen Beugungselemente 21 und 22 stellt jeweils ein erstes optisches Beugungselement und ein zweites optisches Beugungselement bereit. Gemäß den Brennweiten Fix und Fiy besteht die Beziehung Fix > fiy, und beide weisen einen positiven Wert auf.
Gemäß der Darstellungen in den Fig. 12A und 12B werden die Lichtbrechungsleistungen (Lichtbrechungsvermögen) der ersten und zweiten optischen Beugungselemente 21 und 22 so wie die Dicke des Substrats 20 und das Lichtbrechungsvermögen derselben zum Beispiel in der Weise ausgewählt und angepasst, dass die Brennpunktposition des durch das erste und zweite optische Beugungselement 21 und 22 laufenden Lichts in genauer Überdeckung ist bezüglich der ersten und zweiten Ebenen. Entsprechend dieser Anordnung kann eine Beleuchtungsregion mit einer vorbestimmten Form in wirksamer Weise bestimmt werden.
Das kleine optische Beugungselement dieses Ausführungsbeispiels kann hergestellt werden unter Verwendung der beschriebenen optischen Lithographieverfahren. Somit wird eine Elementenlinse kleiner als die beispielsweise mit dem bekannten Polierverfahren erhältliche Elementenlinse auf einfache Weise hergestellt. Dies ermöglicht die Vergrößerung der Anzahl der Elementenlinse in erheblichem Umfang, so dass dies zu einer erheblichen Vergrößerung der Anzahl der Sekundärlichtquellen führt. Daher kann eine Beleuchtung mit höherer Gleichmäßigkeit erzielt werden.
Fig. 13 ist eine schematische Darstellung eines Hauptteils einer Projektionsbelichtungsvorrichtung mit einem optischen Beugungselement gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Mit 1 ist in der Figur eine Lichtquelle bezeichnet, und mit 2 ist ein optisches Strahlenbündelformungssystem bezeichnet. Bezugszeichen 5 bezeichnet einen optischen Integrator, und Bezugszeichen 3 eine Kondensatorlinse. Diese Komponenten sind gleichartig zu denjenigen des in den Fig. 11A und 11B gezeigten Beleuchtungssystems.
Mit 51 ist eine Blende bezeichnet, die der Position der zu beleuchtenden Oberfläche 4 entspricht (Fig. 11A oder 11B). Mit 52 ist eine Blendenabbildungslinse bezeichnet zum Projizieren eines Bilds der Blendenform der Blende 51 auf eine Markierung 50, die auf der zu beleuchtenden Oberfläche angeordnet ist. Die Beleuchtungsregion auf der Oberfläche der Markierung 50 weist eine Form analog der Blendenform der Blende 51 auf (Aperturblende). Mit 54 ist eine Projektionslinse (optisches Projektionssystem) bezeichnet zum Projizieren eines Musters der Oberfläche der Markierung 50 auf die Oberfläche des fotoempfindlichen Substrats (Scheibe, Wafer) 56. Mit 53 ist eine Antriebseinrichtung bezeichnet zum Bewegen der Markierung 50, und mit 55 ist eine Antriebseinrichtung bezeichnet zum Bewegen der Scheibe 56.
Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ein Schaltungsmuster der Markierung 50 durch Projektion mittels der Projektionslinse 54 auf die Scheibe 56 gedruckt, die mit einem fotoempfindlichen Material wie einem Abdeckmittel beschichtet ist, wobei ein Schritt- und Abtastverfahren zur Anwendung kommt. Bei der Belichtungsvorrichtung mit dem Schritt- und Abtastverfahren wird das Muster der Markierung 50 nicht sofort beleuchtet. Vielmehr wird der Beleuchtungsbereich beispielsweise in einer mehrteiligen (aufgeteilten) Form bestimmt. Somit wird ein Muster der Markierung 50, die innerhalb des Beleuchtungsbereichs angeordnet ist, mittels der Projektionslinse 54 projiziert und zu dem Belichtungsbereich auf der Scheibe 56 übertragen.
Die Markierung 56 ist auf einer Markierungsstufe angeordnet und kann in abgetasteter Weise beispielsweise in der X-Richtung mittels der Antriebseinrichtung 53 bewegt werden. Die Scheibe (Wafer) 56 ist auf einem beweglichen Objektträger angeordnet, der in abtastender Weise mittels der Antriebseinrichtung 55 entlang der X- Achsenrichtung und in einer Gegenrichtung zur Bewegung der Markierung bewegt werden kann. Im einzelnen werden die Markierung 50 und die Scheibe 56 in abtastender Weise in entgegengesetzte Richtungen synchron zueinander mit einem Geschwindigkeitsverhältnis entsprechend der Projektionsvergrößerung der Projektionslinse 54 bewegt.
Während in dem vorstehenden Ausführungsbeispiel ein optisches Beugungselement in einem Beleuchtungssystem verwendet wird, kann ein optisches Beugungselement mit einer Ringform, das entsprechend der vorliegenden Erfindung hergestellt wird, in einem optischen Projektionssystem verwendet werden.
Nachstehend wird ein Ausführungsbeispiel des Einrichtungsherstellungsverfahren beschrieben, das eine Projektionsbelichtungsvorrichtung gemäß der vorstehenden Beschreibung verwendet.
Fig. 14 ist ein Ablaufdiagramm zur Veranschaulichung der Herstellung von Mikroeinrichtungen wie Halbleiterchips (beispielsweise IC oder LSI), Flüssigkristallpaneele, oder beispielsweise CCD (Ladungskopplungseinheit).
Schritt 1 bezeichnet einen Designprozess (Entwicklungsprozess) zum Entwickeln einer Schaltung einer Halbleitereinrichtung. Schritt 2 bezeichnet einen Prozess zur Herstellung einer Maske auf der Basis des Schaltungsmusterdesigns (Schaltungsmusterentwurf). Schritt 3 ist ein Prozess zum Vorbereiten einer Scheibe unter Verwendung eines Materials wie Silizium. Schritt 4 ist ein Scheibenprozess, der ein sogenannter Vorprozess ist, bei welchem unter Verwendung der auf diese Weise vorgefertigten Masken und Scheiben Schaltungen in der Praxis auf der Scheibe mittels Lithographie ausgebildet werden. Der nachfolgende Schritt S betrifft einen Montageschritt (Zusammenbau), der ein sogenannter Nach- Prozess ist, in welchem die in dem Prozess gemäß Schritt 4 hergestellte Scheibe in Halbleiterchips umgesetzt wird. Dieser Schritt umfasst den Montageprozess (Einsetzen des Chips und Bonden) so wie das Fertigstellen des Bausteins (Verschließen des Bausteins). Schritt 6 ist ein Prüfschritt, in welchem ein Betriebstest, ein Haltbarkeitstest und dergleichen mittels der in Schritt S hergestellten Halbleitereinrichtung durchgeführt wird. Mit diesen Prozessen werden Halbleitereinrichtungen hergestellt und danach zum Versand gebracht (Schritt 7).
Fig. 15 ist ein Ablaufdiagramm zur Veranschaulichung von Einzelheiten des Scheibenprozesses. Schritt 11 ist ein Oxidationsprozess zum Oxidieren der Oberfläche einer Scheibe. Schritt 12 ist ein CVD-Prozess (Chemical Vapor Deposition Process) zur Ausbildung einer Isolierschicht (Isolierfilm) auf der Scheibenoberfläche.
Schritt 13 ist ein Elektrodenausbildungsprozess zur Ausbildung von Elektroden auf der Scheibe mittels Aufdampfung. Schritt 14 ist ein Ionenimplantierungsprozess zum Implantieren von Ionen in die Scheibe. Schritt 15 ist ein Abdeckmittelprozess zum Auftragen eines Abdeckmittels (Abdeckmaterial, fotoempfindliches Material) auf die Scheibe. Schritt 16 ist Belichtungsprozess zum Drucken des Schaltungsmusters der Maske auf die Scheibe mittels einer Belichtung durch die vorstehend beschriebene Belichtungsvorrichtung.
Schritt 17 ist ein Entwicklungsprozess zum Entwickeln der belichteten Scheibe. Schritt 18 ist ein Ätzprozess zum Entfernen von Teilen, die nicht dem entwickelten Abdeckmittelbild entsprechen. Schritt 19 ist ein Separationsprozess zum Separieren (Entfernen) des verbleibenden Abdeckmittels auf der Scheiben, nachdem dieses einem Ätzprozess unterworfen wurde. Durch Wiederholen dieser Prozesse werden Schaltungsmuster in überlagerter Form auf der Scheibe ausgebildet.
Mit diesen Prozessen (Abläufe) können hochintegrierte Mikroeinrichtungen auf einfache Weise hergestellt werden.
Nachstehend wird ein Ausführungsbeispiel eines Herstellungssystems unter Bezugnahme auf Fig. 16 beschrieben, bei welchem ein Herstellungsverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung verwirklicht werden kann. In Fig. 16 bezeichnet 201 eine Belichtungsvorrichtung zur Durchführung eines Belichtungsprozesses. Mit 202 ist eine Beschichtungs- und Entwicklungseinrichtung bezeichnet zur Durchführung einer Abdeckmittelbeschichtung und einer Abdeckmittelentwicklung nach der Belichtung. Mit 203 ist eine Ätzanlage bezeichnet zur Durchführung eines Ätzprozesses unter Verwendung eines entwickelten Abdeckmittelmusters als Maskenmuster. Mit 204 ist eine Ausrichtfehlermesseinrichtung bezeichnet zum Messen eines Ausrichtfehlers zwischen einer zuvor benutzen Maske und einer gerade zu benutzenden oder gerade benutzten Maske nach einer zweiten Abdeckmittelmusterentwicklung. Das Herstellungsverfahren für das optische Element der vorstehenden Beschreibung unter Bezugnahme auf beispielsweise die Fig. 4 oder 5 kann zum Beispiel in diesem Herstellungssystem abgewandelt werden.
Während die Erfindung in Bezug auf die offenbarten Strukturen beschrieben wurde ist sie nicht auf diese angegebenen Einzelheiten beschränkt, und die vorliegende Anmeldung umfasst derartige Abwandlungen oder Änderungen, wie sie innerhalb des Bereichs der nachfolgenden Patenansprüche liegen.

Claims

1. Verfahren zur Herstellung eines optischen Beugungselements, mit

einem ersten Prozess (Prozess A, B; E, F) zur Bildung eines Maskenmusters (101, 104) auf einem Substrat (100), und

einem zweiten Prozess (Prozess C, D; G, H) zur Bildung einer stufenförmigen Struktur auf dem Substrat unter Verwendung des Maskenmusters (101, 104),

wobei der erste und zweite Prozess N Mal wiederholt werden, und wobei vor der k-ten Durchführung des zweiten Prozesses mit 2 ≤ k ≤ N, ein Prozess vorliegt zur Bestimmung eines relativen Ausrichtfehlers zwischen einem Maskenmuster, wie es mittels des k-ten ersten Prozesses gebildet wurde, und der stufenförmigen Struktur, wie sie mit dem (k-1)-ten ersten Prozess gebildet wurde;

dadurch gekennzeichnet, dass:

die Höhe der mittels des k-ten zweiten Prozesses zu bildenden stufenförmigen Struktur in Abhängigkeit von dem bestimmten relativen Ausrichtfehler bestimmt wird zum Optimieren der Beugungseffizienz des optischen Beugungselements ungeachtet bestehender Ausrichtfehler.

2. Verfahren nach Patentanspruch 1, wobei der erste und zweite Prozess N Mal wiederholt werden und womit eine stufenförmige Struktur mit 2N Höhen auf dem Substrat gebildet wird.

3. Verfahren nach Patentanspruch 1 oder 2, wobei das Maskenmuster ein Abdeckmittel aufweist, das entwickelt wurde.

4. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 3, wobei der erste Prozess einen Unterprozess zum Beschichten des Substrats mit einem Abdeckmittel, einen Unterprozess zum lithographischen Übertragen eines Musters auf das Abdeckmittel (Prozess A) und einen Unterprozess (Prozess B) aufweist zum Entwickeln des auf das Abdeckmittel übertragenen Musters.

5. Verfahren nach einem der Patentansprüche 1 bis 4, wobei der zweite Prozess einen Unterprozess (Prozess G) aufweist zum Ätzen des Substrats, wobei die Höhe der in Verbindung mit dem Ausrichtfehler bestimmten stufenförmigen Struktur der Ätztiefe entspricht, und einen Unterprozess (Prozess H) aufweist zum Entfernen eines Abdeckmittels vom Substrat.

6. Verfahren nach einem der vorherigen Patentansprüche, wobei N = 2 ist.

7. System zur Herstellung eines optischen Beugungselements, mit

einer Einrichtung zur Bildung eines Maskenmusters auf einem Substrat;

einer Einrichtung zur Bestimmung eines relativen Ausrichtfehlers zwischen einem soeben gebildeten Maskenmuster und einem zuvor gebildeten Maskenmuster;

ferner gekennzeichnet durch:

eine Einrichtung zur Bestimmung der Höhe einer auf dem Substrat auszubildenden stufenförmigen Struktur in Abhängigkeit von dem relativen Ausrichtfehler; und

eine Einrichtung zur Bildung einer stufenförmigen Struktur mit der bestimmten Höhe auf dem Substrat unter Verwendung des soeben gebildeten Maskenmusters.

8. Beleuchtungssystem, mit:

einer Lichtausrichteinrichtung (2) zum Ausrichten eines von einer Lichtquelle (1) zugeführten Beleuchtungslichts auf ein zu beleuchtendes Objekt (4), wobei die Lichtausrichteinrichtung ein optisches Beugungselement (21, 22) aufweist, das mittels eines Verfahrens gemäß den Patentansprüchen 1 bis 6 hergestellt wurde.

9. Belichtungsvorrichtung, mit:

einer Beleuchtungseinrichtung (2, 5, 3, 51) zum Ausrichten von mittels einer Lichtquelle (1) zugeführtem Beleuchtungslicht auf eine Markierung; und

eine Projektionseinrichtung (54) zum Projizieren eines Bilds der Markierung auf eine Scheibe;

wobei zumindest eine der Beleuchtungseinrichtungen (2, 5, 3, 51) und der Projektionseinrichtung ein optisches Beugungselement aufweist, das mittels des Verfahrens gemäß den Patentansprüchen 1 bis 6 hergestellt wurde.

10. Herstellungsverfahren für eine Einrichtung mit den Schritten des:

Übertragens eines Bilds einer Markierung auf eine Scheibe durch eine Belichtung mittels eines Beleuchtungssystems nach Patentanspruch 8 oder einer Belichtungsvorrichtung nach Patentanspruch 9;

Entwickelns der Scheibe; und

Herstellens einer Einrichtung aus der belichteten und entwickelten Scheibe.