DE69626166T2 - Oszillatorschaltung und -verfahren - Google Patents

Oszillatorschaltung und -verfahren

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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Oszillatorschaltung und ein Oszillatorverfahren, insbesondere auf eine Oszillatorschaltung und ein Oszillatorverfahren, bei denen Signale, die eine hohe Frequenz haben, ohne Einstellungen erzeugt werden können.
  • Fig. 3 zeigt ein Beispiel des Aufbaus einer Oszillatorschaltung. Bei diesem Beispiel ist der Emitter eines npn-Transistors 3 über einen Widerstand 4 geerdet, und ein Kondensator 6 ist parallel zum Widerstand 4 geschaltet. Weiter ist ein Kondensator 5 zwischen der Basis und dem Emitter des npn-Transistors geschaltet. Ein Widerstand 1 und ein Widerstand 2 sind zwischen einem Anschluss T&sub3;, der mit einer vorher festgelegten Spannungsquelle verbunden ist, und Masse geschaltet, wobei der Verbindungspunkt des Widerstands 1 und des Widerstands 2 mit der Basis des npn-Transistors 3 verbunden ist. Diese Widerstände 1, 2 und 4 liefern eine vorher festgelegte Vorspannung zum npn-Transistor 3
  • Mit der Basis des npn-Transistors 3 ist außerdem ein Ein-Port-SAW-Resonator 9 (Surface Acoustic Wave = akustische Oberflächenwelle) über einen Kondensator 7, um den Gleichstrom zu blockieren, verbunden. Zusätzlich ist ein Anschluss T&sub3; über einen Kondensator 8 geerdet.
  • Der Ein-Port-SAW-Resonator 9 ist so aufgebaut, wie beispielsweise in Fig. 4 gezeigt ist, und dessen äquivalente Schaltung ist so aufgebaut, wie in Fig. 5 gezeigt ist.
  • Insbesondere ist eine Parallelschaltung aus (i) einer Reihenschaltung, die aus einem Widerstand 21, einer Spule 22 und einem Kondensator 23 besteht, und aus (ii) einem Kondensator 24 zwischen den Anschlüssen T&sub1; und T&sub2; geschaltet. Dieser Kondensator 24 ist eine Anschluß-zu-Anschluß-Kapazität des Ein-Port-SAW-Resonators 9.
  • Dieser Ein-Port-SAW-Resonator 9 arbeitet im wesentlichen als Induktivität, wenn die unten beschriebenen Bedingungen erfüllt sind, wobei L&sub2;&sub2;, C&sub2;&sub3;, C&sub2;&sub4; und R&sub2;&sub1; die Induktivität der Spule 22, die Kapazität des Kondensators 23, die Kapazität des Kondensators 24 bzw. der Widerstandswert des Widerstands 21 sind.
  • ùL&sub2;&sub2; > 1/(ùC&sub2;&sub3;) = 1/(ùC&sub2;&sub4;) = R&sub2;&sub1;
  • Das heißt, wenn der Ein-Port-SAW-Resonator 9 die oben beschriebenen Bedingungen erfüllt und im wesentlichen als Induktivität (Spule) arbeitet, bildet die Schaltung von Fig. 3 etwas, was allgemein als Colpitts-Oszillator-Schaltung bezeichnet wird und führt ein Oszillatorbetrieb durch.
  • Bei der Oszillatorschaltung, die in Fig. 3 gezeigt ist, kann ein Zwei-Port-SAW-Resonator 43, der in Fig. 7 und 8 gezeigt ist, der später beschrieben wird, anstelle des Ein-Port- SAW-Resonators 9, der in Fig. 4 und 5 gezeigt ist, verwendet werden.
  • Fig. 6 zeigt ein Beispiel des Aufbaus einer anderen Oszillatorschaltung. Bei diesem Beispiel wird das Ausgangssignal eines Verstärkers 41 zum Zwei-Port-SAW-Resonator 43 über eine Kapazität 42 geliefert. Weiter wird das Ausgangssignal des Zwei-Port-SAW- Resoantors 43 über einen Kondensator 44 zum Verstärker 41 geliefert.
  • Der Verstärker 41 ist in einem IC enthalten, und die Induktivitätskomponenten, beispielsweise ein Bond-Draht, der zwischen jedem Anschluss des IC's und dem Einbauchip vorhanden ist, bildet eine Spule 45.
  • Der Zwei-Port-SAW-Resonator hat Anschlüsse T&sub1;&sub1; und T&sub1;&sub2; für Ein- und Ausgabezwecke und den Anschluss T&sub1;&sub3; für Erdungszwecke, wie beispielsweise in Fig. 7 gezeigt ist. Fig. 8 zeigt eine äquivalente Schaltung dieses Zwei-Port-SAW-Resonators 43.
  • Das heißt, der Anschluss T&sub1;&sub1; ist mit einem der Anschlüsse einer der Wicklungen eines äquivalenten Umformers 55 über einen Widerstand 52, eine Spule 53 und einen Kondensator 54 verbunden. Der andere Anschluss dieser Wicklung des äquivalenten Umformers 55 ist mit dem Anschluss T&sub1;&sub3; über einen Kondensator 51 verbunden.
  • Der Anschluss T&sub1;&sub2; ist mit dem Anschluss T&sub1;&sub3; über eine Parallelschaltung der anderen Wicklung des äquivalenten Umformers 55 und eines Kondensators 56 verbunden.
  • Der Zwei-Port-SAW-Resonator 43 arbeitet im wesentlichen als Verzögerungsphasenschaltung und ist ausgebildet, in der Lage zu sein, Verzögerungsphasensignale von 0 und 180 Grad hauptsächlich durch die Spule 53 und den äquivalenten Umformer 55 auszuwählen.
  • Daher wird das Ausgangssignal des Verstärkers 41 über den Kondensator 42 zum Zwei-Port-SAW-Resonator 43 geliefert, und ein Signal, des Phase um 0 oder 180 Grad verzögert ist, wird vom Zwei-Port-SAW-Resonator 43 über den Kondensator 44 zum Verstärker 41 geliefert, wodurch veranlasst wird, dass diese Schaltung schwingt.
  • Die oben beschriebene Oszillatorschaltung, die in Fig. 3 gezeigt ist, führt jedoch einen asymmetrischen Betrieb durch. Um eine Ableitung des Oszillatorsignals (parasitäres Signal) zu unterdrücken, muss als Folge davon ein Spannungsanschluss T&sub3; hochfrequenzartig durch den Kondensator 8 geerdet werden, um so dessen Impedanz zu verringern und die Schaltung zu stabilisieren. Daher ist es notwendig, die gesamte Oszillatorschaltung strikt abzuschirmen. Außerdem gibt es Probleme, beispielsweise, da die Symmetrie gering ist, tritt eine Spiegelung von Signalen auf, und daher, um ein Signal mit einer vorher festgelegten Frequenz stabil zu erzeugen, ohne durch Temperaturänderung oder Alterung beeinträchtigt zu werden, ist ein Einstellbetrieb unentbehrlich.
  • Da die Oszillatorschaltung, die in Fig. 6 gezeigt ist, ebenfalls einen asymmetrischen Betrieb ausführt, müssen Gegenmaßnahmen für Faktoren, die die Bildung von IC's einer kleinen Baugröße stören, und die Integration von IC's muss durchgeführt werden, beispielsweise werden unabhängige Spannungsanschlüsse vorgesehen, um das Hochfrequenzerden einfach zu machen, oder es wird die Anzahl von parallelen Erdungsanschlüssen vergrößert. Als Folge davon können lediglich Signale einer Frequenz von beispielsweise 180 MHz erzeugt werden, und es besteht das Problem, dass es schwierig ist, ein Signal mit einer Frequenz stabil zu erzeugen, das höher ist als diese Frequenz, ohne durch Temperaturänderung oder Alterung beeinträchtigt zu werden.
  • Die US 3 787 612 offenbart eine Oszillatorschaltung, die einen Ein-Port-SAW-Resonator aufweist, bei der das Ausgangssignal eines von zwei Transistoren zum Eingang des anderen zurückgeführt wird.
  • Die vorliegende Erfindung entstand in Hinblick auf diese Umstände und hat zur Aufgabe, ein Signal einer höheren Frequenz stabil zu erzeugen.
  • Die Oszillatorschaltung gemäß der Erfindung ist im Patentanspruch definiert. Das Oszillatorverfahren gemäß der Erfindung ist im Patentanspruch 13 definiert.
  • Die obigen und weiteren Ausgaben, Merkmale und neuen Gesichtspunkte der Erfindung werden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung deutlicher, wenn diese in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen gelesen wird, in denen:
  • Fig. 1 eine Schaltungsanordnung ist, die den Aufbau einer Ausführungsform einer Oszillatorschaltung des vorliegenden Erfindung zeigt;
  • Fig. 2 eine Schaltungsanordnung ist, die den Aufbau einer anderen Ausführungsform des Oszillatorschaltung der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • Fig. 3 eine Schaltungsanordnung ist, die den Aufbau der Oszillatorschaltung zeigt;
  • Fig. 4 den Ausbau eines Ein-Port-SAW-Resonators zeigt;
  • Fig. 5 eine Schaltungsanordnung ist, die eine äquivalente Schaltung des Beispiels von Fig. 4 zeigt;
  • Fig. 6 eine Schaltungsanordnung ist, die ein Beispiel des Aufbaus einer weiteren Oszillatorschaltung zeigt;
  • Fig. 7 den Aufbau eines Zwei-Port-SAW-Resonators zeig; und
  • Fig. 8 eine Schaltungsanordnung ist, die eine äquivalente Schaltung des Beispiels von Fig. 7 zeigt.
  • Fig. 1 ist eine Schaltungsanordnung, die den Ausbau einer Ausführungsform einer Oszillatorschaltung der vorliegenden Erfindung zeigt (die Darstellung der Vorspannungen der Transistoren 61 und 62 sind jedoch weggelassen). Bei dieser Ausführungsform sind die Emitter der npn-Transistoren 61 und 62, die als Bipolar-Transistoren dienen, gemeinsam verbunden, wobei der gemeinsame Verbindungspunkt über eine Konstantstromschaltung 63 geerdet ist. Der Kollektor des npn-Transistors 61 ist mit einem Spannungsanschluss 70 über eine Lastimpedanz 64 verbunden, und der Kollektor des npn-Transistors 62 ist mit dem Spannungsanschluß 70 über eine Lastimpedanz 65 verbunden. Das heißt, der npn-Transistor 61 und der npn-Transistor 62 sind differentiell geschaltet, um einen Differenzverstärker zu bilden.
  • Außerdem ist der Kollektor des npn-Transistors 61 mit der Basis des npn- Transistors 62 über einen Kondensator 67 verbunden, und der Kollektor des npn-Transistors 62 ist mit der Basis des npn-Transistors 61 über einen Kondensator 66 verbunden. Das heißt, einer der Ausgangsanschlüsse der differentiell geschalteten npn-Transistoren 61 und 62 wird sicher zum Eingangsanschluss des anderen Transistors zurückgeführt. Die Kondensatoren 66 und 67 bilden zu diesem Zweck eine Mitkopplungsschaltung.
  • Die Kollektoren der npn-Transistoren 61 und 62 sind mit den Anschlüssen T&sub1; und T&sub2; des Ein-Port-SAW-Resonators 9 über Kondensatoren 68 bzw. 69 verbunden, um den Gleichstromfluß zu blockieren. Der Ein-Port-SAW-Resonator 9 ist, wie oben beschrieben, zu einer Form ausgebildet, wie in Fig. 4 gezeigt ist, und dessen äquivalente Schaltung ist so ausgebildet, wie in Fig. 5 gezeigt ist.
  • Das Ausgangssignal des Kollektors des npn-Transistors 61 wird durch Mitkopplung zur Basis des npn-Transistors 62 über den Kondensator geführt. Außerdem wird das Ausgangssignal des npn-Transistors 62 durch Mitkopplung zur Basis des npn-Transistors 61 über einen Kondensator 66 geliefert. Als Folge davon schwingt diese Oszillatorschaltung im wesentlichen in einem Parallelresonanzmodus, der im wesentlichen durch die Werte (C&sub2;&sub4; und L&sub2;&sub2;) des Kondensators 24 und der Spule 22 des Ein-Port-SAW-Resonators 9 bestimmt wird.
  • Wenn man annimmt, dass die Parameter der npn-Transistoren 61 und 62 gleich sind, sind die Werte der Lastimpedanzen 64 und 65 einander gleich, die Werte der Kondensatoren 68 und 69 sind einander gleich und die Werte der Kondensatoren 66 und 67 sind einander gleich (Z&sub6;&sub4; = Z&sub6;&sub5;, C&sub6;&sub8; = C&sub6;&sub9;, und C&sub6;&sub6; = C&sub6;&sub7;), so dass diese Oszillatorschaltung einen völligen symmetrischen Zustand erreicht. Da der völlig symmetrische Zustand erreicht wird, werden am Spannungsanschluss 70 und an den Emittern der npn-Transistoren 61 und 62 die gegenphasigen Amplitudenkomponenten gegenseitig ausgelöscht, so dass sie einen virtuellen Massezustand erreichen. Daher kann eine Oszillatorschaltung, die keinen Hochfrequenz-Masseanschluß zum Unterdrücken eines parasitären Signals erfordert und die einen kleinen Ableitungsgrad hat, realisiert werden.
  • Da eine vollsymmetrische Schaltung gebildet ist, sind Einstellungen nicht erforderlich, so dass ein Schwingungsbetrieb stabil und mit einem hohen Genauigkeitsgrad unabhängig von einer Temperaturänderung oder einer Alterung durchgeführt werden kann.
  • Beispielsweise ist es erforderlich, dass das zweite Zwischenfrequenzsignal bei einem digitalen Fernsehrundfunk eine Hochfrequenz von 480 MHz hat und dessen Genauigkeit im Bereich von ± 100 kHz liegt. Gemäß der Ausführungsform von Fig. 1 ist es möglich, dieses Hochfrequenzsignal mit der erforderlichen Genauigkeit und ohne Einstellungen zu erzeugen.
  • Wenn die in Fig. 5 gezeigte Schaltung von Teilen diskreter Widerstände, Spulen und Kondensatoren anstelle des Ein-Port-SAW-Resonators 9 gebildet wird, wird die Schaltung durch Temperaturänderung, Alterung oder dgl. beeinträchtigt, und es wird schwierig, ein Hochfrequenzsignal mit einem hohen Genauigkeitsgrad zu erzeugen. Daher wird es notwendig, einen Ein-Port-SAW-Resonator zu verwenden.
  • Fig. 2 zeigt den Aufbau einer zweiten Ausführungsform einer Oszillatorschaltung der vorliegenden Erfindung. Bei dieser Ausführungsform ist der Kollektor eines npn-Transistors 81 mit einem Spannungsanschluss 91 verbunden, und dessen Emitter ist mit einer Konstantspannungsquelle 85 verbunden. Außerdem ist der Kollektor eines npn-Transistors 82 auch mit dem Spannungsanschluss 91 verbunden, und dessen Emitter ist mit einer Konstantspannungsquelle 86 verbunden. Weiter sind die Emitter der npn-Transistoren 81 und 82 miteinander über einen Kondensator 87 verbunden, und somit bilden diese Transistoren einen Differenzverstärker.
  • Weiter wird bei dieser Ausführungsform das Signal, welches vom Emitter des npn- Transistors 81 ausgegeben wird, durch Mitkopplung zurück zur Basis des npn-Transistors 81 über einen Kondensator 83 geführt, und das Signal, welches vom Emitter des npn-Transistors 82 ausgegeben wird, wird durch Mitkopplung zurück zur Basis des npn-Transistors 82 über einen Kondensator 84 geführt. Weiter sind die Anschlüsse T&sub1; und T&sub2; des Ein-Port-SAW- Resonators 9 zwischen den Basisanschlüssen der npn-Transistoren 81 und 82 über die Kondensatoren 88 und 89 geschaltet, um den Gleichstromfluss zu blockieren.
  • Auch bei dieser Ausführungsform sind die Kapazitäten der Kondensatoren 88 und 89 einander gleich, und die Kapazitäten der Kondensatoren 83 und 84 sind einander gleich (C&sub8;&sub8; = C&sub8;&sub9; und C&sub8;&sub3; = C&sub8;&sub4;), und, wenn die Parameter der Konstantstromquellen 85 und 86 und der npn-Transistoren 81 und 82 so gewählt werden, dass sie gleich sind, wird ein vollsymmetrischer Zustand erreicht, und die Oszillationsamplitude tritt in den Kollektoren der npn-Transistoren 81 und 82 nicht auf. Daher ist in diesem Fall ein Kondensator 90 (der in der gleichen Weise wie der Kondensator 8 in Fig. 3 arbeitet) zum Erden eines Spannungsanschlusses)1, so wie in Fig. 2 gezeigt ist, nicht erforderlich.
  • Auch bei dieser Ausführungsform wird durch Verwendung eines Differenzverstärkers und eines Ein-Port-SAW-Resonators und durch Verwendung von Elementen, die die gleichen Parameter wie die der ersten Ausführungsform haben, ein vollsymmetrischer Zustand festgelegt. Damit wird es möglich, ein Hochfrequenzsignal ohne Einstellungen und mit einem hohen Genauigkeitsgrad zu erzeugen.
  • Diese Oszillatorschaltungen sind für einen Fall geeignet, bei denen sie in einem Hochfrequenz-IC enthalten sind. Wenn insbesondere die Impedanz der Spannungsquelle und der Erdleiter nicht zufriedenstellend abgesenkt werden können, können die Oszillatorschaltungen in einem Fall verwendet werden, bei dem ein Hochfrequenzsignal mit einem hohen Genauigkeitsgrad und ohne Einstellungen erzeugt wird.
  • Obwohl bei der oben beschriebenen Ausführungsform ein npn-Transistor als aktives Element verwendet wird, der eine Differenzverstärker bildet, ist es möglich, einen pnp- Transistor oder eine FET zu verwenden.
  • Wie bis zu diesem Punkt beschrieben wird es gemäß des Oszillationsschaltung, die im Patentanspruch 1 beschrieben wurde, und dem Oszillationsverfahren, welches im Anspruch 13 beschrieben wurde, da das Ausgangssignal des Differenzverstärkers durch Mitkopplung zu seinem Eingang geführt wird und bewirkt wird, dass ein Ein-Port-SAW-Resonator, der mit den beiden aktiven Elementen verbunden ist, einen Oszillationsbetrieb auszuführen, möglich, ein Hochfrequenzsignal ohne Einstellungen und mit einem hohen Genauigkeitsgrad zu erzeugen, ohne durch Temperaturänderung und Alterung beeinträchtigt zu werden. Daher kann die vorliegende Erfindung beispielsweise bei einem Fall angewandt werden, bei dem ein zweites Zwischenfrequenzsignal eines digitalen Rundfunksatelliten erzeugt wird.
  • Es können viele verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ausgeführt werden, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen. Es soll verstanden werden, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die speziellen Ausführungsformen, die in dieser Anmeldung beschrieben wurden, beschränkt ist. Im Gegensatz dazu ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung verschiedene Modifikationen und äquivalente Anordnungen abdeckt, die im Rahmen der Erfindung enthalten sind, wie anschließend beschrieben wird. Der Rahmen der folgenden Ansprüche soll mit der breitesten Interpretation in Übereinstimmung stehen, um so alle solche Modifikationen, äquivalenten Strukturen und Funktionen zu umfassen.

Claims (16)

1. Oszillatorschaltung zum Erzeugen eines Hochfrequenzsignals, wobei die Oszillatorschaltung aufweist:
einen Differenzverstärker, der zumindest zwei aktive Elemente (61, 62; 81, 82) aufweist, die differentiell geschaltet sind;
eine Spannungsmitkopplungsschaltung (66, 67; 83, 84) zur Spannungsmitkopplung des Ausgangs des Differenzverstärkers zu dessen Eingang; und
einen Ein-Port-SAW-Resonator (9), der zwischen den beiden aktiven Elementen geschaltet ist; dadurch gekennzeichnet, dass
in der Rückkopplungsschaltung (66, 67; 83, 84) das Ausgangssignal von jedem der zumindest beiden aktiven Elemente (61, 62; 81, 82) zu einem unterschiedlichen Eingangsanschluss der zumindest beiden aktiven Elemente zurückgeführt wird
2. Oszillatorschaltung nach Anspruch 1, wobei die aktiven Elemente Bipolar-Transistoren (61, 62; 81, 82) sind.
3. Oszillatorschaltung nach Anspruch 2, wobei der Ein-Port-SAW-Resonator (9) zwischen den Kollektoren von zwei Bipolar-Transistoren (61, 62) geschaltet ist.
4. Oszillatorschaltung nach Anspruch 3, wobei der Ein-Port-SAW-Resonator (9) zwischen den Kollektoren der beiden Bipolar-Transistoren (61, 62) über separate Kondensatoren (68, 69) geschaltet ist, um den Gleichstromfluss zu blockieren.
5. Oszillatorschaltung nach Anspruch 3 oder 4, wobei die Spannungsmitführungsschaltung einen ersten Kondensator (66) aufweist, der den Kollektor eines ersten Bipolar- Transistors (62), der Teil des Differenzverstärkers ist, mit der Basis des zweiten Bipolar- Transistors (61) verbindet, der Teil des Differenzverstärkers ist; und
einen zweiten Kondensator (67), der den Kollektor des zweiten Bipolar-Transistors (61) mit der Basis des ersten Bipolar-Transistors (62) verbindet.
6. Oszillatorschaltung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die Kollektoren der beiden Bipolar-Transistoren (61, 62) jeweils mit einer Spannungsquelle (70) über zwei Lastimpedanzen (64, 65) verbunden sind, und die Emitter der beiden Bipolar-Transistoren (61, 62) miteinander verbunden sind, wobei der gemeinsame Verbindungspunkt über eine Konstantstromschaltung (63) geerdet ist.
7. Oszillatorschaltung nach Anspruch 3, wobei der Ein-Port-SAW-Resonator (9) zwischen den Kollektoren von zwei Bipolar-Transistoren (61, 62) über separate Kondensatoren (68, 69) geschaltet ist, um den Gleichstromfluss zu blockieren,
die Spannungsmitkopplungsschaltung zwei Kondensatoren (66, 67) für Spannungsmitkopplung aufweist, über die die Kollektoren der beiden Bipolar-Transistoren (61, 62) mit den Basisanschlüssen der anderen Transistoren (61, 62) verbunden sind,
die Kollektoren der beiden Bipolar-Transistoren (61, 62) jeweils mit einer Spannungsquelle (70) über ein Lastimpedanzpaar (64, 65) verbunden sind, und
die Kapazitäten der beiden Kondensatoren (68, 69) zum Blockieren des Gleichstromflusses so ausgeführt sind, dass sie einander gleich sind, die Kapazitäten der beiden Kondensatoren (66, 67) zur Spannungsmitkopplung so ausgeführt sind, dass sie einander gleich sind, und die Impedanzen der beiden Lastimpedanzen (64, 65) so ausgeführt sind, dass sie einander gleich sind.
8. Oszillatorschaltung nach Anspruch 2, wobei der Ein-Port-SAW-Resonator (9) zwischen den Basisanschlüssen der Bipolar-Transistoren (82, 82) geschaltet ist.
9. Oszillatorschaltung nach Anspruch 8, wobei der Ein-Port-SAW-Resonator (9) zwischen den Basisanschlüssen der beiden Bipolar-Transistoren (81, 82) über separate Kondensatoren (88, 89) geschaltet ist, um den Gleichstromfluß zu blockieren.
10. Oszillatorschaltung nach Anspruch 8, wobei die Spannungsmitkopplungsschaltung einen ersten Kondensator (83) aufweist, der den Emitter eines ersten Bipolar-Transistors (81), der Teil des Differenzverstärkers ist, mit der Basis des ersten Bipolar-Transistors (81) verbindet; und
einen zweiten Kondensator (84), der den Emitter eines zweiten Bipolar-Transistors (82), der Teil des Differenzverstärkers ist, mit der Basis des zweiten Bipolar-Transistors (82) verbindet.
11. Oszillatorschaltung nach Anspruch 8, 9 oder 10, wobei die Kollektoren der beiden Bipolar-Transistoren (81, 82) miteinander verbunden sind, wobei der gemeinsame Verbindungspunkt mit einer Spannungsquelle (91) verbunden ist, und die Emitter der beiden Bipolar-Transistoren (81, 82) jeweils über eine Konstantstromschaltung (85, 86) geerdet sind.
12. Oszillatorschaltung nach Anspruch 8, wobei der Ein-Port-SAW-Resonator (9) zwischen den Basisanschlüssen der beiden Bipolartransistoren (81, 82) über separate Kondensatoren (88, 89) geschaltet ist, um den Gleichstromfluß zu blockieren,
die Spannungsmitkopplungsschaltung zwei Kondensatoren (83, 84) zur Spannungsmitkopplung aufweist, wobei jeder der Kondensatoren (83, 84) den Emitter eines der beiden Bipolar-Transistorpaare (81, 82) mit der Basis des gleichen Transistors (81, 82) verbindet, und
die Kapazitäten des Kondensatoren (88, 89) zum Blockieren der Gleichstromflusses so ausgeführt sind, dass sie einander gleich sind, und die Kapazitäten der Kondensatoren (83, 84) zur Spannungsmitkopplung so ausgeführt sind, dass sie einander gleich sind.
13. Oszillatorverfahren zum Erzeugen eines Hochfrequenzsignals, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Spannungsmitkoppeln des Ausgangssignals eines Differenzverstärkers, der zumindest zwei aktive Elemente (61, 62; 81, 82) aufweist, die differentiell mit dessen Eingangsanschluss verbunden sind; und
Veranlassen, dass ein Ein-Port-SAW- Resonator, der zwischen den beiden aktiven Elementen (61, 62; 81, 82) geschaltet ist, einen Oszillatorbetrieb ausführt, dadurch gekennzeichnet, dass
im Rückkopplungsschritt das Ausgangssignal eines jeden des von zumindest zwei aktiven Elementen (61, 62; 81, 82) zu einem unterschiedlichen Eingang von zumindest zwei aktiven Elementen geführt wird.
14. Oszillatorverfahren nach Anspruch 13, wobei das Ausgangssignal von den beiden aktiven Elementen (61, 62; 81, 82) zum Ein-Port-SAW-Resonator (9) geliefert wird, nachdem die Gleichstromkomponenten beseitigt sind.
15. Oszillatorverfahren nach Anspruch 14, wobei die Spannungsmitkopplung in einer Weise durchgeführt wird, dass das Ausgangssignal vom Kollektor eines Bipolar-Transistors (62), der Teil des Differenzverstärkers ist, zur Basis eines zweiten Bipolartransistors (61), der Teil des Differenzverstärkers bildet, über einen ersten Kondensator (66) zurückgeführt wird, und dass das Ausgangssignal vom Kollektor des zweiten Bipolartransistors (61) zur Basis des ersten Bipolar-Transistors (62) über einen zweiten Kondensator (67) zurückgeführt wird.
16. Oszillatorverfahren nach Anspruch 14, wobei die Spannungsmitkopplung in einer Weise durchgeführt wird, dass das Ausgangssignal vom Emitter eines ersten Bipolar- Transistors (81), der Teil des Differenzverstärkers ist, zur Basis des ersten Bipolar-Transistors (81) über einen ersten Kondensator (83) zurückgeführt wird, und dass das Ausgangssignal vom Emitter des zweiten Bipolar-Transistors (839, der Teil des zweiten Differenzverstärkers ist, zur Basis des zweiten Bipolar-Transistors (82) über einen zweiten Kondensator (84) geführt wird.
DE69626166T 1995-10-06 1996-10-04 Oszillatorschaltung und -verfahren Expired - Lifetime DE69626166T2 (de)

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