DE69624209T2 - Halbleiterlaserquelle - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- -1 microlithography Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/02365—Fixing laser chips on mounts by clamping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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Description
- Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Laserquelle und insbesondere eine Struktur von Elementarmoduln, die durch mechanische Kompression zusammengespannt sind.
- In den 70er Jahren wurde vorgeschlagen, die günstigen Eigenschaften der Laserdioden (einfache, schnelle und direkte Modulation, hoher Wirkungsgrad der Umwandlung elektrischer Energie in Lichtenergie in einem engen Spektralband u. s. w.) für die Herstellung von Vorrichtungen zu nutzen, die hohe Leistungsdichten je Flächeneinheit erzeugen können. Hierzu wurden monolithische elementare Laserdioden zu Stapeln verschweißt, wie dies in Fig. 1 für den Fall von vier Elementardioden schematisch dargestellt ist. Man erkennt, daß die Dichte der emittierten Lichtleistung bei sonst gleichen Voraussetzungen umgekehrt proportional zur Höhe H der Elementardiode ist.
- Solche Vorrichtungen waren in den 70er Jahren von der Firma LASER DIODE LABORATORIES in zahlreichen Varianten auf den Markt gebracht worden, die sich durch die Anzahl der gestapelten Elemente und die Anzahl der zusammengefügten Stapel voneinander unterscheiden. Die elementaren Laserdioden waren Dioden mit einer einzigen Heterojunktion, die eine Dichte des Stromschwellwerts von etwa 10&sup4; A/cm² besaßen, was einen Betrieb mit kurzen Impulsen (typische Dauer 100 ns) und mit niedriger Wiederholfrequenz (typisch 1 kHz) erforderte. Solche Einheiten konnten Spitzenleistungen von einigen kW liefern. Eine von mehreren Anwendungen war die gepulste Beleuchtung von Szenen im nahen Infrarotbereich.
- Die Entwicklung von Laserdioden mit Quantensenke in den 80er Jahren hat eine deutliche Verbesserung ihrer Eigenschaften (Stromschwellwert und Differentialwirkungsgrad) und damit eine Erhöhung des Wirkungsgrads der Energieumwandlung gebracht, der bis zu 50% für lange Impulse (mehrere 100 us Dauer) oder für Dauerstrichbetrieb reichen konnte.
- Diese neuen Merkmale haben den Einsatz der Laserdioden beim Pumpen der Festkörperlaser angeregt, insbesondere vom Typ YAG:Neodym, als Ersatz für Blitzgeräte oder Leuchten mit einer Vergrößerung des Wirkungsgrads am Ausgang dieser Laser um einen Faktor > 10. Diese Vergrößerung beruht im wesentlichen auf der geringen spektralen Bandbreite (3 nm) der Laserdioden im Vergleich zu der der "weißen" Quellen.
- Der typische Betrieb, auch quasi-kontinuierlich oder QCW genannt, besteht in sogenannten "langen" Impulsen (von einigen hundert Millisekunden Dauer) und es ist auch sinnvoll, die Wiederholfrequenz über 100 Hz hinaus zu erhöhen, die mit Blitzgeräten erreicht wird. Produkte wurden beispielsweise von der Firma SPECTRA LASER DIODES in Form von hybriden Stapeln auf den Markt gebracht, wie sie in dem Aufsatz "High Power Diode Laser Arrays" von J. G. Endriz et al. beschrieben sind, der in der Zeitschrift IEEE J. Quantum Electron., 28(4), April 1992, Seiten 952 bis 965 veröffentlicht wurde. Der offensichtliche Zweck dieses Konzepts war, einen Betrieb mit hoher Wiederholfrequenz und somit bei hoher mittlerer Leistung zu erlauben. Hierzu werden die monolithischen Dioden in Leistenform mit einer Breite von typisch 1 cm auf Träger aus einem gut wärmeleitenden Material aufgelötet und bilden Elementarmoduln, die ihrerseits durch Löten auf einen gemeinsamen Träger in einer von der gewünschten Leistung abhängigen Anzahl zusammengefügt werden, wobei diese Moduln elektrisch in Reihe geschaltet sind.
- Ein solcher Aufbau hat zwei Nachteile, nämlich den hohen Preis der Einheit und eine durch die Höhe eines Elementarmoduls geometrisch begrenzte Dichte der emittierten Leistung.
- Die Druckschrift US-A-3 835 414 beschreibt einen Stapel von Laserdioden und von Trägerplatten für den Kontakt zwischen den verschiedenen Laserdioden. Aufgabe der Erfindung ist es, eine solche Struktur zu vereinfachen.
- Ziel der Erfindung ist es also in erster Linie, den Kostennachteil für bestimmte Anwendungen des Pumpens von Festkörperlasern zu beheben, die eine erhebliche Länge von Stapeln erfordern und daher wirtschaftlich nur bei einer erheblichen Verringerung der Herstellungskosten sinnvoll sind, aber keinen gepulsten Betrieb mit hoher Wiederholfrequenz erforderlich machen. Außerdem hat die Erfindung den Vorteil, eine Vergrößerung der Dichte der Sendeleistung zu ermöglichen.
- Die Kosten können in zwei Komponenten zerlegt werden:
- 1. Das "Front End", nämlich die kollektiven Technologien (Epitaxie der Materialien, Mikrolithographie, Metallbeschichtung der elektrischen Kontakte), verursacht Kosten pro Elementarvorrichtung, die sehr rasch mit der produzierten Zahl abnehmen, wie dies die ganze Geschichte der Siliziumelemente zeigt. Dies gilt offensichtlich auch für die Leisten von Diodenlasern.
- 2. Die Kosten am "Back End" bei der Zusammenfügung und der Verkapselung, überwiegen also umso mehr, je komplexer die realisierten Funktionen sind. Dies gilt für die heute im Handel befindlichen Stapel.
- Die Erfindung soll also die Kosten des Zusammenbaus durch eine Vereinfachung und Optimierung der Elementarmoduln und eine Vereinfachung ihres Zusammenbaus verringern. Dies bringt den Vorteil, daß die Höhe H des Elementarmoduls abnimmt und folglich eine Vergrößerung der Dichte der ausgesendeten Spitzenleistung im Impulsbetrieb erlaubt.
- Gegenstand der Erfindung ist also eine Halbleiter- Laserquelle mit einem Stapel von Halbleiter-Laserdioden, die je mindestens eine aktive Zone in Form einer Serie von Halbleiterschichten zwischen einer ohmschen Kontaktschicht und einem Substrat enthält, das auch als ohmsche Kontaktschicht wirkt, dadurch gekennzeichnet, daß sie Spannmittel aufweist, die die Dioden über ihre ohmschen Kontaktschichten in Kontakt miteinander halten.
- Nachfolgend wird die Erfindung anhand der beiliegenden Zeichnungen näher erläutert.
- Fig. 1 zeigt einen Stapel von Laserdioden gemäß dem Stand der Technik.
- Fig. 2 zeigt einen einfachen Modul mit einer Laserdiode.
- Fig. 3 zeigt einen Laserdiodenmodul in Verbindung mit einem Plättchen zur Wärmeableitung, wie dies im Stand der Technik bekannt ist.
- Fig. 4 zeigt ein vereinfachtes Beispiel eines Stapels von Laserdioden gemäß der Erfindung.
- Fig. 5 zeigt den zeitlichen Verlauf des in eine Laserdiode injizierten Stroms sowie die Veränderung der Temperatur der aktiven Zone der Diode.
- Fig. 6 zeigt den Verlauf der Spitzenleistung der Diode und der Temperatur der unteren Basis abhängig vom injizierten Strom.
- Fig. 7 zeigt den Verlauf der Wellenlänge des von der Diode emittierten Lichts und der Spektralbandbreite abhängig vom injizieren Strom.
- Fig. 8 zeigt ein Profil der mittleren Temperatur im Dauerbetrieb eines Laserdiodenstapels gemäß der Erfindung.
- Fig. 9 zeigt den Verlauf der Temperatur in einem hybriden Laserdiodenmodul während eines Impulses der Dauer τ.
- Fig. 10 zeigt ein Ausführungsbeispiel des Aufbaus eines Stapels von Laserdioden gemäß der Erfindung.
- Fig. 11 zeigt eine erfindungsgemäße Ausführungsvariante.
- Anhand der Fig. 2 bis 4 wird nun ein Ausführungsbeispiel eines Stapels von Laserdioden gemäß der Erfindung beschrieben.
- Die im Rahmen der Erfindung verwendeten Laserdioden sind vereinfachte Moduln, verglichen mit den in der Technik verwendeten Moduln.
- Gemäß Fig. 2 enthält eine Laserdiode nur eine monolithischen Halbleiterleiste, die wie weiter unten beschrieben dimensioniert ist. Diese Struktur wird als "einfacher Modul" bezeichnet. Eine solche Leiste enthält ein Substrat 5 aus Halbleitermaterial, eine aktive Zone 11, bestehend aus einer Reihe von Schichten, die mit einer ohmschen Kontaktschicht C1 bedeckt ist. Das Substrat S kann auch die Aufgabe einer ohm'schen Kontaktschicht erfüllen.
- Gemäß der Erfindung werden Moduln wie die aus Fig. 2 in einer gewissen Anzahl gestapelt, um eine Laserquelle L zu bilden, die in Fig. 4 gezeigt ist. Sie werden durch Einspannen zwischen zwei leitenden Bauteilen P2 und P3 gehalten. Das Bauteil P2 wird gegen die Laserquelle L durch eine Schraube V gedrückt, die sich gegen das Bauteil P1 abstützt. Die Bauteile P1 und P3 und damit die Bauteile P2 und P3 sind gegeneinander durch eine Isolierschicht DI elektrisch isoliert.
- Die Bauteile P2 und P3 können somit den Anregungsstrom dem Stapel L von Laserdioden zuführen.
- Hinsichtlich der Mittel, die den Stapel L zusammenspannen, sind zahlreiche Varianten denkbar.
- Die bisher vorgesehenen Goldschichten auf den Hauptflächen der Moduln verbessern den Kontakt zwischen den Moduln. Letztere sind nicht zusammengelötet.
- Während der Montage sind die Bauteile P2 und P3 voneinander entfernt, und die vorher geprüften Elementarmoduln werden nacheinander in Position gebracht, worauf die Spannschrauben angezogen werden. So werden die Moduln gleichzeitig mechanisch gehalten und elektrisch in Reihe geschaltet. Die Vorrichtung hat den Vorteil, daß sie für einen eventuellen Austausch von Moduln demontiert werden kann. Die Geometrie der Spannschrauben kann so gewählt sein, daß eine parallele Lage der Moduln durch Auflage ihrer Rückseite auf geeigneten Anschlägen gewährleistet wird.
- Die Anwendungen zum Pumpen von Festkörperlasern erfordern, daß die gewählte Betriebsweise keine Erweiterung des Spektralbands über die Spektralbandbreite des Nutzabsorptionsbands des verwendeten Ions ninaus bewirkt, beispielsweise 3 nm für das Neodym-Ion im YAG. Die Wellenlänge der von einer Diode ausgesendeten Welle variiert aber mit der Temperatur ihrer aktiven Zone, wobei der Gradient dλ/dT etwa den Wert von 0,3 nm/ºC für eine Wellenlänge von 808 nm besitzt, wie sie für das Neodym-Ion verwendet wird. Fig. 5 zeigt schematisch den Verlauf des injizierten Stroms (Fig. 5a) und der Temperatur der aktiven Zone (Fig. 5b) für eine gepulste Anregung. Hieraus geht hervor, daß der Temperaturanstieg ΔTm im gewählten Beispiel 10ºC nicht überschreiten darf. Die erfindungsgemäßen Vorrichtungen sind in dieser Hinsicht optimiert.
- Es sei angenommen, daß eine aktive Leiste aus einem Substrat (beispielsweise GaAs) gebildet ist, auf dem mehrere epitaxiale Schichten aufgebracht sind, die die aktive Zone bilden und optimiert sind. Die zu bestimmenden Parameter sind die Dicke des Substrats einer aktiven Leiste, die Art und die Dicke des Wärmeabfuhrelements im Fall eines hybriden Stapels sowie die Anzahl von Moduln.
- Nun werden die Parameter bestimmt, die die erfindungsgemäße Struktur kennzeichnen, damit maßvolle Temperaturerhöhungen und maximale Übergänge erreicht werden.
- Es sei ein Stapel von Moduln betrachtet, die entweder einfache, je aus einer monolithischen Leiste von Laserdioden gebildete Moduln oder hybride Moduln sind, die von einer Leiste aus Laserdioden und einer Kühlleiste aus gut wärmeleitendem Material bestehen (Silizium, Siliziumkarbid, Kupfer-Wolfram u. s. w.).
- Eine Zwischenlage aus einem geeigneten Material kann auf die Oberseite des Stapels gelegt werden, um die ganze Einheit symmetrisch zu machen.
- Die Außenseiten der äußersten Moduln werden als auf einer konstanten Bezugstemperatur liegend betrachtet.
- Man interessiert sich für einen Impulsbetrieb mit niedrigem Füllgrad:
- - Der injizierte Strom von etwa 120 A liefert eine optische Leistung von 100 W je Leiste, wobei dieser Höchstwert die Vorrichtung nicht schädigt.
- - Die Spannung an den Anschlüssen der aktiven Zone jeder Leiste beträgt 2 V.
- - Die Impulsdauer liegt in der Nähe von 100 us.
- - Die Wiederholfrequenz liegt unter 100 Hz, sodaß zwischen zwei aufeinanderfolgenden Impulsen die Temperatur in der Struktur Zeit hat, sich auszugleichen.
- Das Profil der mittleren Temperatur im Dauerbetrieb gemäß einer Achse senkrecht zur Ebene der Moduln ist in Fig. 8 schematisch dargestellt. Man kann einen Näherungsausdruck für ΔTm, den Maximalwert der Erwärmung im Zentrum der Struktur für einen hybriden Stapel angaben. Dieser Ausdruck gilt ab der Stapelung von einigen Moduln:
- ΔTm = F·τ·f·(H&sub1;/K&sub1; + H&sub2;/K&sub2;)·N·(N + 2)/8 (1)
- Hierbei gilt:
- - F ist der Spitzenwert des der in der aktiven Zone jeder Leiste erzeugten Wärmeflusses, beispielsweise 2 kW/cm² entsprechend Impulsen einer Spitzenleistung von 300 W, wobei von einem Energieumwandlungsgrad von 33% und einer Fläche der Leiste von 0,1 cm² ausgegangen wird.
- - τ ist die Dauer der Impulse, beispielsweise 100 us.
- - f ist die Wiederholfrequenz der Impulse, beispielsweise 10 Hz.
- - H&sub1; und H&sub2; bezeichnen die Dicke einer Leiste beziehungsweise des zugehöriger Wärmeabfuhrorgans. Diese Dickenwerte gleichen der halben Dicke des Substrats für einen einfachen Stapel, beispielsweise 100 um.
- - K&sub1; und K&sub2; sind die Wärmeleitwerte der betreffenden Materialien, wobei K&sub1; den Wert 0,46 W/cm/ºC für GaAs und K&sub2; den Wert 4,5 W/cm/ºC für SiC hat.
- - N ist die Anzahl der Elementarmoduln; beispielsweise gilt N = 10.
- Mit diesen Daten und im Fall eines einfachen Stapels erhält man einen Wert ΔTm = 1,3ºC, der gegenüber der Amplitude der transitorischen Temperatur vernachlässigt werden kann, die nun betrachtet wird.
- Während der Dauer eines Anregungsimpulses kommt zum oben erwähnten mittleren Profil ein transitorisches Profil hinzu, das einen zeitlichen Verlauf gemäß Fig. 9 besitzt, mit einer Periode entsprechend der von dem Stapel gebildeten periodischen Struktur. Sofern die Dicke der Materialien größer als die Diffusionsstrecke der Wärme ist, also
- Dicke ≥ (2)
- (50 um für τ = 100 us in GaAs), kann man die Materialien, durch die die Wärme abfließt, als unendlich ansehen, sodaß die Erhöhung der Temperatur ΔTc der aktiven Zone am Ende eines Impulses der Dauer τ folgenden Wert hat:
- K, τ und C sind die Wärmeleitwerte beziehungsweise die Volumenmasse und die Massenwärme der beiden Materialien zu beiden Seiten der aktiven Zone. Im Fall eines einfachen Stapels sind die Materialien 1 und 2 aus GaAS.
- Unter den bereits definierten Anregungsbedingungen erhält man folgende Ergebnisse:
- - Für einen einfachen Stapel: ΔTc = 12ºC; dies ist der Höchstwert, der nicht überschritten werden soll.
- - Für einen Hybridstapel mit SiC-Kühlleiste: ΔTc = 5ºC.
- Die oben angegebenen Formeln erlauben es, den Entwurf eines Stapels (Dickenwerte, Anzahl von Leisten u. s. w.) abhängig von der gewünschten Anwendung, beispielsweise von der gewünschten Sendeleistung und dem gewünschten Anregungsregime zu optimieren.
- Beispielsweise legt man einen Maximalwert der Übergangstemperatur ΔTc fest. Mit Hilfe der Formel (3) bestimmt man ein Wertepaar für F (Wärmefluß in der aktiven Zone) und τ (Dauer eines Impulses). Wählt man beispielsweise einen Wert für F, dann bestimmt man so eine Impulsdauer τ. Dann bestimmt man mit Hilfe der Formel (2) die minimale Dicke der Materialien zu beiden Seiten der aktiven Zone.
- ΔTc ist der Mindest-Spitzenwert der Erwärmung, der erreichbar ist. Eine Verringerung der Dicke des Substrats und der Dicke des Wärmeabfuhrorgans unter die Diffusionsstrecke für die Wärme während der gewünschten Impulsdauer würde ΔTc vergrößern, eine Vergrößerung dieser Dicke würde nicht ΔTc, sondern vielmehr die Dichte der Sendeleistung verringern.
- Als Beispiel sei ein Stapel von zehn Elementarleisten (einfache Moduln) betrachtet, die fachgerecht entworfen wurden, wobei die Abmessungen jeder Leiste wie folgt gewählt sind:
- - Dicke des Substrats aus GaAs: 100 um,
- - Breite: 1 cm,
- - Länge (in der Richtung der Laseremission): 1 mm,
- - optische Sendeleistung: 100 W für einen Strom von 120 A bei 2 V.
- Im Pulsbetrieb (100 us, 10 Hz) ist die mittlere Erwärmung vernachlässigbar und die Spitzenerwärmung liegt bei 12ºC, was für viele Anwendungen akzeptabel ist. Die Lichtemissionsleistung beträgt 1 kW für eine effektive Fläche von 0,1 cm².
- Betrachtet man Strukturen, bei denen die Wärmeabfuhr nur über die die Moduln einspannenden Bauteile und über die Seiten der Moduln erfolgt, dann muß die Wiederholfrequenz der Impulse beispielsweise auf 100 Hz für Impulse von 100 us Dauer und einen Stapel von 10 einfachen Moduln beschränkt werden.
- Man hat Strukturen in Betracht gezogen, in denen die Wärmeabfuhr nur über die die Moduln einspannenden Bauteile stattfindet. Dies begrenzt die Wiederholfrequenz der Impulse auf 100 Hz für eine Impulsdauer von 100 us und einen Stapel von zehn einfachen Moduln.
- Man kann auch, wie dies aus dem Stand der Technik bekannt ist, hybride Moduln in Betracht ziehen, in denen ein Wärmeabfuhrorgan eine größere Länge als die der monolithischen Leiste besitzt und deren hinterer Teil über den Stapel vorragt und als von einem zirkulierenden oder verdampfenden Fluid gekühlte Rippe wirkt. Eine solche Struktur verringert nicht nennenswert die transitorische Erwärmung, die durch den Wärmetransport senkrecht zur Ebene der Moduln begrenzt ist, aber sie erlaubt eine Verbesserung der mittleren Kühlung. Man kann also entweder eine Vergrößerung der Wiederholfrequenz oder eine Vergrößerung der Anzahl von Moduln im Stapel gegenüber den Werten für das gewählte Beispiel festlegen.
- Eine Vorrichtung, die den Stapel einspannt, wurde gemäß Fig. 10 realisiert.
- Die Merkmale eines Stapels von fünf Leisten sind in den Fig. 6 und 7 angegeben, die für einen Pulsbetrieb mit 100 us und 30 Hz das Merkmal P/I (Sendeleistung abhängig vom injizierten Strom) beziehungsweise den Verlauf der spektralen Bandbreite abhängig vom injizierten Strom zeigen.
- Diese Kurven bestätigen die oben angegebenen Schätzwerte.
- Die Vorrichtung enthält einen Sockel P3, auf dem ein Stapel L von Laserdioden liegt. Ein Spannglied P2 gleitet entlang eines ortsfesten Bauteils P1 und kann mit einer Schraube V1 den Stapel L einspannen. Das ortsfeste Bauteil P1 ist am Sockel P3 über eine Schraube V2 befestigt und gegenüber dem Sockel P3 durch eine Isolierplatte DI isoliert.
- Fig. 11 zeigt eine vereinfachte Ausführungsvariante, in der das Spannglied P2 eine Feder ist, die am ortsfesten Bauteil P1 befestigt ist und den Diodenstapel L gegen den Sockel P3 drückt. Das ortsfeste Bauteil P1 ist auf dem Sockel P3 über ein Isolierplättchen DI befestigt.
Claims (10)
1. Halbleiter-Laserquelle mit einem Stapel von
Halbleiter-Laserdioden, die je mindestens eine aktive Zone
(l1) in Form einer Serie von Halbleiterschichten zwischen
einer ohmschen Kontaktschicht (C1) und einem Substrat (S)
enthält, das auch als ohmsche Kontaktschicht wirkt, dadurch
gekennzeichnet, daß sie Spannmittel aufweist, die die Dioden
über ihre ohmschen Kontaktschichten in Kontakt miteinander
halten.
2. Laserquelle nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß für einen Höchstwert ΔTm der Erwärmung im Zentrum
des Laserdiodenstapels die Anzahl N von gestapelten Dioden
sich aus folgender Formel ergibt:
ΔTm = F·τ·f·(H&sub1;/K&sub1; + H&sub2;/K&sub2;)·N·(N + 2)/8
wobei gilt:
- F ist der Spitzenwert des in der aktiven Zone jeder
Leiste erzeugten Wärmeflusses,
- τ ist die Dauer de Impulse,
- f ist die Wiederholfrequenz der Impulse,
- H&sub1; und H&sub2; bezeichnen die Dicke einer Diode
beziehungsweise die Dicke eines Wärmeabfuhrplättchens,
- K&sub1; und K&sub2; sind die Wärmeleitwerte der Materialien der
Diode beziehungsweise des Wärmeabfuhrplättchens,
- N ist die Anzahl der gestapelten Dioden.
3. Laserquelle nach einem der Ansprüche 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Materialien zu
beiden Seiten der aktiven Zone jeder Diode (Substrat und
gegebenenfalls Wärmeabfuhrplättchen) größer/gleich der
Diffusionsstrecke der Wärme in jedem Material ist.
4. Laserquelle nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dicke jedes Materials größer/gleich
ist, wobei τ die Dauer eines Impulses ist, während K, ρ und
C der Wärmeleitwert, die Volumenmasse und die Massenwärme
der Materialien sind.
5. Laserquelle nach einem beliebigen der vorstehenden
Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß für einen Wert der
Temperaturerhöhung ΔTc einer aktiven Zone am Ende eines
Impulses der Wert eines Parameterpaars (F, τ) mithilfe der
folgenden Formel bestimmt wird:
wobei gilt:
- F ist der Spitzenwert des in der aktiven Zone jeder
Diode erzeugten Wärmeflusses,
- τ ist die Dauer der Impulse,
- K&sub1; und K&sub2;, ρ&sub1; und ρ&sub2;, C&sub1; und C&sub2; sind die Wärmeleitwerte
beziehungsweise die Volumenmassen und Massenwärmen der
Materialien, die eine aktive Zone umgeben,
und daß dann ausgehend vom Wert eines der Parameter F und τ
der Wert des anderen bestimmt wird, wobei der Wert von τ die
Bestimmung der Dicke der Materialien um die aktive Zone
einer Diode herum festlegt.
6. Laserquelle nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die aktive Laserschicht (l1) auf GaAs beruht.
7. Laserquelle nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die Spannmittel zwei Spannglieder (P2, P3)
enthalten, die elektrisch gegeneinander isoliert, aber mechanisch
miteinander gekoppelt sind, wobei eines bezüglich des
anderen beweglich ist.
8. Laserquelle nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß die ohm'schen Kontakte CO1, CO2) mit einer
elektrolytisch aufgebrachten Goldschicht versehen sind.
9. Laserquelle nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Stapel von Laserdioden weder verschweißt noch
verlötet ist.
10. Laserquelle nach einem der Ansprüche 1 und 2,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Materialien zu
beiden Seiten der aktiven Zone größer als die
Diffusionsstrecke der Wärme in jedem Material ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9508507A FR2736764B1 (fr) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | Source laser a semiconducteurs |
PCT/FR1996/001052 WO1997003487A1 (fr) | 1995-07-13 | 1996-07-05 | Source laser a semiconducteurs |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69624209D1 DE69624209D1 (de) | 2002-11-14 |
DE69624209T2 true DE69624209T2 (de) | 2003-07-10 |
Family
ID=9480975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69624209T Expired - Fee Related DE69624209T2 (de) | 1995-07-13 | 1996-07-05 | Halbleiterlaserquelle |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5978396A (de) |
EP (1) | EP0781463B1 (de) |
JP (1) | JP3869467B2 (de) |
DE (1) | DE69624209T2 (de) |
FR (1) | FR2736764B1 (de) |
WO (1) | WO1997003487A1 (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6295307B1 (en) * | 1997-10-14 | 2001-09-25 | Decade Products, Inc. | Laser diode assembly |
FR2793953B1 (fr) | 1999-05-21 | 2002-08-09 | Thomson Csf | Capacite thermique pour composant electronique fonctionnant en impulsions longues |
ES2191559B1 (es) | 2002-02-18 | 2005-02-01 | Monocrom, S.L. | Modulo laser. |
JP4037815B2 (ja) * | 2003-09-29 | 2008-01-23 | オムロンレーザーフロント株式会社 | レーザダイオードモジュール、レーザ装置、及びレーザ加工装置 |
JP2007512690A (ja) * | 2003-11-28 | 2007-05-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | ヒートシンクを備えた発光光電素子 |
JP4600733B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
DE502008002625D1 (de) | 2008-09-01 | 2011-03-31 | Iie Ges Fuer Innovative Industrieelektronik Mbh | Laserdioden-Anordnung |
DE102008049084A1 (de) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Jenoptik Laserdiode Gmbh | Wärmeableitmodul |
DE102009026413A1 (de) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Robert Bosch Gmbh | Halbleiterlasermodul und Herstellungsverfahren hierfür |
DE102011009018A1 (de) | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Betewis GmbH | Klemmtechnik für horizontale Montage von Laser-Dioden-Barren |
US8518814B2 (en) | 2011-12-02 | 2013-08-27 | Northrop Grumman Systems Corporation | Methods of fabrication of high-density laser diode stacks |
DE102014018821B4 (de) | 2014-12-19 | 2019-07-25 | Jenoptik Optical Systems Gmbh | Diodenlaserbefestigung |
CN106785921A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-31 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种机械安装的半导体激光器叠阵 |
CN106785920B (zh) * | 2016-12-29 | 2024-02-13 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种机械连接型的半导体激光器叠阵 |
CN107069434B (zh) * | 2017-03-13 | 2024-05-10 | 西安炬光科技股份有限公司 | 一种机械连接的半导体激光器叠阵 |
MX2022004405A (es) | 2019-10-17 | 2022-09-27 | Monocrom S L | Modulo de conexion laser. |
WO2021024046A1 (ru) * | 2020-04-16 | 2021-02-11 | Владимир ВАХ | Узел прибора терморегуляции полупроводникового лазера |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1096575A (en) * | 1965-04-14 | 1967-12-29 | Standard Telephones Cables Ltd | A mounting assembly for a semiconductor device |
US3835414A (en) * | 1972-03-24 | 1974-09-10 | Us Air Force | Gallium arsenide array |
JPS59165473A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
US4791634A (en) * | 1987-09-29 | 1988-12-13 | Spectra-Physics, Inc. | Capillary heat pipe cooled diode pumped slab laser |
JPH03209896A (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子用サブマウント |
-
1995
- 1995-07-13 FR FR9508507A patent/FR2736764B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-05 EP EP96924942A patent/EP0781463B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-05 DE DE69624209T patent/DE69624209T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-05 JP JP50555397A patent/JP3869467B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-05 US US08/793,749 patent/US5978396A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-05 WO PCT/FR1996/001052 patent/WO1997003487A1/fr active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2736764A1 (fr) | 1997-01-17 |
DE69624209D1 (de) | 2002-11-14 |
EP0781463A1 (de) | 1997-07-02 |
JPH10507318A (ja) | 1998-07-14 |
WO1997003487A1 (fr) | 1997-01-30 |
FR2736764B1 (fr) | 1997-08-08 |
EP0781463B1 (de) | 2002-10-09 |
JP3869467B2 (ja) | 2007-01-17 |
US5978396A (en) | 1999-11-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |