DE69601278T2 - Korrosionsbeständiger Druckwandler durch anorganischen Überzug im Hohlraum - Google Patents

Korrosionsbeständiger Druckwandler durch anorganischen Überzug im Hohlraum

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Description

    Korrosionsbeständiger Druckwandler durch anorganischen Überzug im Hohlraum Beschreibung Hintergrund der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft einen Mikrosensor, der rauhen Umgebungen ausgesetzt ist und einem entsprechenden Verfahren zur Herstellung.
  • Mikrosensorbauelemente bzw. Mikrosensorvorrichtungen sind bekannt und sind ein wesentliches Element bei der Prozeßsteuerung in analytischen Meßsystemen geworden. Mikrosensorvorrichtungen werden in vielen Anwendungen benutzt, inklusive Fertigungsüberwachung, Produktionsautomatisierung, in der Automobilindustrie, beim Transport, in der Telekommunikation, bei Computern und in der Robotik bzw. Robotertechnik, in der Umgebungsüberwachung, Gesundheitsvorsorge und bei Haushaltsgeräten. Es wird immer wichtiger, daß Mikrosensorvorrichtungen verläßlich in rauhen Medien funktionieren, wie insbesondere in starken Chemikalien (beispielsweise polare und nichtpolare Lösungen, saure Lösungen und alkalische Lösungen), bei extremen Temperaturen und extremen Drücken. Solange Mikrosensoren nicht entsprechend geschützt werden, können diese rauhen Bedingungen die Funktion bzw. die Leistung der Mikrosensoren verschlechtern und zerstören.
  • Typischerweise wird in Drucksensoranwendungen in rauhen Medien die Mikrosensorvorrichtung von den rauhen Medien durch Benutzung einer Metalldiaphragma / Silikonöltransfermedientechnik (metal diaphragm / silicone oil transfer media techniques) isoliert. Diese Lösung hat verschiedene Nachteile, die hohe Kosten, niedrigere Sensitivität und beeinträchtigte Leistung über Temperaturextreme beinhaltet. Andere Lösungen beinhalten das Beschichten der Drucksensorvorrichtung und der Umhüllung, die die Vorrichtung enthält, mit einer gleichmäßigen organischen Beschichtung, wie beispielsweise einer Polyparaxylylen- Beschichtung (beispielsweise Parylene®). Diese Lösung hat einen Nachteil, da organische Beschichtungen bezüglich der Medienbedingungen (wie beispielsweise Zusammensetzung, Zeit, Temperaturextreme, Druckextreme) begrenzt sind, die ein Hersteller dieser aussetzen kann, ohne daß die darunterliegende Mikrosensorvorrichtung beschädigt wird.
  • Wie schon klargeworden ist, werden Strukturen bzw. Konstruktionen und Verfahren benötigt, die die Mikrosensorvorrichtungen vor rauhen Medien schützen, die einer großen Vielzahl von Medienbedingungen widerstehen, die kostengünstig sind und die eine erhöhte Verläßlichkeit aufweisen.
  • Ein entsprechender Mikrosensor ist durch Anspruch 1 gegeben und ein entsprechendes Herstellungsverfahren durch Anspruch 7.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1 stellt eine vergrößerte Querschnittsdarstellung eines medienkompatiblen Mikrosensors gemäß der vorliegenden Erfindung dar;
  • Fig. 2 stellt eine vergrößerte Querschnittsdarstellung einer Ausführungsform eines Mikrosensors gemäß der vorliegenden Erfindung dar;
  • Fig. 3 stellt eine vergrößerte Querschnittsdarstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines medienkompatiblen Mikrosensors gemäß der vorliegenden Erfindung dar;
  • Fig. 4 stellt eine vergrößerte Querschnittsdarstellung einer zusätzlichen Ausführungsform eines medienkompatiblen Mikrosensors gemäß der vorliegenden Erfindung dar; und
  • Fig. 5 stellt ein Blockdiagramm dar, das eine Apparatur zur Benutzung eines Mikrosensors gemäß der vorliegenden Erfindung repräsentiert.
    • Detaillierte Beschreibung der Zeichnungen
  • Die vorliegende Erfindung läßt sich besser unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 5 zusammen mit der folgenden detaillierten Beschreibung verstehen.
  • Fig. 1 illustriert eine vergrößerte Querschnittsdarstellung eines medienkompatiblen Mikrosensors 11 gemäß der vorliegenden Erfindung. Mikrosensor 11 ist ein Drucksensor (beispielsweise eine piezoresistive Drucksensorvorrichtung). Der Mikrosensor 11 weist ein Mikrosensorgehäuse oder Gehäuse 12, einen Anschlußrahmen 13, einen Anschlußdraht 14, eine Mikrosensorvorrichtung 16, die mit dem Mikrosensorgehäuse 12 verbunden ist, und eine anorganische Schutzbeschichtung oder -schicht 17 auf. Im Rahmen dieser Erfindung umfaßt Gehäuseeinrichtung auch die Begriffe Gehäuse, Mikrosensorgehäuse und Montagemittel.
  • Die anorganische Schutzbeschichtung 17 bedeckt diejenigen Oberflächen des Mikrosensorgehäuses 12, des Anschlußrahmens 13, des Anschlußdrahtes 14 und der Mikrosensorvorrichtung 16, die einem rauhen Medium ausgesetzt sein werden, sofern der Mikrosensor 11 in Kontakt mit dem rauhen Medium gesetzt wird. In anderen Worten schützt die anorganische Schutzbeschichtung 17 diejenigen Teile des Mikrosensors 11, die dem rauhen Medium ausgesetzt sind. Typischerweise ist nur ein Teil des Anschlußrahmens 13 bedeckt, so daß Anschlußrahmen 13 effektiv mit Überwachungs- und Energieversorgungseinrichtungen verbunden werden kann.
  • Der Mikrosensor 11 ist mit anorganischer Schutzbeschichtung 17 gezeigt, die den größten Teil der äußeren Oberflächen der Struktur bedeckt. Abhängig von der Anwendung bedeckt die anorganische Schutzbeschichtung 17 nur einen Teil der äußeren Oberflächen. Beispielsweise ist es lediglich notwendig, die oberen Oberflächen 22 mit der anorganischen Schutzbeschichtung 17 in Anwendungen zu bedecken, in denen die oberen Oberflächen 22 des Mikrosensors 11 mit den rauhen Medien in Kontakt tritt. In entsprechender Weise benötigen in den Anwendungen, in denen die unteren Oberflächen 23 den rauhen Medien ausgesetzt werden, lediglich die unteren Oberflächen 23 eine Bedeckung. Sofern obere Oberflächen 22 und untere Oberflächen 23 rauhen Medien ausgesetzt werden, bedeckt die anorganische Schutzbeschichtung 17 bevorzugt sowohl die obere Oberfläche 22 als auch die untere Oberfläche 23.
  • Anschlußrahmen 13 und Anschlußdraht 14 zusammen sind ein Beispiel einer leitfähigen Struktur zum Befördern von Signalen zu und von der Mikrosensorvorrichtung 16. Andere Beispiele beinhalten Flip-Chip-, Bump- (erhöhter Kontaktierungsflecken) und automatische Abgreifverbindungs- (tap automated bonding (TAB)) Strukturen. In der Ausführungsform, die in Fig. 1 dargestellt ist, ist der Anschlußrahmen 13 vollständig in einen Teil des Mikrosensorgehäuses 12 gegossen. Mikrosensor 11 beinhaltet typischerweise mehrere Anschlußdrähte und Anschlüsse in Abhängig von dem Grad der Schaltkreistechnik bzw. der Schaltungskomplexität auf der Mikrosensorvorrichtung 16.
  • Typischerweise umfaßt das Mikrosensorgehäuse 12 ein Metall, Plastik oder Verbundmaterial. Das für das Mikrosensorgehäuse 12 ausgewählte Material hängt von der spezifischen Anwendung der Medienzusammensetzung und den Kostenzwängen ab. In Drucksensoranwendungen umfaßt das Mikrosensorgehäuse 12 typischerweise ein Hochtemperatur- oder hochentwickeltes bzw. technisches (engineering) Thermoplastik, Polyester, Nylon oder ein Epoxidspritzgießmaterial oder eine Epoxidformmasse, wie beispielsweise ein füllstoffreies Epoxid oder ein mit Silicamasse gefülltes Epoxid. Derartige Materialien sind sehr wohl bekannt im Stand der Technik. Das Mikrosensorgehäuse 12 ist mit einer Apertur oder einem Loch 18 dargestellt, um Zugriff auf eine Seite der Mikrosensorvorrichtung 16 zur Benutzung in Differenzdruckanwendungen vorzusehen.
  • Die Mikrosensorvorrichtung 16 umfaßt typischerweise ein Halbleitermaterial und ist mit dem Mikrosensorgehäuse 12 durch Benutzung beispielsweise einer Kontaktierschicht 21 verbunden oder kontaktiert. Die Kontaktierschicht 21 umfaßt ein Bleiglas (lead glass), ein weiches Lot bzw. Lötmetall oder Lötmittel (beispielsweise ein Pb/Sn-Lot), ein Epoxid oder ein Silicon. Der Anschlußrahmen 13 umfaßt typischerweise Kupfer, eine Kupferlegierung oder eine Nickellegierung (beispielsweise Legierung 42, Kovar oder Invar). Optional beinhaltet der Anschlußrahmen 13 eine selektiv platierte oder galvanisierte Metallschicht (beispielsweise Gold). Der Anschlußdraht 14 umfaßt beispielsweise Gold oder Aluminium. Diese Materialien und Verfahren des Montierens bzw. Zusammenbauens sind im Stand der Technik bekannt.
  • Die anorganische Schutzbeschichtung 17 umfaßt ein anorganisches Material, das im wesentlichen nicht reaktiv ist (d.h. mit einer vernachlässigbaren Rate reagiert), und zwar zu dem Medium, dem die Mikrosensorstruktur 11 ausgesetzt ist. Die anorganische Schutzbeschichtung 17 umfaßt bevorzugterweise ein anorganisches dielektrisches Material, wie beispielsweise ein Siliciumoxid, ein Siliciumoxynitrid (silicon oxy-nitride), ein Siliciumnitrid, ein Siliciumcarbid, ein Siliciumoxycarbid (silicon oxy-carbide) oder Kombinationen davon. Das Material, das für die anorganische Schutzbeschichtung 17 ausgewählt wird, hängt von den Medienbedingungen (beispielsweise Zusammensetzung, Dauer der Exposition, Temperaturextremwerte und Druckextremwerte), denen der Mikrosensor 11 ausgesetzt wird, ab.
  • Wenn beispielsweise der Mikrosensor 11 einer alkalischen Umgebung (beispielsweise Blut, Salzwasser, Detergenzien bzw. einem Reinigungsmittel oder Natriumhydroxid (NaOH)) ausgesetzt ist, umfaßt die anorganische Schutzbeschichtung 17 vorzugsweise Siliciumnitrid oder Siliciumcarbid. In polaren Lösungsmittelumgebungen (beispielsweise Äthanol, Methanol), nichtpolaren Lösungsmittelumgebungen (beispielsweise Toluen, Toluol, Methylbenzol bzw. Phenylmethan oder Isooctan) oder sauren Umgebungen (beispielsweise schwefelsaurer, salpetersaurer) umfaßt die anorganische Schutzbeschichtung 17 eine der oben aufgelisteten anorganischen Materialien.
  • In dem Ausführungsbeispiel, das in Fig. 1 dargestellt ist, wird die anorganische Schutzbeschichtung 17 nach Kontaktierung der Mikrosensorvorrichtung 16 mit dem Mikrosensorgehäuse 12 und Kontaktierung des Anschlußdrahtes 14 mit der Mikrosensorvorrichtung 16 und dem Anschlußrahmen 13 gebildet. Mit anderen Worten wird die anorganische Schutzbeschichtung 17 in einem Montagezustand bzw. in einer Montagestufe (package level) gebildet. An diesem Punkt im Verfahren sind Temperaturbetrachtungen wichtig, da erhöhte Temperaturen auf schädliche Weise die Gehäuse- und Kontaktiermaterialien beeinflussen.
  • Bevorzugterweise wird ein plasmaverstärktes chemisches Aufdampfverfahren (PECVD) benutzt, wenn die anorganische Schutzbeschichtung 17 in der Montagestufe bzw. in einer montierten Stufe bei niedrigen Temperaturen (weniger als 200ºC) gebildet wird.
  • Vorzugsweise wird die anorganische Schutzbeschichtung 17 durch Benutzung eines Raumtemperatur-PECVD-Verfahrens hergestellt. Ein derartiges Verfahren wird beispielsweise in kommerziell verfügbaren PECVD-Anlagen (beispielsweise eine Ionic Systems ColdCoatTM Kammer, die von Ionic Systems, Salinas, Kalifornien bezogen werden kann), durchgeführt. Das Raumtemperaturverfahren wird bevorzugt, da dieses verhindert, daß die Kontaktier- und Gehäuse- bzw. Montagemateriafien erhöhten Temperaturen ausgesetzt werden. Außerdem erlaubt es dem Hersteller, die Vorrichtung bzw. das Bauelement in einem Verfahren zu beschichten. Zusätzlich haben die Schichten, die bei Raumtemperatur- PECVD aufgebracht wurden, wenig Spannung. Alternativ wird die anorganische Schutzbeschichtung 17 durch Benutzung von Ionen- Platieren, Ionen unterstützte Verdampfung oder Ionen unterstützte Zerstäubungs- (Sputtering) Techniken gebildet. Derartige Techniken sind im Stand der Technik bekannt.
  • Die Dicke der anorganischen Schutzbeschichtung 17 hängt von dem Material für die anorganische Schutzbeschichtung 17 und dem Wesen der rauhen Medien ab (wie beispielsweise der Zusammensetzung, der Dauer der Exposition, den Temperaturextremwerten, den Druckextremwerten).
  • Typischerweise hat die anorganische Schutzbeschichtung 17 eine Dicke im Bereich von ungefähr 1.000 bis 10.000 Å, sofern die anorganische Schutzbeschichtung 17 Siliciumnitrid umfaßt. Sofern die anorganische Schutzbeschichtung 17 Siliciumnitrid umfaßt, umfaßt der Anschlußdraht 14 vorzugsweise Aluminium, um eine gute Adhäsion zwischen den Materialien vorzusehen.
  • Sofern die Mikrosensorvorrichtung 16 einen piezoresistiven Drucksensor umfaßt, kann der Zusatz einer anorganischen Schutzbeschichtung 17 die Ausgangscharakteristiken der Drucksensorvorrichtung beeinflussen. Dieses bedeutet, daß die Drucksensorvorrichtung eine Anpassung benötigen kann, um die Anwesenheit der zusätzlichen Schicht oder Schichten auf dem fühlenden Element bzw. Reizaufnahmeelement zu kompensieren. Eine derartige Einstellung wird entweder vor oder nach Aufbringen der anorganischen Schutzbeschichtung 17 mittels bekannter Laserabgleichtechniken von Abgleichwiderständen, die auf der Drucksensorvorrichtung vorliegen, durchgeführt. Bevorzugterweise folgt der Abgleich der Bildung der anorganischen Schutzbeschichtung 17. Dieses wird einfach durch Kenntnis des Refraktionsindex und des Absorptionskoeffizienten des anorganischen Materials und Einstellen des Lasers entsprechend erreicht dergestalt, daß die Laserenergie durch das Widerstandsmaterial absorbiert wird und nicht durch die anorganische Schutzbeschichtung 17.
  • Die Ausführungsform, die in Fig. 1 dargestellt ist, hat mehrere Vorteile gegenüber den Mikrosensorstrukturen des Standes der Technik, die organische Schutzbeschichtungen oder Metalldiaphragmen aufweisen. Als erstes haben anorganische Schutzbeschichtungen verbesserte Sperrschichtcharakteristika als organische Beschichtungen (d.h. sie haben eine wesentliche niedrige Permeabilität). Außerdem sind aufgrund dessen, daß anorganische Beschichtungen verbesserte Sperrschichtcharakteristika im Vergleich zu organischen Beschichtungen aufweisen, dünnere Beschichtungen möglich, wodurch der Einfluß auf die Mikrosensorvorrichtungscharakteristika verringert wird. Zusätzlich erlaubt eine anorganische Schutzbeschichtung dem Hersteller, die Mikrosensorvorrichtung in eine größere Vielzahl von Medien zu plazieren. Außerdem ermöglicht der Mikrosensor 11 eine kostengünstige und verläßliche Alternative zu Metalldiaphragmastrukturen, da der Mikrosensor 11 geprüfte und existierende Herstellungstechniken benutzt.
  • Fig. 2 zeigt eine vergrößerte Querschnittsdarstellung einer Ausführungsform eines Mikrosensors oder einer Drucksensorvorrichtung 26 gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Drucksensorvorrichtung 26 umfaßt typischerweise ein Halbleitermaterial (beispielsweise Silicium) und beinhaltet einen Hohlraum 27, der sich von einer ersten Haupt- oder unteren Oberfläche 28 der Drucksensorvorrichtung 26 erstreckt. Der Hohlraum 27 weist Seitenwände 29 und eine obere Oberfläche 31 auf Die obere Oberfläche 31 und die zweite Hauptfläche 32 bilden ein Diaphragma 33. Der Hohlraum 27 wird durch wohlbekannte Herstellungstechniken gebildet bzw. hergestellt. Das Diaphragma 33 hat eine Länge 39 über den Hohlraum 27 von typischerweise in einem Bereich von 0,7 bis 2,9 mm. Eine Transducer 34 (beispielsweise eine piezoresistive Struktur) ist angrenzend zu der zweiten Hauptoberfläche 32 gebildet. Der Transducer 34 umfaßt beispielsweise eine diffundierte Dehnmeßstreifen-(diffused strain gauge) Konfiguration. Eine derartige Konfiguration ist im Stand der Technik bekannt.
  • Typischerweise ist ein Teil der zweiten Hauptoberfläche 32 durch eine Passivierungsschicht 36 wie beispielsweise ein Siliciumoxid bedeckt. Die Passivierungsschicht 36 hat typischerweise eine Dicke in der Größenordnung von 1.000 bis 5.000 Å. Die ohmsche Schicht 38 stellt einen Kontakt zum Transducer 34 zur Verfügung. Die Passivierungsschicht 36 und die ohmsche Schicht 38 sind durch bekannt Verfahrenstechniken hergestellt.
  • In diesem Ausführungsbeispiel umfaßt die Drucksensorvorrichtung 26 ein Halbleitermaterial oder ein Chipteil 41 und einen Rand- oder Trägerteil (constraint or support portion) 42. Der Halbleitermaterialteil 41 und Randteil 42 weisen bevorzugterweise das gleiche Material (beispielsweise Silicium) auf. Der Halbleitermaterialteil 41 ist mittels der Kontaktierschicht 43 mit dem Randteil 42 kontaktiert bzw. gebonded. Typischerweise umfaßt die Kontaktierschicht 43 ein Frittenglas (frit glas) wie beispielsweise ein anorganisches Oxidglas mit niedrigem Schmelzpunkt (beispielsweise Bleioxid oder Boroxid). Das Halbleitermaterial 41 wird mit dem Randteil 42 bei Temperaturen von bevorzugt unter 450ºC kontaktiert, um eine Beschädigung jeglicher elektronischer Schaltkreise, die auf der Drucksensorvorrichtung 26 angeordnet sind, zu vermeiden. Optional weist die Drucksensorvorrichtung 26 lediglich den Halbleitermaterialteil 41 auf.
  • Um einen medienkompatiblen Mikrosensor zur Verfügung zu stellen, wird die anorganische Schutzbeschichtung oder Schicht 37 auf den Seitenwänden 29 und die obere Oberfläche 31 des Hohlraums 27 gebildet.
  • Die anorganische Schutzbeschichtung 37 wird nach der Herstellung der Hohlraumätzung gebildet. D.h., daß die anorganische Schutzbeschichtung 37 bei einer Wafer-oder Chipstufe gebildet wird. Die anorganische Schutzbeschichtung 37 umfaßt bevorzugterweise die gleichen anorganischen dielektrischen Materialien wie die anorganische Schutzbeschichtung 17. Bevorzugterweise wird die anorganische Schutzbeschichtung 37 bei Niedrigtemperatur- (niedriger als 450ºC)- PECVD-Verfahrenstechniken gebildet. Derartige Verfahrenstechniken sind im Stand der Technik bekannt. Mit PECVD aufgebrachte Schichten sind bevorzugt, da diese eine gleichmäßige Bedeckung zur Verfügung stellen und diese typischerweise weniger Spannungen aufweisen im Vergleich zu anderen aufgebrachten und gewachsenen anorganischen Schichten.
  • Außerdem könnte die anorganische Schutzbeschichtung 37 auch ein Metall wie Aluminium, Gold, Platin, Vanadium, Wolfram, Titan, Chrom, Nickel, deren Silicide oder Kombinationen davon umfassen, da die anorganische Schutzbeschichtung 37 bei einer Waferstufe (Verfahrensstufe, in der der Wafer vorliegt) hergestellt wird. Das ausgewählte Metall oder Silicid hängt von der Zusammensetzung der rauhen Medien ab. Beispielsweise umfaßt die anorganische Schutzbeschichtung 37 bevorzugterweise Gold oder Platin in einem alkalischen Medium. Sofern die anorganische Schutzbeschichtung 37 ein Metall umfaßt, hat die anorganische Schutzbeschichtung 37 bevorzugterweise eine Dicke in einem Bereich von 2.500 bis 15.000 Å und ist durch bekannte Sputter bzw. Zerstäubungs- oder Verdampfungstechniken hergestellt.
  • Optional wird die anorganische Schutzbeschichtung 37 auch auf der ersten Hauptoberfläche 28 und Teilen der Passivierungsschicht 36 gebildet. Sofern die Passivierungsschicht 36 nicht benutzt wird, wird die anorganische Schutzbeschichtung 37 auf Teilen der zweiten Hauptoberfläche 32 gebildet. In beiden Ausführungsformen bedeckt die anorganische Schutzbeschichtung 37 nicht die gesamte ohmsche Schicht 38 oder andere ohmsche Schichten, sofern diese ein anorganisches Dielektrikum aufweist, um Kontaktwiderstände oder Kontaktierprobleme mit den Verbindungsdrähten zu vermeiden. Sofern die anorganische Schutzbeschichtung 37 ein Metall umfaßt, kontaktiert die anorganische Schutzbeschichtung 37 nicht die ohmsche Schicht 38, um Kurzschlußprobleme zu vermeiden. Bevorzugterweise wird eine dielektrische Zwischenschicht benutzt, um die anorganische Schutzbeschichtung 37 von der ohmschen Schicht 38 und der zweiten Hauptoberfläche 32 zu trennen, sofern die anorganische Schutzbeschichtung 37 ein Metall oder ein Silicid aufweist.
  • Es ist wichtig für die anorganische Schutzbeschichtung 37, die Seitenwände 29 genauso wie die obere Oberfläche 31 zu bedecken, sofern der Hohlraum 27 einem Medium ausgesetzt ist, das das Material, aus dem die Drucksensorvorrichtung 26 hergestellt ist, ätzt. Dieses liegt darin begründet, daß die Drucksensorsensitivität und Linearität durch die Dicke des Diaphragmas 33, die Länge 39 und den Ort des Transducers 34 im Verhältnis zur Kante des Diaphragmas 33 bestimmt wird und jegliche Änderungen in diesen Faktoren die Bauelementleistung beeinflussen können. Bei moderaten Druckbereichen (10-700 kPa) ist der optimale Ort des Transducers 34 an der Kante des Diaphragmas 33, da dieses im Verhältnis zum Diaphragma 33 der Ort maximaler Spannung ist.
  • Sofern die Drucksensorvorrichtung 26 Silicium umfaßt und das Medium eine alkalische Umgebung umfaßt, kann ein signifikantes Siliciumätzen hervorgerufen werden. Silicium wird anisotrop in alkalischen Lösungen geätzt und das Ätzen kann, sofern es ungeschützt bleibt, sowohl in einem Verdünnen des Diaphragmas 33 und einer Vergrößerung der Länge 39 resultieren. Eine Verdünnung des Diaphragmas 33 verschlechtert die anfängliche Vorrichtungs- bzw. Bauelementsensitivität und -linearität durch die Exposition des alkalischen Mediums hindurch. Außerdem verändert eine Vergrößerung der Länge 39 sowohl die Diaphragmalänge als auch die relative Lokation des Transducers, was zusätzlich zu einer Verschlechterung der Sensitivität und Linearität führt.
  • Beispielsweise kann in einer alkalischen Lösung mit einem PH-Wert von 13 die Länge 39 um 42 Mikrometer während einer Exposition von 100 Stunden sich ändern, was eine Änderung von 1 bis 4% abhängig von der Größe der Länge 39 bei typischen Drucksensorvorrichtungen bedeutet. In einigen Drucksensordesigns resultiert diese Änderung in einem Verlust von 7% in der Sensitivität und einer 57%-igen Erhöhung des Linearitätsfehlers nach 360 Stunden der Exposition bei einem PH-Wert von 13 und einer Temperatur von 85ºC. Die Anwesenheit der organischen Schutzbeschichtung 37 auf der oberen Oberfläche 31 und den Seitenwänden 29 verhindert eine derartige Degradation.
  • In Absolutdruckanwendungen ist der Restteil 42 ein angrenzender Teil. D.h., daß der Restteil 42 den Hohlraum 27 abdichtet bzw. abschließt. In Absolutdruckanwendungen ist der Montagestufenzugang, die Montagestufenlösung bzw. die Annäherung unter die Montagestufe bevorzugt, da der Randteil 42 das Diaphragma 33 und die Seitenwände 29 von den rauhen Medien isoliert oder puffert.
  • Fig. 3 zeigt eine vergrößerte Querschnittsdarstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels eines medienkompatiblen Mikrosensors gemäß der vorliegenden Erfindung. Der Mikrosensor 51 entspricht der Mikrosensorstruktur 11 mit der Ausnahme der Mikrosensorvorrichtung 56. Entsprechend der Mikrosensorvorrichtung 26 beinhaltet die Mikrosensorvorrichtung 56 eine erste anorganische Schutzschicht oder Beschichtung 57, die Teile der Vorrichtung bedeckt. Die Mikrosensorstruktur 51 weist ferner eine zweite oder eine zusätzliche anorganische Schutzbeschichtung 67 auf, die exponierte oder äußere Oberflächen der Mikrosensorstruktur 51 bedeckt. In Abhängigkeit der Anwendung bedeckt die zweite anorganische Schutzbeschichtung 67 Teile des Mikrosensorgehäuses 52, die oberen und Seitenoberflächen der Mikrosensorvorrichtung 56, einen Teil des Anschlußrahmens 53 und den Verbindungsdraht 54, und/oder die unteren Oberflächen der Mikrosensorvorrichtung 56.
  • Bevorzugterweise umfaßt die zweite anorganische Schutzbeschichtung 67 ein anorganisches dielektrisches Material, wie ein Siliciumoxid, ein Siliciumoxynitrid, ein Siliciumnitrid, ein Siliciumcarbid oder ein Siliciumoxycarbid. Das ausgewählte Material hängt von den Medienbedingungen ab, denen die Mikrosensorstruktur 51 ausgesetzt ist. Die erste anorganische Schutzbeschichtung 57 und die zweite anorganische Schutzbeschichtung 67 sind die gleichen oder unterschiedliche Materialien. Die zweite anorganische Schutzbeschichtung 67 wird beispielsweise durch Benutzung der gleichen Techniken wie bei der anorganischen Schutzbeschichtung 17 hergestellt.
  • Fig. 4 zeigt eine vergrößerte Querschnittsansicht eines weiteres Ausführungsbeispiels eines medienkompatiblen Mikrosensors 71. Der Mikrosensor 71 entspricht dem Mikrosensor 11 mit der Ausnahme, daß der Mikrosensor 71 eine erste Schutzbeschichtung 171 unterhalb einer zweiten Schutzbeschichtung 172 aufweist. In einem Ausführungsbeispiel umfaßt die erste Schutzbeschichtung 171 eine organische Schutzbeschichtung wie beispielsweise eine Polyparaxylylenbeschichtung (beispielsweise Parylene®) und wird durch Benutzung bekannter Niedrigtemperaturverfahrenstechniken aufgebracht. In diesem Ausführungsbeispiel umfaßt die zweite Schutzbeschichtung 172 eine anorganische Schutzbeschichtung wie beispielsweise ein Siliciumoxid, ein Siliciumoxynitrid, ein Siliciumnitrid, ein Siliciumcarbid, ein Siliciumoxycarbid oder Kombinationen davon. Außerdem kann die zweite Schutzbeschichtung Aluminium, Gold, Platin, Vanadium, Wolfram, Titan, Chrom, Nickel, deren Silicide oder Kombinationen davon aufweisen. Bevorzugterweise umfaßt die anorganische Schutzbeschichtung 172 ein Material mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten TCE (thermal coefficient of expansion), das nahe dem darunterliegenden Material liegt.
  • In einer alternativen Ausführungsform umfaßt die erste Schutzbeschichtung 171 eine anorganische Schutzbeschichtung wie ein Siliciumoxid, ein Siliciumoxynitrid, ein Siliciumnitrid, ein Siliciumcarbid oder ein Siliciumoxycarbid. In dieser alternativen Ausführungsform umfaßt die zweite Schutzbeschichtung 172 eine organische Schutzbeschichtung wie eine Polyparaxylylenbeschichtung (beispielsweise Parylene®). Die Kombination von anorganischen und organischen Schutzbeschichtungen stellt eine Mikrosensorstruktur zur Verfügung, die im Stande ist, eine Exposition mit einer großen Vielzahl von Medien auszuhalten.
  • Fig. 5 stellt ein Blockdiagramm dar, das eine Apparatur 80 repräsentiert, die eine Mikrosensorstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung benutzt, um die Umgebungsbedingungen in einem rauhen Medium zu messen. Die Apparatur 80 umfaßt eine Vorrichtung 82, die ein rauhes Medium beinhaltet, das eine meßbare Umgebungsbedingung aufweist. Beispielsweise umfaßt die Vorrichtung 82 ein Speichergefäß, das ein rauhes Medium (beispielsweise eine polare Lösung, eine nichtpolare Lösung, eine alkalische Lösung, eine Säure etc.) aufweist oder eine Pumpe, die ein rauhes Medium pumpt. Eine mediumkompatible Mikrosensorstruktur 81 ist mit der Vorrichtung 82 verbunden, um die Umgebungsbedingungen wie das Flüssigkeitsniveau innerhalb des Speichergefäßes oder den Druck innerhalb einer Versorgungsleitung von der Pumpe zu messen. Um die Umgebungsbedingen zu messen, umfaßt die Mikrosensorstruktur 81 beispielsweise Mikrosensor 11, 51 oder 71, die in den Fig. 1, 3 und 4 jeweils dargestellt sind. Um diese gegen die rauhen Medien zu schützen, sind wenigstens diejenigen Oberflächen der Mikrosensorstruktur 81, die dem rauhen Medium ausgesetzt sind, mit einer anorganischen Schutzbeschichtung bedeckt. Eingangs- und Ausgangssignale zu und von der Mikrosensorstruktur 81 werden gesteuert und überwacht durch die Benutzung einer Stromversorgungsvorrichtung 86 und einen Ausgang- oder Überwachungsvorrichtung 87 (beispielsweise im Multimeter bzw. Universalmeßgerät). Die Überwachungsvorrichtung 87 umfaßt optional einen Anzeigebildschirm und/oder ein Speichermittel. Die Stromversorgungsvorrichtung 86 und die Überwachungsvorrichtung 87 sind mit der Mikrosensorstruktur 81 über Kabel 88 und 89, Verbinder bzw. Steckverbinder 84 und Verbindungsstruktur 83 verbunden. Derartige Vorrichtungen, Kabel und Verbinder sind im Stand der Technik bekannt.
  • Die Überwachungsvorrichtung 87 stellt optional ein Ausgangssignal und Signale in bezug zu gemessenen Umgebungsbedingungen als ein Prozeßsteuerungsmittel zur Verfügung. Wenn beispielsweise die Vorrichtung 82 einen Treibstoffspeichertank in einem Fahrzeug umfaßt und das Flüssigkeitsniveau einen gewissen Betrag erreicht, sendet die Überwachungsvorrichtung 87 ein Signal zu beispielsweise einem Armaturenbrettlicht, um den Fahrer bezüglich eines nachlassenden Treibstoffvorrats zu warnen. Wenn alternativ die Vorrichtung 82 eine Pumpe umfaßt und die Mikrosensorstruktur 81 einen bestimmten Druck in der Vorsorgungsleitung von der Pumpe mißt, stellt die Überwachungsvorrichtung 87 ein Ausgangssignal zu der Pumpe zur Verfügung, um deren Lieferung bzw. deren Aktivität zu erhöhen oder zu erniedrigen.
  • Nunmehr sollte anerkannt werden, daß kostengünstige Strukturen und Verfahren zum Messen von Umgebungsbedingungen in rauhen Medien zur Verfügung gestellt wurden. Durch Inkorporation einer anorganischen Schutzbeschichtung entweder im Wafer- oder Montagezustand bzw. in der Wafer- oder Montagestufe wird eine signifikante Verbesserung der Sperrschichtcharakteristika im Vergleich zu organischen Schutzbeschichtungen gemäß dem Stand der Technik erreicht. Dieses verbessert die Verläßlichkeit. Außerdem ermöglicht die Struktur einen medienkompatiblen Mikrosensor ohne die Benutzung von Metalldiaphragma/ Transfermedientechniken, was Kosten spart und die Leistung über Temperaturextremwerte verbessert.

Claims (10)

1. Mikrosensor umfassend:
eine Drucksensorvorrichtung (26) umfassend einen Hohlraum (27), der über eine erste Hauptfläche (28) reicht, wobei der Hohlraum (27) eine Mehrzahl von Seitenwänden (29) und eine obere Oberfläche, die ein Diaphragma (33) mit einer zweiten Hauptfläche (32) der Drucksensorvorrichtung (26) bildet, aufweist, einen Transducer (34), der an die zweite Hauptfläche (26) angrenzend gebildet ist, und eine erste anorganische Schutzschicht (37), die auf der Mehrzahl von Seitenwänden (29) und der oberen Oberfläche (31) des Hohlraums (27) gebildet ist;
eine Gehäuseeinrichtung (52) zum Aufnehmen der Drucksensorvorrichtung (26), wobei die Drucksensorvorrichtung (26) mit der Gehäuseeinrichtung (52) verbunden ist; und
eine Leitungseinrichtung (53, 54) zum Transportieren von Signalen zu und von der Drucksensorvorrichtung (26), wobei die Leitungseinrichtung (53, 54) mit der Drucksensorvorrichtung (26) verbunden ist.
2. Mikrosensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste anorganische Schutzschicht (37) aus einer Gruppe bestehend aus einem Siliciumoxid, einem Siliciumoxynitrid, einem Siliciumnitrid, einem Siliciumcarbid und einem Siliciumoxycarbid ausgewählt ist.
3. Mikrosensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste anorganische Schutzschicht (37) ein Metall aufweist.
4. Mikrosensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß außerdem eine zweite anorganische Schutzschicht (67) vorgesehen ist, die auf freigelegten oder frei zugänglichen Teilen der Gehäuseeinrichtung (52), der Drucksensorvorrichtung (26) und einem Teil der Leitungseinrichtung gebildet ist.
5. Mikrosensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß außerdem eine organische Schutzschicht (171) unterhalb der zweiten anorganischen Schutzschicht (67) vorgesehen ist.
6. Mikrosensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß außerdem eine organische Schutzbeschichtung (172) vorgesehen ist, die über der zweiten anorganischen Schutzschicht (67) gebildet ist.
7. Verfahren zur Herstellung eines Mikrosensors mit den folgenden Verfahrensschritten:
Vorsehen einer Drucksensorvorrichtung (26), umfassend einen Hohlraum (27), der sich von einer ersten Hauptfläche (28) erstreckt, wobei der Hohlraum (27) eine Seitenwand (29) und eine obere Oberfläche (31), die mit einer zweiten Hauptfläche (32) der Drucksensorvorrichtung (26) ein Diaphragma (33) bildet und einen Transducer (34), der angrenzend mit der zweiten Hauptfläche (32) gebildet ist;
Formen einer ersten anorganischen Schutzschicht (37) auf der Seitenwand (29) und der oberen Oberfläche (31) des Hohlraums (27);
Verbinden der Drucksensorvorrichtung (26) mit einer Gehäuseeinrichtung (52) zum Aufnehmen der Drucksensorvorrichtung (26); und
Verbinden einer Leitungseinrichtung (53, 54) zum Transportieren von Signalen zu und von der Drucksensorvorrichtung (26) mit der Drucksensorvorrichtung (26).
8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei als weiterer Verfahrensschritt der Schritt des Bildens einer zweiten anorganischen Schutzschicht (67) auf freigelegten oder frei zugänglichen Teilen der Gehäuseeinrichtung (52), der Drucksensorvorrichtung (26) und eines Teils der Leitungseinrichtung vorgesehen ist.
9. Verfahren nach Anspruch 8, wobei als weiterer Verfahrensschritt der Schritt des Bildens einer organischen Schutzbeschichtung auf freigelegten oder frei zugänglichen Teilen der Gehäuseeinrichtung, der Drucksensorvorrichtung und eines Teils der Leitungseinrichtung vor dem Schritt des Bildens der zweiten anorganischen Schutzschicht (67) vorgesehen ist.
10. Verfahren nach Anspruch 8, wobei als weiterer Verfahrensschritt der Schritt des Bildens einer organischen Schutzbeschichtung (172) über der zweiten anorganischen Schutzschicht (67) vorgesehen ist.
DE69601278T 1995-04-03 1996-03-25 Korrosionsbeständiger Druckwandler durch anorganischen Überzug im Hohlraum Expired - Fee Related DE69601278T2 (de)

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DE69601278T Expired - Fee Related DE69601278T2 (de) 1995-04-03 1996-03-25 Korrosionsbeständiger Druckwandler durch anorganischen Überzug im Hohlraum

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10227479A1 (de) * 2002-06-19 2004-01-08 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druckmeßgerät
DE102010039357A1 (de) * 2010-08-16 2012-02-16 Ifm Electronic Gmbh Druckmessgerät für die Prozessmesstechnik

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6140144A (en) * 1996-08-08 2000-10-31 Integrated Sensing Systems, Inc. Method for packaging microsensors
US5994161A (en) * 1997-09-03 1999-11-30 Motorola, Inc. Temperature coefficient of offset adjusted semiconductor device and method thereof
US6023961A (en) 1998-04-02 2000-02-15 Reliance Electric Industrial Company Micro-viscosity sensor and lubrication analysis system employing the same
US7134323B1 (en) 1998-04-02 2006-11-14 Rockwell Automation Technologies, Inc. System and method for dynamic lubrication adjustment for a lubrication analysis system
US6546785B1 (en) * 1998-04-02 2003-04-15 Rockwell Automation Technologies, Inc. System and method for dynamic lubrication adjustment for a lubrication analysis system
DE19816872B4 (de) 1998-04-16 2005-12-15 Ebro Electronic Gmbh & Co. Kg Meßvorrichtung zum Messen des Drucks einer Atmosphäre
DE19830538A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-20 Siemens Ag Drucksensor-Anordnung, insbesondere zur Druckerfassung in einem ölbeaufschlagten Druckbereich eines Kraftfahrzeuggetriebes
US6177726B1 (en) * 1999-02-11 2001-01-23 Philips Electronics North America Corporation SiO2 wire bond insulation in semiconductor assemblies
US20030011048A1 (en) * 1999-03-19 2003-01-16 Abbott Donald C. Semiconductor circuit assembly having a plated leadframe including gold selectively covering areas to be soldered
US6579612B1 (en) 1999-06-24 2003-06-17 International Business Machines Corporation Magnetostrictive sensor structure
AU7645300A (en) * 1999-10-05 2001-05-10 Delta Danish Electronics, Light And Acoustics Encapsulation for a three-dimensional microsystem
US6453749B1 (en) * 1999-10-28 2002-09-24 Motorola, Inc. Physical sensor component
US6576980B1 (en) 1999-11-30 2003-06-10 Agere Systems, Inc. Surface treatment anneal of hydrogenated silicon-oxy-carbide dielectric layer
JP2003533361A (ja) * 2000-05-15 2003-11-11 テカン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト ミクロ流体構造での蒸着相似コーティングの使用
DE10035538A1 (de) * 2000-07-21 2002-02-07 Bosch Gmbh Robert Sensor
EP1245528A1 (de) * 2001-03-27 2002-10-02 Delta Danish Electronics, Light & Acoustics Ein einstückiges flexibles Mikrosystem und Verfahren zu dessen Herstellung
US6769319B2 (en) 2001-07-09 2004-08-03 Freescale Semiconductor, Inc. Component having a filter
DE10140322B4 (de) * 2001-08-16 2007-10-04 Abb Patent Gmbh Mikrostrukturierter dreidimensionaler Sensor oder Aktor, sowie Verfahren zu seiner Herstellung
DE10163760C5 (de) 2001-12-28 2012-02-02 Ebro Electronic Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum Messen des Zustandes von Ölen und Fetten
JP2003302299A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Denso Corp 力学量検出装置の製造方法
JP3915586B2 (ja) * 2002-04-24 2007-05-16 株式会社デンソー 力学量検出装置の製造方法
DE10319646B3 (de) * 2003-05-02 2004-09-02 Hilti Ag Treibmittelbehälter für Setzgeräte und brennkraftbetriebenes Setzgerät
US7078796B2 (en) * 2003-07-01 2006-07-18 Freescale Semiconductor, Inc. Corrosion-resistant copper bond pad and integrated device
US20050001316A1 (en) * 2003-07-01 2005-01-06 Motorola, Inc. Corrosion-resistant bond pad and integrated device
JP2007532865A (ja) * 2004-02-09 2007-11-15 ローベルト　ボツシユ　ゲゼルシヤフト　ミツト　ベシユレンクテル　ハフツング 圧力センサのための腐食保護
JP4564775B2 (ja) * 2004-04-26 2010-10-20 日立オートモティブシステムズ株式会社 液体及び気体用圧力検出装置
US20060105682A1 (en) * 2004-10-01 2006-05-18 John Bowman System and method for monitoring and/or controlling a flow of a media
KR100840292B1 (ko) 2005-10-11 2008-06-20 삼성전기주식회사 멤스 모듈 및 패키징 방법
KR100828067B1 (ko) 2006-03-27 2008-05-08 한국기계연구원 선형보정 마이크로 압력센서
KR100773759B1 (ko) 2006-03-27 2007-11-09 한국기계연구원 마이크로 압력센서
ATE498831T1 (de) * 2006-09-25 2011-03-15 Grundfos Management As Halbleiterbauelement
US8214007B2 (en) 2006-11-01 2012-07-03 Welch Allyn, Inc. Body worn physiological sensor device having a disposable electrode module
DE112007002372B4 (de) * 2006-11-13 2017-04-06 Inficon Gmbh Vakuummembranmesszelle und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Messzelle
DE102007042976B4 (de) * 2007-09-10 2012-12-13 Continental Automotive Gmbh Drucksensor und Verfahren zu dessen Herstellung
US8415203B2 (en) * 2008-09-29 2013-04-09 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming a semiconductor package including two devices
US7820485B2 (en) * 2008-09-29 2010-10-26 Freescale Semiconductor, Inc. Method of forming a package with exposed component surfaces
DE102009028488A1 (de) * 2009-08-12 2011-02-17 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Relativdrucksensor
US8569092B2 (en) * 2009-12-28 2013-10-29 General Electric Company Method for fabricating a microelectromechanical sensor with a piezoresistive type readout
US8371176B2 (en) 2011-01-06 2013-02-12 Honeywell International Inc. Media isolated pressure sensor
US8476087B2 (en) 2011-04-21 2013-07-02 Freescale Semiconductor, Inc. Methods for fabricating sensor device package using a sealing structure
US8384168B2 (en) 2011-04-21 2013-02-26 Freescale Semiconductor, Inc. Sensor device with sealing structure
US9700222B2 (en) 2011-12-02 2017-07-11 Lumiradx Uk Ltd Health-monitor patch
US9734304B2 (en) 2011-12-02 2017-08-15 Lumiradx Uk Ltd Versatile sensors with data fusion functionality
US8516897B1 (en) 2012-02-21 2013-08-27 Honeywell International Inc. Pressure sensor
DE102013226775A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Vega Grieshaber Kg Messzelle
DE102014113543A1 (de) * 2014-09-19 2016-03-24 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Medienbeständige Multilagenbeschichtung für ein Messgerät der Prozesstechnik
DE202015104676U1 (de) * 2015-09-03 2015-11-23 Leifheit Ag Küchenwaage
CN108168768B (zh) * 2017-11-23 2019-03-01 中国矿业大学 气体突破压力测试装置及方法
JPWO2023100493A1 (de) * 2021-12-02 2023-06-08

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4655088A (en) * 1985-10-07 1987-04-07 Motorola, Inc. Unibody pressure transducer package
US4732042A (en) * 1986-04-22 1988-03-22 Motorola Inc. Cast membrane protected pressure sensor
US4773269A (en) * 1986-07-28 1988-09-27 Rosemount Inc. Media isolated differential pressure sensors
US4790192A (en) * 1987-09-24 1988-12-13 Rosemount Inc. Silicon side by side coplanar pressure sensors
DE3912217A1 (de) * 1989-04-13 1990-10-18 Endress Hauser Gmbh Co Drucksensor
JP2558549B2 (ja) * 1990-10-11 1996-11-27 東横化学株式会社 半導体圧力センサ及びその製造方法
JPH05149814A (ja) * 1991-11-29 1993-06-15 Fuji Electric Co Ltd 二重ダイヤフラム式半導体圧力センサ
DK0548470T4 (da) * 1991-12-24 2000-04-17 Landis & Gyr Tech Innovat Tryksensor med en membran af halvledermateriale

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10227479A1 (de) * 2002-06-19 2004-01-08 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Druckmeßgerät
DE102010039357A1 (de) * 2010-08-16 2012-02-16 Ifm Electronic Gmbh Druckmessgerät für die Prozessmesstechnik
DE102010039357B4 (de) * 2010-08-16 2017-12-14 Ifm Electronic Gmbh Druckmessgerät für die Prozessmesstechnik

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US5889211A (en) 1999-03-30
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