DE69420786T2

DE69420786T2 - Verfahren zur herstellung dünner filme unter vakuum

Info

Publication number: DE69420786T2
Application number: DE69420786T
Authority: DE
Inventors: Noriyuki Hirata
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-02-05
Filing date: 1994-02-04
Publication date: 2000-03-23
Anticipated expiration: 2014-02-05
Also published as: DE69420786D1; KR950701010A; EP0634501A1; KR0171441B1; EP0634501B1; EP0634501A4; WO1994018358A1; TW310881U

Description

[Technisches Gebiet]

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Aufdampfungsverfahren zum Bilden eines Films bzw. einer Schicht auf einem Substrat.

[Stand der Technik]

In dem Fall, in dem ein dünner Film auf einem Substrat ausgebildet wird, um beispielsweise einen Dünnfilmtransistor herzustellen, wird die Vorrichtung für gewöhnlich zur chemischen Aufdampfung (CVD) des kontinuierlichen Inline-Typs gemäß Fig. 8 verwendet.
Wie Fig. 8 zeigt, weist diese chemische Aufdampfungsvorrichtung einen Absperrschieber 1 auf, mit dem eine Eintragskammer 2, in die durch den Absperrschieber 1 ein Substrat eingetragen wird, verbunden ist. Eine Heizkammer 4, in der das Substrat erwärmt wird, ist ebenfalls über einen Absperrschieber 3 mit der Eintragskammer 2 verbunden. Ferner ist eine erste Filmerzeugungskammer 6, in welcher ein dünner Film auf dem Substrat ausgebildet wird, mit der Heizkammer 4 über einen Absperrschieber 5 verbunden, und eine Kühlkammer 8, in der das erwärmte · Substrat abgekühlt wird, ist mit der ersten Heizkammer 6 über einen Absperrschieber 7 verbunden. Darüber hinaus ist eine zweite Filmerzeugungskammer 10, in der nochmals ein dünner Film auf dem Substrat ausgebildet wird, mit der Kühlkammer 8 über einen Absperrschieber 9 verbunden, und eine Austragskammer 12, aus der das Substrat ausgetragen wird, ist mit der zweiten Filmerzeugungskammer 10 über einen Absperrschieber 11 verbunden. Ein Absperrschieber 13 ist an der anderen Seite dieser Austragskammer 12 angebracht.
Das Substrat wird zunächst auf eine Schale bzw. Ablage aufgebracht und in die Eintragskammer 2 gefördert. Dann wird es in die Heizkammer 4 gefördert, während die Eintragskammer 2 unter Vakuum gehalten wird, und dort auf eine vorbestimmte Temperatur erhitzt und in die erste Filmerzeugungskammer 6 gefördert. In die erste Filmerzeugungskammer 6 wird Gasmaterial einer vorbestimmten Temperatur eingeleitet, um den Druck in der ersten Filmerzeugungskammer 6 einzustellen, und es wird ein dünner Film auf dem Substrat ausgebildet, während es mit einem hochfrequenten Strom oder dgl. beaufschlagt wird. Nachdem so der Dünnfilm in der ersten Filmerzeugungskammer 6 darauf gebildet wurde, wird die Kammer 6 zum Vakuum entleert, und das Substrat wird dann in die Kühlkammer 8 gefördert. Das in die Kühlkammer 8 geförderte Substrat wird auf eine vorbestimmte Temperatur abgekühlt und in die zweite Filmerzeugungskammer 10 gefördert. In die zweite Filmerzeugungskammer 10 wird bei einer niedrigeren Temperatur als in der ersten Filmerzeugungskammer 6 Gasmaterial eingeleitet, um den Druck in der Kammer 10 einzustellen, und es wird wiederum ein Dünnfilm auf dem Substrat ausgebildet, während hochfrequente Energie oder dgl. darauf aufgebracht wird. Nachdem auf diese Weise in der zweiten Filmerzeugungskammer 10 der Dünnfilm auf das Substrat aufgebracht wurde, wird die Kammer 10 zum Vakuum geleert und das Substrat in die Austragskammer 12 gefördert. Der Druck in der Kammer 12 wird dann auf atmosphärischen Druck zurückgeführt, und das Substrat mit aufgeformtem Film wird aus der Kammer 12 durch den Absperrschieber 13 ausgetragen.
In einem Fall, in dem kontinuierlich Filme auf einem Substrat unter zwei oder mehr verschiedenen Prozeßbedingungen gebildet werden, wird jedoch eine Kühlungs- oder Heizkammer, die zur Änderung der Substrattemperatur verwendet wird, beispielsweise zwischen der ersten und der zweite Filmerzeugungskammer benötigt. Es ist auch nötig, daß Temperaturen des Substrats und der Schale bzw. der Ablage selbst, auf die das Substrat gestellt ist, stabil gemacht werden. Da jedoch für gewöhnlich die aus rostfreiem Stahl gefertigte Schale bzw. Ablage eine große Wärmekapazität aufweist, wie Fig. 9 zeigt, braucht es eine ziemlich lange Zeit, um die Temperatur des Substrats stabil zu machen.
In dem Fall, in dem eine Filmerzeugung kontinuierlich in einer einzigen Filmerzeugungskammer unter zwei oder mehreren verschiedenen Bedingungen ausgeführt wird, braucht es deshalb eine ziemlich lange Zeit, um die Temperatur des Substrats stabil zu gestalten, und dies ist tatsächlich unmöglich oder unpraktisch.
In dem Fall, in dem mehrere Filmerzeugungskammern verwendet werden, werden zur Änderung der Temperatur des eingesetzten Substrats zwischen der ersten und der zweiten Filmerzeugungskammer und zwischen den anderen Heiz- oder Kühlungskammern benötigt. Dies macht die Kosten der Vorrichtung hoch. Außerdem wird die Vorrichtung in ihren Abmessungen groß, und der Raum, den die Vorrichtung einnimmt, wird ebenfalls groß. Außerdem braucht es eine lange Zeit, um die Temperatur des Substrats zu verändern und zu stabilisieren. Dies macht die Produktivität der Vorrichtung gering.
Die Referenzen US-A-4 911 103 und EP-A-0 144 229 offenbaren beide chemische Aufdampfungsverfahren, die einen Heizer zum Erwärmen eines Substrats verwenden.
Obgleich die letztere Referenz offenbart, daß ein Heizer in den Filmbildungskammern vorgesehen ist, wird der Vorgang der Filmaufbringung ausgeführt, indem die Filmbildungskammern so eingestellt werden, daß sie einen Gasdruck eines bestimmten festen Pegels beibehalten, während die Glassubstrate auf die gewünschte Temperatur erwärmt werden.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Aufdampfungsverfahren bereitzustellen, das im Hinblick auf die Steuerung des Prozesses verbessert ist, insbesondere im Hinblick auf die Steuerung der Temperatur des Substrats, und das eine kleinere und weniger kostspielige Vorrichtung erfordert.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Aufdampfungsverfahren mit folgenden Schritten bereitgestellt: Transportieren bzw. Fördern eines eine (bestimmte) Temperatur aufweisenden Substrats in eine mit einer bei konstanter Temperatur arbeitenden Substrat- Heizeinrichtung versehene Film- bzw. Schichtbildungskammer, Steuern der Temperatur des Substrats durch Steuern des Drucks innerhalb der Filmbildungskammer in einem Bereich von 13,332 Pa (0,1 Torr) bis 666,6 Pa (5 Torr) und / oder durch Steuern der Förderzeit des erwärmten Substrats, sowie Aufdampfen eines Films bzw. einer Schicht auf das Substrat in der Filmbildungskammer unter Verwendung eines filmbildenden Gases.
In einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens werden nach dem Schritt des Aufdampfens des Films auf das Substrat in der Filmbildungskammer unter Verwendung des filmbildenden Gases durch wiederholtes Steuern der Temperatur des Substrats durch Steuern des Drucks innerhalb der Filmbildungskammer in einem Bereich von 13,332 Pa (0,1 Torr) bis 666,6 Pa (5 Torr) und Aufdampfen eines Films auf das Substrat in der Filmbildungskammer unter Verwendung eines filmbildenden Gases ein oder mehrere zusätzliche Filme auf dem Substrat gebildet.
Vorzugsweise wird vor dem Bilden eines zusätzlichen Films auf dem Substrat das Substrat von der einen Filmbildungskammer zu einer anderen Filmbildungskammer transportiert bzw. gefördert, die mit einer bei konstanter Temperatur arbeitenden Substrat-Heizeinrichtung verwenden ist, wobei die Temperatur des Substrats durch Steuern des Drucks innerhalb der anderen Filmbildungskammer in einem Bereich von 13,332 Pa (0,1 Torr) bis 666,6 Pa (5 Torr) und / oder durch Steuern der Förderzeit des Substrats von der einen Filmbildungskammer zu einer anderen Filmbildungskammer gesteuert wird und der zusätzliche Film auf dem Substrat in der anderen Filmbildungskammer unter Verwendung eines filmbildenden Gases aufgedampft wird.
Weitere bevorzugte Ausführungsformen des Verfahrens der Erfindung sind in den Unteransprüchen definiert.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren der vorliegenden Erfindung werden die Substrate der Reihe nach transportiert bzw. gefördert. Eine Schale bzw. Ablage wird damit überflüssig gemacht, und wenn das Substrat eine geringe Wärmekapazität aufweist, kann seine Temperatur leichter über eine kurze Zeit hinweg verändert werden. Außerdem wird seine Temperatur gesteuert, während die Heiztemperatur des Heizers sicher gehalten wird und mindestens einer der Werte des in der Filmbildungskammer eingestellten Drucks und der zum Fördern des Substrats benötigten Zeit gesteuert wird. Dies macht es unnötig, das Substrat direkt zu erwärmen und abzukühlen. Die Kosten zum Ausbilden eines dünnen Films auf dem Substrat können damit gesenkt und die Temperatur des Substrats leichter verändert werden.

[Kurzbeschreibung der Zeichnungen]

Es zeigen:
Fig. 1 ein Blockdiagramm zur Darstellung der chemischen Aufdampfungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
Fig. 2 ein Blockdiagramm zur Darstellung erster und zweiter Filmbildungskammern,
Fig. 3 ein Blockdiagramm zur Darstellung einer Übertragungskammer,
Fig. 4 ein Blockdiagramm zur Darstellung einer Heizkammer,
Fig. 5 eine Schnittansicht zur Darstellung eines in einer Matrix angeordneten Substrats, das gerade hergestellt wird,
Fig. 6 eine graphische Darstellung einer Veränderung in der Substrattemperatur,
Fig. 7 eine graphische Darstellung einer weiteren Veränderung in der Substrattemperatur,
Fig. 8 ein Blockdiagramm zur Darstellung der herkömmlichen chemischen Aufdampfungsvorrichtung, und
Fig. 9 eine graphische Darstellung einer Veränderung in der Substrattemperatur bei der herkömmlichen chemischen Aufdampfungsvorrichtung.

[Beste Ausführungsart der Erfindung)

Die chemische Aufdampfungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
In Fig. 1 stellt Bezugsziffer 21 eine Eintrags- und Austragskammer dar. Ein in Matritzenform angeordnetes Substrat B, auf das ein Dünnfilmtransistor (thin film transistor = TFT) aufgeformt wird, wird in die Eintrags- bzw. Austragskammer 21 eingetragen bzw. ausgetragen, und ein Absperrschieber 22 ist an einer Seite der Kammer 21 angebracht, durch die·das Substrat B in die Kammer 21 eingetragen bzw. aus dieser ausgetragen wird. Ein Absperrschieber 23 ist auch an einer anderen Seite der Kammer 21 angebracht, welche der einen Absperrschieberseite hiervon gegenüberliegt. Eine Übertragungskammer 24 ist mit der Eintrags- und Austragskammer 21 über den Absperrschieber 23 verbunden, und sie weist einen einzelnen, substratfördernden Mechanismus zum Tragen bzw. Fördern der Substrate der Reihe nach ohne Verwendung irgendeiner Schale einer Ablage auf.
Eine erste Filmbildungskammer 26 ist mit einer Seite der Übertragungskammer 24, die sich von der mit dem Absperrschieber 23 versehenen Seite unterscheidet, über einen Absperrschieber 25 verbunden. Sie weist einen substraterwärmenden Heizer 27 auf, und auf dem Matrixanordnungssubstrat B in ihr wird ein Dünnfilm auf gebracht. Ein Absperrschieber 28 ist an einer weiteren Seite der Kammer 24 angebracht, und eine zweite Filmbildungskammer 29 ist mit der Kammer 24 über den Absperrschieber 28 verbunden. Diese zweite Filmbildungskammer weist ebenfalls einen substraterwärmenden Heizer 30 auf, und ein Dünnfilm wird auf das Matrixanordnungssubstrat B in ihr aufgebracht. Ein Absperrschieber 31 ist auch an einer noch anderen Seite der Kammer 24 angebracht, und eine Heizkammer 32 ist mit der Kammer 24 über den Absperrschieber 31 verbunden. Diese Heizkammer 32 weist ebenfalls einen substraterwärmenden Heizer 33 auf, um das Matrixanordnungssubstrat B zu erwärmen.
Die ersten und zweiten Filmbildungskammern 26 und 29 sind in Fig. 2 dargestellt. Eine Vakuum-Saugpumpe 41 ist mit jeder der ersten und zweiten Filmbildungskammern 26 bzw. 29 über eine Drosselklappe 42 verbunden, und eine Gaszuführsektion 43 ist ebenfalls über ein Schalterventil 44 damit verbunden. Ferner ist ein Druckfühler 46 damit verbunden, und eine Steuereinrichtung 45, die als Steuermittel mit einer Zeitschaltung dient, ist mit dem Druckfühler 46 verbunden. Die Steuereinrichtung 45 ist auch mit der Drosselklappe 42 und dem Schalterventil 44 zur Steuerung von diesen verbunden. Außerdem ist ein Druckfühler 46 damit verbunden, und eine Steuereinrichtung 45, die als Steuermittel mit Zeitsteuerung dient, ist mit dem Druckfühler 46 verbunden. Die Steuereinrichtung 45 ist auch mit der Drosselklappe 42 und dem Schalterventil 44 zu deren Steuerung verbunden.
Die Übertragungskammer 24 hat das Aussehen von Fig. 3. Eine Vakuum-Saugpumpe 51 ist mit der Übertragungskammer 24 über eine Drosselklappe 52 verbunden, und eine Gaszuführsektion 53 ist mit ihr über ein Schalterventil 54 verbunden. Ein Drucksensor 55 ist mit der Übertragungskammer 24 verbunden, und die Steuereinrichtung 45 ist mit dem Drucksensor 55 verbunden. Die Steuereinrichtung 45 ist auch mit der Drosselklappe 52 und dem Schalterventil 54 verbunden, um sie zu steuern. Sie steuert auch die Substratfördergeschwindigkeit.
Die Heizkammer 32 hat das Aussehen von Fig. 4. Eine Vakuum-Saugpumpe 56 ist mit der Heizkammer 32 über eine Drosselklappe 57 verbunden, und eine Gaszuführsektion 58 ist ebenfalls über ein Schalterventil 59 damit verbunden. Ein Druckfühler 60 ist mit ihr verbunden, und die Steuereinrichtung 45 ist mit dem Druckfühler 60 verbunden. Die Steuereinrichtung 45 ist auch mit der Drosselklappe 57 und dem Schalterventil 59 zu deren Steuerung verbunden.
Gemäß Fig. 5 umfaßt das Matrixanordungssubstrat B ein Glassubstrat 61, eine auf dem Glassubstrat 61 ausgebildete Gate-Elektrode 62, eine auf dem Glassubstrat 61 ausgebildete Gate-Isolierschicht 63 sowie die Gate- Elektrode 62, oberhalb der Gate-Elektrode 62 ausgebildete Halbleiter- und Ätz-Stoppschichten 64 und 65, wobei die Gate-Isolierschicht 63 dazwischengefügt ist, sowie Source- und Drain-Elektroden 66 und 67, die auf den Halbleiter- und Ätz-Stoppschichten 64 und 65 ausgebildet sind.
Im folgenden wird beschrieben, wie die oben erläuterte chemische Aufdampfungsvorrichtung arbeitet. Alle Absperrschieber 22, 23, 25, 28 und 31 sind geschlossen. Als Reaktion auf durch Druckfühler 46, 55 und 60 erfaßte Drücke öffnet die Steuereinrichtung 45 die Drosselklappen 42, 52 und 57, um alle Kammern 26, 29 und 32 außer der Eintrags- und Austragskammer 21 über die Saugpumpen 41, 51 und 56 zum Vakuum zu entleeren, um den vorbestimmten Druck zu erreichen. Substraterwärmende Heizer 27, 33 und 30, die an der ersten Filmbildungskammer 26, der Heizkammer 32 bzw. der zweiten Filmbildungskammer 29 angebracht sind, werden vorher auf 420ºC, 390ºC bzw. 350ºC im Vakuum erhitzt.
Der Absperrschieber 22 der Eintrags- und Austragskammer 21 wird geöffnet, und das Glassubstrat 61 für das Matrixanordnungssubstrat B oder eine Kassette, in der das Glassubstrat 61 für das Matrixanordnungssubstrat B untergebracht ist, wird in die Eintrags- und Austragskammer 21 eingesetzt. Der Absperrschieber 22 wird dann geschlossen und die Eintrags- und Austragskammer 21 durch die Saugpumpe (nicht dargestellt) vom atmosphärischen Druck bis zu einem vorbestimmten Druck evakuiert. Danach werden der Absperrschieber 23 der Eintrags- und Austragskammer 21, der auf der Seite der Übertragungskammer 24 gelegen ist, sowie der Absperrschieber 31 der Heizkammer 32 geöffnet, und das Glassubstrat 61 wird von der Eintrags- und Austragskammer 21 durch den Einzelsubstrat-Fördermechanismus in die Heizkammer 32 gefördert.
Wenn das Glassubstrat 61 in die Heizkammer 32 gefördert wird, wird der Absperrschieber 31 der Heizkammer 32 geschlossen, und das Glassubstrat 61 wird auf etwa 380ºC am substraterwärmenden Heizer 33 erwärmt und dort gehalten. Für eine vorbestimmte Zeit wird seine Temperatur weiter erhöht, und nachdem diese Temperaturerhöhung beendet ist, wird die Drosselklappe 57 für die Ansaugpumpe 56 geöffnet, um die Heizkammer 32 zu evakuieren. Die Absperrschieber 31 und 25 der Heizkammer bzw. der ersten Filmbildungskammer 32 bzw. 26 werden geöffnet. Die Geschwindigkeit des Einzelsubstrat-Tragemechanismus in der Übertragungskammer 24 wird durch die Steuereinrichtung 45 gesteuert, und das Glassubstrat 61 wird von der Heizkammer 32 in die erste Filmbildungskammer 26 gefördert.
Wenn das Glassubstrat 61 in die erste Filmbildungskammer 26 gefördert wird, wird der Absperrschieber 25 der ersten Filmbildungskammer 26 geschlossen, und die Steuereinrichtung veranlaßt die Drosselklappe 42 für die Saugpumpe 41, sich zu öffnen, um die erste Filmbildungskammer 26 für eine bestimmte Zeit zu evakuieren. Das Schalterventil 44 für die Gaszuführsektion 43 wird geöffnet, um Gasmaterial wie z. B. Monosilan (SiH&sub4;), Ammoniak (NH&sub3;) und Stickstoff ((N&sub2;) in die erste Filmbildungskammer 26 einzuleiten. Die Öffnung der Drosselklappe 42 wird durch die Steuereinrichtung 45 gesteuert, um den Druck in der ersten Filmbildungskammer 26 auf einen vorbestimmten (199,98 Pa = 1,5 Torr) einzustellen. Sodann wird eine hochfrequente Energie angelegt, um eine Entladung zu erzeugen, und die Gate-Isolierschicht 63, die eine Siliciumnitrid-Schicht (SixNy) ist, wird auf der gesamten Oberfläche des Glassubstrats 61 mit der darauf aufgeformten Gate-Elektrode 62 in einem Temperaturbereich von 300ºC bis 400ºC, vorzugsweise bei 350ºC, ausgebildet. X und Y bei Siliciumnitrid (SixNy) werden für gewöhnlich durch 2 bzw. 3 ersetzt, der SixNy-Film enthält jedoch manchmal auch einen ganz geringen Betrag von Wasserstoff- (H) oder Sauerstoff- (O) Elementen. Die Drosselklappe 42 wird als geöffnet betrachtet, wenn sie parallel oder 180º zur Strömung der Gase gestellt wird, und als geschlossen, wenn sie senkrecht oder 90º zur Strömung gestellt wird. Sie wird in einem Bereich von 90º bis 180º eingestellt. Bevor die Gate-Isolierschicht 63 auf dem Glassubstrat 61 ausgebildet wird, wird ein Dünnfilm auf dem Substrat 61 gebildet und dann geätzt, um die Gate- Elektrode 62 zu bilden. Wenn die Entladung nach einer vorbestimmten Zeitspanne beendet ist, wird die Drosselklappe 42 für die Ansaugpumpe 41 für eine vorbestimmte Zeit t&sub1; geöffnet, um die erste Filmbildungskammer 26 zu evakuieren. Außerdem werden die Absperrschieber 25 und 28 der ersten und zweiten Filmbildungskammern 26 und 29 geöffnet, und während die Geschwindigkeit des Einzelsubstrat-Fördermechanismus in der Übertragungskammer 24 durch die Steuereinrichtung 45 gesteuert wird, wird das Glassubstrat 61 mit der darauf ausgebildeten Gate- Isolierschicht 63 von der ersten Filmbildungskammer 26 in die zweite Filmbildungskammer 29 zu einer vorher durch die Steuereinrichtung 45 gesetzten Zeit t&sub2; gefördert.
Wenn das Glassubstrat 61, das die Gate-Isolierschicht 63 darauf ausgebildet hat und als Matrixanordnungssubstrat B dient, in die zweite Filmbildungskammer 29 gefördert wird, so wird der Absperrschieber 28 der zweiten Filmbildungskammer 29 geschlossen und die Drosselklappe 42 für die Ansaugpumpe 41 für eine vorher eingestellte Zeit t&sub3; geöffnet, um die zweite Filmbildungskammer 29 zu evakuieren. Das Schalterventil 44 für die Gaszuführsektion 43 wird geöffnet, und Gasmaterial, wie z. B. Monosilan (SiH&sub4;) und Wasserstoff (H&sub2;), werden in die zweite Filmbildungskammer 29 eingeleitet. Während durch den Druckfühler 46 der Druck in der Kammer 29 erfaßt wird, wird der Öffnungsgrad der Drosselklappe 42 gesteuert, um den Druck in der Kammer 29 auf einen vorbestimmten von 266,67 Pa (2 Torr) in einer voreingestellten Zeit t&sub4; einzustellen bzw. anzupassen. Sodann wird eine hochfrequente Energie angelegt, um eine Entladung zu erzeugen, und die Halbleiterschicht 64, die ein amorpher Silicium-(α-Si)Film ist, wird auf der Gate- Isolierschicht 63 auf eine vorbestimmte Dicke in einem Temperaturbereich von 250ºC bis 350ºC, vorzugsweise bei 300ºC ausgebildet. Nachdem die Halbleiterschicht 64 auf diese Weise ausgebildet wurde, wird die Drosselklappe 42 für die Saugpumpe 41 wieder geöffnet, um die zweite Filmbildungskammer 29 zu evakuieren. Der Absperrschieber 28 der zweiten Filmbildungskammer 29 und der Absperrschieber 23, der auf der Seite der Eintrags- und Austragskammer 21 gelegen ist, werden geöffnet und das Matrixanordnungssubstrat B mit laminierten Filmschichten, die in der zweiten Filmbildungskammer 29 ausgebildet wurden, wird durch den Einzelsubstrat-Fördermechanismus in der Übertragungskammer 24 der Reihe nach in die Eintrags- und Austragskammer 21 zurückgeführt.
Wenn das Glassubstrat 61 mit der darauf ausgebildeten und als Matrixanordnungssubstrat B dienenden Halbleiterschicht 64 in die erste (26), die zweite (29) oder andere Filmbildungskammern (nicht dargestellt) gefördert wird, wird die Kammer auf ähnliche Weise evakuiert, und Gasmaterial wie z. B. Monosilan (SiH&sub4;), Ammoniak (NH&sub3;) und Wasserstoff (H&sub2;) werden in sie eingeleitet. Nachdem der Druck in ihr auf einen vorbestimmten (106,66 Pa = 0,8 Torr) eingestellt wurde, wird eine hochfrequente Energie angelegt, um eine Entladung zu erzeugen, und die Ätz-Stoppschicht 65, die ein Siliciumnitrid-(SixNy)Film ist, wird auf der Halbleiterschicht 64 auf eine vorbestimmte Dicke in einem Temperaturbereich von 250ºC bis 350ºC, vorzugsweise bei 290ºC, ausgebildet. Nachdem die Ätz-Stoppschicht 65 auf diese Weise ausgebildet wurde, wird die Kammer wieder evakuiert und das Glassubstrat 61 dann in die Eintrags- und Austragskammer 21 zurückbefördert.
Nachdem ein Ätzvorgang in einer vorbestimmten Art und Weise ausgeführt wurde, werden die Source- und Drain- Elektroden 66 und 67 auf der Halbleiterschicht 64 ausgebildet.
Die oben erwähnten Prozesse oder Schritte werden wiederum kontinuierlich wiederholt.
Im folgenden wird eine Temperatursteuerung unter Anführung der Temperaturänderung im Substrat gemäß Fig. 6 beschrieben, wobei zwei Filmschichten auf dem Substrat in der ersten, 26, und in der zweiten Filmbildungskammer 29 ausgebildet werden.
Nachdem die Filmbildung in der ersten Filmbildungskammer 26 beendet ist, wird die Drosselklappe 42 für die Ansaugpumpe 41 durch die Steuereinrichtung 45 geöffnet, um die erste Filmbildungskammer 26 für die Zeit t&sub1; zu evakuieren, während der eine Substrattemperatur um etwa 20ºC abgesenkt wird. Als Reaktion auf die durch den Druckfühler 55 erfaßten Druck wird der Druck in der Übertragungskammer 24 auf 133,52 Pa (1 Torr) für die Zeit t&sub2; eingestellt, während der das Substrat aus der ersten Filmbildungskammer 26 in die zweite Filmbildungskammer 29 durch die Steuereinrichtung 45 gefördert wird. Die Substrattemperatur wird somit um etwa 25ºC abgesenkt. Die Substrattemperatur wird des weiteren in der zweiten Filmbildungskammer 29 um 5ºC für die Wartezeit t&sub3; und die Druckanpassungszeit t&sub4; gesenkt, während der das Schalterventil 44 für die Gaszuführsektion 43 geöffnet wird, um Gasmaterial in die Kammer 29 einzuleiten.
Wenn die Evakuierungszeit t&sub1; in der ersten Filmbildungskammer 26, die zum Fördern des Substrats von der ersten, 26, in die zweite Filmbildungskammer 29 benötigte Zeit t&sub2;, der Druck in der Übertragungskammer 24 zur Substratförderzeit t&sub2;, die Wartezeit t&sub3; in der zweiten Filmbildungskammer 29 sowie die Druckanpassungszeit t&sub4; zum Einleiten von Gasmaterial in die zweite Filmbildungskammer 29 durch Speicher in der Steuereinheit 45, wie oben beschrieben, gesteuert werden, kann die zur Steuerung der Temperatur des Matrixanordnungssubstrats B benötigte Zeit am kürzesten gehalten werden. Der Druck bei der Druckanpassung kann in einer schrittweisen Art geändert werden.
Der Druck zur Zeit, als die Filmbildung in der ersten Filmbildungskammer 26 ausgeführt wurde, war auf 199,98 Pa (1,5 Torr) eingestellt, der in der Übertragungskammer 24 war auf 133,32 Pa (1 Torr) eingestellt, und der zur Zeit der Ausführung der Filmbildung in der zweiten Filmbildungskammer 29 war auf 266,64 Pa (2 Torr) eingestellt. Wenn in diesem Fall festgelegt wird, daß t&sub1; = 10 Sekunden, t&sub2; = 15 Sekunden, t&sub3; = 5 Sekunden und t&sub4; = 10 Sekunden ist, kann die Temperatursteuerung des Matrixanordnungssubstrats B in der kürzesten Zeit von etwa 40 Sekunden vorgenommen werden.
In dem System zum Steuern der Substrattemperatur wird, während das Substrat an jedem der substraterwärmenden Heizer 27, 30 bzw. 33 gehalten wird, die Temperatur des Matrixanordnungssubstrats B auf der Hochvakuumseite niedrig und auf der Niedrigvakuumseite hoch, wenn die substraterwärmenden Heizer 27, 30 und 33 in der Temperatur gleich eingestellt sind. Dies wird noch bemerkenswerter, wenn der Zwischenraum zwischen dem Matrixanordnungssubstrat B und jedem der substraterwärmenden Heizer 27, 30 und 33 geringer als 0,3 mm ist, und es verändert sich in Abhängigkeit von der Art Gas, das im Zwischenraum vorhanden ist. Wenn die Druckeinstellung bzw. -anpassung beim Filmausbilden gewählt wird, ist daher eine Filmausbildung bei einer gewünschten Substrattemperatur ermöglicht.
Andererseits wird die Temperatur des Matrixanordnungssubstrats B, je nach den bei der Filmbildung verwendeten Gasarten unterschiedlich, obgleich die substraterwärmenden Heizer 27, 30 und 33 auf dieselbe Temperatur eingestellt sind. In einem Fall, in dem ein SixNy-Film unter 466,62 Pa (3,5 Torr) sowie ein a-Si-Film unter 133,32 Pa (1 Torr) gebildet wird, während die substraterwärmenden Heizer 27, 30 und 33 auf eine Temperatur von beispielsweise 350ºC eingestellt sind, kann der SixNy-Film gebildet werden, wenn die Temperatur des Matrixanordnungssubstrats B 350ºC beträgt, und der a-Si-Film, wenn sie 300ºC beträgt.
In dem Fall, in dem eine Filmbildung kontinuierlich unter zwei oder mehreren verschiedenen Prozeßbedingungen in den ersten und zweiten Filmbildungskammern 26 bzw. 29 auf das Matrixanordnungssubstrat B angewandt wird, werden daher der Druck bei der Druckeinstellung in der ersten Filmbildungskammer 26, die Evakuierungszeit und der eingestellte Druckwert nach dem Filmbildungsschritt, die zum Fördern des Matrixanordnungssubstrats B von der ersten Filmbildungskammer 26 in die zweite Filmbildungskammer 29 benötigte Zeit und der Druck zu dieser Zeit, die Wartezeit und der eingestellte Druckwert, bis Gasmaterial in die zweite Filmbildungskammer 29 eingeleitet wird, um den Druck in ihr anzupassen, sowie der zu dieser Druckanpassungszeit eingestellte Druckwert als Parameter benutzt, und wenn sie optimal eingestellt sind, kann die zur Steuerung der Temperatur des Matrixanordnungssubstrats B benötigte Zeit am kurzesten gemacht werden.
Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei der verschiedene Laminierfilm-Bildungsvorgänge in der ersten Filmbildungskammer 26 ausgeführt werden, wird im folgenden beschrieben. Parallele Prozesse werden auf ähnliche Weise auch in der zweiten Filmbildungskammer 29 durchgeführt.
Der substraterwärmende Heizer 27 in der ersten Filmbildungskammer 26 wird vorher auf 390ºC eingestellt. Absperrschieber 23 und 31 von Eintrags- und Austrags- Heizkammern 21 bzw. 32 werden geöffnet, und das Glassubstrat 61, das die Gate-Elektrode 62 darauf ausgebildet hat und als Matrixanordnungssubstrat B dient, wird durch den Einzelsubstrat-Fördermechanismus in der Übertragungskammer 24 in die Heizkammer 32 gefördert und auf etwa 380ºC erwärmt. Absperrschieber 31 und 25 von Heiz- und ersten Filmbildungskammern 32 bzw. 26 werden geöffnet, und das Substrat, das in der Heizkammer 32 auf etwa 380ºC erwärmt wurde, wird durch den Einzelsubstrat-Tragemechanismus in der Übertragungskammer 24 von der Heizkammer 32 in die erste Filmbildungskammer 26 gefördert.
Wenn das Substrat in die erste Filmbildungskammer 26 gefördert wird, wird der Absperrschieber 25 der ersten Filmbildungskammer 26 geschlossen, und für eine vorbestimmte Zeit wird eine Evakuierung ausgeführt. Das Schalterventil 44 für die Gaszuführsektion 43 wird durch die Steuereinrichtung 45 geöffnet, und Gasmaterial, wie z. B. SiH&sub4;, NH&sub3; und N&sub2;, wird in die erste Filmbildungskammer 26 eingeleitet. Während der Öffnungsgrad der Drosselklappe 42 für die Ansaugpumpe 41 durch die Steuereinrichtung 45 gesteuert wird, wird der Druck in der Kammer 26 auf 466,62 Pa (3,5 Torr) eingestellt. Eine hochfrequente Energie wird angelegt, um eine Entladung zu erzeugen, und die Gate-Isolierschicht 63, die ein SixNy-Film ist, wird auf dem Glassubstrat 61 bei 350ºC ausgebildet.
Die Drosselklappe 42 für die Ansaugpumpe 41 wird für eine voreingestellte Zeit durch die Steuereinrichtung 45 geöffnet, um die Kammer 26 zum Vakuum zu entleeren. Das Schalterventil 44 für die Gaszuführsektion 43 wird geöffnet, und Gasmaterial, wie z. B. SiH&sub4; und H&sub2; wird wieder in die Kammer 26 eingeleitet. Der Druck in ihr wird auf 133,32 Pa (1 Torr) eingestellt und die Halbleiterschicht 64, die ein a-Si-Film ist, auf der Gate- Isolierschicht 63 bei 300ºC ausgebildet. Um den Druck in der Kammer 26 zur Evakuierungszeit zu steuern, kann es so arrangiert sein, daß Gasmaterial weiter in die Kammer 26 eingeleitet wird, während das Schalterventil 44 für die Gaszuführsektion 43 durch die Steuereinrichtung geöffnet wird, oder daß weiter hochfrequente Energie angelegt wird.
Nachdem die Halbleiterschicht 64 ausgebildet ist, wird die Drosselklappe 42 für die Ansaugpumpe 41 für eine vorbestimmte Zeit durch die Steuereinrichtung 45 geöffnet, und in der Kammer 26 wird eine Evakuierung ausgeführt. Das Schalterventil 44 für die Gaszuführsektion 43 wird geöffnet, und Gasmaterial, wie z. B. SiH&sub4;, NH&sub3; und H&sub2;, wird wieder in die Kammer 26 eingeführt. Der Druck in der Kammer 26 wird auf 66,66 Pa (0,5 Torr) eingestellt, und die Ätz-Stoppschicht 65, die ein SixNy-Film ist, wird auf der Halbleiterschicht 64 bei 290ºC ausgebildet. Um den Druck zur Evakuierungszeit zu steuern, kann es auch in diesem Fall auf ähnliche Weise so arrangiert sein, daß während der Öffnung des Schalterventils 44 für die Gaszuführsektion 43 über die Steuereinrichtung 45 weiter Gasmaterial eingeleitet wird, oder daß weiter hochfrequente Energie angelegt wird.
Nachdem diese Gate-Isolierschicht, Halbleiterschicht und Ätz-Stoppschicht 63, 64 bzw. 65 ausgebildet sind, wird in der Kammer 26 wieder eine Evakuierung durchgeführt. Die Absperrschieber 25 und 23 der ersten Filmbildungs- und Eintrags- und Austragskammern 26 bzw. 21 werden geöffnet, und das Substrat, auf das Filmschichten laminiert worden sind, wird über den Einzelsubstrat- Fördermechanismus in der Übertragungskammer 24 von der ersten Filmbildungskammer 26 in die Eintrags- und Austragskammer 21 zurückgeführt. Dieselben Prozesse oder Schritte wie bei der zweiten Filmbildungskammer 29 werden ausgeführt.
Nach dem vorbestimmten Ätzvorgang werden die Source- und Drain-Elektroden 66 bzw. 67 ausgebildet.
Im folgenden wird die Temperatursteuerung des Substrats unter Bezugnahme auf Fig. 7 beschrieben, welche eine Temperaturänderung im Substrat zeigt, die verursacht wird, wenn die Gate-Isolierschicht bzw. die Halbleiterschicht 63 bzw. 64 in der ersten Filmbildungskammer 26 ausgebildet werden.
Die Drosselklappe 42 für die Ansaugpumpe 41 wird durch die Steuereinrichtung 45 geöffnet, und die Temperatur von 350ºC, bei der ein SixNy-Film als erster Film ausgebildet wird, wird in der ersten Filmbildungskammer 26 für die Evakuierungszeit t&sub1; (= 10 Sekunden) nach dem Filmbildungsschritt auf nahe 300ºC gesenkt. Gleichzeitig wird die Drosselklappe 43 für die. Gaszuführsektion 42 durch die Steuereinrichtung 45 geöffnet, und die Substrattemperatur wird bei 300ºC stabil gehalten, und es wird eine Filmbildung in der ersten Filmbildungskammer 26 während der Einstellzeit t&sub4; (= 5 Sekunden) für das zweite Einleiten eines a-Si-Film- Gasmaterials und den Druck ausgeführt. Die benötigte Zeit zur Änderung der Substrateinstellung beträgt in diesem Fall 15 Sekunden. Das Gasmaterial kann weiter in die erste Filmbildungskammer 26 eingeleitet werden, um den Druck im Zeitverlauf (time pressure) für die Evakuierungszeit t&sub1; sowie die Gasmaterial-Einführungs- und Druckeinstellzeit t&sub4; zu steuern. In diesem Fall kann der Entladezustand beibehalten werden.
In dem Fall, in dem zwei oder mehrere verschiedene Filmbildungsprozesse oder -schritte kontinuierlich in der ersten Filmbildungskammer 26 ausgeführt werden, kann daher die benötigte Zeit zur Steuerung der Substrattemperatur beim Filmbildungsschritt am kürzesten gestaltet werden, wenn die Evakuierungs-Wartezeit bis zum Start jedes Gasmaterial-Einführungs- und Druckeinstellschritts, der Wert der Druckeinstellung zur Druckeinstellzeit sowie die Evakuierungszeit und der nach dem Filmbildungsschritt eingestellte Druckwert als Parameter optimal eingestellt werden. Wenn die Substrat- Temperatursteuermethode der Veränderung der Evakuierungszeit und des Wertes des eingestellten Drucks als Parameter, die Substratförderzeit, die Evakuierungs- Wartezeit und der Wert des eingestellten Drucks sowie die andere Methode des Filmbildens während der Veränderung des eingestellten Drucks zu jeder Filmbildungszeit verwendet werden, kann die benötigte Zeit zur Steuerung der Substrattemperatur am kürzesten gehalten werden. Wenn die Filmbildung kontinuierlich unter zwei oder mehr Verfahrensbedingungen ausgeführt wird, kann die zur Steuerung der Substrattemperatur benötigte Zeit am kürzesten gestaltet werden, ohne irgendeine Heiz- oder Kühlungskammer zu verwenden, um die Temperatur des Substrats zu verändern.
Gemäß der oben beschriebenen Ausführungsform kann die zur Steuerung der Substrattemperatur benötigte Zeit am kürzesten gestaltet werden, ohne irgendeine Heiz- oder Kühlungskammer zur Änderung der Substrattemperatur zu verwenden, wenn die Evakuierungszeit t&sub1; und der eingestellte Druckwert in den ersten und zweiten Filmbildungskammern 26 und 29 nach dem Filmbildungsschritt, die Zeit t&sub2; zum Fördern des Substrats von der ersten Filmbildungskammer 26 in die zweite 29 durch den Einzelsubstrat-Tragemechanismus in der Übertragungskammer 24, der Druck in der Übertragungskammer zur Substratförderzeit, die Evakuierungs-Wartezeit t&sub3; und der vor dem Film bildungsschritt eingestellte Druckwert sowie die Gasmaterial-Einführungs- und Druckeinstellzeit t&sub4; vor dem Filmbildungsschritt auf ein Optimum eingestellt werden und der Druck bei jedem Filmbildungsschritt ebenfalls auf ein Optimum eingestellt wird, um eine Filmbildung kontinuierlich unter verschiedenen Filmbildungsbedingungen durchzuführen.
Ferner wird die Filmbildung durch verschiedene Substrattemperaturprozesse ermöglicht, während die substraterwärmenden Heizer 27 und 30 auf die gleiche Temperatur eingestellt werden, und eine Vielzahl verschiedener Filmbildungsprozesse kann kontinuierlich in denselben ersten oder zweiten Filmbildungskammern 26 oder 29 realisiert werden. Die chemische Aufdampfungsvorrichtung kann damit kostengünstiger und kleiner gestaltet werden. Außerdem kann der Raum, den die Vorrichtung einnimmt, kleiner gestaltet werden. Die Vorrichtung kann auch in der Produktivität erheblich gesteigert werden.
Es ist in der ersten oder zweiten Filmbildungskammer 26 oder 29 wirksamer, daß das Spiel bzw. der Zwischenraum zwischen dem Matrixanordnungssubstrat B und den substraterwärmenden Heizern 27 oder 30 kleiner als 0,3 mm gemacht wird. Wenn ein Auslaßsystem verwendet wird, durch das ein Druck erzielt werden kann, der geringer ist als 13,332 Pa (10 mTorr), und der Druck zur Filmbildungszeit steuerbar in einem Bereich von 13,332 Pa bis 666,6 Pa (0,1 Torr bis 5 Torr) eingestellt wird, kann die Temperatur des Matrixanordnungssubstrats B, das ein SixNy-Film ist, optional in einem Bereich von 300ºC bis 370ºC gesteuert werden, während die Temperatur der substraterwärmenden Heizer 27 und 30 auf 400ºC eingestellt wird.
Eine Änderung der Eigenschaft des amorphen Halbleiters, insbesondere die Beeinträchtigung seiner Mobilität, kann gesteuert werden, wenn die Temperatur zur Bildungszeit der laminierten Filme nach dem Bildungsschritt des amorphen Halbleiterfilms niedriger gemacht wird als zur Bildungszeit des amorphen Halbleiterfilms, insbesondere in dem Fall, in dem laminierte Filmschichten einschließlich des amorphen Halbleiterfilms kontinuierlich gebildet werden müssen. Wenn die Temperatur, wie aus der oben beschriebenen Ausführungsform ersichtlich ist, sukzessive gesenkt wird, können daher laminierte Filmschichten kontinuierlich gebildet werden, ohne die Eigenschaft der amorphen Halbleiterschicht zu verändern. Dies ist bei der Herstellung von Dünnfilmtransistoren erheblich vorteilhafter.
Obwohl die Filmbildung im Falle der oben beschriebenen Ausführungsform ausgeführt wurde, während die Temperatur des Matrixanordnungssubstrats B sukzessive gesenkt wurde, kann die Filmbildungstemperatur auch konstant gehalten oder sukzessive angehoben werden.
X und Y von Siliciumnitrid (SixNy) werden für gewöhnlich durch 1 und 2 ersetzt, Siliciumnitrid enthält jedoch manchmal eine geringe Menge N oder H. Anstelle von Siliciumnitrid kann daher Siliciumoxid (SixOy) verwendet werden. Die Art des verwendeten Films kann somit optional gestaltet werden.
Ferner können so hergestellte Halbleitervorrichtungen außer als TFTs auch als Solarbatterien u. a. verwendet werden.
Außerdem können mehrere Filmschichten in einer einzigen Filmbildungskammer gebildet werden, es kann nur eine Filmschicht darin gebildet werden, oder diese · Vorgänge können miteinander kombiniert werden.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren wird die Substrattemperatur variabel gesteuert, während der eingestellte Druckwert in der Filmbildungskammer gesteuert wird.
Obwohl der substraterwärmende Heizer eine große Wärmekapazität aufweist, kann daher die Substrattemperatur für eine kürzere Zeit geändert werden, da sie geändert wird, während der eingestellte Druckwert gesteuert wird.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren wird die Temperatur des substraterwärmenden Heizers konstant gehalten, wenn die Substrattemperatur variabel gesteuert werden soll. Die Heiztemperatur des substraterwärmenden Heizers wird somit in der Filmbildungskammer konstant gehalten. Kurz gesagt, wird die Substrattemperatur verändert, während die Heiztemperatur des substraterwärmenden Heizers, der eine große Wärmekapazität aufweist, konstant gehalten wird. Daher kann die Substrattemperatur für eine kürzere Zeitspanne verändert werden.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren ist die Wärmekapazität des substraterwärmenden Heizers größer als die des Substrats. Wenn der Druck verändert wird, ist eine Temperaturänderung im Substrat wahrscheinlicher als in dem substraterwärmenden Heizer. Die Substrattemperatur kann damit leichter verändert werden.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren ist ein Spiel bzw. ein Zwischenraum zwischen dem Substrat und dem substraterwärmenden Heizer vorgesehen. Die das Substrat umgebende Temperatur verändert sich damit schneller als die im substraterwärmenden Heizer. Aufgrund der Temperatur der das Substrat umgebenden Atmosphäre kann daher die Substrattemperatur leichter für eine kürzere Zeit auf einen vorbestimmten Wert eingestellt werden.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren wird die Schale bzw. Ablage, die eine größere Wärmekapazität aufweist, im Falle des Einzelsubstrat-Fördertyps nicht benötigt. Die Wärmekapazität kann somit geringer gehalten werden, und die Substrattemperatur kann für eine kürzere Zeit leichter verändert werden. Außerdem kann die Substrattemperatur gesteuert werden, während mindestens einer der folgenden Werte gesteuert wird: die Evakuierungszeit und der eingestellte Druckwert, bevor und nachdem die Filmbildung in der Filmbildungskammer gestartet wird, der Wert des eingestellten Drucks zur Filmbildungszeit in der Filmbildungskammer, die Zeit zum Fördern des Substrats sowie der Druck in der Übertragungskammer. Daher kann die Steuerung der Substrattemperatur für eine kürzere Zeit erzielt werden, ohne zur Veränderung der Substrattemperatur irgendeine Heiz- oder Kühlkammer zu verwenden. Ferner können mehrere verschiedene Filmbildungsvorgänge oder -schritte kontinuierlich in einer einzigen Filmbildungskammer ausgeführt werden. Dementsprechend kann die Vorrichtung kostengünstiger, kleiner und produktiver gestaltet werden.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren weist die Filmbildungskammer einen Heizer zum Erwärmen des Substrats auf. Die Temperatur in der Filmbildungskammer kann somit optional eingestellt werden.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren wird die Heiztemperatur des Heizers in der Filmbildungskammer konstant gehalten. Daher kann die Substrattemperatur für eine kürzere Zeit verändert werden, da diese Temperaturänderung vorgenommen wird, während die Heiztemperatur des Heizers, der eine relativ große Wärmekapazität aufweist, konstant gehalten wird.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren wird die Substrattemperatur sukzessive in einer einzelnen Filmbildungskammer gesteuert, und es werden kontinuierlich mehrere verschiedene Dünnfilm-Bildungsvorgänge oder -schritte darin ausgeführt. Verschiedene Arten von Dünnfilmschichten können somit leichter laminiert werden.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren enthalten die laminierten Dünnfilmschichten mindestens eine Schicht eines Halbleiter-Dünnfilms. Daher können Halbleiterprodukte leichter hergestellt werden.
Gemäß dem Aufdampfungsverfahren besteht das Substrat aus Glas. Es weist eine niedrige Wärmeleitfähigkeit auf, und es kommt in ihm zu einem Temperaturgefälle. Daher kann eine Temperatur von Dünnfilmschichten durch die sie umgebende Atmosphäre leichter gesteuert werden.

Claims

1. Aufdampfungsverfahren mit den Schritten des Transportierens bzw. Förderns eines eine (bestimmte) Temperatur aufweisenden Substrats in eine mit einer bei konstanter Temperatur arbeitenden Substrat-Heizeinrichtung versehene Film- bzw. Schichtbildungskammer, des Steuerns der Temperatur des Substrats durch Steuern des Drucks innerhalb der Filmbildungskammer in einem Bereich von 13,332 Pa (0,1 Torr) bis 666,6 Pa (5 Torr) und/oder durch Steuern der Förderzeit des erwärmten Substrats, sowie des Aufdampfens eines Films bzw. einer Schicht auf das Substrat in der Filmbildungskammer unter Verwendung eines filmbildenden Gases.

2. Aufdampfungsverfahren nach Anspruch 1, wobei nach dem Schritt des Aufdampfens des Films auf das Substrat in der Filmbildungskammer unter Verwendung des filmbildenden Gases ein oder mehrere zusätzliche Filme auf dem Substrat durch wiederholtesSteuern der Temperatur des Substrats durch Steuern des Drucks innerhalb der Filmbildungskammer in einem Bereich von 13,332 Pa (0,1 Torr) bis 666,6 Pa (5 Torr) und Aufdampfen eines Films auf das Substrat in der Filmbildungskammer unter Verwendung eines filmbildenden Gases gebildet wird bzw. werden.

3. Aufdampfungsverfahren nach Anspruch 2, wobei vor dem Bilden eines zusätzlichen Films auf dem Substrat das Substrat von der einen Filmbildungskammer zu einer anderen Filmbildungskammer transportiert bzw. gefördert wird, die mit einer bei konstanter Temperatur arbeitenden Substrat- Heizeinrichtung versehen ist, wobei die Temperatur des Substrats durch Steuern des Drucks innerhalb der anderen Filmbildungskammer in einem Bereich von 13,332 Pa (0,1 Torr) bis 666,6 Pa (5 Torr) und/oder durch Steuern der Förderzeit des Substrats von der einen Filmbildungskammer zu einer anderen Filmbildungskammer gesteuert wird, und wobei der zusätzliche Film auf dem Substrat in der anderen Filmbildungskammer unter Verwendung eines filmbildenden Gases aufgedampft wird.

4. Aufdampfungsverfahren nach Anspruch 3, wobei das Substrat von der einen Filmbildungskammer zu der anderen Filmbildungskammer gefördert wird, ohne Luft ausgesetzt zu sein.

5. Aufdampfungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Aufdampfen ein chemisches Aufdampfen ist.

6. Aufdampfungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Heizeinrichtung eine größere Wärmekapazität als die des Substrats aufweist.

7. Aufdampfungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat gegenüber der Heizeinrichtung mit einem Abstand angeordnet ist.

8. Aufdampfungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Heizeinrichtung eine konstante Wärmemenge erzeugt.

9. Aufdampfungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei jeder der Filme bzw. Schichten eine Halbleiter-Dünnschicht umfaßt.

10. Aufdampfungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat ein Glassubstrat ist.

11. Aufdampfungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die filmbildenden Gase Siliziumwasserstoff enthalten.

12. Aufdampfungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat von der Heizeinrichtung beabstandet ist.

13. Aufdampfungsverfahren nach Anspruch 12, wobei ein Abstand zwischen dem Substrat und der Heizeinrichtung kleiner als 0,3 mm ist.

14. Aufdampfungsverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei der Film bzw. die Schicht entweder aus amorphem Silizium oder aus Siliziumnitrid gebildet ist.