DE69410574D1 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wobei photolithographische Masken mit aufeinander anschliessenden Teilmustern auf einer Photolackschicht abgebildet werden - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wobei photolithographische Masken mit aufeinander anschliessenden Teilmustern auf einer Photolackschicht abgebildet werden

Info

Publication number
DE69410574D1
DE69410574D1 DE69410574T DE69410574T DE69410574D1 DE 69410574 D1 DE69410574 D1 DE 69410574D1 DE 69410574 T DE69410574 T DE 69410574T DE 69410574 T DE69410574 T DE 69410574T DE 69410574 D1 DE69410574 D1 DE 69410574D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
imaged
producing
semiconductor device
photoresist layer
photolithographic masks
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE69410574T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69410574T2 (de
Inventor
Albert Joseph P Theuwissen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Teledyne Dalsa Inc
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV, Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of DE69410574D1 publication Critical patent/DE69410574D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69410574T2 publication Critical patent/DE69410574T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
DE69410574T 1993-12-08 1994-12-05 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wobei photolithographische Masken mit aufeinander anschliessenden Teilmustern auf einer Photolackschicht abgebildet werden Expired - Lifetime DE69410574T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
BE9301351A BE1007860A3 (nl) 1993-12-08 1993-12-08 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij deelpatronen bevattende fotomaskers op elkaar aansluitend worden geprojecteerd op een laag fotolak.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69410574D1 true DE69410574D1 (de) 1998-07-02
DE69410574T2 DE69410574T2 (de) 1998-12-24

Family

ID=3887618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69410574T Expired - Lifetime DE69410574T2 (de) 1993-12-08 1994-12-05 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wobei photolithographische Masken mit aufeinander anschliessenden Teilmustern auf einer Photolackschicht abgebildet werden

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0657780B1 (de)
JP (1) JP3898772B2 (de)
BE (1) BE1007860A3 (de)
DE (1) DE69410574T2 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6114071A (en) * 1997-11-24 2000-09-05 Asml Masktools Netherlands B.V. Method of fine feature edge tuning with optically-halftoned mask
JPH11237744A (ja) * 1997-12-18 1999-08-31 Sanee Giken Kk 露光装置および露光方法
JP6745712B2 (ja) * 2016-11-30 2020-08-26 日東電工株式会社 配線回路基板およびその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8903108A (nl) * 1989-12-20 1991-07-16 Philips Nv Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze.

Also Published As

Publication number Publication date
EP0657780A1 (de) 1995-06-14
BE1007860A3 (nl) 1995-11-07
EP0657780B1 (de) 1998-05-27
JP3898772B2 (ja) 2007-03-28
JPH07272996A (ja) 1995-10-20
DE69410574T2 (de) 1998-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69434837D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer photolithographischen Maske
DE69226139D1 (de) Musterprojektionsgerät und Belichtungsverfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE69405451D1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines strukturierten Reliefbildes aus vernetztem Photoresist auf einer flachen Substratoberfläche
DE69800481T2 (de) Lithographisches Verfahren zur Erzeugung eines Elements unter Einsatz einer Mehrschichtenmaske
DE69128368D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Layouts für eine Halbleiterschaltungsanordnung
DE69606478T2 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauteils mit bicmos schaltkreis
DE68923247T2 (de) Verfahren zum Erzeugen eines Fotolackmusters.
DE69520327D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Resistmusters
DE69528611T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrates
DE69313797D1 (de) Verfahren zur Herstellung von integrierten Schaltkreisen unter Einsatz einer Maske
DE69404902D1 (de) Abbildungstechnik zur Herstellung von durch lithographische Verfahren erhaltenen Vorrichtungen
DE69001201D1 (de) Verfahren zur herstellung einer lackschicht "japanischer art".
DE68921550T2 (de) Verfahren und Gerät zur Bildung eines Pattern-Layouts einer integrierten Halbleiterschaltung.
ATE216507T1 (de) Verfahren zur herstellung einer siebdruckschablone
DE68908122D1 (de) Verfahren und geraet zur herstellung eines mehrfarbigen bildes.
DE69021773D1 (de) Lithographische Röntgenmaske und Verfahren zum Herstellen einer solchen Maske.
DE59204152D1 (de) Verfahren zur herstellung einer gedruckten schaltung sowie gedruckte schaltung.
DE69222203D1 (de) Hitzebeständige, positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung, lichtempfindliches Substrat, und Verfahren zur Herstellung eines hitzebeständigen positiven Musters
DE69410574T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wobei photolithographische Masken mit aufeinander anschliessenden Teilmustern auf einer Photolackschicht abgebildet werden
DE69200697D1 (de) Lithographischer Träger und Verfahren zur Herstellung einer lithographischen Druckform.
DE69109110T2 (de) Verfahren zur herstellung eines mehrschichtigen gegenstandes für honigwabenstrukturen.
DE69125653T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung einschliesslich eines Herstellungsschrittes für ein Muster eines Fotoresistfilms
DE69230119T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schattenmaske durch Ätzen einer Resistschicht
DE69021284T2 (de) Verfahren zur Herstellung und Verwendung einer Hochauflösungs-Lithographie-Maske.
DE69510741T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Markierungszeichens auf einer Halbleiterscheibe mit einer vergrabenen Struktur

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, N

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: DALSA CORP., WATERLOO, ONTARIO, CA

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: W. KOENIG UND KOLLEGEN, 52072 AACHEN