DE69301952T2 - Induktiv gekoppelte Plasmaquelle - Google Patents

Induktiv gekoppelte Plasmaquelle

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DE69301952T2 DE1993601952 DE69301952T DE69301952T2 DE 69301952 T2 DE69301952 T2 DE 69301952T2 DE 1993601952 DE1993601952 DE 1993601952 DE 69301952 T DE69301952 T DE 69301952T DE 69301952 T2 DE69301952 T2 DE 69301952T2
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plasma generator
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    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/26Plasma torches
    • H05H1/32Plasma torches using an arc
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Description

  • Die folgende Erfindung betrifft Plasmaemissionsquellen zur Verwendung in analytischen Geräten, wie Spektrometern. Plasmaemissionsquellen liefern Photonen und Ionen, die verwendet werden, eine Probe anzuregen, um eine Lichtemission bei Wellenlängen zu bewirken, die für die Atome der Probe repräsentativ sind. Das ausgesandte Licht wird dann von einem Spektrometer erfaßt, um die Probe zu identifizieren.
  • Eine Vorrichtung, die verwendet wird, Plasmaemissionsquellen zu erzeugen oder zu schaffen, umfaßt allgemein Hochfrequenz(HF)-Generatoren, deren Ausgang induktiv an eine Last gekoppelt wird, wie einen Plasmabrenner. Solche Systeme werden allgemein in den US-Patenten Nr. 4,629,940 und 4,935,596 beschrieben, die dem Erfinder der vorliegenden Erfindung erteilt worden sind.
  • Ein mit allen solchen früheren Systemen verbundenes Problem liegt in ihrer Unfähigkeit, die Ausgangsleistung angemessen zur Verwendung in gegenwärtigen System einzustellen und zu steuern. Die vorliegende Erfindung schließt im wesentlichen dieses Problem aus.
  • In solchen Systemen ist die wirksame Übertragung von Leistung von dem HF-Generator auf die Last ein bedeutendes Merkmal. Da HF-Generatoren induktiv mit der Last gekoppelt werden, ist eine Impedanzfehlanpassung zwischen der Last und dem HF-Generator ein schwerwiegendes Problem, das überwinden werden muß.. Dies ist der Fall, da eine Impedanzfehlanpassung eine äußerst schlechte Leistungsübertragung ergeben sowie bewirken kann, daß Energie zurückreflektiert wird, die die Generatorschaltung beschädigen oder zerstören kann.
  • In HF-Systemen mit fester Frequenz, wie sie in dem obenerwähnten US-Patent-Nr. 4,629,940 beschrieben sind, wird das Problem der Fehlanpassung durch eine sehr aufwendige elektronische-mechanische, hybride Anordnung behoben, um fortlaufend die Impedanz zwischen dem HF-Generator und dem Plasmabrenner oder der Last anzupassen.
  • Die vorliegende Erfindung löst das Fehlanpassungsproblem ohne die Notwendigkeit solcher mühsamen Anordnungen.
  • Unter anderen Neuerungen und Verbesserungen schloß die vorliegende Erfindung die Notwendigkeit solcher komplizierten und mühsamen Anordnungen aus. Da die Impedanz und die Frequenz funktionsmäßig gegenseitig bezogen sind, überwindet die vorliegende Erfindung das Fehlanpassungsproblem, indem gestattet wird, daß sich die HF-Frequenz ändert, um automatisch die Impedanzfehlanpassung einzustellen. Wie es umfassender in der Beschreibung angegeben ist, wird ein Signal, das für eine Abweichung der gegenwärtigen HF-Leistung von einer erwünschten HF-Leistung repräsentativ ist, verwendet, den HF-Generator zu steuern.
  • Frühere induktiv gekoppelte HF-Plasma-Generatoren wurden ohne Berücksichtigung des Plasmapotentials verwendet. Somit kann in diesen früheren Systemen das Plasmapotential in Bezug auf Masse hoch sein, was häufig eine für den Glasbrenner einer Atomemissionsspektrographie zerstörerische, zufällige Entladung ergibt, oder eine erosive Beschädigung an dem Probennehmerkonus bei der Massenspektrographie. Die vorliegende Erfindung überwindet diese Schwierigkeit, indem das Plasma auf oder nahe dem Massepotential während des Betriebs gehalten wird.
  • Die vorliegende Erfindung schließt auch eine Einrichtung zum Überwachen der Parameters des Generators während des Betriebs ein und stellt eine Einrichtung bereit, um den Betrieb abzuschalten, um eine Beschädigung der Schaltungsanordnung zu verhindern, beispielsweise kann bei induktiv gekoppelten Plasmageneratoren eine Nichtzündung oder schlechte Zündung des Plasmas ein ernsthaftes Problem sein, da solche Zustände eine Beschädigung der Schaltungsanordnung oder des Glasbrenners bewirken können. Die vorliegende Erfindung löst dieses Problem, indem die Generatorparameter fortlaufend überwacht werden, um solche Zündprobleme zu erfassen und das System abzuschalten, bevor eine Beschädigung herbeigeführt wird.
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen induktiv gekoppelten Plasmagenerator zum Erzeugen eines Plasmas zur Verwendung in analytischen Geräten, beispielsweise in Atomemissions- oder Massenspektrometern. Er umfaßt eine Schaltungsanordnung, die eine Vakuum-Triodenröhre einschließt, die als ein Hochfrequenz-oszillator zum Erzeugen eines Plasmas verwendet werden kann. Der Hauptzweck der vorliegenden Erfindung ist die genaue Einstellung und stabile Steuerung der HF-Leistung an der Lastspule. Hierfür umfaßt die vorliegende Erfindung eine Rückkoppelungsschaltung mit geschlossener Schleife, in der tatsächlich erzeugte Leistung verwendet wird, die Ausgangsleistung des Oszillators zu steuern. Um dies zu erreichen, sind Einrichtungen vorgesehen, um die HF-Spannung und den HF-Strom zu messen und zu multiplizieren, um einen für die gegenwärtige HF-Ausgangsleistung repräsentativen Ausgang bereitzustellen. Dieser Ausgang wird mit einer verlangten Leistung verglichen, um ein Fehlersignal zum Anlegen an das Gitter des Oszillators zu erzeugen, um seine Ausgangsleistung zu steuern. Dies wird auf eine Weise ausgeführt, die den Wirkungsgrad des Generators verändert sowie die Notwendigkeit einer dynamischen Impedanzanpassung ausschließt. Die vorliegende Erfindung schließt auch eine Einrichtung ein, um das Plasma auf oder nahe bei Null- Potential zu halten, sowie eine Einrichtung, um die Betriebsbedingungen des Generators zu überwachen. Der Zustand des Plasmas wird fortlaufend überwacht, indem der Zustand der Schaltkreisparameter erfaßt wird, um eine Beschädigung zu verhindern, die durch eine Nichtzündung oder schlechte Zündung des Plasmas hervorgerufen wird.
  • Fig. 1 ist eine Blockdiagramdarstellung des induktiv gekoppelten Plasmagenerators der vorliegenden Erfindung; und
  • Fig. 2 ist eine schematische Darstellung des Oszillators der vorliegenden Erfindung.
  • Es wird nun auf Fig. 1 Bezug genommen, in der der induktiv gekoppelte Plasmagenerator 10 der vorliegenden Erfindung gezeigt ist. Er umfaßt eine Vakuum-Triodenröhre 11, die ausgelegt ist, als ein Oszillator, beispielsweise ein Colpitts Oszillator, wie es in Fig. 2 gezeigt ist, in dem Hochfrequenz- HF-Bereich zu arbeiten. Die Anodenspannung wird dem Generator 10 mittels einer Hochspannungs-Stromversorgung 12 zugeführt. Die Hochspannungs-Stromversorgung 12 besitzt die Fähigkeit, eine Spannung bei unterschiedlichen bestimmten Werten zuzuführen, beispielsweise vier bestimmten Werten, die einem niedrigen, mittleren, hohen und Zünd-Leistungsbereich entsprechen. Die Gittervorspannung wird dem Generator 10 mittels einer Gittersteuerungsschaltung 13 zugeführt.
  • Der Oszillator oder Generator 11 ist mit der Plasmalastspule 17 verbunden, die um den Glasbrenner 18 herum angeordnet ist. Die Ausgangsleistung an die Lastspule 17 wird über eine Oszillator Resonanzschaltung 16 zugeführt, von der die Lastspule 17 ein Teil ist. Die Resonanzschaltung 16 ist schematisch im einzelnen in Fig. 2 gezeigt. Argon oder ein ähnliches Gas wird durch den Glasbrenner 18 über beispielsweise eine Öffnung 18a eingeführt, wird durch das elektromagnetische Feld ionisiert, das durch die durch die Resonanzausgangsschaltung 16 hindurchlaufende HF-Leistung bewirkt wird, von der die Lastspule 17 ihr induktiver Teil ist. Das erzeugte Plasma ist symbolisch als eine Flamme 18b gezeigt. Man beachte jedoch, daß das Plasma, das Photonen und Ionen umfaßt, unterschiedlich in Abhängigkeit von seiner Verwendung in der Atomemissionsspektrometrie oder der Massenspektrometrie verwendet wird.
  • Die Kapazität der Oszillatorresonanzschaltung 16 ist, wie es in Fig. 2 gezeigt ist, aufgeteilt, um als ein Spannungsteiler zu wirken, damit eine virtuelle Masse in der Mitte der Lastspule 17 auftritt. Dies ermöglicht, daß Plasma bei Null oder nahe bei Null Potential mit dem begleitendem Vorteil zu betreiben, zufällige Entladungen, wenn in einem Atomemissionsspektrometer verwendet, und Entladungen auszuschließen, die die Öffnung des Probennehmers erodieren, wenn er in einem Massenspektrometer verwendet.
  • Eine kapazitive Spannungsteilerschaltung 14 und eine Stromwandlerschaltung 15 sind zwischen dem Generator 11 und dem Hochfrequenz-Multiplikationsschaltkreis 19 geschaltet. Die Hochfrequenz-Multiplikationsschaltung 19 liefert der Komparatorschaltung 21 einen Eingang. Die kapazitive Spannungsteilerschaltung 14 stellt einen Ausgang bereit, der für die HF- Spannung repräsentativ ist, die von dem Generator 11 an die HF-Multiplikationsschaltung 19 ausgegeben wird, während der Stromwandler 15 ein Signal liefert, das für den HF-Strom repräsentativ ist, der von dem Generator 11 an die HF-Multiplikationsschaltung 19 ausgegeben wird. Die Spannungsteilerschaltung 14 und die Stromwandlerschaltung 15 sind so verbunden, daß sie die an die Last gelieferte HF-Leistung nicht stören.
  • Die HF-Spannung und der HF-Strom werden tatsächlich in der HF- Multiplikationsschaltung 19 multipliziert, um ein Ausgangssignal zu geben, das für die HF-Leistung repräsentativ ist, die gegenwärtig dem Plasma 18b durch die Ladespule 17 geliefert wird. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält die HF-Multiplikationsschaltung 19 identische, logarithmisch reagierende Verstärker und eine Summierschaltung ähnlich der AD834 Vierquadranten-Multiplikationseinrichtung, wie sie auf Seite 6-65 von Analog Devices, Inc., "Linear Products Databook" Ausgabe 1990/91 gezeigt und beschrieben ist. Da das HF-Spannungssignal und das HF-Stromsignal logarithmisch verstärkt, dann zusammenaddiert werden, sind sie arithmetisch äquivalent, miteinander multipliziert zu werden. Da das arithmetische Produkt aus der HF-Spannung und dem HF- Strom die HF-Leistung ist, ist das Ausgangssignal von der HF- Multiplikationsschaltung 19 für die HF-Leistung repräsentativ, die dem Plasma durch die Lastspule 17 zugeführt wird.
  • Das für die HF-Leistung repräsentative Signal wird fortlaufend an die Komparatorschaltung 21 gelegt. Ein Mikroprozessor 23 liefert einen zweiten Eingang an die Komparatorschaltung 21, der die erwünschte oder verlangte HF-Leistung angibt. Ein Digital/Analog-Umwandler ist zwischen den Mikroprozessor 23 und die Komparatorschaltung 22 zwischengefügt, um die digitale Date von dem Mikroprozessor in eine analoge Form umzuwandeln, damit sie mit dem analogen Signal von der HF-Multiplikationsschaltung 19 verträglich ist.
  • Die Komparatorschaltung 21 liefert ein Fehlersignal an die Gittersteuerungsschaltung 13. Dieses Fehlersignal ist für die positive oder negative Abweichung der gegenwärtigen HF-Leistung, die zu der Lastspule 17 geht, von der erwünschten oder verlangte Leistung repräsentativ, die durch den Mikroprozessor 23 bereitgestellt wird. Dieser wird neben anderen durch einen Arbeitscomputer bereitgestellt, der ein Tasteneingangssystem oder ähnliches und eine Anzeige/oder einen Drucker aufweist. Das Signal von der Komparatorschaltung 21 wird an die Gittersteuerungsschaltung 13 zurückgeführt und hält die HF-Leistung an der Lastspule 17 genau eingestellt konstant und stabil bei der verlangten Leistung.
  • Die Gittersteuerungsschaltung enthält einen Leistungstransistor, beispielsweise einen FET-Transistor, dem das Fehlersignal zugeführt wird. Der Transistor steuert die Gittervorspannung der Vakuum-Triodenröhre 11 nach Maßgabe des Fehlersignals.
  • Um den Bereich der Vakuumröhre 11 eines Oszillators auszudehnen, kann sein Wirkungsgrad zwischen ungefähr 40 % bis 60 % verändert werden, indem der Gitterstrom der Vakuumröhre 11 nach Maßgabe der tatsächlichen Ausgangsleistung verändert wird, beispielsweise geringer Wirkungsgrad bei geringem Gitterstrom und hoher Wirkungsgrad bei hohem Gitterstrom.
  • Eine Meßschaltung 25 erhält einen Eingang von dem Generator 11. Die Meßschaltung 25 besitzt einen mit der Komparatorschaltung 26 und der Analog/Digital-Umwandlerschaltung 29 verbundenen Ausgang, die selbst einen Eingang an den Mikroprozessor 23 liefert. Eine Überwachungsschaltung 27 liefert einen zweiten Eingang an die Komparatorschaltung 26, deren Ausgang als ein Eingang für die Schutzschaltung vorgesehen ist. Der Ausgang der Schutzschaltung 28 ist mit der Hochspannungs-Stromversorgung verbunden.
  • Ein Zweck dieser Anordnung ist, die Betriebsparameter des Generators 11 zu überwachen, wie die Anodenspannung, den Anodenstrom und den Gitterstrom. Somit wird, wenn einer der Parameter einen kritischen Wert überschreitet, der von der Überwachungsschaltung 27 gesetzt ist, die Schutzschaltung 28 bewirken, daß die Hochspannungs-Stromversorgung 12 abgeschaltet wird. Dieses Merkmal ist besonders bedeutend, wenn die Betriebsbedingungen des Plasmas bestimmt werden, indem der Gitterstrom überwacht wird. Vor der Zündung der Plasmaentladung ist der Gitterstrom äußerst hoch. Dies ist der Fall, da sehr wenig Energie von der Lastspule aufgenommen und der größte Teil der von dem HF-Generator 11 gelieferten Energie an das Gitter des Generators zurückgeführt wird, der, wie es vorhergehend angegeben worden ist, im wesentlichen eine Vakuum-Triodenröhre ist. Wenn der Gitterstrom über eine vorgegebene Zeit hinaus hoch bleibt, kann dies ein Zündungsproblem anzeigen. Um eine Beschädigung der Schaltungsanordnung und/oder des Glasbrenners 18 zu verhindern, schaltet die Schutzschaltung 28 die Hochspannung von der Stromversorgung 12 zu dem Generator 11 ab. Ähnlich kann der Gitterstrom eine gute Zündung anzeigen, indem er von einem hohen Vorzündungswert zu einem stabilen, niedrigeren Betriebswert zurückkehrt. Eine Änderung des Gitterstroms kann auch ein "schlechtes" Plasma anzeigen, das ein solches ist, das eine Zerstörung der Entladung umfaßt. Dies ist auch rechtzeitig erfaßbar, um die Hochspannung zu dem Generator 11 abzuschalten, bevor ein Schaden aufgetreten ist.
  • In Abhängigkeit von dem verlangten HF-Leistungsbereich, beispielsweise Zünden oder verschiedene Arbeitsbereiche, steuert der Mikroprozessor 23 die von dem Generator 11 ausgegebene Leistung, indem die von der Stromquelle 12 bereitgestellte Leistung eingestellt wird. Dies kann ausgeführt werden, indem beispielsweise einer von vier Triacs oder ähnliche Einrichtungen eingeschaltet werden, die den Wert der tatsächlichen Hochspannung an der Anode der Vakuum-Triodenröhre 11 steuert.
  • Es wird nun besonders auf Fig. 2 Bezug genommen, in der der Oszillator der vorliegenden Erfindung gezeigt ist. Wie man sehen kann, umfaßt er eine Vakuum-Triodenröhre 11, die als ein etwas abgewandelter Colpitts Oszillator geschaltet ist. Die Resonanzausgangsschaltung 16 umfaßt im wesentlichen die Lastspule 17, die parallel zu den Kondensatoren C&sub1; und C&sub2; geschaltet ist, deren Verbindungspunkt mit der an Masse liegenden Kathode verbunden ist. Der gegenwärtige Colpitts Oszillatorschaltkreis unterscheidet sich von der herkömmlichen Schaltung dahingehend, daß bei der vorliegenden Anordnung c&sub1; und C&sub2; in ihrem Wert einander gleichgemacht sind und umgekehrt verbunden sind, wohingegen sie bei der herkömmlichen Anordnung nicht gleich sind. In der vorliegenden Anordnung steuert das Verhältnis vom C&sub2; zu C&sub3; die Gitteransteuerungsleistung, wohingegen bei dem herkömmlichen Aufbau das Verhältnis von C&sub1; zu C&sub2; diese Aufgabe durchführt.
  • Dadurch, daß die Kapazitäten C&sub1; und C&sub2; die gleichen Reaktanzen haben und entgegengesetzt verbunden sind, sind die Spannungen über die Lastspule 17 in der Größe gleich aber in der Phase in Bezug auf Masse entgegengesetzt. Die Wirkung dieser Anordnung ist, eine virtuelle Masse an dem elektrischen Mittelpunkt der Lastspule 17 zu erzeugen, was dem Plasma ermöglicht, mit keinem indirekten Gleichstrompotential zu arbeiten, d.h. bei Massepotential mit dem begleitenden Vorteil, eine Beschädigung des Glasbrenners bei der Atomemissionsspektrography oder eine erosive Beschädigung des Probenname Kegels bei der Massenspektrographie auszuschließen.
  • Der Mikroprozessor 23 erhält Informationen über die verlangte oder befohlene HF-Leistung und andere Betriebsparameter, von dem Arbeitscomputer 24, beispielsweise den Wert der Anodenspannung von der Hochspannungs-Stromversorgung 12.
  • Das verlangte HF-Leistungssignal wird der Komparatorschaltung 22 über den Digital/Analog-Umwandler 22 geliefert, während die Hochspannung (niedrig, mittel, hoch oder zünden), bei der der Oszillator arbeiten soll, über die Hochspannungs-Stromversorgung 12 mittels der digitalen Eingangs/Ausgangsschaltung 31 geliefert wird.
  • Oben ist ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator beschrieben worden, der neuartige Einrichtungen für die genaue Einstellung und stabile Steuerung der HF-Ausgangsleistung bereitstellt. Da die Schaltung die wahre mittlere quadratische Leistung mißt, berücksichtigt sie die Phasenverschiebung des HF-Stroms und der HF-Spannung aufgrund einer Änderung bei der Lastimpedanz, die durch unterschiedliche Plasmabetriebsbedingungen hervorgerufen wird, und der Anodenimpedanzladung der Röhre aufgrund der sich ändernden Gittervorspannung.
  • Zusätzlich dazu, das Plasma auf Massespannung zu halten, wird der Gitterstrom der Vakuumröhre fortlaufend überwacht, um die obengenannten Beschädigungsprobleme zu verhindern.
  • Schließlich wird, wie es oben angegeben worden ist, der Leistungseinstellbereich des Generators erweitert, indem der Wirkungsgrad des HF-Vakuumröhren-Oszillators des Generators geändert wird.

Claims (12)

1. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator, umfaßend
eine Oszillatoreinrichtung zum Erzeugen von HF-Leistung,
eine Lasteinrichtung, die mit dem genannten Oszillator zum Erzeugen eines Plasmas verbunden ist,
eine Erfassungseinrichtung zum Messen der gegenwärtigen HF- Leistung, die an die genannte Lasteinrichtung geliefert wird,
eine Schaltungseinrichtung, die zwischen die genannte Lasteinrichtung und die genannte Oszillatoreinrichtung zum Aufrechterhalten der genannten HF-Leistung auf einem verlangten Wert verbindet.
2. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäßt Anspruch 1, in dem die genannte Erfassungseinrichtung umfaßt
eine erste Einrichtung, die mit der Ausgangsseite der genannten Oszillatoreinrichtung verbunden ist und eine für den HF-Spannungsausgang der genannten Oszillatoreinrichtung repräsentative Spannung bereitstellt,
eine zweite Einrichtung, die mit der Ausgangsseite der genannten Oszillatoreinrichtung verbunden ist und einen für den HF-Stromausgang der genannten Oszillatoreinrichtung repräsentativen Strom bereitstellt,
eine dritte Einrichtung, die mit der genannten ersten und der zweiten Einrichtung gekoppelt ist, um wirksam die Ausgänge der genannten ersten und zweiten Einrichtung zu multiplizieren, wodurch eine Ausgangsspannung bereitgestellt wird, die für die gegenwärtige HF-Leistung repräsentativ ist, die von der genannten Oszillatoreinrichtung an die genannte induktive Lasteinrichtung geliefert wird.
3. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäß Anspruch 2, in dem die genannte Schaltungseinrichtung umfaßt
eine Komparatorschaltungseinrichtung, die mit der genannten Einrichtung verbunden ist, um die genannte Spannung zu erhalten, die für die genannte gegenwärtige HF-Leistung repräsentativ ist,
eine vierte Einrichtung, die mit der genannten Komparatorschaltungseinrichtung verbunden ist, um einen Eingang an die genannte Komparatorschaltungseinrichtung zu liefern, der für die genannte verlangte HF-Leistung repräsentativ ist,
die genannte Komparatorschaltungseinrichtung einen Fehlersignalausgang liefert, der für die Differenz zwischen der genannten gegenwärtigen HF-Leistung und der genannten verlangten HF-Leistung repräsentativ ist,
eine steuerungsschaltungseinrichtung, die mit der genannten Oszillatoreinrichtung und der genannten Komparatorschaltungseinrichtung verbunden ist, um die HF-Ausgangsleistung der genannten Oszillatoreinrichtung nach Maßgabe des genannten Fehlersignals zu steuern.
4. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäß Anspruch 3, in dem die genannte Oszillatoreinrichtung umfaßt
eine Trioden-Vakuumröhre mit einer Anode, einer Kathode und einem Gitter.
5. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäß Anspruch 4, in dem die genannte Steuerungsschaltungseinrichtung umfaßt
eine Gittersteuerungsschaltung, die mit dem Gitter der genannten Trioden-Vakuumröhre verbunden ist, um das genannte Fehlersignal an das genannte Gitter zum Aufrechterhalten der HF-Ausgangsleistung bei der verlangten HF-Leistung anzulegen.
6. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäß Anspruch 5, in dem die genannte Gittersteuerungsschaltung einschließt
eine Leistungstransistoreinrichtung, die den Gitterstrom steuert, um den Wirkungsgrad der genannten Oszillatoreinrichtung zwischen Grenzen zu verändern, die durch die verlangte HF-Ausgangsleistung bestimmt sind.
7. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäß Anspruch 6, in dem die genannte Lasteinrichtung umfaßt
einen Glasbrenner,
eine um den genannten Glasbrenner herum angeordnete Lastspule,
einen ersten und zweiten, in Reihe verbundenen Kondensator, die parallel zu der genannten Lastspule geschaltet sind, um damit eine Resonanzschaltung zu bilden, die zwischen der genannten Anode und der Kathode der genannten Triode geschaltet ist.
8. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäß Anspruch 7, in dem die genannten Kondensatoren gleiche Werte haben und an ihrer Verbindungsstelle mit Masse verbunden sind, wodurch die Plasmaspannung auf einem Nullpotential gehalten wird.
9. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäß Anspruch 8, in dem die genannte vierte Einrichtung ein Mikroprozessor ist, der programmiert ist, die genannte verlangte HF-Leistung bereitzustellen.
10. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäß Anspruch 9, ferner umfassend
eine Anodenspannungs-Versorgungseinrichtung, die zwischen der genannten Anode der genannten Trioden-Vakuumröhre und dem genannten Mikroprozessor zum Ändern der Anodenspannung nach Maßgabe der genannten verlangten HF-Leistung verbunden ist.
11. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäß Anspruch 10, in dem die genannte erste Einrichtung und zweite Einrichtung jeweils logarithmisch reagierende Verstärker umfassen und die genannte dritte Einrichtung eine Addierschaltung umfaßt.
12. Ein induktiv gekoppelter Plasmagenerator gemäß Anspruch 11, ferner umfassend
eine Schutzschaltungseinrichtung, die auf merkliche Änderungen beim Gitterstrom der genannten Trioden-Vakuumröhre reagiert, um die genannte Stromversorgung von der genannten Trioden-Vakuumröhre abzuschalten, um eine Beschädigung des genannten Glasbrenners zu verhindern.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5565737A (en) * 1995-06-07 1996-10-15 Eni - A Division Of Astec America, Inc. Aliasing sampler for plasma probe detection
US6329757B1 (en) 1996-12-31 2001-12-11 The Perkin-Elmer Corporation High frequency transistor oscillator system
WO2001005020A1 (en) 1999-07-13 2001-01-18 Tokyo Electron Limited Radio frequency power source for generating an inductively coupled plasma
US6305316B1 (en) * 2000-07-20 2001-10-23 Axcelis Technologies, Inc. Integrated power oscillator RF source of plasma immersion ion implantation system
JP4490969B2 (ja) 2003-09-22 2010-06-30 エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド 無線周波数プラズマ処理における不安定性を防止する方法及び装置
US7755300B2 (en) 2003-09-22 2010-07-13 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for preventing instabilities in radio-frequency plasma processing
US7314537B2 (en) * 2003-09-30 2008-01-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for detecting a plasma
US9130602B2 (en) 2006-01-18 2015-09-08 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for delivering energy to an electrical or electronic device via a wireless link
US8447234B2 (en) 2006-01-18 2013-05-21 Qualcomm Incorporated Method and system for powering an electronic device via a wireless link
JP4586738B2 (ja) * 2006-02-02 2010-11-24 株式会社島津製作所 Icp分析装置
EP2092547B1 (de) * 2006-10-31 2014-01-22 MKS Instruments, Inc. Verfahren und vorrichtung zur verhinderung von instabilitäten bei der hochfrequenz-plasmaverarbeitung
US9774086B2 (en) 2007-03-02 2017-09-26 Qualcomm Incorporated Wireless power apparatus and methods
US9124120B2 (en) 2007-06-11 2015-09-01 Qualcomm Incorporated Wireless power system and proximity effects
WO2009023155A2 (en) 2007-08-09 2009-02-19 Nigelpower, Llc Increasing the q factor of a resonator
WO2009036405A1 (en) 2007-09-13 2009-03-19 Nigelpower, Llc Maximizing power yield from wireless power magnetic resonators
CN101828300A (zh) 2007-09-17 2010-09-08 高通股份有限公司 用于无线能量转移的发射器和接收器
US8629576B2 (en) 2008-03-28 2014-01-14 Qualcomm Incorporated Tuning and gain control in electro-magnetic power systems
US8692466B2 (en) * 2009-02-27 2014-04-08 Mks Instruments Inc. Method and apparatus of providing power to ignite and sustain a plasma in a reactive gas generator
US8502455B2 (en) 2009-05-29 2013-08-06 Agilent Technologies, Inc. Atmospheric inductively coupled plasma generator
US9601267B2 (en) 2013-07-03 2017-03-21 Qualcomm Incorporated Wireless power transmitter with a plurality of magnetic oscillators
DE102014101719A1 (de) * 2014-02-12 2015-08-13 Messer Cutting Systems Gmbh Plasmaschneidmaschine mit Schutzeinrichtung sowie Verfahren zum Betreiben der Plasmaschneidmaschine
CN104135812A (zh) * 2014-07-15 2014-11-05 华中科技大学 一种基于等离子体发光强度检测的射频离子源保护装置
JP6323260B2 (ja) 2014-08-29 2018-05-16 株式会社島津製作所 高周波電源装置
JP2016054041A (ja) 2014-09-03 2016-04-14 株式会社島津製作所 高周波電源装置
CN115728002B (zh) * 2022-09-07 2023-07-11 南京航空航天大学 一种基于电感耦合等离子体的真空玻璃真空度检测系统
CN117545162B (zh) * 2023-11-08 2024-05-28 江苏神州半导体科技有限公司 一种远程等离子源的预激发点火装置及其控制方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1109602A (en) * 1963-10-21 1968-04-10 Albright & Wilson Mfg Ltd Improvements relating to spectroscopic methods and apparatus
US3909664A (en) * 1973-09-17 1975-09-30 Outboard Marine Corp Plasma spraying method and apparatus
US4500408A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Apparatus for and method of controlling sputter coating
US4629940A (en) * 1984-03-02 1986-12-16 The Perkin-Elmer Corporation Plasma emission source
US4766287A (en) * 1987-03-06 1988-08-23 The Perkin-Elmer Corporation Inductively coupled plasma torch with adjustable sample injector

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