DE69230698D1 - Supraleitender Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung einer Mehrfachlagenstruktur für diesen Transistor - Google Patents

Supraleitender Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung einer Mehrfachlagenstruktur für diesen Transistor

Info

Publication number
DE69230698D1
DE69230698D1 DE69230698T DE69230698T DE69230698D1 DE 69230698 D1 DE69230698 D1 DE 69230698D1 DE 69230698 T DE69230698 T DE 69230698T DE 69230698 T DE69230698 T DE 69230698T DE 69230698 D1 DE69230698 D1 DE 69230698D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
producing
field effect
multilayer structure
superconducting field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69230698T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69230698T2 (de
Inventor
Pierre Bernstein
Julien Bok
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bull SA
Original Assignee
Bull SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bull SA filed Critical Bull SA
Publication of DE69230698D1 publication Critical patent/DE69230698D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69230698T2 publication Critical patent/DE69230698T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/80Constructional details
    • H10N60/85Superconducting active materials
    • H10N60/855Ceramic superconductors
    • H10N60/857Ceramic superconductors comprising copper oxide
    • H10N60/858Ceramic superconductors comprising copper oxide having multilayered structures, e.g. superlattices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/20Permanent superconducting devices
    • H10N60/205Permanent superconducting devices having three or more electrodes, e.g. transistor-like structures 
    • H10N60/207Field effect devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
DE69230698T 1991-03-22 1992-03-16 Supraleitender Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung einer Mehrfachlagenstruktur für diesen Transistor Expired - Fee Related DE69230698T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9103529A FR2674374A1 (fr) 1991-03-22 1991-03-22 Transistor supraconducteur a effet de champ et procede de fabrication d'une structure multicouche telle que celle utilisee dans le transistor.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69230698D1 true DE69230698D1 (de) 2000-03-30
DE69230698T2 DE69230698T2 (de) 2000-06-15

Family

ID=9411041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69230698T Expired - Fee Related DE69230698T2 (de) 1991-03-22 1992-03-16 Supraleitender Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung einer Mehrfachlagenstruktur für diesen Transistor

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0505259B1 (de)
JP (2) JP2591559B2 (de)
DE (1) DE69230698T2 (de)
ES (1) ES2143986T3 (de)
FR (1) FR2674374A1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69210150T2 (de) * 1991-08-26 1996-10-31 Sumitomo Electric Industries Supraleitende Einrichtung mit extrem dünnen supraleitenden Kanal aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu deren Herstellung
CA2084174C (en) * 1991-11-30 1997-07-29 Takao Nakamura Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing thesame
CA2085290C (en) * 1991-12-13 1997-08-05 Takao Nakamura Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same
JPH05251776A (ja) * 1991-12-13 1993-09-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導素子およびその作製方法
US5828079A (en) * 1992-06-29 1998-10-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Field-effect type superconducting device including bi-base oxide compound containing copper
JPH0831625B2 (ja) * 1992-10-30 1996-03-27 株式会社日立製作所 超電導三端子素子
FR2835353A1 (fr) * 2002-01-25 2003-08-01 Wintici Dispositifs electroniques de commande a base de materiau supraconducteur
CN102664153B (zh) * 2012-05-08 2016-04-06 肖德元 一种超导场效应晶体管、其制作方法及应用方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63160273A (ja) * 1986-12-23 1988-07-04 Fujitsu Ltd 高速半導体装置
DE3876228T2 (de) * 1988-01-15 1993-06-03 Ibm Feldeffektanordnung mit supraleitendem kanal.
JPH0260176A (ja) * 1988-08-26 1990-02-28 Japan Aviation Electron Ind Ltd アハロノフ・ボーム効果トランジスタ
DE69132972T2 (de) * 1991-01-07 2003-03-13 Ibm Supraleitender Feldeffekttransistor mit inverser MISFET-Struktur und Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
EP0505259A2 (de) 1992-09-23
ES2143986T3 (es) 2000-06-01
JPH08191157A (ja) 1996-07-23
EP0505259A3 (en) 1993-01-27
FR2674374B1 (de) 1997-02-07
EP0505259B1 (de) 2000-02-23
JP2591559B2 (ja) 1997-03-19
JPH06237023A (ja) 1994-08-23
FR2674374A1 (fr) 1992-09-25
DE69230698T2 (de) 2000-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69224310D1 (de) Gatestruktur einer Feldeffektanordnung und Verfahren zur Herstellung
DE69229661D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Anschlusstruktur für eine Halbleiteranordnung
DE69403593D1 (de) Gerät und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE69211218D1 (de) Dünnfilm Feldeffektanordnung mit einer LDD-Struktur und Verfahren zur Herstellung
ATE168859T1 (de) Wärmebeständige schokolade und verfahren zur deren herstellung
DE69422229D1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterdünnschicht und Verfahren zur Herstellung einer Hall-Effekt-Anordnung
DE69123557T2 (de) Halbleiteranordnung und ein verfahren zur herstellung einer solchen halbleiteranordnung
DE69024916T2 (de) Verfahren und System zur Herstellung einer supraleitenden Dünnschicht aus Oxyd
DE69132972T2 (de) Supraleitender Feldeffekttransistor mit inverser MISFET-Struktur und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69311643D1 (de) Mehrschichtformteile und Verfahren zur Herstellung derselben
DE69224009D1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit MOS- und Bipolar-Bauteilen
DE69117503T2 (de) Verbesserter supraleitender Feldeffekt-Transistor mit inverser MISFET-Struktur und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69230698T2 (de) Supraleitender Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung einer Mehrfachlagenstruktur für diesen Transistor
DE69416808T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Halbleitervorrichtung
DE69212883T2 (de) Integrierend geformte gedruckte Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
DE69227274D1 (de) Supraleitender Gegenstand und Verfahren zur Herstellung diesen supraleitenden Gegenstand
DE69207366D1 (de) Verfahren zur herstellung einer leitung mit veränderlicher steifheit und damit verbundenes element
DE69322124D1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Mehrschicht-Leitergitters für eine Halbleiteranordnung
DE59309045D1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiterstruktur
DE69122859D1 (de) Verfahren zur gleichzeitigen herstellung einer aromatischen hydroxyverbindung und einer carbonylverbindung
DE69328278T2 (de) Übergangsvorrichtung mit Gitteranpassung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69128829T2 (de) Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung
DE69127165D1 (de) Supraleitende Streifen und Verfahren zur Herstellung
DE59208785D1 (de) Strukturierte leiterbahnen und verfahren zur herstellung derselben
DE69223115D1 (de) Mehrschichtiger formteil und verfahren zur herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee