DE69217318D1 - Optoelektronische Halbleiteranordnung mit einem Strahlungsleiter und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Anordnung - Google Patents

Optoelektronische Halbleiteranordnung mit einem Strahlungsleiter und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Anordnung

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4304993A1 (de) * 1993-02-18 1994-08-25 Sel Alcatel Ag Verfahren zur Herstellung eines kaskadierten optischen Raumschalters und nach diesem Verfahren hergestellter kaskadierter optischer Raumschalter
US6078707A (en) * 1995-09-22 2000-06-20 Sharp Kabushiki Kaisha Waveguide-photodetector, method for producing the same, waveguide usable in the waveguide-photodetector, and method for producing the same
US5703980A (en) * 1996-09-20 1997-12-30 Northern Telecom Method for low-loss insertion of an optical signal from an optical fibre to a waveguide integrated on to a semiconductor wafer
JP2877125B2 (ja) * 1997-02-14 1999-03-31 日本電気株式会社 導波型光アレスター
US5987196A (en) * 1997-11-06 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Semiconductor structure having an optical signal path in a substrate and method for forming the same
US6850683B2 (en) 2000-07-10 2005-02-01 Massachusetts Institute Of Technology Low-loss waveguide and method of making same
US7103245B2 (en) 2000-07-10 2006-09-05 Massachusetts Institute Of Technology High density integrated optical chip
AU2001281623A1 (en) * 2000-08-17 2002-02-25 Mcmaster University Silicon-on-insulator optical waveguide fabrication by local oxidation of silicon
EP1476776B1 (de) * 2002-02-21 2006-06-07 Frauenhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Strahlführendes und/oder frequenzkonvertierendes optisches system sowie verfahren zur herstellung
US6934427B2 (en) * 2002-03-12 2005-08-23 Enablence Holdings Llc High density integrated optical chip with low index difference waveguide functions
US7563628B2 (en) * 2004-11-10 2009-07-21 Lehigh University Fabrication of optical waveguide devices
JP2010044096A (ja) * 2006-12-07 2010-02-25 Alps Electric Co Ltd 導光装置
US20090093824A1 (en) * 2007-10-04 2009-04-09 Hasan Jafar S Wound closure fasteners and device for tissue approximation and fastener application
WO2014189599A2 (en) 2013-03-14 2014-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Photonic devices and methods of using and making photonic devices

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5009476A (en) * 1984-01-16 1991-04-23 Texas Instruments Incorporated Semiconductor layer with optical communication between chips disposed therein
US4701008A (en) * 1984-08-10 1987-10-20 Motorola, Inc. Optical waveguide including superstrate of niobium or silicon oxynitride and method of making same
JP2582066B2 (ja) * 1987-03-19 1997-02-19 株式会社日立製作所 光機能性デバイス
US4762382A (en) * 1987-06-29 1988-08-09 Honeywell Inc. Optical interconnect circuit for GaAs optoelectronics and Si VLSI/VHSIC
DE68914980T2 (de) * 1988-09-01 1994-09-22 Seiko Epson Corp Lichtausstrahlende anordnung und verfahren zur herstellung.
GB2222465A (en) * 1988-09-03 1990-03-07 Marconi Gec Ltd Optical waveguide having low light loss
JPH02203305A (ja) * 1989-02-01 1990-08-13 Fujikura Ltd 非線形光導波路の製造方法
JPH02310540A (ja) * 1989-05-26 1990-12-26 Seiko Epson Corp 自動焦点用光集束性薄膜導波路
US4934774A (en) * 1989-06-08 1990-06-19 Northern Telecom Limited Optical waveguide and method for its manufacture
JPH0310205A (ja) * 1989-06-08 1991-01-17 Fujikura Ltd 基板型光導波路の製造方法
DE3929410A1 (de) * 1989-09-05 1991-03-07 Standard Elektrik Lorenz Ag Integrierter lichtwellenleiter
US5327448A (en) * 1992-03-30 1994-07-05 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Semiconductor devices and techniques for controlled optical confinement

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Publication number Publication date
JPH07112100B2 (ja) 1995-11-29
US5360982A (en) 1994-11-01
DE69217318T2 (de) 1997-07-31
JPH05226787A (ja) 1993-09-03
US5494834A (en) 1996-02-27
EP0536829B1 (de) 1997-02-05
EP0536829A1 (de) 1993-04-14

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