JPH02310540A - 自動焦点用光集束性薄膜導波路 - Google Patents
自動焦点用光集束性薄膜導波路Info
- Publication number
- JPH02310540A JPH02310540A JP13301889A JP13301889A JPH02310540A JP H02310540 A JPH02310540 A JP H02310540A JP 13301889 A JP13301889 A JP 13301889A JP 13301889 A JP13301889 A JP 13301889A JP H02310540 A JPH02310540 A JP H02310540A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film waveguide
- waveguide
- light
- near parabolic
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光集束性薄膜導波路の自動焦点可変の構造に
関する。
関する。
・［発明の概要］
本発明は、光集束性薄膜導波路の表面に電極及び絶縁膜
を設げ、光集束性薄膜導波路の焦点距離を電気、先学効
果を用いて電気的に可変させることを実現したものであ
る。
を設げ、光集束性薄膜導波路の焦点距離を電気、先学効
果を用いて電気的に可変させることを実現したものであ
る。
［従来の技術］
従来の焦点距離の可変は、複数のレンズを用い、レンズ
間の距離を変化させることで実現されていた。
間の距離を変化させることで実現されていた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では、機械的にレンズ間隔を変
えて（゛るｒこめに、小型径９化は、レンズの大きさに
より決まり、また機械駆動のため故障しやすい等の問題
点を有する。
えて（゛るｒこめに、小型径９化は、レンズの大きさに
より決まり、また機械駆動のため故障しやすい等の問題
点を有する。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、小型軽量で、電圧制御の光学
素子を提供するところにある。
その目的とするところは、小型軽量で、電圧制御の光学
素子を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明の自動焦点用光集束性薄膜導波路は、光集束性を
有する光伝送用薄膜導波路の表面に電極及び絶縁膜を有
する光集束性薄膜導波路に於て、前記光集束性薄膜導波
路と電極との間隔を絶縁膜により変えたことを特徴とす
る。
有する光伝送用薄膜導波路の表面に電極及び絶縁膜を有
する光集束性薄膜導波路に於て、前記光集束性薄膜導波
路と電極との間隔を絶縁膜により変えたことを特徴とす
る。
［作用コ
本発明は以上の構造を有するもので、電極の働きにより
光集束性薄膜導波路の屈折率の分布に変化を与え、焦点
距離が変化することになる。
光集束性薄膜導波路の屈折率の分布に変化を与え、焦点
距離が変化することになる。
［実施例コ
第１図は本発明の実施例の光集束性￥Ｊ膜導波路の断面
図である。１は誘電体薄膜、２は光集束性導波路、３は
絶縁膜、４α、４ｂは電極、５は電源である。第２図は
本発明の実施例の立体図である。
図である。１は誘電体薄膜、２は光集束性導波路、３は
絶縁膜、４α、４ｂは電極、５は電源である。第２図は
本発明の実施例の立体図である。
ここで光集束性薄膜導波路とは、薄膜導波路の断面にお
いて、導波路中心部から誘電体までの屈折率が二乗分布
に従って変化する導波路を指す。
いて、導波路中心部から誘電体までの屈折率が二乗分布
に従って変化する導波路を指す。
また光集束性薄膜導波路の焦点距離は、光集束性薄膜導
波路の中心部の屈折率と誘電体薄膜の屈折率の差により
決定される。
波路の中心部の屈折率と誘電体薄膜の屈折率の差により
決定される。
第１図、第２図に示すように光集束性薄膜導波路の表面
に化学気相成長法または、スパソメ篠ソ法等の方法によ
り酸化膜などの絶縁膜を設け、エツチング法等により絶
縁膜の厚みが、光集束性薄膜導波路中心部から導波路外
側へ指数関数的に増加するように研削し、絶縁膜の表面
及び誘電体の表面に、スパッタ蒸着法等の方法により電
極を設ける。
に化学気相成長法または、スパソメ篠ソ法等の方法によ
り酸化膜などの絶縁膜を設け、エツチング法等により絶
縁膜の厚みが、光集束性薄膜導波路中心部から導波路外
側へ指数関数的に増加するように研削し、絶縁膜の表面
及び誘電体の表面に、スパッタ蒸着法等の方法により電
極を設ける。
５の電源により４α、４ｂの電極に電圧を加えると、４
αと４ｂの電極の間に電界が発生する。
αと４ｂの電極の間に電界が発生する。
発生した電界の強度は、電極に近いほど密となり、電極
から離れるにしたがって疎となる。発生した電界により
、２の光集束性薄膜導波路の屈折率に変化を与える。４
ａの電極による屈折率の変化は、２の光集束性薄膜導波
路の中心部にて太き（、光集束性薄膜導波路の中心部か
ら外側に外れるほど小さくなる。よって２の光集束性薄
膜導波路と誘電体との屈折率の差を変えることができ、
光集束性薄膜導波路の焦点距離を変えることができる。
から離れるにしたがって疎となる。発生した電界により
、２の光集束性薄膜導波路の屈折率に変化を与える。４
ａの電極による屈折率の変化は、２の光集束性薄膜導波
路の中心部にて太き（、光集束性薄膜導波路の中心部か
ら外側に外れるほど小さくなる。よって２の光集束性薄
膜導波路と誘電体との屈折率の差を変えることができ、
光集束性薄膜導波路の焦点距離を変えることができる。
２の光集束性薄膜導波路の屈折率は、５の電源の電圧に
よって制御することができる。よって５の電源の電圧に
より、２の光集束性薄膜導波路の焦点距離を変えること
ができる。
よって制御することができる。よって５の電源の電圧に
より、２の光集束性薄膜導波路の焦点距離を変えること
ができる。
また第２図の光集束性薄膜導波路をレンズとして用いる
と、レンズ自体の焦点距離を電源の電圧によって変化さ
せることができる。さらに、第２図の光集束性薄膜導波
路のレンズを組み合わせることにより、機械的に駆動す
る部分のない、電圧制御による焦点距離可変素子を構成
することができ、電圧制御のため小型計量化が計れる。
と、レンズ自体の焦点距離を電源の電圧によって変化さ
せることができる。さらに、第２図の光集束性薄膜導波
路のレンズを組み合わせることにより、機械的に駆動す
る部分のない、電圧制御による焦点距離可変素子を構成
することができ、電圧制御のため小型計量化が計れる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、光集束性薄膜導波路
の表面の電極を設けることにより、電圧制御の焦点距離
可変素子を構成することができるという効果を有する。
の表面の電極を設けることにより、電圧制御の焦点距離
可変素子を構成することができるという効果を有する。
第１図は本発明の光集束性薄膜導波路の実施例を示す主
要断面図。 第２図は本発明の光集束性薄膜導波路の実施例を示す主
要立体図。 １ ・・・・・・・・・誘電体 ２ ・・・・・・・・・光集束性薄膜導波路３
・・・・・・・・・誘電体 ４α、４ｂ・・・・・・・・・電 極 ５ ・・・・・・・・・電 源 以上
要断面図。 第２図は本発明の光集束性薄膜導波路の実施例を示す主
要立体図。 １ ・・・・・・・・・誘電体 ２ ・・・・・・・・・光集束性薄膜導波路３
・・・・・・・・・誘電体 ４α、４ｂ・・・・・・・・・電 極 ５ ・・・・・・・・・電 源 以上
Claims (1)
- 光集束性を有する光伝送用薄膜導波路の表面に電極及び
絶縁膜を有する光集束性薄膜導波路に於て、前記光集束
性薄膜導波路と電極との間隔を絶縁膜により変えたこと
を特徴とする自動焦点用光集束性薄膜導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13301889A JPH02310540A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 自動焦点用光集束性薄膜導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13301889A JPH02310540A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 自動焦点用光集束性薄膜導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02310540A true JPH02310540A (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=15094876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13301889A Pending JPH02310540A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 自動焦点用光集束性薄膜導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02310540A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5360982A (en) * | 1991-10-08 | 1994-11-01 | U.S. Philips Corporation | Optoelectronic semiconductor having a groove-shaped waveguide |
| US6885781B2 (en) * | 2002-05-03 | 2005-04-26 | Fujitsu Limited | Thin film electro-optical deflector device and a method of fabrication of such a device |
| US7362442B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-04-22 | The University Of Maryland | Far-field optical microscope with a nanometer-scale resolution based on the in-plane image magnification by surface plasmon polaritons |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13301889A patent/JPH02310540A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5494834A (en) * | 1991-01-08 | 1996-02-27 | U.S. Philips Corporation | Optoelectronic semiconductor device comprising a waveguide and method of manufacturing such a device |
| US5360982A (en) * | 1991-10-08 | 1994-11-01 | U.S. Philips Corporation | Optoelectronic semiconductor having a groove-shaped waveguide |
| US6885781B2 (en) * | 2002-05-03 | 2005-04-26 | Fujitsu Limited | Thin film electro-optical deflector device and a method of fabrication of such a device |
| US7362442B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-04-22 | The University Of Maryland | Far-field optical microscope with a nanometer-scale resolution based on the in-plane image magnification by surface plasmon polaritons |
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