DE69215727T2 - Akustische Oberflächenwellenanordnung für Bandpassfilter mit geringer Einfügungsdämpfung und vorbestimmter Bandpasskennlinie für Breitbandigkeit - Google Patents

Akustische Oberflächenwellenanordnung für Bandpassfilter mit geringer Einfügungsdämpfung und vorbestimmter Bandpasskennlinie für Breitbandigkeit

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DE69215727T2
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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen, im besonderen auf eine Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen, die als Bandpaßfilter usw. von Mobilfunkausstattung und ähnlichem verwendet wird.
  • Jüngst sind Vorrichtungen für akustische Oberflächenwellen (die hiernach als SAW-Vorrichtungen abgekürzt sein können) für HF-Schaltkreisintegrationen von Kommunikationsausstattung wie Mobiltelefon-Sendeempfangsvorrichtungen, Kabel- TV-Zwischenstellen und -Konvertern und ähnlichem entwickelt und bereitgestellt worden.
  • Die SAW-Vorrichtung umfaßt ein piezoelektrisches Substrat und interdigitale Wandler (die hiernach als IDTs abgekürzt sein können), die darauf angeordnet sind, um eine Spannung in eine akustische Oberflächenwelle oder eine akustische Oberflächenwelle in eine Spannung umzuwandeln. Man beachte, daß die SAW-Vorrichtung, die IDTs enthält, eine Hochfrequenzspannung in eine akustische Oberflächenwelle mit einer wellenlänge von etwa einem 10&supmin;&sup5; -fachen umwandelt. Die Welle wird auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats zur Ausbreitung gebracht und durch die IDTs wiederum in eine Spannung umgewandelt.
  • Die SAW-Vorrichtung liefert durch die oben beschriebene doppelte Umwandlung und abhängig von den Formen der IDTs eine Filterfunktion zum Auswählen von Frequenzen. Man beachte, daß die SAW-Vorrichtung durch Verwenden einer Mehrzahl von IDTs oder Reflektoren zum Reflektieren von akustischen Oberflächenwellen neben den IDTs bewirken kann, daß die akustischen Oberflächenwellen in Resonanz schwingen. Die SAW-Vorrichtung kann nämlich eine Resonatorfunktion bereitstellen. Da die SAW- Vorrichtung eine Ausbreitungsgeschwindigkeit um etwa das 10&supmin;&sup5;- fache der Geschwindigkeit einer elektromagnetischen Welle verzögern kann, kann sie als Verzögerungsvorrichtung dienen.
  • Diese Funktionen der SAW-Vorrichtungen sind anwendbar zum Realisieren von Filtern, Resonatoren, Verzögerungsleitungen usw., die kompakt, kostengünstig und von Einstellung frei sind. Sie werden zum Beispiel für Zwischenfrequenz- (ZF-) Filter, Resonatoren von Oszillatoren, spannungsgesteuerten Oszillatoren (VCOs) usw. genutzt. Derzeit werden die SAW- Vorrichtungen bei höheren Frequenzen betrieben und, da sie kompakt und kostengünstig sind, werden sie auch als Bandpaßfilter für Mobilfunkausstattung wie Automobil- und tragbare Telefonausstattung benutzt.
  • Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen zu schaffen, um Welligkeiten zu unterdrücken und vorbestimmte Durchlaßbandcharakteristika für ein breites Band zu realisieren. Außerdem ist es ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen zur Verringerung ihres Einfügungsverlustes zu schaffen.
  • Entsprechend der vorliegenden Erfindung ist vorgesehen eine Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen, umfassend: einen Eingangsanschluß; einen Ausgangsanschluß; ein erstes Mehrelektrodenelement für akustische Oberflächenwellen, das eine Mehrzahl erster interdigitaler Wandler und zweiter interdigitaler Wandler, die einander abwechseln, enthält, welche ersten interdigitalen Wandler mit dem Eingangsanschluß verbunden sind; und ein zweites Mehrelektrodenelement für akustische Oberflächenwellen, das eine Mehrzahl dritter interdigitaler Wandler und vierter interdigitaler Wandler, die einander abwechseln, enthält, welches erste und welches zweite Mehrelektrodenelement für akustische Oberflächenwellen spiegelsymmetrisch angeordnet und auf einem piezoelektrischen Substrat vorgesehen sind, welche dritten interdigitalen Wandler mit dem Ausgangsanschluß verbunden sind und welche vierten interdigitalen Wandler mit den zweiten interdigitalen Wandlern verbunden sind; worin die Zahl der ersten oder dritten interdigitalen Wandler gleich der oder um eins kleiner als die Zahl der zweiten oder vierten interdigitalen Wandler ist.
  • Die Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen kann außerdem mindestens einen Reflektor zum Reflektieren von akustischen Oberflächenwellen, der auswärts des äußersten der ersten und dritten interdigitalen Wandler vorgesehen ist, umfassen, und ein Mittenabstand d zwischen den ersten und den zweiten interdigitalen Wandlern oder den dritten und vierten interdigitalen Wandlern ist bestimmt, d (n+β) λ zu sein, worin λ Intervalle von Zähnen jedes interdigitalen Wandlers ist, n eine freigestellte ganze Zahl ist und β im Bereich von 0,17 bis 0,25 liegt; und ein Mittenabstand d' zwischen dem Reflektor und dem äußersten der ersten und dritten interdigitalen Wandler ist bestimmt, d' = n λ oder d' = (n+1/2) λ zu sein. Der Reflektor kann aus interdigitalen Wandlern oder Streifenelektroden aufgebaut sein.
  • Die Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen kann außerdem mindestens einen fünften interdigitalen Wandler, der auswärts von den äußersten zweiten interdigitalen Wandlern vorgesehen ist, und mindestens einen sechsten interdigitalen Wandler, der auswärts von den äußersten vierten interdigitalen Wandlern vorgesehen ist, umfassen, und ein Mittenabstand zwischen dem fünften oder sechsten interdigitalen Wandler und dem zweiten oder vierten interdigitalen Wandler ist bestimmt, d' = n λ oder d' = (n+1/2) λ zu sein. Der fünfte interdigitale Wandler und der sechste interdigitale Wandler können miteinander verbunden sein, um verbundene Elektroden zu bilden.
  • Die vorliegende Erfindung wird besser verstanden werden anhand der Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen, wie sie unten mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen erläutert werden, bei denen:
  • Figur 1 eine Ansicht ist, die ein Beispiel einer Elektrodenkonfiguration einer SAW-Vorrichtung gemäß der früheren Technik zeigt;
  • Figur 2 eine Ansicht ist, die ein anderes Beispiel einer Elektrodenkonfiguration einer SAW-Vorrichtung gemäß der früheren Technik zeigt;
  • Figur 3 eine Ansicht ist, die Bandcharakteristika der in Fig. 1 und 2 dargestellten SAW-Vorrichtungen zeigt;
  • Figur 4 eine Ansicht ist, die einen Zusammenhang zwischen der Gesamtzahl an Elektroden und deren Einfügungsverlust zeigt;
  • Figur 5 eine Ansicht ist, die eine Elektrodenkonfiguration einer ersten Ausführungsform einer SAW-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • Figur 6 eine Ansicht ist, die eine Elektrodenkonfiguration der Modifikation der in Fig. 5 dargestellten SAW- Vorrichtung zeigt;
  • Figur 7 eine Ansicht ist, die Bandcharakteristika der in Fig. 6 dargestellten SAW-Vorrichtung zeigt;
  • Figur 8 eine Ansicht ist, die einen Zusammenhang zwischen der Gesamtzahl an Elektroden und einem Ausgangs-/Eingangsleistungsverhältnis zeigt;
  • Figur 9 eine Ansicht ist, die einen Zusammenhang zwischen der Gesamtzahl an Elektroden und deren Einfügungsverlust zeigt;
  • Figur 10 eine Ansicht ist, die schematisch ein Beispiel der SAW-Vorrichtung gemäß der verwandten Technik zeigt;
  • Figur 11 eine Ansicht ist, die eine Einheit in der SAW- Vorrichtung von Fig. 10 zeigt;
  • Figur 12 eine Ansicht ist, die Durchlaßbandcharakteristika des Filters, d. h. der SAW-Vorrichtung von Fig. 10, zeigt;
  • Figur 13 eine Ansicht ist, die eine Wellenform einer Impulsantwort einer SAW-Vorrichtung zeigt;
  • Figur 14 eine Ansicht ist, die eine Impulsantwort in einer SAW-Vorrichtung erläutert;
  • Figuren 15A bis 15C Ansichten sind, die einen Zusammenhang zwischen der Phase einer primären Antwortwelle und denen verzögerter Wellen in einer SAW-Vorrichtung zeigen;
  • Figur 16 eine Ansicht ist, die Durchlaßbandcharakteristika nach einer Fouriertransformation der Impulsantwort von Fig. 15A bis 15C zeigt;
  • Figur 17 eine Ansicht ist, die Durchlaßbandcharakteristika der Impulsantwort von Fig. 15A bis 15 C zeigt, wobei die Phase der ersten verzögerten Welle dieselbe ist wie die der primären Antwortwelle;
  • Figur 18 eine Ansicht ist, die schematisch eine zweite Ausführungsform einer SAW-Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • Figur 19 eine Ansicht ist, die schematisch eine Modifikation der in Fig. 18 dargestellten zweiten Ausführungsform der SAW-Vorrichtung zeigt;
  • Figuren 20A und 20B Ansichten sind, die Filter-Durchlaßbandcharakteristika von SAW-Vorrichtungen der vorliegenden Erfindung und der verwandten Technik zeigen; und
  • Figur 22 eine Ansicht ist, die ein Beispiel von Mobilfunkausstattung zeigt, die SAW-Vorrichtungen verwendet.
  • Zum besseren Verständnis der bevorzugten Ausführungsformen werden zuerst die Probleme der früheren Technik erläutert, und zwar mit Bezug auf Fig. 1 bis 4.
  • Figur 1 zeigt ein Beispiel einer Elektrodenkonfiguration einer SAW-Vorrichtung (Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen) gemäß der früheren Technik, und Fig. 2 zeigt ein anderes Beispiel dessen. Man beachte, daß die SAW-Vorrichtung von Fig. 1 ein Beispiel einer Mehrelektrodenkonfiguration ist (mit Bezug auf "SAW Filters Employing Interdigitated Interdigital Transducers, IIDT", M. Lewis, 1982, Ultrasonics Symposium Proceedings, S. 12), und die SAW-Vorrichtung von Fig. 2 ist ein Beispiel einer hintereinandergeschalteten Mehrelektrodenkonfiguration (mit Bezug auf Institute of Electronics, Information and Communication Engineers of Japan, Technical Study Report, US81-22, S. 25, oder "High Performance SAW Filters with Several New Technologies for Cellular Radio", M. Hikita et al., 1984, Ultrasonics Symposium Proceedings, S. 82).
  • Jede Figur zeigt die Elektrodenkonfiguration, läßt jedoch die piezoelektrischen Substrate usw. fort. Außerdem sind in Fig. 1 und 2 IDTs (interdigitale Wandler oder kammförmige Elektroden) von einem sogenannten normierten Typ, und die Zahlen ineinandergreifender interdigitaler Wandlerzahnpaare sind nicht präzise.
  • In Fig. 1 bezeichnen Bezugszeichen 1A bis 5A IDTs, deren jeder eine kleinere Zahl von ineinandergreifenden Elektrodenzahnpaaren hat, und 1B bis 4B bezeichnen IDTs, deren jeder eine größere Zahl von ineinandergreifenden Elektrodenzahnpaaren hat. Wie in Fig. 1 dargestellt, sind fünf Elektroden 1A bis 5A und vier Elektroden 1B bis 4B abwechselnd angeordnet, um insgesamt neun Elektroden mit fünf Eingängen und vier Ausgängen bereitzustellen. An jeder Seite einer Reihe der Elektroden ist ein Reflektor 1C, 2C wie ein kurzer Streifenreflektor angeordnet. Man beachte, daß die Elektroden 1A bis 5A mit einem Eingangsanschluß EIN und die Elektroden 1B bis 4B mit einem Ausgangsanschluß AUS verbunden sind, wodurch sie eine Mehrelektroden-SAW-Vorrichtung 1 bilden, z. B. ein Mehrelektroden-Filter für akustische Oberflächenwellen.
  • Wie in Fig. 2 dargestellt, sind die Mehrelektroden-SAW- Vorrichtung (SAW-Element) 1, die fünf Eingänge und vier Ausgänge aufweist, und eine Mehrelektroden-SAW-Vorrichtung (SAW- Element) 1', die mit der Vorrichtung 1 identisch ist, spiegelsymmetrisch angeordnet. Man beachte, daß gegenüberliegende IDTs 1B bis 4B der SAW-Vorrichtung 1 und gegenüberliegende IDTs 1B' bis 4B' der SAW-Vorrichtung 1' miteinander verbunden sind. Außerdem dienen die IDTs 1A bis 5A von beispielsweise der Mehrelektroden-SAW-Vorrichtung 1 als Eingangsende (EIN), und die IDTs 1A' bis 5A' der anderen SAW-Vorrichtung 1' dienen als Ausgangsende (AUS). Die SAW-Vorrichtungen (SAW-Elemente) 1 und 1' sind nämlich hintereinandergeschaltet, um eine Mehrelektroden-SAW-Vorrichtung zu bilden.
  • In Fig. 2 bezeichnen Pfeile Richtungen von akustischen Oberflächenwellen, die aus elektrischen Signalen durch die IDTs umgewandelt sind, oder elektrischen Signalen, die aus akustischen Oberflächenwellen umgewandelt sind.
  • Figur 3 zeigt Bandcharakteristika der in Fig. 1 und 2 dargestellten SAW-Vorrichtungen. In Fig. 3 gibt eine Ordinate Einfügungsverlust (dB) wieder, und eine Abszisse gibt eine Frequenz (MHz) wieder. Man beachte, daß die dargestellten Meßkurven auf einer mehrstufigen Elektrodenanordnung eines normierten 7-Eingangs-6-Ausgangs-Typs, ausgebildet auf einem 36º Y-X-LiTaO&sub3;-Substrat, basieren. Außerdem wird eine A-Elektrode (Eingangs-/Ausgangs-Elektrode: 1A, 2A, ...) von 22-Paar- Elektroden (getrennte-Finger oder gespreizte-Finger: im Englischen als "split-fingers" bekannt), eine B-Elektrode (verbundene Elektroden: 1B, 2B, ...) wird von 30-Paar- Elektroden (getrennte Finger) gebildet, und ein Reflektor (1C, 2C, ...) ist als 30-Paar-Kurzstreifenreflektor bestimmt.
  • In Fig. 3 repräsentiert Bezugsziffer (1) die Charakteristika der Mehrelektrodenkonfiguration von Fig. 1, und (2) repräsentiert diejenigen der hintereinandergeschalteten Mehrelektrodenkonfiguration von Fig. 2.
  • Die Mehrelektrodenkonfiguration zeigt teilweise ungenügende Dämpfung in einem Blockiergebiet. Demgegenüber zeigt die hintereinandergeschaltete Mehrelektrodenkonfiguration hervorragende Dämpfung im Blockiergebiet, wodurch das Filter für akustische Oberflächenwellen mit hervorragenden Blockiercharakteristika ausgestattet wird.
  • In den herkömmlichen mehrstufigen SAW-Vorrichtungen kann die hintereinandergeschaltete Mehrelektrodenkonfiguration die Dämpfungscharakteristika im Blockiergebiet erheblich verbessern, jedoch Einfügungsverlust auf 6 dB oder mehr in einem Durchlaßband erhöhen, so daß ein erlaubter Bereich von beispielsweise Automobil- oder tragbaren Telefonapparaten, die einen geringen Verlust benötigen (zum Beispiel 4 bis 5 dB), überschritten wird.
  • Figur 4 zeigt einen Zusammenhang zwischen der Gesamtzahl an Elektroden und deren Einfügungsverlust. In Fig. 4 repräsentiert eine Ordinate den Einfügungsverlust, und eine Abszisse repräsentiert die Gesamtzahl an Elektroden. Gezeigte Werte sind berechnet worden weder unter Berücksichtigung von Ausbreitungsverlust für akustische Oberflächenwellen auf einem piezoelektrischen Substrat, noch von einem IDT- Widerstandsverlust.
  • Beim Anwachsen der Gesamtzahl (S) an Elektroden S = NA + NB nimmt der Einfügungsverlust ab. Man beachte, daß das Bezugszeichen NA die Zahl von IDTs A (A-Elektroden) auf der Eingangsseite bezeichnet, und NB bezeichnet die Zahl von IDTs B (B-Elektroden) auf der Ausgangsseite der Mehrelektrodenkonfiguration. Wie in Fig. 4 dargestellt, wird, näherungsweise bei S = 13 mit 7 Eingängen und 6 Ausgängen, eine Abnahme im Einfügungsverlust flach. Wenn nämlich die Gesamtzahl S an Elektroden größer als 13 ist, nimmt der Einfügungsverlust nicht signifikant ab. Demgegenüber nimmt beim Anwachsen der Gesamtzahl S an Elektroden die Größe des Substrates weiter zu. Dementsprechend verringert ein Erhöhen der Gesamtzahl S an Elektroden allein nicht effektiv den Einfügungsverlust für praktischen Einsatz. Dieses Problem muß gelöst werden.
  • Unten werden die bevorzugten Ausführungsformen einer SAW- Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung erläutert, und zwar unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen.
  • Figur 5 zeigt eine Elektrodenkonfiguration einer ersten Ausführungsform einer SAW-Vorrichtung (Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen) gemäß der vorliegenden Erfindung, und Fig. 6 zeigt eine Elektrodenkonfiguration der Modifikation der in Fig. 5 gezeigten SAW-Vorrichtung. Man beachte, daß in Fig. 5 die Zahl von IDTs (interdigitalen Wandlern) A am Eingang (NA) gleich der Zahl von IDTs B am Ausgang (NB) ist, d. h. NA = NB; und in Fig. 6 ist die Zahl von IDTs A am Eingang (NA) gleich der Zahl von IDTs B am Ausgang (NB) minus eins, d. h. NA = NB - 1. Außerdem repräsentieren Bezugszeichen NA' und NB' die Zahlen von IDTs A und B eines anderen (1') der Mehrelektrodenelemente für akustische Oberflächenwellen, die spiegelsymmetrisch angeordnet sind. Zusätzlich, NA = NA' und NB = NB'.
  • In Fig. 5 und 6 sind nur die Konfiguration der Elektroden beschrieben, und das piezoelektrische Substrat und ähnliches sind nicht dargestellt. In Fig. 5 und 6 bezeichnen Bezugsziffern 1 und 1' ein Paar Mehrelektrodenelemente für akustische Oberflächenwellen (SAW-Elemente), die spiegelsymmetrisch angeordnet sind. Die Eingangs-/Ausgangs-IDTs A sind mit Eingangsanschluß EIN und Ausgangsanschluß AUS verbunden, und gegenüberliegende, verbundene IDTs B der zwei Elemente sind miteinander verbunden. Man beachte, daß Bezugszeichen 1C, 2C, 1C' und 2C' Reflektoren bezeichnen.
  • Wie in Fig. 5 dargestellt, umfaßt im Falle von NA = NA' = NB = NB' = 4 (eine 4-Eingangs-4-Ausgangs-Konfiguration) das SAW-Element 1 vier Eingangs-/Ausgangselektroden (IDTs) 1A, 2A, 3A, 4A und vier verbundene Elektroden (IDTs) 1B, 2B, 3B, 4B, und das SAW-Element 1' umfaßt vier Eingangs/Ausgangselektroden 1A', 2A', 3A', 4A' und vier verbundene Elektroden 1B', 2B', 3B', 4B'.
  • Demgegenüber, wie in Fig. 6 dargestellt, umfaßt im Falle von NA = NA' = NB-1 = NB'-1 = 4 (eine 4-Eingangs-5-Ausgangs- Konfiguration) das SAW-Element 1 vier Eingangs/Ausgangselektroden (Eingangs-IDTs) 1A, 2A, 3A, 4A und fünf verbundene Elektroden (verbundene IDTs) 1B, 2B, 3B, 4B, 5B, und das SAW-Element 1' umfaßt vier Eingangs/Ausgangselektroden (Ausgangs-IDTs) 1A', 2A', 3A', 4A' und fünf verbundene Elektroden (verbundene IDTs) 1B', 2B', 3B', 4B', 5B'. Man beachte, daß der IDT (Eingangs/Ausgangselektrode oder verbundene Elektrode) aus einer Mehrzahl von Paarelektroden (getrennte-Finger) aufgebaut ist, was im Detail mit Bezug auf Fig. 11 beschrieben wird.
  • Fig. 7 zeigt Bandcharakteristika der SAW-Vorrichtung, die in Fig. 6 gezeigt ist. In Fig. 7 repräsentiert eine Ordinate Einfügungsverlust (dB), und eine Abszisse repräsentiert eine Frequenz (MHz).
  • Ein piezoelektrisches Substrat, das für die Meßkurve verwendet wird, ist ein 36º-Y-X-LiTaO&sub3;-Einkristallsubstrat, und die Größe der Vorrichtung ist 1,2 mm x 2,2 mm mit einer Dicke von 0,5 mm.
  • Ein Al-Cu- (0,2%) Film zum Bilden von IDTs wird mit einer Dicke von 100 nm in einem Vakuum abgeschieden. Entsprechend einer bekannten Photolithographietechnik wird ein Filter für akustische Oberflächenwellen für ein 800 MHz-Band gebildet mit einer Elektrodenteilung von 2,45 µm, einer Elektrodenbreite von 1,23 µm und einem Elektrodenzwischenraum von 1,23 µm.
  • Die Elektroden sind bei NA = NA' = NB - 1 = NB' - 1 = 6 in einer 6-Eingangs-7-Ausgangs-Konfiguration angeordnet. Die Gesamtzahl an Elektroden ist S = 13. Die IDTs A und B sind alle ein normierter Typ. Man beachte, daß die Zahl an Elektrodenzahnpaaren des IDTs A (1A, 2A, ...) 22 und die des IDTs B (1B, 2B, ...) 30 ist. Außerdem ist der Reflektor C (1C, 2C, ...) ein offener 30-Paar-Streifenreflektor.
  • Die oben beschriebene Vorrichtung der vorliegenden Erfindung ist in ein Metallgehäuse wie TO-48 (nicht dargestellt) gepackt, und ihre Frequenzcharakteristika werden mit einem Netzwerkanalysator gemessen. Man beachte, daß das TO-48 ein Beispiel von Metallbehältern ist, die verwendet werden, um verschiedene elektronische Elemente zu umschließen
  • Wie oben beschrieben, weist die SAW-Vorrichtung der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Paar spiegelsymmetrisch angeordnete Mehrelektrodenelemente für akustische Oberflächenwellen auf, die auf einem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind. Jedes der Elemente umfaßt eine Mehrzahl von IDTs A und B, die sich miteinander abwechseln. Gegenüberliegende IDTs B des Paares sind miteinander verbunden. Die IDTs A eines der Elemente bilden ein Eingangsende (Eingangsanschluß EIN), und die IDTs A des anderen Elementes bilden ein Ausgangsende (Ausgangsanschluß AUS). Die Zahl (NA) der IDTs A ist gleich der oder um eins kleiner als die Zahl (NB) der IDTs B.
  • Wie in den Figuren dargestellt, erreicht das Filter für akustische Oberflächenwellen (SAW-Filter) entsprechend der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung einen Einfügungsverlust von 3 bis 5 dB, d. h. eine Verbesserung von etwa 1 dB, verglichen mit der früheren Technik. Dies trifft ausreichend den zu gestattenden Bereich der Automobil- und tragbaren Telefonapparate, die einen niedrigen Einfügungsverlust erfordern.
  • Als nächstes werden Charakteristika der SAW-Vorrichtungen zwischen der vorliegenden Erfindung und der früheren Technik mit Bezug auf Fig. 8 und 9 erklärt.
  • Figur 8 zeigt einen Zusammenhang zwischen der Gesamtzahl an Elektroden und einem Ausgangs-/Eingangsleistungsverhältnis, und Fig. 9 zeigt einen Zusammenhang zwischen der Gesamtzahl an Elektroden und deren Einfügungsverlust.
  • Wenn die Zahl an IDTs A, die in einer Ausbreitungsrichtung für akustische Oberflächenwellen orientiert sind, NA ist und die der IDTs B NB ist, wird die Anordnung von Fig. 2 eine 5-Eingangs-4-Ausgangs-Konfiguration mit NA = 5 und NB = 4 sein.
  • Die herkömmliche Elektrodenkonfiguration wird nämlich wie folgt ausgedrückt:
  • NA = NB + 1 ... ... (I).
  • Elektromechanische Energieumwandlung, die in jedem IDT durchgeführt wird, kann als ein 3-Anschluß-Umwandlungssystem verstanden werden. Wenn ein Teil Energie einem der Anschlüsse zugeführt wird, wandeln die anderen zwei Anschlüsse die Energie um, und jeder liefert ½ der Energie (mit Bezug auf N. Sakamoto et al., "Surface Acoustic Wave (SAW) Filter", Electronics Material, S. 120, Mai, 1988).
  • Wenn beispielsweise in der SAW-Vorrichtung, die in Fig. 2 dargestellt ist, ein Teil elektrischer Leistung dem oberen Eingangsanschluß EIN zugeführt wird, empfangen die fünf Eingangs-IDTs 1A bis 5A (Eingangs-/Ausgangselektroden A) jeweils 1/5 der elektrischen Leistung. Diese IDTs 1A bis 5A wandeln die elektrische Leistung in akustische Oberflächenwellen um, und jede Seite eines jeden der IDTs 1A bis 5A emittiert 1/10 der elektrischen Leistung. Zu dieser Zeit werden die akustischen Oberflächenwellen mit 1/10-Leistung, die von der Außenseite der äußersten IDTs 1A und 5A emittiert werden, nicht direkt von den verbundenen IDTs 1B und 4B empfangen und werden als Verlust nicht genutzt. 2/10 der Leistung, die von der linken und der rechten Seite emittiert werden, werden namentlich nicht genutzt.
  • Man beachte, daß jede Seite eines jeden verbundenen IDTs 1B bis 4B (verbundene Elektroden B) die akustische Oberflächenwellen mit 1/10 Leistung empfängt und sie in elektrische Leistung umwandelt, und daher überträgt jeder IDT (1B bis 4B) dann 2/10 der elektrischen Leistung insgesamt zu den verbundenen IDTs 1B' bis 4B' in der zweiten Reihe (1').
  • Danach liefert jede Seite eines jeden verbundenen IDTs (1B' bis 4B') eine akustische Oberflächenwelle mit 1/10 Leistung. Man beachte, daß jeder der äußersten IDTs 1A' und 5A' die akustische Oberflächenwelle nur von einer Seite empfängt, 1/20 der Leistung nicht genutzt wird und nur 1/20 der akustischen Oberflächenwelle in elektrische Leistung umgewandelt und zum Ausgangsende (Ausgangsanschluß) übertragen wird. Die anderen inneren Ausgangs-IDTs 2A' bis 4A' empfangen die akustische Oberflächenwellenleistung von ihren beiden Seiten, so daß jeder 2/10 der elektrischen Leistung liefern kann.
  • Diese Teile an Energie werden am Ausgangsanschluß AUS gesammelt, der zuletzt 7/10 der elektrischen Leistung liefert. Der Gesamtverlust wird daher 3/10 der elektrischen Leistung sein. Dies wird mit der folgenden allgemeinen Gleichung (I) ausgedrückt:
  • P = (2NA - 3) / 2NA ... ... (II).
  • Wenn die Gesamtzahl (S) an Elektroden S = NA + NB und NA = NB + 1 bestimmt sind, wird die Gleichung (II) wie folgt:
  • P = (S - 2) / (S + 1) ... ... (III).
  • Demgegenüber ist gemäß der vorliegenden Erfindung die Zahl (NA) der IDTs A gleich der oder kleiner als die Zahl (NB) der IDTs B. Das heißt:
  • NA = NB (mit Bezug auf Fig. 5) ... ... (IV).
  • oder
  • NA = NB - 1 (mit Bezug auf Fig. 6) ... ... (V).
  • Elektrische Leistung, die von dem Ausgangsanschluß AUS in Bezug auf ein Teil Leistung, der dem Eingangsanschluß EIN zu geführt wird, geliefert wird, wird mit den folgenden Gleichungen (VI) und (VII) ausgedrückt:
  • P = (4S - 9) / 4S ... ... (VI)
  • P = (2S - 5) / (2S - 2) ... ... (VII).
  • Figur 8 zeigt einen Zusammenhang zwischen der Gesamtzahl an Elektroden und einem Ausgangs-/Eingangsleistungsverhältnis, der auf diesen drei Gleichungen (III), (VI) und (VII) beruht.
  • In Fig. 8 repräsentiert eine Ordinate ein Ausgangs-/Eingangsleistungsverhältnis (P), und eine Abszisse repräsentiert die Gesamtzahl an Elektroden (S). Man beachte, daß ähnlich zu Fig. 4 Werte berechnet worden sind ohne Berücksichtigung eines Ausbreitungsverlustes für akustische Oberflächenwellen auf einem piezoelektrischen Substrat und ähnlichem. Außerdem gehören in Fig. 8 Kurven (1) und (2) zur vorliegenden Erfindung, und die Kurve (1) ist für NA = NB und die Kurve (2) für NA = NB -1. Zusätzlich ist zu Vergleichszwecken eine gestrichelte Kurve (3) der herkömmliche Fall von NA = NB +1.
  • Wie in Fig. 8 dargestellt, zeigt jeder Fall der vorliegenden Erfindung, verglichen mit der früheren Technik, eine Verbesserung im Ausgangs-/Eingangsleistungsverhältnis.
  • Figur 9 zeigt einen Zusammenhang zwischen der Gesamtzahl an Elektroden und deren Einfügungsverlust. In Fig. 9 repräsentiert eine Ordinate Einfügungsverlust, und eine Abszisse repräsentiert die Gesamtzahl an Elektroden.
  • Wenn die Gesamtzahl S an Elektroden in einem Bereich von bis 13 ist, verringert die vorliegende Erfindung den Einfügungsverlust auf weniger als die frühere Technik, namentlich auf 0,5 bis 1 dB. Wenn die Gesamtzahl an Elektroden über einen Punkt ansteigt, verbessert sich der einen Einfügungsverlust reduzierende Effekt nicht proportional zur Zunahme in der Vorrichtungsgröße. Die Gesamtzahl S ist daher in der Praxis bis zu etwa 13.
  • Man beachte, daß die oben genannten Ausführungsformen nur Beispiele sind. Ohne den Umfang der vorliegenden Erfindung zu verlassen, können sich die Zahlen an Elektroden, Elektrodenzahnpaaren und Reflektoren, das Material der Elektroden und die Frequenzbänder für optimale Auslegung ändern.
  • Figur 10 zeigt ein Beispiel der SAW-Vorrichtung gemäß der verwandten Technik entsprechend der in Fig. 6 dargestellten SAW-Vorrichtung, das hohe Dämpfung in Blockiergebieten bei geringem Verlust erreicht. Nichtsdestoweniger ist die SAW- Vorrichtung nicht ausreichend wirksam im Verringern von Welligkeiten in einem Band.
  • Wie in Fig. 10 dargestellt, umfaßt die SAW-Vorrichtung zwei SAW-Elemente 1 und 1', die spiegelsymmetrisch angeordnet und auf einem piezoelektrischen Substrat (zum Beispiel 36º-Y-X LiTaO&sub3;-Substrat) angeordnet sind. Das SAW-Element 1 umfaßt sechs Eingangs-/Ausgangselektroden (Eingangs-IDTs) 1A bis 6A und sieben verbundene Elektroden (verbundene IDTs) 1B bis 7B, und das SAW-Element 1' umfaßt sechs Eingangs-/Ausgangselektroden 1A' bis 6A' (Ausgangs-IDTs) und sieben verbundene Elektroden 1B' bis 7B' (verbundene IDTs). Man beachte, daß der IDT (Eingangs-/Ausgangselektrode oder verbundene Elektrode) aus einer Mehrzahl von Paarelektroden aufgebaut ist.
  • Figur 11 zeigt eine Einheit in der SAW-Vorrichtung von Fig. 10. Wie in Fig. 11 dargestellt, weist jede Einheit 10 der SAW-Vorrichtung getrennte-Finger- (kamm-) förmige Muster 10a, 10b auf, die aus einem bespritzten Aluminium-Kupfer- (Al-Cu-) Film (mit einer Dicke von zum Beispiel 1000 Angström: Å) auf einem piezoelektrischen kristallinen Lithiumtantalat- (LiTO&sub3;-) Material gebildet sind. Man beachte, daß das LiTO&sub3; spezifiziert ist als ein LiTaO&sub3;-Einkristallsubstrat mit einer 36- Drehung-Y-Schnitt-X-Ausbreitung (36º-Y-X-LiTaO&sub3;-Substrat), ein 41º-Y-X-LiNbO&sub3;-Substrat, ein 64º-Y-X-LiNbO&sub3;-Substrat und ähnliches.
  • Wenn die Einheit 10 bestimmt ist, ein Eingangs-IDT A (1A bis 6A) zu sein, ist die obere getrennte-Finger-Elektrode 10a mit einem Eingangsanschluß und die untere getrennte-Finger- Elektrode 10b mit der Erde verbunden, und wenn die Einheit 10 bestimmt ist, ein Eingangs-IDT A' (1A' bis 6A') zu sein, ist die obere getrennte-Finger-Elektrode 10a mit der Erde verbunden, und die untere getrennte-Finger-Elektrode 10b ist mit einem Ausgangsanschluß verbunden. Man beachte, daß die Einheit 10 von Fig. 11 dafür beschrieben ist, daß die Einheit 10 bestimmt ist, der Eingangs-IDT 1A der SAW-Vorrichtung, die in Fig. 10 gezeigt ist, zu sein. Wenn außerdem die Einheit 10 bestimmt ist, ein verbundener IDT B (1B bis 7B) des oberen SAW-Elementes 1 zu sein, ist die obere getrennte-Finger- Elektrode 10a mit der Erde verbunden, und die untere getrennte-Finger-Elektrode 10b ist mit einer oberen Elektrode (10a) des entsprechenden verbundenen IDTs B' (1B' bis 7B') des unteren SAW-Elementes 1' verbunden, und wenn die Einheit 10 bestimmt ist, ein verbundener IDT B' (1B' bis 7B') des unteren SAW-Elementes 1' zu sein, ist die obere getrennte-Finger- Elektrode 10a mit einer unteren Elektrode (10b) des entsprechenden verbundenen IDTs B (1B bis 7B) des oberen SAW- Elementes 1 verbunden, und die untere getrennte-Finger-Elektrode 10b ist mit der Erde verbunden.
  • Wie in Fig. 11 dargestellt, sind eine Zahnbreite (EL), ein Zwischenraum (Es) zwischen Zähnen (oder benachbarten Fingern) und eine Zahnteilung (ED) des IDTs (Einheit 10) üblicherweise ausgeführt gemäß EL = ES = λ/4 und ED = λ/2, worin λ die Wellenlänge einer Oberflächenwelle ist. Um eine Mittenfrequenz von z. B. 835 MHz zu erhalten, wird λ aus einer Schallgeschwindigkeit von 4090 m/s für eine X-Ausbreitungs- Oberflächenwelle auf dem Substrat zu 4,9 µm berechnet. Die Teilung ED von Elektrodenzähnen kann 2,45 µm sein, und die Elektrodenzahnbreite EL und der Elektrodenzahnzwischenraum ES können jeweils 1,23 µm sein.
  • Wie oben beschrieben, sind üblicherweise ein Paar Eingangs-/Ausgangs-IDTs einander gegenüberliegend angeordnet. Automobil- und tragbare Telefonapparate erfordern Filter für akustische Oberflächenwellen, die einen geringen Verlust (zum Beispiel Einfügungsverlust von 3 bis 5 dB oder kleiner), ein breites Band (zum Beispiel eine Mittenfrequenz von 835 MHz oder höher und eine Durchlaßbandbreite von 25 MHz oder größer) und einen hervorragenden Unterdrückungsgrad (zum Beispiel eine Dämpfung außerhalb des Bandes von 24 bis 25 dB) erreichen.
  • Wie oben beschrieben, umfaßt, wie in Fig. 10 dargestellt, die SAW-Vorrichtung sechs Eingangs-/Ausgangs-IDTs A (1A bis 6A, 1A' bis 6A') (jeder mit beispielsweise 22 Paaren von IDT- Zähnen) und sieben verbundene Elektroden B (1B-1B' bis 7B-7B') (jede mit beispielsweise 30 Paaren von IDT-Zähnen). Entlang der äußeren Seiten der verbundenen Elektroden (1B-1B', 7B-7B') sind vier Reflektoren C (1C, 1C', 2C, 2C') zum Reflektieren von akustischen Oberflächenwellen angeordnet. Wie aus Fig. 10 hervorgeht, sind die IDTs 1A bis 6A, die verbundenen Elektroden 1B bis 7B und Reflektoren 10 und 20 spiegelsymmetrisch gegenüber den IDTs 1A' bis 6A', den verbundenen Elektroden 1B' bis 7B' und Reflektoren 1C' und 2C' entlang einer geraden Linie L angeordnet.
  • In Fig. 10 ist ein Mittenabstand zwischen dem Eingangs/Ausgangs-IDT A und der verbundenen Elektrode B, z. B. ein Mittenabstand d zwischen dem Eingangs-/Ausgangs-IDT 6A (6A') und der verbundenen Elektrode 7B (7B'), d = (30+1/4) λ = 30,25 λ. Ein Mittenabstand zwischen der verbundenen Elektrode B und dem Reflektor C, z. B. ein Mittenabstand zwischen der verbundenen Elektrode 7B (7B') und dem Reflektor 20 (2C'), ist gleich dem Mittenabstand d zwischen dem Eingangs-/Ausgangs-IDT A und der verbundenen Elektrode B.
  • Figur 12 zeigt Durchlaßbandcharakteristika des Filters, d. h. der SAW-Vorrichtung von Fig. 10. Um Welligkeiten deutlich zu zeigen, sind die Durchlaßbandcharakteristika des Filters (SAW-Vorrichtung) ohne irgendeine impedanzanpassende Einstellung gemessen worden.
  • Wie in Fig. 12 dargestellt, weisen die Durchlaßbandcharakteristika der SAW-Vorrichtung (Filter) von Fig. 10 Welligkeiten von etwa 2,5 dB in einem Durchlaßband auf. Solche großen Welligkeiten in den Durchlaßbandcharakteristika des Filters bewirken ein Fluktuieren von Verstärkungen von Kanal zu Kanal in einem Band, das beispielsweise für Mobilfunkausstattung verwendet wird. Dies ist nicht wünschenswert.
  • Wie zum Beispiel in der japanischen, nicht geprüften Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 3-270309 beschrieben ist, werden Welligkeiten, die in einem Band auftreten, durch verzögerte Wellen (Echowellen) verursacht. Allgemein empfängt ein Mehrelektrodenfilter (SAW-Vorrichtung), das ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist, sukzessive verzögerte Wellen nach einer primären Antwortwelle.
  • Figur 13 zeigt eine Wellenform einer Impulsanwort einer SAW-Vorrichtung, und Fig. 14 zeigt eine Impulsantwort in einer SAW-Vorrichtung.
  • In Fig. 13 liefert ein Ausgangsanschluß AUS der SAW- Vorrichtung von Fig. 14 eine primäre Antwort(welle) W&sub0; und Echowellen wie eine erste verzögerte Weile W&sub1; nach einer Zeit τ&sub1;, eine zweite verzögerte Welle W&sub2; nach einer Zeit τ&sub2;, eine dritte verzögerte Welle nach einer Zeit τ&sub3; usw.. Diese Echowellen sind elektrische Antworten, die am Ausgangsanschluß AUS der in Fig. 14 dargestellten SAW-Vorrichtung auftreten, wenn eine Impulsspannung an einem Eingangsanschluß EIN der SAW-Vorrichtung angelegt wird.
  • Die Echowellen W&sub1;, W&sub2;, W&sub3;, ... werden hervorgerufen durch die mehrfache Reflexion und Transmission von akustischen Oberflächenwellen zwischen IDTs. Wie in Fig. 14 beispielhaft gezeigt, breitet sich eine akustische Oberflächenwelle, hervorgerufen von einem Eingangs-IDT (Eingangselektrode ) 2A, nach links und rechts aus. Die rechte durchläuft einen Weg P&sub1; und erreicht einen verbundenen IDT (verbundene Elektrode) 3B, der die Welle in ein elektrisches Signal umwandelt. Das elektrische Signal läuft entlang eines Verbindungsweges P&sub2; und erreicht einen verbundenen IDT 3B', der das Signal wiederum in eine akustische Oberflächenwelle umwandelt. Man beachte, daß die akustische Oberflächenwelle von jeder Seite des Eingangs- IDTs 2A emittiert wird. Die Welle, die entlang eines Weges P&sub3; durch den verbundenen IDT transmittiert, erreicht zuletzt einen Ausgangs-IDT 2A', so daß der Ausgangsanschluß AUS der SAW- Vorrichtung ein elektrisches Signal liefert. Dies ist die kürzeste Antwort auf den Impuls und entspricht der primären Antwortwelle W&sub0;. Man beachte, daß es viele andere Wege gibt als die oben für die primäre Antwort(welle) erwähnten. Die primäre Antwort weist die größte Amplitude auf, um die primäre Antwortwelle W&sub0; von Fig. 13 zu liefern.
  • Es gibt ebenfalls viele Wege für die erste verzögerte Welle W&sub1;. Unter diesen zeigt Fig. 14 (1) einen Weg P&sub4; T P&sub2; T P&sub3; (Mehrfachreflexion zwischen dem Eingangs-IDT 2A und dem verbundenen IDT 3B), (2) einen Weg P&sub5; T P&sub2; T P&sub3; (eine Welle wird durch den verbundenen IDT 3B ausgesandt, von einem Eingangs-IDT 3A reflektiert, zum verbundenen IDT 3B zurückgeworfen und vom IDT 3B' aus zum Ausgangs-IDT 2A' gesandt) und (3) einen Weg P&sub7; T P&sub8; T P&sub9; (eine Welle wird durch den verbundenen IDT 3B und den Eingangs-IDT 3A ausgesandt, wird empfangen von einem verbundenen IDT 4B und von einem verbundenen IDT 4B' zu einem Ausgangs-IDT 3A' gesandt). Diese alle beinhalten dieselbe Zeitverzögerung (zum Beispiel τ&sub1;). Wellen, die durch ein erstes Filter entlang des kürzesten Weges (Zeit) laufen und durch ein zweites Filter hindurchstrahlen oder von diesem wiederholt reflektiert werden, werden verzögerte Wellen mit derselben Verzögerung. Diese Wellen überlappen eine über einer andern, so daß die erste verzögerte Welle W&sub1; gebildet wird. Die Amplitude der ersten verzögerten Welle W&sub1; ist wegen Reflexion und Transmission kleiner als die der primären Antwort. Die Verzögerungszeit τ&sub1; wird erhalten durch die folgende Gleichung:
  • τ&sub1; = 2 d/V
  • = 2 (n+β) λ/V = 2 (n+β) τ&sub0; ... ... (a),
  • worin d der Mittenabstand zwischen den IDTs, V eine mittlere Schallgeschwindigkeit für d, n eine ganze Zahl, β eine reelle Zahl kleiner als 1 und τ&sub0; eine Ausbreitungszeit für Intervalle der IDTs, entsprechend einem Reziproken einer Resonanzfrequenz f&sub0;, ist.
  • Ähnlich gibt es verschiedene Wege für die zweite verzögerte Welle W&sub2;. Die Amplitude dieser Welle ist noch kleiner, und ihre Verzögerungszeit τ&sub2; ist das Doppelte der Verzögerungszeit τ&sub1;. Die dritte und folgende verzögerte Wellen (W&sub3;, ...) treten sukzessive in Intervallen von τ&sub1; auf. Man beachte, daß üblicherweise diese verzögerten Wellen unerwünscht sind, da sie Welligkeiten in einem Durchlaßband verursachen, und viele Anstrengungen sind gemacht worden, um diese unerwünschten Wellen zu unterdrücken. Weiterhin erläutert jedoch die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 3- 270309, daß diese unerwünschten Wellen verwendet werden können, um ein Band zu auszudehnen.
  • Figuren 15A bis 15C zeigen einen Zusammenhang zwischen der Phase einer primären Antwortwelle und denen von verzögerten Wellen in einer SAW-Vorrichtung, und Fig. 16 zeigt Durchlaßbandcharakteristika nach einer Fouriertransformation der Impulsantwort von Fig. 15A bis 15C.
  • Gemäß der Wellenform von Fig. 15A (entsprechend der Impulsantwortwellenform von Fig. 13) liegen die Phasen der ersten, dritten, ... verzögerten Wellen W&sub1;, W&sub3;, ..., d. h. der verzögerten Wellen ungerader Ordnung, entgegengesetzt derjenigen der primären Antwortwelle W&sub0; (Fig. 15B), und die Phasen der verzögerten Wellen gerader Ordnung W&sub2;, W&sub4;, ... sind dieselben wie die der primären Antwortwelle W&sub0; (Fig. 15C). Daher realisiert das Filter (SAW-Vorrichtung) flache Durchlaßbandcharakteristika, wie in Fig. 16 dargestellt.
  • Figur 17 zeigt Durchlaßbandcharakteristika der Impulsantwort der Fig. 15A bis 15C, wobei die Phase der ersten verzögerten Welle dieselbe ist wie die der primären Antwortwelle.
  • Wenn die Phasen der verzögerten Wellen ungerader Ordnung W&sub1;, W&sub3;, ... dieselben sind wie die der primären Antwortwelle W&sub0;, zeigen die Durchlaßbandcharakteristika eine bergähnliche Form, wie in Fig. 17 dargestellt. Insbesondere sind die Durchlaßbandcharakteristika nicht flach. Um gute Durchlaßbandcharakteristika zu erhalten, ist es erforderlich, die Phasen der verzögerten Wellen ungerader Ordnung W&sub1;, W&sub3;, ... in bezug auf die der primären Antwortwelle W&sub0; umzukehren. Um dies zu realisieren, muß ein Abstand d zwischen IDTs bestimmt werden, (n+β) λ (worin β definiert ist von 0,17 bis 0,25) zu sein. Dementsprechend tritt in der Gleichung (a) ein Term 2β für τ&sub1; auf, so daß, wenn β gleich ¼ (=0,25), ein Term von ½ (=0,5 τ&sub0;) addiert wird, und die Phasen der verzögerten Wellen ungerader Ordnung W&sub1;, W&sub3;, ... werden entgegengesetzt zu der der primären Antwortwelle W&sub0;. Tatsächlich ist experimentell bestätigt worden, daß dieser Effekt auftritt, wenn β im Bereich von 0,17 bis 0,25 liegt.
  • Wie in Fig. 16 dargestellt, wird das Durchlaßband flach sein, wenn die verzögerten Wellen geeignete Amplituden (zum Beispiel ist die elektrische Leistung der ersten verzögerten Welle bestimmt, etwa 1/10 derjenigen der primären Antwort zu sein) und eine geeignete Zeitverzögerung (zum Beispiel ist ein Reziprokwert von τ&sub1; bestimmt, näherungsweise gleich einer erforderlichen Bandbreite zu sein) aufweisen. Wenn die Amplituden der verzögerten Wellen unnötig groß sind, werden unerwünsche Welligkeiten im flachen Durchlaßband auftreten. Es ist deshalb notwendig, ein Mittel vorzusehen, um die Amplitude der ersten verzögerten Welle W&sub1; geeignet zu steuern. Unter den verzögerten Wellen (Echowellen) hat die erste verzögerte Welle W&sub1; die größte Amplitude, so daß sie das Durchlaßband unbeabsichtigt beeinflußt. Wenn die erste verzögerte Welle W&sub1; steuerbar ist, können die Welligkeiten im Band auf ein Ausmaß verringert werden, das bei tatsächlichem Gebrauch kein Problem verursacht.
  • Folglich wird eine verzögerte Welle derselben Phase geringfügig einer verzögerten Welle entgegengesetzter Phase hinzugefügt, um die Größe (Amplitude) der ersten verzögerten Welle W&sub1; einzustellen. Zu dieser Zeit darf ein Einstellen der Amplitude der ersten verzögerten Welle W&sub1; die Amplitude der primären Antwortwelle W&sub0; nicht beeinflussen. Wenn die Amplitude der primären Antwortwelle W&sub0; abgeschwächt wird, wird ein Einfügungsverlust in einem Durchlaßband zunehmen.
  • In der SAW-Vorrichtung von Fig. 14 wird der Mittenabstand d zwischen der Eingangs-/Ausgangselektrode (Eingangs/Ausgangs-IDT) A oder A' und der verbundenen Elektrode (verbundene IDT) B oder B' teilweise wie folgt geändert:
  • d' = n λ, oder d' = (n+1/2) λ ... ... (b).
  • Man beachte, daß diese Methode eine Verschiebung von 0,5λ hinzufügt, um von der primären Antwort (primären Antwortwelle W&sub0;) zu trennen, wodurch die primäre Antwort selbst abgeschwächt wird. Diese Methode ist daher nicht geeignet, und es ist erforderlich, daß die SAW-Vorrichtung die primäre Antwort nicht direkt beeinflußt.
  • Eine SAW-Vorrichtung entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird mit Bezug auf Fig. 18 bis 21B erläutert.
  • Figur 18 zeigt eine zweite Ausführungsform einer SAW- Vorrichtung entsprechend der vorliegenden Erfindung. In Fig. 18 umfaßt die SAW-Vorrichtung dieser Ausführungsform sechs Eingangs-/Ausgangs-IDTs A (1A bis 6A, 1A' bis 6A'), jeder mit beispielsweise 22 Paaren an getrennte-Finger-Elektroden, Kammelektroden oder interdigitalen Wandlern, und sieben verbundene IDTs B (1B-1B' bis 7B-7B'), jeder mit beispielsweise 30 Paaren an getrennte-Finger-Elektroden, Kammelektroden oder interdigitalen Wandlern.
  • Außerdem sind bei der SAW-Vorrichtung, die in Fig. 18 dargestellt ist, entlang der äußeren Seiten der verbundenen IDTs 1B-1B' und 7B-7B' vier Reflektoren C (1C, 1C', 2C und 2C') zum Reflektieren akustischer Oberflächenwellen angeordnet. Wie in Fig. 18 dargestellt, sind die Eingangs-IDTs 1A bis 6A, die verbundenen IDTs 1B bis 7B und die Reflektoren 10 und 2C gegenüber den Ausgangs-IDTs 1A' bis 6A', den verbundenen IDTs 1B' bis 7B' und den Reflektoren 10' und 20' entlang einer geraden Linie L spiegelsymmetrisch angeordnet. Diese Anordnung der SAW-Vorrichtung ist grundsätzlich dieselbe wie die der SAW-Vorrichtung der ersten Ausführungsform (oder der verwandten Technik), dargestellt in Fig. 6 und 10. Es ist nicht unbedingt erforderlich, die vier Reflektoren entlang den äußeren Seiten der verbundenen Elektroden 1B-1B' und 7B-7B' anzuordnen. Beispielsweise können nur die Reflektoren 1C und 2C entlang den äußeren Seiten der verbundenen Elektroden 1B und 7B angeordnet sein. Diese Anordnung erzielt ebenso die Wirkung der Ausführungsform.
  • Ähnlich der in Fig. 11 gezeigten Einheit hat jede der Elektrodeneinheiten (IDTs), die die SAW-Vorrichtung (Filter) bilden, ein Kammuster (getrennte-Finger-Muster), gebildet aus einem bespritzten Aluminium-Kupfer- (Al-Cu-) Film (mit einer Dicke von beispielsweise 1000Å) auf einem piezoelektrischen, einkristallinen Lithiumtantalat- (LiTaO&sub3;-) Material. Die Reflektoren C (1C, 1C', 2C, 2C') sind alle ein IDT oder eine Streifenelektrode. Die Streifenelektrode umfaßt eine Mehrzahl von geraden Elektrodenmustern und unterscheidet sich vom IDT darin, daß ihre Basisenden gewöhnlich nicht miteinander verbunden sind. Die Zahl an Zahnpaaren dieses IDTs ist nicht notwendigerweise dieselbe wie die von irgendeinem der Eingangs/Ausgangs- IDTs A (1A bis 6A, 1A' bis 6A').
  • Wie in Fig. 18 dargestellt, ist ein Mittenabstand zwischen dem Eingangs-/Ausgangs-IDT A und dem verbundenen IDT B, z. B. ein Mittenabstand d zwischen dem Eingangs-/Ausgangs-IDT 6A (6A') und dem verbundenen IDT 7B (7B'), bestimmt, d = (30+1/4) λ = 30,25λ zu sein. Entsprechend der SAW-Vorrichtung dieser Ausführungsform ist ein Mittenabstand zwischen dem verbundenen IDT B und dem Reflektor C, z. B. ein Mittenabstand d' zwischen dem verbundenen IDT 7B (7B') und dem Reflektor 2C (2C'), bestimmt, d' = 30λ zu sein. In dieser Weise ist jeder Abstand d' zwischen den äußersten Reflektoren C (1C, 1C', 2C, 2C') und den angrenzenden IDTs B (1B, 1B', 7B, 7B') d' = n λ oder (n+1/2) λ, so daß eine verzögerte Welle (erste verzögerte Welle) mit derselben Phase reflektiert wird, ohne eine primäre Antwortwelle zu beeinflussen. Dieser Abstand muß nicht bei allen Reflektoren genommen werden, kann jedoch abhängig von der Zahl an Elektroden und von Spezifikationen geeignet eingestellt werden.
  • In der SAW-Vorrichtung von Fig. 18 können die äußersten verbundenen Elektroden 1B-1B' und 7B-7B' entfernt sein, und statt dessen kann mindestens einer der Reflektoren 1C, 1C', 2C und 2C' an einer Position von d' = n λ oder d' = n/2 λ angeordnet sein, um dieselbe Wirkung zu erzielen.
  • Figur 19 zeigt schematisch eine Modifikation der zweiten Ausführungsform der in Fig. 18 gezeigten SAW-Vorrichtung. Wie in Fig. 19 dargestellt, arbeitet die SAW-Vorrichtung dieser Modifikation anstelle der Reflektoren C (1C, 1C', 2C und 2C') der SAW-Vorrichtung von Fig. 18 mit verbundenen Elektroden D (1D-1D' und 2D-2D'). Die verbundenen IDT-Elektroden D (1D-1D' und 2D-2D') weisen IDTs auf, deren jeder 16 Paare an getrennte-Finger-Elektroden, Kammelektroden oder interdigitalen Wandlern hat. Man beachte, daß jeder Mittenabstand d' zwischen den verbundenen IDTs (verbundenen Elektroden) 1D-1D' (2D-2D') und den äußersten verbundenen IDTs 1B-1B' (7B-7B') bestimmt ist, d' = 30λ zu sein. Daher wird, wie in Fig. 19 dargestellt, eine primäre Antwort durch einen Weg P&sub1;&sub1; T P&sub1;&sub3; T P&sub1;&sub5; transmittiert, und eine erste verzögerte Welle wird transmittiert durch einen Weg P&sub1;&sub1; T P&sub1;&sub2; T P&sub1;&sub4; T P&sub1;&sub6; T P&sub1;&sub5;. Fqlgiich hat die verzögerte Welle (die erste verzögerte Welle) durch Bestimmung von d' = n λ oder (n+1/2) λ dieselbe Phase, ohne die primäre Antwortwelle zu beeinflussen. In diesem Fall sind die verbundenen IDTs D (1D-1D', 2D-2D') nicht notwendigerweise an jedem Ende angeordnet, können jedoch geeignet vorgesehen werden.
  • Figuren 20A und 20B zeigen Filter-Durchlaßbandcharakteristika von SAW-Vorrichtungen der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und der verwandten Technik. Man beachte, daß Fig. 20 die Durchlaßbandcharakteristika der SAW- Vorrichtung verwandter Technik und Fig. 20B diejenigen der vorliegenden Ausführungsformen zeigt. Im Hinblick auf Welligkeitsvergleich sind Charakteristika beider Figuren ohne irgendeine impedanzanpassende Einstellung gemessen worden. Die Durchlaßbandcharakteristika von Fig. 20B sind anwendbar auf beide Ausführungsformen von Fig. 18 und 19.
  • Beim Vergleichen der Filter-Durchlaßbandcharakteristika zwischen Fig. 20A und 20B wird deutlich, daß eine Welligkeit von 2,5 dB der verwandten Technik auf etwa 1 dB durch die vorliegenden Ausführungsformen verringert wird.
  • Figuren 21A und 21B zeigen Impulsantworten, die auf den Filtercharakteristika der SAW-Vorrichtungen der vorliegenden Erfindung und der verwandten Technik basieren. Man beachte, daß Fig. 21A die Impulscharakteristika der SAW-Vorrichtung verwandter Technik und Fig. 21B diejenigen der vorliegenden Ausführungsformen zeigt. Außerdem zeigen Fig. 21A und 21B Ergebnisse von inverser Fouriertransformation, durchgeführt für die Durchlaßbandcharakteristika, und eine Antwort (eine Impulsantwort) ist auf einer Zeitachse dargestellt. Zusätzlich ist die Antwortamplitude von jeder dieser Antworten entsprechend einem üblichen logarithmischen Wert der Leistung (Quadrat einer Amplitude) der Welle erhalten.
  • Durch Vergleichen der Filter-Charakteristika zwischen Fig. 21A und 21B wird deutlich, daß eine relative elektrische Leistung von -8 dB zwischen der ersten verzögerten Welle (W&sub1;) und der primären Antwort (primäre Antwortwelle W&sub0;) der früheren Technik auf -9,5 dB entsprechend den Ausführungsformen der Erfindung heruntergedrückt wird.
  • In dieser Weise können die Ausführungsformen die elektrische Leistung der ersten verzögerten Welle relativ zur primären Antwort einstellen, so daß die erste verzögerte Welle eine entgegengesetzte Phase geeigneter Größe haben kann. Als Ergebnis können die Ausführungsformen Welligkeiten in einem Durchlaßband unterdrücken und flache Durchlaßbandcharakteristika liefern.
  • Figur 22 ist eine Ansicht, die ein Beispiel für Mobilfunkausstattung, die SAW-Vorrichtungen einsetzt, zeigt. Fig. 22 zeigt namentlich grob einen HF- (Hochfrequenz-) Teil und einen ZF- (Zwischenfrequenz-) Teil eines Beispiels einer Mobiltelefonsendeempfangsvorrichtung, die SAW- Filter einsetzt.
  • Wie in Fig. 22 dargestellt, umfaßt die Mobiltelefonsendeempfangsvorrichtung einen HF-Teil 8, einen ZF-Teil 9 und eine Antenne 10. Der HF-Teil 8 enthält eine Mehrzahl an SAW- Filtern 101 bis 106, Verstärkern 81, 82 und 84, einen Mischer 86 und einen Oszillator (Lokaloszillator) 85. Der ZF-Teil 9 enthält eine Sendeeinheit 91, eine Empfangseinheit 92, einen Mischer 93 und einen Oszillator (Lokaloszillator) 94. Man beachte, daß die SAW-Vorrichtungen der Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung bei den SAW-Filtern 101 bis 106 des HF-Teils 8 in der Mobiltelefon-Sendeempfangsvorrichtung angewandt werden können. Man beachte, daß, wie oben beschrieben, ein geringer Einfügungsverlust, ein breites Band und ein hervorragender Unterdrückungsgrad für die SAW-Filter 101 bis 106 erforderlich sind. Außerdem werden die SAW-Vorrichtungen gemäß der vorliegenden Erfindung nicht nur für HF-Schaltkreisintegrationen von Kommunikationsausstattung wie Mobiltelefon-Sendeempfangsvorrichtungen eingesetzt, sondern auch für Kabel-TV-Zwischenstellen und -konverter und ähnliches.
  • Wie oben erläutert, kann die vorliegende Erfindung den Einfügungsverlust einer hintereinandergeschalteten, mehrstufigen Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen wie einen Filter für akustische Oberflächenwellen verringern, ohne daß die Größe der Vorrichtung zunimmt, und zwar im Gegensatz zur früheren Technik, die nachteilig den Einfügungsverlust in Proportion zu eiher Verbesserung in den Charakteristika in einem Blockiergebiet der Vorrichtung beeinträchtigt. Die Erfindung trägt daher erheblich zu einer Funktionsverbesserung der SAW- Vorrichtung bei. Außerdem ist entsprechend einer SAW- Vorrichtung der vorliegenden Erfindung ein Mittenabstand d' zwischen einer äußersten verbundenen Elektrode und einem Reflektor, der entlang der äußeren Seite der verbundenen Elektrode vorgesehen ist, d' = 30λ, um Welligkeiten zu unterdrükken und vorbestimmte Durchlaßbandcharakteristika für ein breites Band zu realisieren.
  • Viele verschiedene Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können gebaut werden, ohne den Bereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen,und selbstverständlich ist die vorliegende Erfindung nicht auf die besonderen Ausführungsformen, die in dieser Beschreibung beschrieben sind, begrenzt, ausgenommen, wie in den angefügten Ansprüchen bestimmt.

Claims (6)

1. Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen, umfassend: einen Eingangsanschluß (EIN); einen Ausgangsanschluß (AUS); ein erstes Mehrelektrodenelement für akustische Oberflächenwellen (1), das eine Mehrzahl erster interdigitaler Wandler (1A, 2A, 3A, ...) und zweiter interdigitaler Wandler (1B, 2B, 3B, ...), die einander abwechseln, welche ersten interdigitalen Wandler (1A, 2A, 3A, ...) mit dem Eingangsanschluß (EIN) verbunden sind, enthält; und ein zweites Mehrelektrodenelement für akustische Oberflächenwellen (1'), das eine Mehrzahl dritter interdigitaler Wandler (1A', 2A', 3A', ...) und vierter interdigitaler Wandler (1B', 2B', 3B', ...), die einander abwechseln, enthält, welches erste und welches zweite Mehrelektrodenelement für akustische Oberflächenwellen (1, 1') spiegelsymmetrisch angeordnet und auf einem piezoelektrischen Substrat vorgesehen sind, welche dritten interdigitalen Wandler (1A', 2A', 3A', ...) mit dem Ausgangsanschluß (AUS) verbunden sind, und welche vierten interdigitalen Wandler (1B', 2B', 3B', ...) mit den zweiten interdigitalen Wandlern (1B, 2B, 3B, ...) verbunden sind; dadurch gekennzeichnet, daß die Zahl (NA) der ersten oder dritten interdigitalen Wandler (1A, 2A, 3A, ...; 1A', 2A', 3A', ...) gleich der oder um eins kleiner als die Zahl (NB) der zweiten oder vierten interdigitalen Wandler (1B, 2B, 3B, ...; 1B', 2B', 3B', ...) ist.
2. Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen nach Anspruch 1, bei der die Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen außerdem mindestens einen Reflektor (C: 1C, 1C'; 2C, 2C') zum Reflektieren von akustischen Oberflächenwellen umfaßt, der auswärts des äußersten der zweiten und vierten interdigitalen Wandler vorgesehen ist, und ein Mitte-zu-Mitte- Abstand d zwischen den ersten und zweiten interdigitalen Wandlern (1A, 2A, 3A, ...; 1B, 2V, 3B, ...) oder den dritten und vierten interdigitalen Wandlern (1A', 2A', 3A', ...; 1B', 2B', 3B', ...) bestimmt ist, d = (N+β) λ zu sein, worin λ die Wellenlänge der Oberflächenwelle und gleich zwei Zahnteilungen jedes interdigitalen Wandlers ist, die Zahnteilung die Breite einer Elektrode plus der Breite eines angrenzenden Interelektrodenzwischenraums ist, n eine freigestellte ganze Zahl ist und β im Bereich von 0,17 bis 0,25 liegt; und ein Mitte-zu- Mitte-Abstand d' zwischen dem Reflektor (C: 1C, 1C'; 2C, 2C') und dem äußersten der ersten und dritten interdigitalen Wandler bestimmt ist, d' = n λ oder d' = (1+1/2) λ zu sein.
3. Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen nach Anspruch 2, bei der der Reflektor (C: 1C, 1C'; 2C, 2C') aus interdigitalen Wandlern oder Streifenelektroden aufgebaut ist.
4. Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei der die Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen außerdem mindestens einen von fünften interdigitalen Wandlern (1D; 2D), auswärts der äußersten zweiten interdigitalen Wandler vorgesehen, und mindestens einen von sechsten interdigitalen Wandlern (1D'; 2D'), auswärts der äußersten vierten interdigitalen Wandler angebracht umfaßt und ein Mitte-zu-Mitte-Abstand zwischen dem fünften oder sechsten interdigitalen Wandler und dem zweiten oder vierten interdigitalen Wandler bestimmt ist, d' = n λ oder d' = (n+1/2) λ zu sein, worin λ, die Wellenlänge der Oberflächenwelle, gleich zwei Zahnteilungen jedes interdigitalen Wandlers ist, die Zahnteilung die Breite einer Elektrode plus der Breite eines angrenzenden Interelektrodenzwischenraums ist und n eine freigestellte ganze Zahl ist.
5. Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen nach Anspruch 4, kombiniert mit Anspruch 2, oder Anspruch 4, kombiniert mit Anspruch 3, bei der der mindestens eine fünfte und der mindestens eine sechste interdigitale Wandler (1D, 2D, 1D', 2D') so anstelle von Reflektoren (1C, 2C, 1C', 2C') vorgesehen sind.
6. Vorrichtung für akustische Oberflächenwellen nach Anspruch 4, bei der der fünfte interdigitale Wandler und der sechste interdigitale Wandler miteinander verbunden sind, um verbundene Elektroden (1D-1D'; 2D-2D') zu bilden.
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