DE69209212T2 - Optischer Wellenleiter-Schalter mit innerer Totalreflektion - Google Patents

Optischer Wellenleiter-Schalter mit innerer Totalreflektion

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Description

    HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen optischen Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion, und insbesondere einen optischen Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion dessen Anfangsübersprechpegel beim Schaltbetrieb reduziert ist.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Auf dem Gebiet der optischen Kommunikation wird ein optischer Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion zur Schaltung von optischen Pfaden verwendet. Als Beispiel dieses optischen Wellenleiterschalters mit Innerer Totalreflexion wird nun ein Halbleiter-Lichtwellenleiterschalter mittels der beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • Figur 1 ist eine schematische Ansicht, die ein herkömmliches Beispiels des optischen Wellenleiterschalters mit innerer Totalreflexion zeigt. In Fig. 1 kreuzen sich zwei optische Wellenleiter 1 und 2 in einem Winkel θ, wobei ein Kreuzungsbereich 3 gebildet wird. Wenn Licht wie von Pfeil p gezeigt einfällt, dann dienen beide optischen Wellenleiter 1a und 2a als einfallseitige optische Wellenleiter und beide optischen Wellenleiter 1b und 2b dienen als emissionsseitige optische Wellenleiter. Ein Brechungsindexwechselbereich 4 ist zwischen den optischen Wellenleitern in dem Kreuzungsbereich 3 ausgebildet.
  • Der Abschnitt eines jeden optischen Wellenleiters, der sich vom Brechungsindexwechselbereich 4 unterscheidet, ist gemäß der Schnittansicht in Figur 2, die entlang der Linie II - II in Fig. 1 verläuft, aufgebaut. Wenn beispielsweise GaAs und AlGaAs als Halbleitermaterialien verwendet werden, dann wird ein Substrat 12 aus GaAs auf der Rückseite einer unteren Elektrode 11 geformt und n&supmin;GaAs wird als 5 Pufferschicht 13 auf dem Substrat 12 gebildet.
  • Eine untere Überzugsschicht 14 aus n&supmin;AlGaAs und eine Kernschicht 15 aus n&supmin;GaAs werden nacheinander auf der Pufferschicht 13 gebildet. Dann werden eine obere Überzugsschicht 16 aus n&supmin;AlGaAs und eine Deckschicht 17 aus n&supmin;GaAs nacheinander auf der Kernschicht 15 gebildet, und hiernach werden diese geätzt, um einen stegförmigen optischen Wellenleiter zu bilden. Die resultierende Gesamtstruktur wird mittels eines Isolierfilms 18 aus SiO&sub2; oder dergleichen umschlossen.
  • Wie in der Schnittansicht gemäß Fig. 3 gezeigt ist, die entlang der Linie III - III in Fig. 1 verläuft, ist andererseits eine Diffusionszone 4a in dem Brechungsindexwechselbereich 4 ausgebildet, indem eine vorbestimmte Menge eines Fremdstoffes, wie beispielsweise Zn, in die obere Überzugsschicht 16 eindiffundiert wird, so daß der Fremdstoff beinahe die Kernschicht 15 erreicht. Eine schlitzförmige Isolierfilmöffnung 18a wird durch die teilweise Entfernung des Isolierfilms 18 gebildet, der die Oberfläche des Kreuzungsbereiches 3 für eine vorbestimmte Breite in bezug auf die Längsrichtung des Kreuzungsbereiches 3 abdeckt. Hiernach wird eine obere Elektrode 19 an der Isolierfilmöffnung 18a angebracht.
  • Wenn Licht im Falle dieses optischen Wellenleiterschalters mit innerer Totalreflexion von dem einfallseitigen optischen Wellenleiter 2a einfällt, wie von dem Pfeil p in Fig. 1 dargestellt, ohne jeglichen Betrieb zwischen der oberen und unteren Elektrode 19 und 11 zu auszulösen, passiert das Licht direkt und gerade den Kreuzungsbereich 3 und tritt aus dem emissionsseitigen optischen Wellenleiter 2b aus, wie von dem Pfeil g gezeigt wird.
  • Wenn elektrischer Strom mit einem vorbestimmten Wert z.B. von der oberen Elektrode 19 über die Isolierfilmöffnung 18a zugeführt wird, dann wird aber der Brechungsindex desjenigen Bereichs der Kernschicht 15 vermindert, der unterhalb des Brechungsindexwechselbereichs 4 liegt. Als Ergebnis entsteht eine Grenzfläche 4b in dem Kreuzungsbereich 3 zwischen dem Brechungsindexwechselbereich 4, dessen Brechungsindex herabgesetzt ist, und den optischen Wellenleitern, deren Brechungsindex nicht herabgesetzt ist. Die Grenzfläche 4b befindet sich auf einer geraden Linie, die den Schnittwinkel θ schneidet.
  • Demgemäß ändert das auf den einfailseitigen optischen Wellenleiter 2a einfallende Licht seinen optischen Pfad in Richtung des emissionsseitigen optischen Wellenleiters lb, wobei die Grenzfläche 4b als Reflexionsoberfläche verwendet wird, wie von der gebrochenen Linie q' in Fig. 1 dargestellt, und tritt dann aus dem optischen Wellenleiter 1b aus. Die Grenzfläche 4b des Brechungsindexwechselbereichs 4 ist derart ausgebildet, daß sie durch die Stromeinspeisung zu einer Oberfläche mit Totalreflexion wird, und das Licht wird vollständig von dieser Oberfläche reflektiert, so daß eine Schaltfunktion entsteht.
  • Im Falle des oben beschriebenen optischen Wellenleiterschalters ist jedoch die Isolierfilmöffnung schlitzförmig, so daß die Grenzfläche 4b des Brechungsindexwechselbereichs 4, die durch das Eindiffundieren von Zn durch die Isolierfilmöffnung gebildet wird, eine ebene Konfiguration aufweist.
  • Im Kreuzungsbereich 3 beinhaltet der Brechungsindexwechselbereich 4 verschiedene Materialien, so daß sich der Brechungsindex der verbleibenden Abschnitte der optischen Wellenleiter geringfügig von dem des Bereiches 4 unterscheidet. Auch wenn kein elektrischer Strom von der Elektrode 19 zugeführt wird, wird das auf den einfallseitigen optischen Wellenleiter 2a einfallende Licht von der Grenzfläche 4b reflektiert oder gebrochen, was zu einem optischen Verlust führt. Daher ist der Anfangsübersprechpegel in dem auf Durchgang geschalteten Zustand hoch.
  • AUFGABE UND ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen optischen Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion gemäß Anspruch 1 bereitzustellen, der in der Lage ist, den optischen Verlust beim Schaltbetrieb zu senken, wodurch der Anfangsübersprechpegel reduziert wird.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß ein optischer Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion bereitgestellt wird, der sich kreuzende optische Wellenleiter umfaßt, so daß ein Brechungsindexwechselbereich zum Reflektieren von Licht in einem Kreuzungsbereich zwischen den optischen Wellenleitern geformt wird, wobei der Brechungsindexwechselbereich eine konkave Reflexionsoberfläche aufweist, die in bezug auf einen Seitenabschnitt des Kreuzungsbereiches vertieft ist.
  • Im Kreuzungsbereich des optischen Wellenleiterschalters mit innerer Totalreflexion ist gemäß der vorliegenden Erfindung die Grenzfläche (Reflexionsoberfläche), die auf einer durch die unterschiedlichen Werkstoffe zwischen dem Brechungsindexwechselbereich und den verbleibenden Abschnitten der optischen Wellenleiter hervorgerufenen Brechungsindexdifferenz basiert, konkav.
  • Wenn der Brechungsindexwechselbereich nicht aktiviert ist, wird also das Licht, das sich vom einfallseitigen optischen Wellenleiter bis hin zur Grenzfläche ausbreitet, gegenüber Veränderungen des Brechungsindexes in dem Brechungsindexwechselbereich weniger empfindlich sein, als im Falle einer ebenen Grenzoberfläche, so daß der Anfangsübersprechpegel gesenkt werden kann.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 ist eine schematische Ansicht, die einen herkömmlichen optischen Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion zeigt;
  • Fig. 2 ist eine Schnittansicht entlang der Linie II - II aus Fig. 1;
  • Fig. 3 ist eine Schnittansicht entlang der Linie III - III aus Fig. 1;
  • Fig. 4 ist eine schematische Ansicht, die eine erfindungsgemäße Ausführungsform eines optischen Schalters zeigt;
  • Fig. 5 ist eine graphische Darstellung, die die Schaltungseigenschaften des optischen Schalters gemäß Fig. 4 zeigt;
  • Fig. 6 ist eine graphische Darstellung, die die Schaltungseigenschaften einer Modifikation des optischen Schalters gemäß Fig. 4 zeigt;
  • Fig. 7 ist eine graphische Darstellung, die die Schaltungseigenschaften einer weiteren Modifikation des optischen Schalters zeigt;
  • Fig. 8 ist eine schematische Ansicht, die eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Schalters zeigt;
  • Fig. 9 ist eine graphische Darstellung, die die Schaltungseigenschaften des optischen Schalters gemäß Fig. 8 zeigt;
  • Fig. 10 ist eine graphische Darstellung, die die Schaltungseigenschaften einer Modifikation des optischen Schalters aus Fig. 8 zeigt; und
  • Fig. 11 ist eine schematische Ansicht, die noch eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optischen Schalters zeigt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Fig. 4 ist eine Ansicht, die ein Beispiel eines erfindungsgemäßen Schalters zeigt.
  • Der allgemeine Aufbau dieses Schalters unterscheidet sich von jenigem eines herkömmlichen optischen Wellenleiterschalters mit innerer Totalreflexion gemäß Fig. 1 nur in der Konfiguration der Grenzfläche zwischen dem Brechungsindexwechselbereich 4 und den anderen Abschnitten der optischen Wellenleiter im Kreuzungsbereich.
  • Insbesondere ist die Grenzfläche des Brechungsindexwechselbereiches 4 derart ausgebildet, daß deren Abschnitt, der sich von der Kreuzungsstelle A1 zwischen den einfailseitigen optischen Wellenleitern 1a und 2a, zur Kreuzungsstelle A2 zwischen den emissionsseitigen optischen Wellenleitern 1b und 2b erstreckt, eine Austiefung aufweist, die in bezug auf jenen Seitenabschnitt des Kreuzungsbereiches 3 auf der Seite des einfailseitigen optischen Wellenleiters 2a (und des emissionsseitigen optischen Wellenleiters 1b) vertieft ist, wie aus Fig. 4 hervorgeht.
  • In diesem Falle kann die Austiefung beispielsweise eine gekrümmte Oberfläche sein, die von einem Kreisbogen mit festem Krümmungsradius R gebildet ist, oder eine gekrümmte Oberfläche, die von einer Krümmung mit einem sich schrittweise verändernden Krümmungsradius wie z.B. der Umfang einer Ellipse gebildet ist.
  • Im folgenden wird eine präzise Beschreibung eines Beispiels eines Herstellungsverfahrens eines solchen optischen Schalters dargelegt.
  • Wie in Figur 2 und 3 gezeigt, können z.B. die Pufferschicht 13 aus beispielsweise n&supmin;GaAs, die untere Überzugsschicht 14 aus beispielsweise n&supmin;AlGaAs, die Kernschicht 15 aus beispielsweise n&supmin;GaAs, die obere Überzugsschicht 16 aus beispielsweise n&supmin;AlGaAs und die Deckschicht 17 aus beispielsweise n&supmin;GaAs nacheinander auf dem Substrat 12 aus n&supmin;GaAs mittels des MOCVD-Verfahrens aufgebaut werden.
  • Hiernach wird der andere Abschnitt der Oberfläche mit Ausnahme der Isolierfilmöffnung 18a gemäß Figur 4 mit einem Maskierungswerkstoff überzogen, und Zn wird durch die Öffnung isa zur Bildung der Zn-Diffusionszone 4a, die die obere Oberfläche der Kernschicht 15 erreicht, eindiffundiert. Die Konfiguration der Diffusionszone 4a umfaßt die gekrümmte Oberfläche, die zwischen den Kreuzungsstellen Al und A2 gemäß Fig. 4 gekrümmt ist, und von dem Kreisbogen mit dem Krümmungsradius R ausgebildet ist.
  • Hiernach wird der Maskierungswerkstoff entfernt und die Deckschicht 17 und die obere Überzugsschicht 16 geätzt, so daß das zu leitende Licht einwellig ist, und die einfailseitigen optischen Wellenleiter la und 2a, die emissionsseitigen optischen Wellenleiter ib und 2b und der Kreuzungsbereich 3 jeweils stegförmig ausgebildet sind, so daß der Schnittwinke θ beträgt.
  • Anschließend wird der Isolierflim 18 aus beispielsweise SiO&sub2; über die gesamte Oberfläche der resultierenden Struktur gebildet, wobei der Abschnitt, der der Isolierfilmöffnung lsa aus Fig. 1 entspricht, durch Ätzen entfernt und die obere Elektrode 19, beispielsweise Ti/Pt/Au, dor angebracht wird. Zuletzt wird die untere Oberfläche des GaAs-Substrats 12 poliert und die untere Elektrode 11, beispielsweise aus AgGeNi/Au, dort angebracht.
  • Obwohl die Halbleiter als Werkstoffe des Schalters beschrieben worden sind, beschränkt sich die vorliegende Erfindung nicht auf diese, und der Schalter kann alternativ hierzu aus einem dielektrischen Material wie beispielsweise LiNbO&sub3;, gebildet sein. Falls die werkstoffzusammensetzung des Brechungsindexwechselbereiches verändert wird, kann zudem der Schaltbetrieb durch das Anlegen von Spannung an die obere Elektrode durchgeführt werden.
  • Ausführungsform 1
  • Die 0.5 µm dicke Pufferschicht 13 aus n GaAs, die 3.0 µm dicke untere Überzugsschicht 14 aus n&supmin;Al0.2Ga0.8s, die 0.8 µm dicke Kernschicht 15 aus n&supmin;GaAs, die 0.8 µm dicke obere Überzugsschicht 16 aus n&supmin;Al0.2Ga0.8As und die 0.2 µm dicke Deckschicht 17 aus n&supmin;GaAs werden nacheinander mittels des MOCVD- Verfahrens auf dem n&supmin;GaAs-Substrat 12 aufgebaut. Dadurch wurde ein optischer Schalter wie beispielsweise der aus Fig. 4 hergestellt, der einen Krümmungsradius R von 5 mm und einen Schnittwinkel θ von 4º besitzt.
  • Fig; 5 zeigt die Schalteigenschaf ten dieses optischen Wellenleiterschalters für das Licht mit einer Wellenlänge von 1.55 µm.
  • In Fig. 5 stellt der Kreis die Emissionsielstung des emissionsseitlgen optischen Wellenleiters 2b dar, die erhalten wird, wenn das Licht von dem einfaliseitigen optischen Wellenleiter 2a einfällt, und ein schwarzer Bildpunkt stellt die Emissionsielstung von dem emissionsseitigen optischen Wellenleiter 1b dar.
  • Wenn kein elektrischer Strom an die obere Elektrode 19 angelegt wird, wie in Fig. 5 gezeigt, wandert das einfallende Licht gerade durch den Kreuzungsbereich 3 und breitet sich bis hin zum emissionsseitigen optischen Wellenleiter 2b aus. Wenn der angelegte Strom erhöht wird, steigt die Emissionsielstung des emissionsseitigen optischen Wellenleiters 1b an, wodurch ein Schaltbetrieb bei ungefähr 200 mA ermöglicht wird.
  • Wie aus Fig. 5 ferner ersichtlich, beträgt der Anfangsübersprechpegel dieses optischen Schalters ungefähr 18.5 dB. Verglichen mit ungefähr 9.2 dB des Anfangsübersprechpegels des optischen Schalters mit dem Aufbau gemäß Fig. 11 in dem die Reflexionsoberfläche des Brechungsindexwechselbereiches eben ausgebildet ist, zeigt dieser Wert, daß der optische Verlust des resultierenden optischen Schalters sehr gering ist.
  • Ausführungsform 2
  • Ein optischer Wellenleiterschalter wurde auf die gleiche Art und Weise gemäß Ausführungsform 1 hergestellt, mit Ausnahme, daß die Halbleiterzusammensetzung der unteren und oberen Überzugsschicht 14 und 16 jeweils aus n&supmin;Al0.1Ga0.9As und n&supmin;Al0.1Ga0.9As bestand, die Kernschicht 15 aus n&supmin;GaAs eine Dicke von 1.0 µm aufwies, und der Schnittwinkel θ 5º betrug.
  • Fig. 6 zeigt die Schalteigenschaften dieses optischen Wellenleiterschalters für das Licht mit 1.55 µm Wellenlänge.
  • In Fig. 6 stellt ein Kreis die Emissionsielstung des emissionsseitigen optischen Wellenleiters 2b dar, die erhalten wird, wenn das Licht von dem einfailseitigen optischen Wellenleiter 2a einfällt, und ein schwarzer Bildpunkt stellt die Emissionsielstung des emissionsseitigen optischen Wellenleiters 1b dar.
  • Wie aus Fig. 6 ersichtlicb, startet dieser optische Schalter den Schaltbetrieb bei ungefähr 100 mA und sein Anfangsübersprechpegel beträgt 16.0 dB.
  • Ferner beträgt der Betriebsübersprechpegel dieses optischen Schalters 17.8 dB. Somit erfahren sowohl die Anfangsals auch die Betriebsübersprecheigenschaf ten eine bedeutende Verbesserung.
  • Im Falle eines optischen Schalters mit dem Schnittwinkel θ von 5º und seinem wie in Fig. 1 geformten Brechungsindexwechselbereiches, betrugen sein Anfangs- und Betriebsübersprechpegel jeweils 12.4 dB und 18.0 dB.
  • Ausführungsform 3
  • -Ein optischer Wellenleiterschalter wurde auf die gleiche Art und Weise wie Ausführungsform 2 hergestellt, mit Ausnahme, daß der Schnittwinkel θ 6º betrug.
  • Fig. 7 zeigt die Schalteigenschaften dieses optischen Wellenleiterschalters für das Licht mit 1.55 µm Wellenlänge.
  • In Fig. 7 stellt ein Keis die Emissionsielstung des emissionsseitigen optischen Wellenleiters 2b dar, die erhalten wird, wenn das Licht an den einfallseitigen optischen Wellenleiter- 2a angelegt wird, und ein schwarzer Bildpunkt stellt die Emissionsleistung für den emissionsseitigen optischen Wellenleiter ib dar.
  • Wie aus Fig. 7 ersichtlich, startet dieser optische Schalter den Schaltbetrieb bei ungefähr 130 mA und sein Übersprechpegel beträgt 18.7 dB.
  • Ferner beträgt der Betriebsübersprechpegel dieses optischen Schalters 9.9 dB.
  • Im Falle eines optischen Schalters mit einem Schnittwinkel θ von 6º und seinem Brechungsindexwechselbereiches, der gemäß Fig. 1 geformt ist, betrugen der Anfangs- und der Betriebsübersprechpegel jeweils 17.6 dB und 9.6 dB.
  • Ausführungsform 4
  • Ein optischer Wellenleiterschalter wurde auf die gleiche Art und Weise wie Ausführungsform 2 hergestellt, mit Ausnahme, daß der Kreuzungsbereich 3 eine breite ebene Konfiguration aufweist, die parallele Seitenabschnitte, wie in Fig. 8 gezeigt, besitzt.
  • Fig. 9 zeigt die Schalteigenschaften dieses optischen Wellenleiterschalters für das Licht mit 1.55 µm Wellenlänge.
  • In Fig. 9 stellt ein Kreis die Emissionsleistung des emissionsseitigen optischen Weilenleiters 2b dar, die erhalten wird, wenn das Licht von dem einfailseitigen optischen Wellenleiter 2a einfällt, und ein schwarzer Bildpunkt stellt die Emissionsielstung von dem ernissionsseitigen optischen Wellenleiter 1b dar.
  • Wie aus Fig. 9 ersichtlich, startet dieser optische Schalter seine Schaltbetrieb bei ungefähr 80 mA, und der Anfangsübersprechpegel beträgt 15.5 dB.
  • Ferner beträgt der Betriebsübersprechpegel dieses optischen Schalters 18.5 dB. Somit erfahren sowohl die Anfangsals auch die Betriebsübersprechpegeieigenschaften eine bedeutende Verbesserung.
  • Im Falle eines optischen Schalters mit der ebenen Konfiguration seines Kreuzungsbereiches 3, der die gleiche Breite wie die der 4. Ausführungsform besitzt, einem Schnittwinkel θ von 5º, und einem Brechungsindexwechselbereich, der gemäß Fig. 1 geformt ist, betrugen der Anfangs- und Betriebsübersprechpegel jeweils 13.2 dB und 15.3 dB.
  • Ausführungsform 5
  • Ein optischer Wellenleiterschalter wurde auf die gleiche Art und Weise wie Ausführungsform 4 hergestellt, mit Ausnahme, daß der Schnittwinkel θ 6º betrug.
  • Fig. 10 zeigt die Schalteigenschaften dieses optischen Wellenleiterschalters für das Licht mit 1.55 um Wellenlänge.
  • In Fig. 10 stellt ein Kreis die Emissionsielstung des emissionsseitigen optischen Wellenleiters 2b dar, die erhalten wird, wenn das Licht an den einfallseitigen optischen Wellenleiter 2a angelegt wird, und ein schwarzer Bildpunkt stellt die Emissionsielstung von dem emissionsseitigen optischen Wellenleiter 1b dar.
  • Wie aus Fig. 10 ersichtlich, startet dieser optische Schalter den Schaltbetrieb bei ungefähr 110 mA, und sein Anfangsübersprechpegel beträgt 17.6 dB.
  • Ferner beträgt der Betriebsübersprechpegel dieses optischen Schalters 10.6 dB.
  • Im Falle eines optischen Schalter mit dem Aufbau gemäß Ausführungsform 5, einem Schnittwinkel θ von 6º, und seinem Brechungsindexwechselbereich, der gemäß Fig. 1 geformt ist, betrugen der Anfangs- und Betriebsübersprechpegel jeweils 17.3 dB und 8.1 dB.
  • Ausführungsform 6
  • Ein optischer Wellenleiterschalter wurde auf die gleiche Art und Weise wie Ausführungsform 2 hergestellt, mit Ausnahme, daß jeder Seitenabschnitt der ebenen Konfiguration des Kreuzungsbereiches 3 durch den Umfang eines Kreisbogens mit einem Krümmungsradius von 5 mm gebildet wurden, und daß der Schnittwinkel θ 4º betrug. Der Anfangsübersprechpegel dieses Schalters betrug 17.2 dB.
  • Wenn technische Merkmale in den Ansprüchen mit Bezugszeichen versehen sind, so sind diese Bezugszeichen lediglich zum besseren Verständnis der Ansprüche vorhanden. Dementsprechend stellen solche Bezugszeichen keine Einschränkungen des Umfangs solcher Elemente dar, die beispielsweise durch solche Bezugszelchen gekennzeichnet sind.

Claims (5)

1. Ein optischer Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion, der folgendes umfaßt:
optische Wellenleiter (1, 2), die einander kreuzen und die im Kreuzungsbereich (3) eine Grenzfläche besitzen, die einen Brechungsindexwechselbereich (4) aufweist, in dem sich der Brechungsindex von den verbleibenden Bereichen der optischen Wellenleiter (1, 2) unterscheidet, um Licht zu reflektieren, dadurch gekennzeichnet, daß die Grenzfläche konkav ist.
2. Ein optischer Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion nach Anspruch 1, wobei jeder der optische Wellenleiter (1, 2) aus einem Halbleiter oder einem dielektrischen Werkstoff gebildet ist.
3. Ein optischer Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion nach Anspruch 1, wobei die konkave Grenzfläche eine gekrümmte Fläche ist, die von einem Bogen eines Kreises oder einer Ellipse definiert ist.
4. Ein optischer Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion nach Anspruch 1, wobei der Schnittwinkel zwischen den optischen Welienleitern (1, 2) von 4º bis 6º reicht, und wobei die Kurve, die die konkave Grenzfläche definiert, von einem Kreisbogen gebildet ist, der einen Krümmungsradius von 5 mm aufweist.
5. Ein optischer Wellenleiterschalter mit innerer Totalreflexion nach Anspruch 1, der ferner Elektroden (11, 18) zur Aktivierung des Brechungsindexwechselbereichs durch das Einspeisen von Strom oder das Anlegen von Spannung beinhaltet.
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