DE69130368T2

DE69130368T2 - Planarer Dünnfilmmagnetkopf

Info

Publication number: DE69130368T2
Application number: DE69130368T
Authority: DE
Inventors: Atsushi C/O Sony Corp. Tokyo Matsuzono; Teiichi C/O Sony Corp. Tokyo Miyauchi; Kiyoshi C/O Sony Corp. Tokyo Yamakawa
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1990-08-23
Filing date: 1991-08-21
Publication date: 1999-05-12
Anticipated expiration: 2011-08-22
Also published as: EP0472187A1; DE69117389D1; EP0472187B1; EP0689196A1; US5274521A; EP0689196B1; DE69130368D1; DE69117389T2

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen planaren Dünnfilmmagnetkopf und insbesondere auf einen Magnetkopf eines Magnetwiderstandeffekt-Typs, der für eine kleine Spurbreite geeignet ist.
In den Fig. 7 bis g ist ein herkömmlicher Dünnfilmmagnetkopf eines Horizontaltyps oder eines sog. Planartyps gezeigt.
Fig. 7 ist eine perspektivische Darstellung eines Magnetkopfschiebers; Fig. 8 ist eine schematische vergrößerte Schnittdarstellung eines Dünnfilmmagnetkopfes längs einer Richtung einer Spurbreite; und Fig. 9 ist eine schematische vergrößerte perspektivische Darstellung eines Magnetspaltes des Dünnfilmmagnetkopfes.
In Fig. 7 bezeichnet ein Bezugszeichen 100 allgemein einen Magnetkopfschieber bzw. -gleiter mit einer Basis 101. Die Basis 101 ist mit einer Rille 102 gebildet, die sich in einer Laufrichtung auf einer Oberfläche entgegengesetzt zu einem (nicht gezeigten) Magnetaufzeichnungsmedium erstreckt, so daß eine schienenförmige ABS (Air Bearing Surface bzw. Luftlagerfläche) 81 auf den gegenüberliegenden Seiten der Rille 102 gebildet wird. Die ABS 81 wird mit einer geneigten Fläche 104 an einem rückwärtigen Ende bezüglich der Laufrichtung gebildet, um ein glattes Fliegen über das Magnetaufzeichnungsmedium zu bewirken. Weiterhin ist ein planarer Dünnfilmmagnetkopf 90 auf der ABS 81 an einem Vorderende hiervon bezüglich der Laufrichtung gebildet.
In Fig. 8 ist der Dünnfilmmagnetkopf 90 in einer Aussparung 101a der Basis 101 gebildet, die aus einem Isoliermaterial, wie beispielsweise Silizium, gebildet ist. Der Dünnfilmmagnetkopf 90 umfaßt einen Dünnfilmmagnetkern 113, der aus einem Magnetmaterial, wie beispielsweise Permalloy gebildet ist, einen Magnetspalt 118, der in dem Dünnfilmmagnetkern 113 gebildet ist, eine Leiterschicht 114, Isolatorschichten 115 und 75, eine Spule 116 und eine Schutzschicht 117, die einen Teil der ABS 81 bildet. Ein Durchgangsloch 112 ist durch die Basis 101 ausgebildet, um die Leiterschicht 114 und die Isolatorschicht 115 darin zu gestalten.
Wie aus Fig. 9 hervorgeht, die einen Spalterzeugungsteil des den Magnetspalt 118 bildenden Dünnfilmmagnetkernes 113 zeigt, ist der Dünnfilmmagnetkern 113 allgemein so gestaltet, daß er graduell in einer Richtung der Spurbreite Tw mit zunehmender Entfernung von dem Magnetspalt 118 weiter wird. Außerdem ist der Spalterzeugungsteil des Dünnfilmmagnetkernes 113 als ein Halsteil 119 mit einer die Spurbreite Tw festlegenden konstanten Breite gebildet. Die Spule 116 ist eine Dünnfilmspule, die in einer Ebene unter dem Dünnfilmmagnetkern 113 gewickelt ist.
Fig. 12 ist eine vertikale Schnittdarstellung eines Dünnfilmmagnetkopfes eines Magnetwiderstandeffekt-Typs (der im folgenden als ein MR-Typ bezeichnet wird) als ein Beispiel des planaren Dünnfilmmagnetkopfes 90. In Fig. 12 ist eine MR- Vorrichtung 126 als ein MR-Dünnfilm auf der Basis 101 gebildet, und ein Dünnfilmmagnetjoch 127 ist so ausgeführt, daß es mit entgegengesetzten Enden der MR-Vorrichtung 126 verbunden ist. Das Dünnfilmmagnetjoch 127 ist an seinem Mittenteil mit einem Magnetspalt g bündig mit einer ABS 122 gebildet. Ein Vorspannleiter 128 zum Anlegen eines erforderlichen Vorspannmagnetfeldes an die MR-Vorrichtung 126 ist zwischen der MR- Vorrichtung 126 und dem Dünnfilmmagnetjoch 127 unter dem Magnetspalt g gebildet, so daß die MR-Vorrichtung 126 in einem Magnetwiderstandskennlinienbereich mit guter Linearität und hoher Empfindlichkeit betrieben wird. Ein nichtmagnetischer Schutzfilm 129 ist auf dem Dünnfilmmagnetjoch 127 mit Ausnahme des Spalterzeugungsteiles gebildet, um einen Teil der ABS darzustellen.
Wie in Fig. 10 gezeigt ist, hat ein Halsteil 129 des den Magnetspalt g bildenden Dünnfilmmagnetjoches 127 eine die Spaltbreite Tw definierende Breite. In dem Fall, daß die Spaltbreite Tw relativ groß ist, wie beispielsweise etwa 10 um oder mehr, wird eine Hauptmagnetdomäne 130 eine geschlossene Magnetdomänenstruktur längs einer Richtung der Spurbreite Tw, d. h. eine Achse der schwachen Magnetisierung kann in der Richtung der Spurbreite Tw gebildet werden. Demgemäß kann der Magnetkopf durch Drehung der Magnetisierung für einen Magnetfluß eines von dem Magnetspalt g eingeführten Signales betrieben werden. Als ein Ergebnis wird das Barkhausen- Rauschen reduziert, um ein lineares Ansprechverhalten zu liefern.
Jedoch wird jüngst gefordert, weiter eine Aufzeichnungsdichte zu steigern, was ein stärkeres Reduzieren der Spurbreite Tw verursacht. Wenn die Spurbreite Tw kleiner als 10 um, bei spielsweise etwa 5 um, wird, wird die Breite des den Magnetspalt g bildenden Halsteiles 129 klein und verursacht einen großen Einfluß einer Form-Anisotropie, was zu einer Schwierigkeit in der Orientierung der Magnetisierung in der Richtung der Spurbreite Tw infolge einer gesteigerten statischen Magnetenergie führt. Das heißt, die Achse der schwachen Magnetisierung ist in der Richtung der Spaltlänge senkrecht zu der Spaltbreite Tw orientiert. Als ein Ergebnis wirkt eine Magnetdomänenwand in der Nähe des Magnetspaltes g in dem Magnetjoch 127 irreversibel für einen Magnetfluß eines von dem Magnetspalt g nach Wiedergabe eingeführten Signales, um so ein nichtlineares Ansprechverhalten zu zeigen. Das heißt, ein Barkhausen-Rauschen aufgrund einer Bewegung der Magnetdomänenwand wird in eine Wiedergabewellenform eingeführt, oder die magnetische Permeabilität in der Nähe des Magnetspaltes g ist reduziert, so daß ein ausreichendes wiedergegebenes Ausgangssignal nicht erhalten werden kann.
Das obige Problem tritt nicht nur in dem bereits beschriebenen MR-Typ-Dünnfilmwiedergabemagnetkopf, sondern auch in einem planaren Aufzeichnungs-(Wiedergabe-)Dünnfilmmagnetkopf des elektromagnetischen Induktionstyps mit einer Struktur derart, daß eine Dünnfilmspule oder dergl. im wesentlichen um ein Magnetjoch gewickelt ist, auf. Magnetköpfe, in denen Vorsorge getroffen ist, einen Strom über den Spalt anzulegen, um ein Barkhausen-Rauschen zu reduzieren, sind aus EP-A- 0 298 417 und EP-A-0 265 798 bekannt.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Ein planarer Dünnfilmmagnetkopf gemäß der vorliegenden Erfindung ist in Patentanspruch 1 angegeben, dessen Oberbegriff die Offenbarung von EP-A-0 298 417 und EP-A-0 265 798 wieder gibt. Es ist ein wesentlicher Teil des planaren Dünnfilmmagnetkopfes gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung in den Fig. 1 bis 4 gezeigt, wobei Fig. 1 eine Draufsicht des wesentlichen Teiles ist Fig. 2 ist eine perspektivische Darstellung von Fig. 1; Fig. 3 ist ein Schnitt längs der Linie III-III in Fig. 1; und Fig. 4 ist ein Schnitt längs der Linie A-A in Fig. 3.
Wie in den Fig. 1 bis 4 gezeigt ist, ist ein planarer Dünnfilmmagnetkopf vorgesehen, der ein Dünnfilmmagnetjoch 37 hat, das mit einem Spalt g gebildet ist, wobei sich das Dünnfilmmagnetjoch 37 im wesentlichen längs einer Aufzeichnungsfläche eines (nicht gezeigten) Magnetaufzeichnungsmediums erstreckt; der planare Dünnfilmmagnetkopf hat eine nichtmagnetische Leiterschicht 1, die an einer Zwischenposition von wenigstens einem Spalterzeugungsteil des den Magnetspalt g bildenden Dünnfilmmagnetjoches 37 (d. h. an einer Zwischenposition zwischen entgegengesetzten Endteilen 37AE und 37BE eines Paares von entgegengesetzt zueinander liegenden Jochhälften 37A und 37B, wobei der Magnetspalt g dazwischen gebildet ist und die entgegengesetzten Endteile 37AE und 37BE eine Spurbreite Tw des Magnetspaltes g definieren) bezüglich einer Richtung der Spalttiefe des Magnetspaltes g gelegen ist, wobei sich die Leiterschicht 1 in einer Richtung einer Spaltlänge (d. h. einer Richtung senkrecht zu der Richtung der Spaltbreite Tw) des Magnetspaltes g erstreckt, um den Magnetspalt g zu kreuzen, und wobei die Leiterschicht mit einem Strom in der Richtung der Spaltlänge des Magnetspaltes g gespeist ist.
Wie in den Fig. 3 und 4 gezeigt ist, ist die Leiterschicht 1 gestaltet, um mit Strom in der Richtung der Spaltlänge des Magnetspaltes g gespeist zu sein, und in das Dünnfilmmagnetjoch 37 eingebettet. Durch Einspeisen eines Stromes zu der Leiterschicht 1 wird ein Magnetfeld an dem Spalterzeugungsteil des den Magnetspalt g bildenden Dünnfilmmagnetjoches 37 erzeugt, d. h., an den entgegengesetzten Endteilen 37AE und 37BE. Wenn, wie in Fig. 4 gezeigt ist, die Richtung des zu der Leiterschicht 1 zu speisenden Stromes von der oberen Seite der Zeichenebene zu der unteren Seite hiervon ausgerichtet ist, wird ein Magnetfeld mit einer Richtung von Pfeilen P um die Leiterschicht 1 in dem Dünnfilmmagnetjoch 37 erzeugt. Das heißt, das Magnetfeld liegt in der Richtung der Spurbreite Tw an. Selbst wenn die Spurbreite Tw auf weniger als 10 um, beispielsweise auf etwa 5 um eingestellt ist, wird die Magnetdomänenstruktur, wie diese in Fig. 11 gezeigt ist, zu der Magnetdomänenstruktur angenähert, wie diese in Fig. 10 gezeigt ist. Als ein Ergebnis fällt die Achse der schwachen Magnetisierung im wesentlichen mit der Richtung der Spurbreite Tw zusammen, um so die magnetische Permeabilität in der Nähe des Magnetspaltes g zu verbessern und um das Wiedergabeausgangssignal zu verbessern und ein niedriges Barkhausen-Rauschen und lineares Ansprechverhalten zu realisieren.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 ist eine Draufsicht eines wesentlichen Teiles eines bevorzugten Ausführungsbeispiels des planaren Dünnfilmmagnetkopfes gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 ist eine perspektivische Darstellung von Fig. 1;
Fig. 3 ist ein Schnitt längs der Linie III-III in Fig. 1;
Fig. 4 ist ein Schnitt längs der Linie A-A in Fig. 3;
Fig. 5A bis 5Q sind Schnittdarstellungen, die einen Prozeß zum Herstellen eines planaren Dünnfilmmagnetkopfes eines zusammengesetzten Typs gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung veranschaulichen;
Fig. 6 ist eine Schnittdarstellung ähnlich zu Fig. 4, wobei ein anderes bevorzugtes Ausführungsbeispiel gezeigt ist;
Fig. 7 ist eine perspektivische Darstellung des Magnetkopfschiebers beim Stand der Technik;
Fig. 8 ist eine Schnittdarstellung des Dünnfilmmagnetkopfes beim Stand der Technik;
Fig. 9 ist eine perspektivische Darstellung des Magnetspaltes beim Stand der Technik;
Fig. 10 ist eine schematische Draufsicht, die die Magnetdomänenstruktur bei dem Magnetspalterzeugungsteil des Dünnfilmmagnetkopfes beim Stand der Technik veranschaulicht;
Fig. 11 ist eine Darstellung ähnlich zu Fig. 15, die die Magnetdomänenstruktur in dem Fall zeigt, in dem die Spurbreite stärker reduziert ist, und
Fig. 12 ist eine Schnittdarstellung eines wesentlichen Teiles des MR-Typ-Dünnfilmmagnetkopfes beim Stand der Technik.

DETAILBESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELE

Fig. 1 bis 4 zeigen ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel, wobei die vorliegende Erfindung auf einen planaren Dünnfilmwiedergabemagnetkopf des MR-Typs angewandt ist. In den Fig. 1 bis 4 bezeichnet ein Bezugszeichen 31 beispielsweise eine Basis eines Magnetkopfschiebers. Eine MR-Vorrichtung 36 ist auf der Basis 31 gebildet. Eine nichtmagnetische Isolatorschicht 41, wie beispielsweise eine SiO&sub2;-Schicht, ist auf der MR- Vorrichtung 36 gebildet. Ein Vorspannleiter 38 zum Anlegen eines Vorspannmagnetfeldes an die MR-Vorrichtung 36 ist auf der nichtmagnetischen Isolatorschicht 41 gebildet, um sich in einer die Längsrichtung der MR-Vorrichtung 36 kreuzenden Richtung zu erstrecken. Eine zweite nichtmagnetische Isolatorschicht 41, wie beispielsweise eine SiO&sub2;-Schicht, ist auf dem Vorspannleiter 38 gebildet. Ein Dünnfilmmagnetjoch 37 ist so gebildet, daß es die zweite nichtmagnetische Isolatorschicht 41 bedeckt und magnetisch mit entgegengesetzten Enden der MR-Vorrichtung 36 verbunden ist. Das Dünnfilmmagnetjoch 37 besteht aus einem Paar von Magnetjochhälften 37A und 37B. An einem Mittenteil des Dünnfilmmagnetjoches 37 ist ein Magnetspalt g zwischen den zwei Magnetjochhälften 37A und 37B definiert. Das Dünnfilmmagnetjoch 37 hat eine Doppelschichtstruktur, die aus einer oberen Schicht 371 und einer unteren Schicht 372 besteht. Zwischen der oberen Schicht 371 und der unteren Schicht 372 liegt eine Leiterschicht 1, um den Magnetspalt g zu kreuzen. Wie in Fig. 4, die einen Schnitt längs der Linie A-A in Fig. 3 darstellt, gezeigt ist, ist die Leiterschicht 1 vollständig durch das Dünnfilmmagnetjoch 37 mit Ausnahme eines den Magnetspalt g kreuzenden Teiles umgeben. Demgemäß wird ein geschlossener Magnetpfad in dem Kreuzungsabschnitt des Dünnfilmmagnetjoches 37 gebildet.
Wie aus Fig. 3 ersichtlich ist, sind Oberseiten der Spalterzeugungsteile 37AE und 37BE der Magnetjochhälften 37A und 37B, die das Dünnfilmmagnetjoch 37 bilden, mit einer ABS 32 des Schiebers bündig. Auf dem Dünnfilmmagnetjoch 37 ist mit Ausnahme der Oberflächen der Spalterzeugungsteile 37AE und 37BE ein Schutzfilm 39 so gebildet, daß eine obere freiliegende Oberfläche hiervon einen Teil der ABS 32 bildet.
Obwohl die vorliegende Erfindung auf einen MR-Typ-Dünnfilmwiedergabemagnetkopf in dem obigen bevorzugten Ausführungsbeispiel angewandt ist, ist die vorliegende Erfindung nicht auf diesen Typ begrenzt, sondern sie kann auf einen Induktionstyp-Magnetkopf mit einem Dünnfilmmagnetjoch angewandt werden.
Im folgenden wird anhand der Fig. 5A bis 5Q und Fig. 6 ein zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel beschrieben, wobei die vorliegende Erfindung auf einen planaren Dünnfilmmagnetkopf des zusammengesetzten Typs angewandt ist, der aufgebaut ist, indem der oben erwähnte MR-Typ-Dünnfilmwiedergabemagnetkopf und ein Induktionstyp-Aufzeichnungsmagnetkopf kombiniert werden. Die Fig. 5A bis 5Q zeigen ein Beispiel eines Herstellungsverfahrens eines derartigen planaren Dünnfilmmagnetkopfes des zusammengesetzten Typs.
Zunächst wird in Fig. 5A eine Basis 31 vorbereitet, die aus einem isolierenden Material, wie beispielsweise Al&sub2;O&sub3;·TiC, CaTiO&sub3;, Ferritkeramik oder kristallisiertem Glas gebildet ist. Obwohl dies nicht gezeigt ist, ist eine Aussparung an dem Dünnfilmmagnetkopf-Erzeugungsteil der Basis 31 gebildet. Dann wird eine Leiterschicht 51, wie beispielsweise eine NiFe-Schicht, durch Sputtern bzw. Aufdampfen oder dergl. auf einer oberen Oberfläche der Basis 31 einschließlich des Dünnfilmmagnetkopf-Erzeugungsteiles gebildet. Sodann wird ein Überzug bzw. Plattierresist 52, wie beispielsweise ein Photoresist, auf der Leiterschicht 51 durch Beschichten, Musterbelichtung und Entwickeln gebildet, um eine äußere Randwand längs eines Konturmusters eines rückwärtigen Dünnfilmmagnetjoches 53, zu bilden in dem nächsten in Fig. 5B gezeigten Schritt, zu erzeugen. Sodann wird eine Magnetschicht 531, beispielsweise eine NiFe-Schicht, auf der Leiterschicht 51 an einem Teil mit Ausnahme des Plattierresists 52 galvanisch abgeschieden.
In Fig. 5B werden die Magnetschicht 531 und die Leiterschicht 51 außerhalb des Plattierresists 52 durch Tonenfräsen oder dergl. abgeätzt, um dadurch das rückwärtige Dünnfilmmagnetjoch 51 zu bilden und dann das Plattierresist 52 zu entfernen.
In Fig. 5C wird eine nichtmagnetische Isolatorschicht 41, wie beispielsweise eine SiO&sub2;-Schicht, durch Sputtern oder dergl. gebildet, um ganz das rückwärtige Dünnfilmmagnetjoch 53 zu bedecken. Dann wird die Oberseite der nichtmagnetischen Isolatorschicht 41 poliert, um eine flache Oberfläche zu liefern.
In Fig. 5D wird eine Dünnfilmspule 54 als eine Kopfwicklung auf der flachen Oberfläche der Isolatorschicht 41 gebildet. Die Dünnfilmspule 54 wird gebildet, indem zuerst ein gut leitender Metalldünnfilm, wie beispielsweise ein Cu-Dünnfilm, auf der gesamten flachen Oberfläche der Isolatorschicht 41 durch Sputtern oder Dampfabscheidung gebildet wird, und indem dann der Metalldünnfilm einer Musterung durch IBE (Ionen strahlätzen) mittels Photolithographie unterworfen wird, damit ein gewünschtes Muster erhalten wird.
In Fig. 5E wird weiter eine zweite Isolatorschicht 41, wie beispielsweise eine SiO&sub2;-Schicht, gebildet, um ganz die Dünnfilmspule 54 zu bedecken, und Öffnungen 41h werden durch die zweite Isolatorschicht 41 gebildet, damit die entgegengesetzten Enden des rückwärtigen Dünnfilmmagnetjoches 53 zur Außenseite freiliegen. Die Erzeugung der Öffnungen 41h kann durch Musterung mittels Photolithographie bewirkt werden.
In Fig. 5F wird ein magnetisches Material, wie beispielsweise NiFe, galvanisch bis zu einer gewünschten Dicke in den Öffnungen 41h durch Verwenden der ersten und zweiten Isolierschichten 41 als ein Plattierresist aufgetragen, um dadurch Anstiegsteile 53S des rückwärtigen Dünnfilmmagnetjoches 53 in den Öffnungen 41h zu erzeugen. Dann wird eine dritte Isolatorschicht 41, wie beispielsweise eine SiO&sub2;-Schicht, auf den Anstiegsteilen 53S gebildet, um dieselben derart zu bedecken, daß eine Oberseite der dritten Isolatorschicht 41 bündig mit einer Oberseite der zweiten Isolatorschicht 41 wird. Sodann werden die Oberseiten der zweiten und dritten Isolatorschichten 41 flach gemacht.
In Fig. 5 G wird eine MR-Vorrichtung 36 auf den flachen Oberseiten der zweiten und dritten Isolatorschichten 41 gebildet. Die MR-Vorrichtung 36 ist ein Dünnfilm, der aus Permalloy, NiFe, NiCo, NiFeCo, usw. mit einer Dicke von etwa 300 bis 500 Angström gebildet ist. Die Erzeugung dieses die MR- Vorrichtung 36 bildenden MR-Filmes kann bewirkt werden, indem zuerst der Dünnfilm auf den gesamten Oberseiten der zweiten und dritten Isolatorschichten 41 durch Sputtern oder dergl. gebildet wird, und in dem dann der Dünnfilm zu einem ge wünschten Muster durch Ionenfräsen geätzt wird. Der MR-Film kann als eine Einzelschicht gebildet werden. Alternativ kann er als zwei Schichten mit einer dazwischenliegenden nichtmagnetischen Schicht gebildet werden, um die Erzeugung einer Magnetdomänenwand zu vermeiden. Danach wird eine vierte Isolatorschicht 41, wie beispielsweise eine SiO&sub2;-Schicht, so gebildet, daß sie ganz die MR-Vorrichtung 36 bedeckt. Eine Dikke der vierten Isolatorschicht 41 wird auf beispielsweise 0,5 bis 1 um eingestellt.
In Fig. 5H wird ein Teil der vierten Isolatorschicht 41, die auf den entgegengesetzten Enden der MR-Vorrichtung 36 gebildet ist, selektiv abgeätzt, um die entgegengesetzten Enden der MR-Vorrichtung 36 zur Außenseite freizulegen. Dann wird eine Öffnung 41t durch die ersten und zweiten Isolatorschichten 41 gebildet, um ein Ende einer zu einem Anschluß führenden Leiterschicht 181 freizulegen, die in ein Durchgangsloch eingebettet ist, das zuvor durch die Basis 31 erzeugt wurde.
In Fig. 5I wird ein Vorspannleiter 38 auf der vierten Isolatorschicht 41 gebildet, um die MR-Vorrichtung 36 zu kreuzen. Weiterhin wird eine MR-Elektrode 55 so gebildet, daß die entgegengesetzten Enden der MR-Vorrichtung 36 mit der zu dem Anschluß führenden Leiterschicht 181 verbunden sind, die in die Basis 31 eingebettet ist. Die Erzeugung des Vorspannleiters 38 und die Erzeugung der MR-Elektrode 55 können gleichzeitig bewirkt werden, indem zuerst ein gut leitender Metallfilm, wie beispielsweise ein Cu-Film, bis zu einer Dicke von 2000- 3000 Angström gesputtert wird und indem dann der Metallfilm zu einem gewünschten Muster geätzt wird.
In Fig. 5J wird eine fünfte Isolatorschicht 41, wie beispielsweise eine SiO&sub2;-Schicht, durch Sputtern oder dergl. so gebildet, daß sie ganz den Vorspannleiter 38, die MR- Elektrode 55 und die vierte Isolatorschicht 41 bedeckt. Die Dicke der fünften Isolatorschicht 41 wird auf 2 bis 3 um eingestellt.
In Fig. 5K werden die auf der MR-Vorrichtung 36 und dem Vorspannleiter 38 gebildeten vierten und fünften Isolatorschichten 41 zulaufend durch RIE (reaktives Ionenätzen) oder dergl. abgeätzt, um entgegengesetzte Endteile der MR-Vorrichtung 36 zur Außenseite freizulegen.
In Fig. 5L wird ein Resist 56 auf der fünften Isolatorschicht 41 an einer Stelle gerade über dem Vorspannleiter 38 durch eine bekannte Technik gebildet. Die Breite des Resists 56 wird auf 1-5 um eingestellt.
In Fig. 5M wird die fünfte Isolatorschicht 41 auf eine gewünschte Dicke durch Verwenden des Resists 56 als eine Ätzmaske geätzt, um einen Vorsprung 57 der fünften Isolatorschicht 41 unter dem Resist 56 zu bilden. Dann wird das Resist 56 entfernt, um den Vorsprung 57 mit einer Breite kleiner als die Breite des Resists 56 zu bilden. Eine Höhe des Vorsprunges 57 wird entsprechend einer Dicke des ersten Dünnfilmmagnetjoches eingestellt, das später zu erzeugen ist.
In Fig. 5N wird die fünfte Isolatorschicht 41 selektiv derart abgeätzt, daß ein Teil der fünften Isolatorschicht 41, die den Vorspannleiter 38 darin einbettet, belassen ist, und der andere Teil wird entfernt. Dann wird eine erste Stützmagnetleiterschicht 58, wie beispielsweise eine NiFe-Schicht, durch Galvanisieren oder Sputtern auf der gesamten Oberseite der fünften Isolatorschicht 41, die darüber belassen ist, und dem anderen Bereich erzeugt.
In Fig. 50 wird ein erstes Dünnfilmmagnetjoch 371 auf der ersten Stützmagnetleiterschicht 58 durch Galvanisieren von NiFe bis zu einer Dicke von 1 bis 3 um und Mustern der NiFe- Schicht durch Ätzen, wie beispielsweise IBE (Ionenstrahlätzen) gebildet, so daß zwei Magnetjochhälften 37&sub1;A und 37&sub1;B, die das erste Dünnfilmmagnetjoch 371 darstellen, auf gegenüberliegenden Seiten eines durch den nichtmagnetischen Vorsprung 57 gebildeten ersten Magnetspaltes g&sub1; erzeugt sind. Demgemäß sind die Magnetjochhälften 371A und 37DB magnetisch mit der MR-Vorrichtung 36 und den Anstiegsteilen 53S des rückwärtigen Dünnfilmmagnetjoches 53 über die dazwischenliegenden dritten Isolatorschichten 41 verbunden. Sodann wird eine erste Zwischenisolatorschicht 61, wie beispielsweise eine SiO&sub2;-Schicht, auf dem ersten Dünnfilmmagnetjoch 37&sub1; durch Sputtern oder dergl. mit einer Dicke von etwa 0,2 bis 0,3 um gebildet.
In Fig. 5P wird eine zweite Stützmagnetleiterschicht 66, wie beispielsweise eine NiFe-Schicht, auf der ersten Zwischenisolatorschicht 61 durch Sputtern oder dergl. gebildet. Dann wird eine nichtmagnetische Leiterschicht 1 auf der zweiten Stützmagnetleiterschicht 66, um den ersten Magnetspalt g&sub1; zu überlagern, durch Sputtern einer nichtmagnetischen guten Leiterschicht, wie beispielsweise einer Cu-Schicht, bis zu einer Dicke von etwa 0,2 - 0,3 um und durch anschließendes Mustern der nichtmagnetischen guten Leiterschicht gebildet. Sodann wird eine zweite Zwischenisolatorschicht 62, wie beispielsweise eine SiO&sub2;-Schicht, auf der gesamten Oberseite der nichtmagnetischen Leiterschicht 1 durch Sputtern oder dergl. mit einer Dicke von 0,2 bis 0,3 um gebildet. Zu dieser Zeit wird ein Vorsprung 67 zum Definieren eines zweiten Magnetspaltes g&sub2; integral mit der zweiten Zwischenisolatorschicht 62 an einer Stelle gerade über dem ersten Magnetspalt g&sub1; in der gleichen Weise gebildet, wie dies oben anhand der Fig. 5L bis 50 erläutert ist. Sodann wird eine dritte Stützmagnetleiterschicht 68, wie beispielsweise eine NiFe-Schicht, auf der zweiten Zwischenisolatorschicht 62 durch Galvanisieren gebildet. Anschließend wird ein zweites Dünnfilmmagnetjoch 372 auf der dritten Stützmagnetschicht 68 derart gebildet, daß zwei Magnetjochhälften 37&sub2;A und 37&sub2;B, die das zweite Dünnfilmmagnetjoch 37&sub2; darstellen, auf gegenüberliegenden Seiten des zweiten Magnetspaltes g&sub2; gebildet sind.
Eine Spaltlänge Lg1 des ersten Magnetspaltes g&sub1; kann auf 1 um eingestellt werden, und eine Spaltlänge Lg2 des zweiten Magnetspaltes g&sub2; kann auf 0,5 um eingestellt werden.
In Fig. 5Q wird ein Schutzfilm 39, wie beispielsweise ein SiO&sub2;-Film, auf dem zweiten Dünnfilmmagnetjoch 372 mit Ausnahme eines Erzeugungsteiles des zweiten Magnetspaltes g&sub2; gebildet. Eine Oberseite des Schutzfilmes 39 wird flach gemacht, um eine ABS 32 zu bilden, so daß der Spalterzeugungsteil bündig mit der ABS 32 ist.
In dem oben beschriebenen Magnetkopf wird ein Magnetjoch 37 im wesentlichen entlang der ABS 32 durch die ersten und zweiten Dünnfilmmagnetjoche 37&sub1; und 37&sub2; gebildet. Weiterhin wird ein Magnetspalt g durch die ersten und zweiten Magnetspalten g&sub1; und g&sub2; gebildet, und die nichtmagnetische Leiterschicht 1 wird in das Dünnfilmmagnetjoch 37 eingebettet. Somit stellt der Magnetkopf einen zusammengesetzten Magnetkopf dar, der aus einem MR-Typ-Wiedergabemagnetkopf, der einen geschlossenen Magnetpfad einschließlich des Magnetspaltes g durch das Dünnfilmmagnetjoch 37 und der MR-Vorrichtung 36 bildet, und einem Induktionstyp-Aufzeichnungsmagnetkopf, der einen ge schlossenen Magnetpfad einschließlich des Magnetspaltes g durch das Dünnfilmmagnetjoch 37 und das rückwärtige Dünnfilmmagnetjoch 53 und einschließlich der Dünnfilmspule 54, die diesen geschlossenen Magnetpfad in einer Ebene umwindet, bildet, aufgebaut ist.
Wie oben erläutert wurde, wird die zu einem Anschluß führende Leiterschicht 181 zuvor in der Basis 31 des Magnetkopfschiebers gebildet. Die Erzeugung dieser zu dem Anschluß führenden Leiterschicht 181 kann bewirkt werden, indem zunächst ein Durchgangsloch an einem vorbestimmten Teil der Basis 31, die aus einem Isoliermaterial hergestellt ist, gebildet wird, und indem dann eine Stützleiterschicht auf der gesamten Außenfläche der Basis 31 einschließlich einer Wandfläche des Durchgangsloches durch Sputtern von beispielsweise Cu gebildet wird, indem anschließend das Durchgangsloch mit beispielsweise Ni durch Galvanisieren gefüllt wird, und indem schließlich die auf der Außenfläche der Basis 31 erzeugte Stützleiterschicht abpoliert wird.
In dem obigen bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die nichtmagnetische Leiterschicht 1 in das Dünnfilmmagnetjoch 37 eingebettet. Mit anderen Worten, das Dünnfilmmagnetjoch 37 ist so gebildet, daß es ganz die nichtmagnetische Leiterschicht 1 umgibt, wie dies in Fig. 4 gezeigt ist. In einer Modifikation kann eine Sandwichstruktur angewandt werden, wie dies in Fig. 6 gezeigt ist. Das heißt, in Fig. 6 liegt die nichtmagnetische Leiterschicht 1 zwischen den ersten und zweiten Dünnfilmmagnetjoch 371 und 372 über die Zwischenisolatorschichten 61 und 62. Weiterhin sind Magnetspalten in entgegengesetzten Seitenbereichen der nichtmagnetischen Leiterschicht 1 vorhanden.
In jedem Fall ist die nichtmagnetische Leiterschicht 1 an dem Erzeugungsteil des Magnetspaltes g vorhanden. Wenn daher ein Strom in einer Richtung der Spaltlänge des Magnetspaltes g gespeist wird, wirkt ein durch diesen Strom erzeugtes Magnetfeld so, daß es eine Achse der schwachen Magnetisierung des Dünnfilmmagnetjoches 37 in der Nähe des Magnetspaltes g nahezu in eine Richtung einer Spurbreite ausrichtet.
Es sei betont, daß die vorliegende Erfindung nicht auf das obige bevorzugte Ausführungsbeispiel begrenzt ist, sondern auf jeglichen Typ eines planaren Dünnfilmmagnetkopfes zusätzlich zu dem Schiebertypkopf anwendbar ist, und daß verschiedene Änderungen und Modifikationen innerhalb des Bereiches der Erfindung gemacht werden können.

Claims

1. Planarer Dünnfilmmagnetkopf mit einem Dünnfilmmagnetjoch (37), das zwei Schichten (37A, 37B) aufweist und mit einem Magnetspalt (g) gebildet ist, wobei sich das Dünnfilmmagnetjoch (37) im wesentlichen entlang einer Aufzeichnungsfläche eines Magnetaufzeichnungsmediums erstreckt,

dadurch gekennzeichnet, daß

der planare Dünnfilmmagnetkopf eine nichtmagnetische Leiterschicht (1) aufweist, die zwischen den zwei Schichten (37A, 37B) gelegen ist, in das Dünnfilmmagnetjoch (37) eingebettet ist, und an einer Zwischenlage von wenigstens einem Spalterzeugungsteil des den Magnetspalt (g) bildenden Dünnfilmmagnetjoches (37) bezüglich einer Richtung einer Spalttiefe des Magnetspaltes (g) gelegen ist, und

die Leiterschicht (1) sich in einer Richtung einer Spaltlänge des Magnetspaltes (g) erstreckt, um den Magnetspalt (g) zu kreuzen, wobei die Leiterschicht (1) angeordnet ist, um mit Strom in der Richtung der Spaltlänge des Magnetspaltes (g) gespeist zu sein.

2. Planarer Dünnfilmmagnetkopf nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch weiterhin:

eine Basis (31),

ein auf der Basis (31) vorgesehenes rückwärtiges Dünnfilmmagnetjoch (53) und

ein über dem rückwärtigen Dünnfilmmagnetjoch (53) vorgesehenes MR-Element (36), wobei:

das Dünnfilmmagnetjoch (37) magnetisch mit entgegengesetzten Enden des MR-Elementes (36) verbunden ist.

3. Planarer Dünnfilmmagnetkopf nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch weiterhin einen Schutzfilm (39), der auf dem Dünnfilmmagnetjoch (37) mit Ausnahme des Spalterzeugungsteiles hiervon vorgesehen ist.

4. Planarer Dünnfilmmagnetkopf nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Magnetkopf einen elektromagnetischen Induktionstyp-Dünnfilmmagnetkopf mit einer Spule (51) aufweist.