DE69119861T2 - Verfahren zur Herstellung von P-Typ-Verbindungshalbleitern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von P-Typ-Verbindungshalbleitern

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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bildung einer P-Typ Verbindungshalbleiterschicht, die beispielsweise als ein Teil einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung wie eines Halbleiterlasers verwendet werden kann.
  • Es gibt zahlreiche Typen von Halbleiter-Lasern. Ein Beispiel ist ein TJS-Laser (Streifenlaser mit transversalem Übergang), der in Fig. 1 gezeigt wird. Dieser TJS-Laser kann in der folgenden Weise hergestellt werden. Zuerst wird eine mit Magnesium dotierte (Mg-dotierte) P-Typ GaAs-Schicht 4 auf einem halbisolierenden Galliumarsenid- (GaAs-) Substrat 2 durch Flüssigphasenepitaxie gewachsen. Dann wird eine untere, mit Tellur dotierte (Te-dotierte) N-Typ AlGaAs-Mantelschicht 6 auf der Mg-dotierten P-Typ GaAs-Schicht 4 durch Flüssigphasenepitaxie gewachsen. Auf der unteren Mantelschicht 6 wird eine aktive, Te-dotierte N-Typ AlGaAs- Schicht 8 durch Flüssigphasenepitaxie gewachsen. Wiederum wird Flüssigphasenepitaxie verwendet, um eine obere Te-dotierte AlGaAs-Mantelschicht 10 auf der aktiven Schicht 8 zu wachsen. Dann wird eine Te-dotierte N-Typ GaAs-Schicht 12 auf der oberen Mantelschicht 10 durch Flüssigphasenepitaxie gewachsen. Danach wird Zn von der oberen Oberfläche der Te-dotierten N-Typ GaAs-Schicht 12 in die Struktur einschließlich der GaAs-Schicht 2, der Mg-dotierten P-Typ GaAs-Schicht 4, der unteren Mantelschicht 6, der aktiven Schicht 8, der oberen Mantelschicht 10 und der Te-dotierten N-Typ GaAs-Schicht 12 diffundiert, so daß jeweils Bereiche der Schichten 2, 4, 6, 8 und 10 zusammen in einen Zn-diffundierten P&spplus;-Typ-Bereich 14 verwandelt werden. Durch diese Zn-Diffusion wird ein Bereich der Te-dotierten N-Typ GaAs-Schicht 12 in eine Zn-dotierte P&spplus;-Typ GaAs-Schicht 16 verwandelt. Dann wird das Zn in dem Zn-diffundierten P&spplus;-Typ- Bereich 14 und in der Zn-dotierten P&spplus;-Typ GaAs-Schicht 16 zur Diffusion nach außen von dem Bereich 14 und der Schicht 16 getrieben, wobei ein P-Typ Bereich 18 mit "gewaltsam" eindiffundiertem Zn, wie gezeigt, gebildet wird. Danach wird der Bereich des P-Typ Bereichs 18, der sich zwischen der Schicht 12 und der Schicht 16 befindet, und Bereiche der Schichten 12 und 16 auf entgegengesetzten Seiten dieses Bereichs weggeätzt, so daß sich eine Te-dotierte N-Typ GaAs- Schicht 12a und eine Zn-dotierte P&spplus;-Typ GaAs-Kontaktschicht 12b ergeben.
  • Ein TJS-Laser mit ähnlicher Struktur wie der in Fig. 1 gezeigt wird in der US-Patentschrift Nr. 4 334 311 beschrieben.
  • Bei der Herstellung des TJS-Halbleiterlasers von Fig. 1 wird Flüssigphasenepitaxie verwendet, um die P-Typ GaAs-Schicht 4, die untere Mantelschicht 6, die aktive Schicht 8, die obere Mantelschicht 10 und die N-Typ GaAs-Schicht 12 zu bilden. Wenn jedoch die Schwankungen bei dem Leistungsvermögen und der Reproduzierbarkeit der Halbleiterlaser in Betracht gezogen werden, ist es wünschenswert, Gasphasenepitaxie zu verwenden, die thermische Zersetzung enthält, wie beispielsweise MOMBE (metallorganische Molekularstrahlepitaxie) und MOCVD (metallorganisches Aufdampfen).
  • Wenn jedoch Gasphasenepitaxie verwendet wird, die thermische Zersetzung enthält, tritt ein Problem auf, wenn die P-Typ GaAs-Schicht 4 gebildet wird. Unter der Annahme, daß Zn, welches in Gasphasenepitaxie verwendbar ist, anstelle von Mg, welches in Gasphasenepitaxie nicht verwendet werden kann, zur Bildung einer Zn-dotierten P-Typ GaAs-Schicht anstelle der Mg-dotierten P-Typ GaAs-Schicht 4 durch Gasphasenepitaxie, die thermische Zersetzung enthält, verwendet wird, würde Zn von der Zn-dotierten P-Typ GaAs-Schicht in die GaAs-Schicht 2 und in die Te-dotierte N-Typ AlGaAs-Schicht 6 während dem Diffusionsschritt zur Bildung des Zn-diffundierten P&spplus;-Typ- Bereichs 14 und während dem "gewaltsamen" Diffusionsschritt zur Bildung des P-Typ-Bereichs 8 mit "gewaltsam" eindiffundiertem Zn diffundiert, weil die Diffusionsrate von Zn hoch ist. Dadurch wird die Ladungsträgerkonzentration der Zn-dotierten P-Typ GaAs-Schicht verringert.
  • Um dieses Problem zu vermeiden, wird die Mg-dotierte P-Typ GaAs-Schicht 4 gebildet, unter Verwendung von Mg als einem Dotiermittel, das eine niedrige Diffusionsrate hat, aber das in Gasphasenepitaxie, welches thermische Zersetzung enthält, nicht verwendbar ist.
  • Kohlenstoff (C) ist als ein Dotiermittel bekannt, das eine sehr niedrige Diffusionsrate hat und noch in Gasphasenepitaxie verwendbar ist, in der thermische Zersetzung stattfindet. Es ist daher wünschenswert, C zur Bildung einer P-Typ GaAs-Halbleiterschicht durch Gasphasenepitaxie, die thermische Zersetzung enthält, zu verwenden.
  • Verfahren zur Herstellung eines P-Typ GaAs-Halbleiters unter Verwendung von C als Dotiermittel sind beispielsweise in der Japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. SHO 62-104 118 und der Japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. SHO 63-88 820 beschrieben. Nach dem Verfahren der zuerst genannten Japanischen Anmeldung wird eine P-Typ GaAs-Halbleiterschicht durch MBE (Molekularstrahlepitaxie) unter Verwendung von Trimethylgallium und Arsen als Dampfquellen gebildet. Bei dem in der Japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. SHO 63-88 820 beschriebenen Verfahren werden Trimethylgallium und Arsin abwechselnd zugeführt, während eine P-Typ GaAs- Halbleiterschicht durch MOCVD gebildet wird.
  • Das in der Japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. SHO 62-104 118 beschriebene Verfahren hat jedoch den Nachteil, daß ein anderes Verfahren als MBE nicht verwendet werden kann und daß die Einstellung der C-Konzentration schwierig ist. Ein Problem, das bei dem Verfahren der Japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. SHO 63-88 820 angetroffen wird, ist, daß, obwohl die Einstellung der C-Konzentration möglich ist, das Herstellungsverfahren schwierig ist, da es notwendig ist, abwechselnd Trimethylgallium und Arsin zuzuführen.
  • Die vorliegende Erfindung wird als eine Lösung der vorstehend genannten Probleme bereitgestellt.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines C-dotierten P-Typ Arsenverbindungs- Halbleiters bereitgestellt, bei dem Gasphasenepitaxie verwendet wird, die thermische Zersetzung enthält, und bei dem ein organisches Metall mit einer Methylgruppe als Quelle für ein bestandteilbildendes Element des Arsen- Verbindungshalbleiters zusätzlich zu Arsen, Arsin und einer Alkylverbindung von Arsen als Dampfquellen verwendet werden.
  • In dem vorstehend definierten Verfahren ist eine Veränderung der Wachstumstemperatur als Mittel zur Steuerung des Gehalts an Kohlenstoff-Dotiermittel nicht notwendig. Statt dessen kann der Gehalt an Kohlenstoff-Dotiermittel gesteuert werden, indem man die Arsin-Menge verändert. Dies ist besonders vorteilhaft. In diesem Fall kann das Verhältnis von Arsin zu dem organischen Metall mit einer Methylgruppe in einem Bereich von 0,6 bis 0,9 variiert werden.
  • Ein bevorzugtes organisches Metall mit einer Methylgruppe ist Trimethylgallium. Eine bevorzugte Alkylverbindung von Arsen ist Trimethylarsin. Diese können beide zusammen verwendet werden, wobei Arsin in einem Verhältnis zwischen 0,6 und 0,9 Arsin zu Trimethylgallium zugeführt wird.
  • Die Gasphasenepitaxie kann durch Chemisches Aufdampfen (MOCVD) oder durch Molekularstrahlepitaxie durchgeführt werden.
  • Eine Anwendung des vorstehend definierten Verfahrens auf die Herstellung einer Halbleiterlaser-Vorrichtung wird in Anspruch 9 der beigefügten Patentansprüche dargelegt.
  • In den begleitenden Zeichnungen:
  • ist Fig. 1 eine Querschnittsansicht eines herkömmlichen TJS- Lasers;
  • ist Fig. 2 eine Querschnittsansicht eines TJS-Lasers gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und sind Fig. 3 bis 6 Querschnittsansichten in zahlreichen Schritten zur Herstellung des TJS-Lasers von Fig. 2.
  • Nun wird die vorliegende Erfindung als eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung, zum Beispiel eine TJS Halbleiter- Laservorrichtung beschrieben. Wie in Fig. 2 gezeigt, umfaßt die TJS-Halbleiter-Laservorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein halbisolierendes GaAs-Substrat 22. Auf der oberen Oberfläche des Substrats 22 ist eine C-dotierte P-Typ GaAs-Schicht 24 angeordnet, die als eine Schicht wirkt, die optisch nicht aktiv ist. Die C-dotierte P-Typ GaAs-Schicht 24 hat eine Dicke von beispielsweise 0,1 bis 0,3 µm und hat eine C- Konzentration von beispielsweise 1 · 10¹&sup8; cm&supmin;³ bis 10 · 10¹&sup8;cm&supmin;³.
  • Eine Selen-dotierte (Se-dotierte) untere N-Typ Al0,36Ga0,64As-Mantelschicht 26 ist auf der oberen Oberfläche der C-dotierten P-Typ GaAs-Schicht 24 angeordnet. Die untere Mantelschicht 26 hat eine Dicke von beispielsweise 0,5 bis 3 µm und hat eine Se-Konzentration von beispielsweise 1 · 10¹&sup7; cm&supmin;³ bis 10 · 10¹&sup7; cm&supmin;³.
  • Eine Se-dotierte aktive N-Typ Al0,06Ga0,94As-Schicht 28 ist auf der oberen Oberfläche der unteren Mantelschicht 26 angeordnet. Die aktive Schicht 28 hat eine Dicke von beispielsweise 50 bis 150 nm (500 bis 1500 Å) und hat eine Se-Konzentration von beispielsweise 1 · 10¹&sup7; cm&supmin;³ bis 10 · 10¹&sup7; cm&supmin;³. Da die aktive Schicht 28 eine Zusammensetzung von Al0,06Ga0,94As hat, ist ihre verbotene Bandlücke kleiner als die der unteren Mantelschicht.
  • Auf der oberen Oberfläche der aktiven Schicht 28 ist eine Se-dotierte obere N-Typ Al0,36Ga0,64As-Mantelschicht 30 gebildet, die eine Dicke von beispielsweise 0,5 bis 3 µm und eine Se-Konzentration von beispielsweise 1 · 10¹&sup7; cm&supmin;³ bis 10 · 10¹&sup7; cm&supmin;³ hat. Die obere Mantelschicht 30 hat dieselbe Zusammensetzung wie die untere Mantelschicht und hat eine größere verbotene Bandlücke als die aktive Schicht 28.
  • Auf der oberen Oberfläche der oberen Mantelschicht 30 ist eine Se-dotierte N-Typ GaAs-Kontaktschicht 32 angeordnet. Die Kontaktschicht 32 hat eine Dicke von beispielsweise 1 bis 3 µm und hat eine Se-Konzentration von beispielsweise 3 · 10¹&sup8; cm&supmin;³ bis 10 · 10¹&sup8; cm&supmin;³.
  • Ein Zn-diffundierter P&spplus;-Typ-Bereich 34 ist so gebildet, daß er sich durch Bereiche jeweils der GaAs-Schicht 22, der P-Typ GaAs-Schicht 24, der unteren Mantelschicht 26, der aktiven Schicht 28 und der oberen Mantelschicht 30, wie in Fig. 2 gezeigt, erstreckt. Zwischen dem Zn-diffundierten P&spplus;-Typ- Bereich 34 und solchen Bereichen der Schichten 22, 24, 26, 28 und 30, in die Zn nicht diffundiert ist, erstreckt sich ein P-Typ-Bereich 36 mit "gewaltsam" eindiffundiertem Zn. Die Breite des P-Typ-Bereichs 36 mit "gewaltsam" eindiffundiertem Zn ist beispielsweise 2 bis 4 µm.
  • Auf dem P&spplus;-Typ-Bereich 34 mit diffundiertem Zn ist eine Zn-dotierte P&spplus;-Typ GaAs-Kontaktschicht 38 gebildet, die ähnlich der Kontaktschicht 32 eine Dicke von beispielsweise 1 bis 3 µm hat. Die Dicke des Zn-diffundierten P&spplus;-Typ-Bereichs 34 ist beispielsweise 2 bis 4 µm. Die Zn-Konzentration der Kontaktschicht 38 und des Zn-diffundierten P&spplus;-Typ-Bereichs 34 ist beispielsweise 0,8 · 10¹&sup9; cm&supmin;³ bis 2 · 10¹&sup9; cm&supmin;³, und die Zn-Konzentration des P-Typ-Bereichs 36 mit "gewaltsam" eindiffundiertem Zn ist beispielsweise 0,5 · 10¹&sup8; cm&supmin;³ bis 5 · 10¹&sup8; cm&supmin;³.
  • Wie bekannt ist, treten, wenn jeweils positive und negative Spannungen an die Kontaktschichten 38 und 32 angelegt werden, Laser-Oszillationen in einem Bereich (schwarzfarbiger Bereich in Fig. 2) des P-Typ-Bereichs 36 mit "gewaltsam" eindiffundiertem Zn auf, die sich zwischen der aktiven Schicht 28 und dem Zn-diffundierten P&spplus;-Typ-Bereich 34 befinden.
  • Ein P-Typ-Bereich hat einen höheren Brechungsindex als ein P&spplus;-Typ-Bereich. Der Aufbau von Fig. 2 zieht einen Vorteil aus dieser Tatsache, um den Einschluß des erzeugten Laserlichts durch Einbau des P-Typ-Bereichs 36 mit "gewaltsam" eindiffundiertem Zn zu verbessern.
  • Die P-Typ GaAs-Schicht 24, die untere Mantelschicht 26, die aktive Schicht 28, die obere Mantelschicht 30 und die Kontaktschicht 32 der TJS-Laservorrichtung von Fig. 2 können beispielsweise durch MOCVD gebildet werden. Die Wachstumstemperatur kann beispielsweise 800ºC sein.
  • Zuerst wird, um die P-Typ GaAs-Schicht 24 wie in Fig. 3 gezeigt herzustellen, ein organisches Metall mit einer Methylgruppe wie beispielsweise Trimethylgallium (CH&sub3;)&sub3;Ga, Arsin, AsH&sub3;, und eine Alkylverbindung von Arsen, wie beispielsweise Trimethylarsin, (CH&sub3;)&sub3;As verwendet. Trimethylgallium wird bei einem Druck von beispielsweise 5,2 · 10² P (39 mmHg) und einer Flußrate von beispielsweise 3 cm³/min. in einen Reaktor zugeführt, in dem sich das GaAs- Substrat 22 befindet. Trimethylarsin wird dem Reaktor bei einem Druck von beispielsweise 3,10 · 10&sup4; Pa (233 mmHg) und bei einer Flußrate von beispielsweise 50 cm³/min. zugeführt. Arsin wird in einem Verhältnis von beispielsweise 0,6 bis 0,9 in bezug auf Trimethylarsin zugeführt. Mit anderen Worten wird, wenn die Flußrate von Arsin so ausgewählt wird, daß sie dieselbe wie die vorstehend genannte Flußrate von Trimethylarsin ist, nämlich beispielsweise 50 cm³/min., ein Druck von 3,10 · 10&sup4; · 0,6 Pa bis 3,10 · 10&sup4; · 0,9 (233 · 0,6 mm Hg bis 233 · 0,9 mm Hg) für das zuzuführende Arsin verwendet. Wenn andererseits derselbe Druck wie bei Trimethylarsin, nämlich 3,1 · 10&sup4; Pa (233 mmHg) verwendet wird, ist die Flußrate von Arsin 50 · 0,6 cm³/min bis 50 · 0,9 cm³/min. Trimethylgallium, Arsin und Trimethylarsin werden dem Reaktor im wesentlichen gleichzeitig zugeführt.
  • Es wird in Betracht gezogen, daß die folgenden Reaktionen in dem Reaktor stattfinden.
  • (CH&sub3;)&sub3;Ga + AsH&sub3; → GaAs + 3CH&sub4; ↑
  • (CH&sub3;)&sub3;Ga + (CH&sub3;)&sub3;As → GaAs + 4CH&sub4; ↑ + 2C
  • 2C ist fest, und GaAs wird mit diesen 2C dotiert. Aus den vorstehend beschriebenen Reaktionen ist zu sehen, daß GaAs mit Kohlenstoff nur durch die Reaktion von Trimethylgallium und Trimethylarsin dotiert werden könnte. In solch einem Fall muß die Steuerung der C-Konzentration durch Veränderung der Wachstumstemperatur erfolgen. Da jedoch die Wachstumstemperatur ein wesentlicher Faktor für MOCVD ist und es daher erwünscht ist, die Wachstumstemperatur konstant zu halten, sowohl, wenn die P-Typ GaAs-Schicht 24 gebildet wird als auch wenn die untere Mantelschicht 26, die aktive Schicht 28 und die obere Mantelschicht 30 unter Verwendung von MOCVD gebildet werden, ist es nicht erwünscht, die Wachstumstemperatur zu verändern. Es ist nicht notwendig, die Wachstumstemperatur zu verändern, um die Kohlenstoff- Konzentration zu steuern. Statt dessen wird Arsin zusätzlich verwendet, und die Arsin-Menge wird innerhalb des vorstehend festgestellten Bereichs verändert, um die Kohlenstoff- Konzentration zu steuern.
  • Nachdem die P-Typ GaAs-Schicht 24 in der vorstehend festgestellten Weise gebildet ist, werden die untere Mantelschicht 26, die aktive Schicht 28 und die obere Mantelschicht 30 sukzessive aus Trimethylaluminium, Trimethylgallium, Arsin und Selenwasserstoff gebildet, wie in Fig. 4 gezeigt.
  • Danach wird aus Trimethylgallium, Arsin und Selenwasserstoff die Se-dotierte N-Typ GaAs-Schicht 40, aus der die Kontaktschichten 32 und 38 herzustellen sind, auf der oberen Mantelschicht 30, wie in Fig. 5 gezeigt, gebildet.
  • Dann wird, wie in Fig. 6 gezeigt, Zn von einem Bereich der oberen Oberfläche der GaAs-Schicht 40 diffundiert, um jeweils Bereiche der GaAs-Schicht 40, der oberen Mantelschicht 30, der aktiven Schicht 28, der unteren Mantelschicht 26, der P- Typ GaAs-Schicht 24 und der GaAs-Schicht 22 mit Zn zu dotieren, um diese Bereiche zusammen in einen Bereich 42 zu verändern. Dann wird Zn in dem Zn-dotierten P-Typ Diffusionsbereich 42 "gewaltsam" eindiffundiert, wodurch ein P-Typ-Bereich 44 mit "gewaltsam" eindiffundiertem Zn gebildet wird. Schließlich werden ein Bereich der GaAs-Schicht 40 und der Bereich des Zn-dotierten P-Typ Diffusionsbereichs 42, der einen PN-Übergang mit der GaAs-Schicht 40 bildet, entfernt, was zu der Zn-dotierten P&spplus;-Typ GaAs-Kontaktschicht 38, der Se-dotierten N-Typ GaAs-Kontaktschicht 32, dem Zn-diffundierten P&spplus;-Typ-Bereich 34 und dem P-Typ-Bereich 36 mit "gewaltsam" eindiffundiertem Zn, wie in Fig. 2 gezeigt führt.
  • In der vorstehend beschriebenen Ausführungsform ist die C-dotierte P-Typ GaAs-Schicht 24 Teil eines TJS-Lasers, aber solch eine C-dotierte P-Typ GaAs-Schicht kann ein Teil von Halbleiterlasern von anderen Typen oder einer anderen lichtemittierenden Halbleiter-Vorrichtung wie beispielsweise einer Photodiode sein. Sie kann auch als Teil von einem HEMT (Transistor mit hoher Elektronengeschwindigkeit) oder dergleichen gebildet sein. Ferner ist es in der vorstehend beschriebenen Ausführungsform eine GaAs-Schicht, die mit Kohlenstoff dotiert ist, aber die vorliegende Erfindung kann verwendet werden, um weitere Verbindungshalbleiter wie beispielsweise AlGaAs mit Kohlenstoff zu dotieren. Obwohl in der vorstehend beschriebenen Ausführungsform der P-Typ- Bereich mit "gewaltsam" eindiffundiertem Zn verwendet wird, ist er nicht notwendigerweise erforderlich. Ferner wird beschrieben, daß sich der Zn-diffundierte P&spplus;-Typ-Bereich 34 in einen Bereich der GaAs-Schicht 22 erstreckt, aber er kann sich nur so weit wie beispielsweise die P-Typ GaAs-Schicht 24 erstrecken. Die vorliegende Erfindung ist als eine Ausführungsform beschrieben worden, bei der MOCVD verwendet wird, aber sie kann durch MOMBE verwirklicht werden.

Claims (9)

1. Verfahren zur Herstellung eines C-dotierten P-Typ Arsen- Verbindungshalbleiters, bei dem Gasphasen-Epitaxie verwendet wird, die thermische Zersetzung enthält, und bei dem ein organisches Metall mit einer Methylgruppe als Quelle für ein bestandteilbildendes Element des Arsen-Verbindungshalbleiters zusätzlich zu Arsen, Arsin und einer Alkylverbindung von Arsen als Dampfquellen verwendet werden.
2. Verfahren zur Herstellung eines C-dotierten P-Typ Arsen- Verbindungshalbleiters nach Anspruch 1, wobei das organische Metall mit einer Methylgruppe Trimethylgallium ist.
3. Verfahren zur Herstellung eines C-dotierten P-Typ Arsen- Verbindungshalbleiters nach Anspruch 1, wobei die Alkylverbindung von Arsen Trimethylarsin ist.
4. Verfahren zur Herstellung eines C-dotierten P-Typ Arsen- Verbindungshalbleiters nach Anspruch 1, wobei Arsin in dem Verhältnis von 0,6 bis 0,9 zu dem organischen Metall mit einer Methylgruppe zugeführt wird.
5. Verfahren zur Herstellung eines C-dotierten P-Typ Arsen- Verbindungshalbleiters nach Anspruch 1, wobei das organische Metall mit einer Methylgruppe Trimethylgallium ist, die Alkylverbindung von Arsen Trimethylarsin ist und Arsin in einem Verhältnis von 0,6 bis 0,9 in bezug auf Trimethylgallium zugeführt wird.
6. Verfahren zur Herstellung eines C-dotierten P-Typ Arsen- Verbindungshalbleiters nach einem der Ansprüche 1 und 5, wobei MOCVD als Gasphasen-Epitaxie verwendet wird.
7. Verfahren zur Herstellung eines C-dotierten P-Typ Arsen- Verbindungshalbleiters nach einem der Ansprüche 1 und 5, wobei MOMBE als Gasphasen-Epitaxie verwendet wird.
8. Verfahren zur Herstellung eines C-dotierten P-Typ Arsen- Verbindungshalbleiters nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt:
Legen eines halbisolierenden Substrats (22) in einen Reaktionsraum; und
Zuführen des organischen Metalls mit einer Methylgruppe, von Arsen und der Alkylverbindung von Arsen im wesentlichen gleichzeitig zu dem Reaktor und Bewirken, daß Gasphasen- Epitaxie, die thermische Zersetzung enthält, stattfindet, wodurch eine P-Typ Verbindungshalbleiterschicht (24), die mit Kohlenstoff dotiert ist, auf dem halbisolierenden Substrat (22) gebildet wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8 zur Herstellung einer Halbleiterlaservorrichtung, wobei die Halbleiterlaservorrichtung ein halbisolierendes Substrat (22), eine erste P-Typ Halbleiterschicht (24) aus Arsen- Verbindungshalbleitermaterial, die mit Kohlenstoff dotiert ist und auf dem Substrat angeordnet ist, eine zweite N-Typ Halbleiterschicht (26), die auf der ersten Schicht angeordnet ist, eine dritte N-Typ Halbleiterschicht (28), die auf der zweiten Schicht (26) angeordnet ist, mit einer Bandlücke, die schmaler als die der zweiten Schicht (26) ist, eine vierte N- Typ Halbleiterschicht (30), die auf der dritten Schicht (28) angeordnet ist, mit einer Bandlücke, die breiter als die der dritten Schicht (28) ist, und einen P-Typ Bereich (34, 36), der in der zweiten, dritten und vierten Halbleiterschicht (26, 28, 30) definiert ist, umfaßt; wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfaßt:
Bilden der ersten Schicht (24) durch Gasphasen-Epitaxie, die thermische Zersetzung enthält, wobei das organische Metall mit einer Methylgruppe, Arsin und die Alkylverbindung von Arsen als Dampfquellen verwendet werden;
Bilden der zweiten, dritten und vierten Schicht (26, 28, 30) durch Gasphasen-Epitaxie, die thermische Zersetzung enthält; und
Bilden des P-Typ Bereichs (34, 36) durch Diffusion.
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