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Diese Erfindung bezieht sich auf die Bildung von dünnen Filmen aus Borstickstoff
bzw. Bornitrid. Insbesondere bezieht sich diese Erfindung auf ein Verfahren zum Bilden
dünner Filme aus Bornitrid auf einem Siliziumsubstrat, wobei ein Laser verwendet
wird, wie in dem Oberbegriff von Anspruch 1 spezifiziert wird, zum Beispiel wie in
"Growth of Stoichiometric BN Films by Pulsed Laser Evaporation" Murray et al.,
Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Bd. 128 (1989), S. 469-474 offenbart ist.
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Bornitrid (BN) ist eine äußerst interessante Verbindung der Gruppen III-V der
Periodentafel aus sowohl praktischen als auch wissenschaftlichen Gesichtspunkten.
Bornitrid ist durch drei verschiedene Kristallstrukturen gekennzeichnet: hexagonal (hBN),
Wurtzit (wBN) und kubische Zinkblende (zBN). Es ist interessant, daß die
physikalischen Eigenschaften der Bornitridphase, welche durch die kubische Zinkblende-
Kristallstruktur gekennzeichnet ist, mit Diamant insofern vergleichbar sind, als die
kubische Zinkblende-Kristallstruktur von Bornitrid und Diamant geringe Dichten,
extrem hohe thermische Leitfähigkeiten und große spezifische Widerstände aufweisen.
Zusätzlich besitzen die kubische Zinkblende-Kristallstrukturen von Bornitrid und
Diamant ähnliche tribologische Eigenschaften und sind chemisch relativ träge.
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Es ist sehr viel Forschung betrieben worden, die auf das Wachstum bzw. Züchten
dünner Filme aus Diamant für verschiedene Zwecke gerichtet ist. Eine bedeutende
Anstrengung ist daher ebenfalls auf das Züchten von Filmen aus Bornitrid mit einer
kubischen Zinkblende-Kristallstruktur für die gleichen Zwecke gerichtet worden. Dies
geschieht nicht nur wegen der Ähnlichkeiten zwischen den zwei Materialien in ihren
elektrischen, thermischen und tribologischen Eigenschaften, sondern weil sich Bornitrid
mit einer kubischen Zinkblende-Kristallstruktur ebenfalls als ein attraktives Substrat
für ein nachfolgendes Diamantzüchten wegen der geringen Fehlanpassung in
Kristallgitterkonstanten erweisen kann. Wie bei den Diamantfilmen sind frühere Versuche beim
Ablagern von Bornitridfilmen mit einer kubischen Zinkblende-Kristallstruktur dabei
fehlgeschlagen, die gewünschten homogenen Einkristall- und epitaktisch orientierten
Filme zu erzeugen.
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Es ist kürzlich demonstriert worden, daß eine gepulste Laserablagerung dünner
Filme ein brauchbares Verfahren zur Herstellung dünner Filme einer großen Vielfalt
von Materialien ist, einschließlich von Polymeren, Halbleitern, Supraleitern und
nichtlinearen dielektrischen Zusammensetzungen. Typischerweise wird, wenn
Laserablagerungsverfahren verwendet werden, ein Substrat eines geeigneten Materials bei einer
erhöhten Temperatur gegenüber einem Ziel mit einer Zusammensetzung gehalten,
welche die gleiche wie des gewünschten dünnen Films oder ihm ähnlich ist. Ein fokussierter
gepulster Laserstrahl, gewöhnlich von einer Excimerlaserquelle, fällt auf ein Ziel unter
einem Winkel von annähernd 45º ein. Die Ablagerung wird im allgemeinen in einem
Vakuum oder einer anderen geeigneten Atmosphäre durchgeführt, wie zum Beispiel
strömendem Sauerstoff in dem Fall von Kupferoxid-Supraleitern.
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Vorteile des Laserablagerungsverfahrens gegenüber anderen Ablagerungsverfahren,
wie zum Beispiel einer Verdampfung, schließen eine schnellere Ablagerungsrate, den
Bedarf an nur einem einzigen Ziel und die Möglichkeit ein, Materialien abzulagern, welche
hohe Siedepunkttemperaturen besitzen, wie zum Beispiel feuerfeste Materialien.
Vorteile gegenüber Sputter- bzw. Zerstäubungsablagerungsverfahren schließen ebenfalls
den Bedarf an nur einem einzigen Ziel ebenso wie die Erhaltung einer
Materialzusammensetzung von dem Ziel zu dem Film ein. Es ist daher vorteilhaft,
Laserablagerungsverfahren für die Bildung dünner Materialfilme zu verwenden. Insbesondere würde es
vorteilhaft erscheinen, diese Laserablagerungsverfahren für die Bildung dünner Filme
aus Materialien, wie zum Beispiel Bornitrid, zu verwenden.
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Ein Verfahren zum Bilden dünner Filme aus Bornitrid auf einem Siliziumsubstrat
gemäß der vorliegenden Erfindung ist durch die Merkmale gekennzeichnet, welche in
dem kennzeichnenden Teil von Anspruch 1 spezifiziert sind.
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Zusammengefaßt ist es wünschenswert, dünne Filme aus kubischem Bornitrid zu
schaffen und insbesondere ein Verfahren zu schaffen, um diese dünnen Filme zu
bilden, worin die resultierenden dünne Filme aus kubischem Bornitrid im wesentlichen
einkristallin, homogen und epitaktisch orientiert mit dem darunterliegenden Substrat
sind.
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Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, dünne Filme aus Bornitrid zu
liefern.
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Es ist eine weitere Aufgabe dieser Erfindung, ein Verfahren zum Bilden dieser
dünnen Filme aus Bornitrid unter Verwendung von Laserablagerungsverfahren zu
schaffen.
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Schließlich ist es noch eine weitere Aufgabe dieser Erfindung, daß diese dünnen
Filme aus Bornitrid durch eine homogene einkristalline kubische Struktur gekennzeichnet
sind, die mit einem darunterliegenden Substrat epitaktisch ausgerichtet ist.
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Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform dieser Erfindung werden diese und
andere Aufgaben und Vorteile wie folgt erreicht.
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Die Anmelder sind die ersten, welche dünne Filme aus Bornitrid auf Einkristall-
Siliziumsubstraten unter Verwendung von Laserablagerungsverfahren züchten, worin
die Filme gekennzeichnet sind, indem sie im wesentlichen einkristallin sind und eine
kubische Struktur aufweisen, die sich mit dem darunterliegenden Siliziumsubstrat in
Übereinstimmung befindet.
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Dies wurde erreicht, indem zuerst ein Einkristall-Siliziumsubstrat geschaffen
wurde, das durchweg entlang seiner [100]-Kristallachse orientiert ist. Ein Bornitrid-Ziel
welches polykristallines, hexagonal orientiertes pyrolytisches Bornitrid enthält,
wurde gegenüber dem Einkristall-Siliziumsubstrat innerhalb einer sechsfachen Quer- bzw.
Kreuzkammer aus rostfreiem Stahl angeordnet, die auf einen Druck von etwa 4 × 10&supmin;²
Pa (etwa 3 × 10&supmin;&sup4; Torr) evakuiert wurde. Das Einkristall-Siliziumsubstrat vom n-Typ
wurde auf annähernd 400ºC erhitzt und dort während einer Ablagerung gehalten. Ein
KrF-Excimerlaser, der bei etwa 248 Nanometer und annähernd 10 Impulsen pro
Sekunde arbeitet, wurde als der abtragende bzw. Ablationsstrahl verwendet. Die
Laserabtragung bzw. -ablation des Bornitrid-Ziels wurde in einem Stickstoffgas von extrem
hoher Reinheit und bei verschiedenen Laserflüssen, welche von etwa 1,5 bis 5,2 J/cm²
reichen, durchgeführt.
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Die abgelagerten Bornitridfilme wurden unter Verwendung von Charakterisierungs-
Meßfühlern einer Transmissions-Elektronenmikroskopie, abtastenden
Elektronenmikroskopie, optischen Mikroskopie und einer Elektronenmeßfühler-Mikroanalyse untersucht.
Es wurde bestimmt, daß die Bornitridfilme im wesentlichen durch eine einkristalline
kubische Struktur gekennzeichnet sind, die sich mit dem darunterliegenden
Siliziumsubstrat in Übereinstimmung befindet.
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Andere Aufgaben und Vorteile dieser Erfindung werden aus der folgenden
ausführlichen Beschreibung davon, die folgt, besser gewürdigt werden.
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Die obigen und andere Vorteile dieser Erfindung werden aus der folgenden
Beschreibung offensichtlicher werden, die in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen
vorgenommen wird, in welchen:
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Figur 1 einen bevorzugten Laserablationsaufbau gemäß dieser Erfindung zur
Bildung dünner Filme aus einkristallinem kubischen Bornitrid, das auf einem
Siliziumsubstrat epitaktisch orientiert ist, schematisch veranschaulicht und
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Figur 2 ein Beugungsbild einer Transmissions-Elektronenmikroskopie für ein
repräsentatives Muster der dünnen Filme aus einkristallinem kubischen Bornitrid ist, die
gemäß dem Aufbau von Figur 1 gebildet werden.
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Wie in der beiliegenden Figur 1 schematisch dargestellt ist ein Einkristall-
Siliziumsubstrat 10, das durchweg entlang seiner [100]-Kristallachse orientiert ist,
vorgesehen. Ein Bornitrid-Ziel 12, das ein polykristallines, hexagonal orientiertes
pyrolytisches Bornitrid enthält, wurde auf einem sich drehenden Plattenteller 20
vorgesehen und etwa 4 cm von dem Einkristall-Siliziumsubstrat 10 innerhalb einer
sechsfachen Quer- bzw. Kreuzkammer 14 aus rostfreiem Stahl angeordnet, die auf einen
Druck von etwa 4 × 10&supmin;² Pa (etwa 3 × 10&supmin;&sup4; Torr) evakuiert wurde. Das Einkristall-
Siliziumsubstrat 10 vom n-Typ wurde durch eine Heizvorrichtung 16 auf annähernd
400ºC erhitzt und während des Ablations- und Ablagerungsverfahrens dort gehalten.
Die bei 400ºC erzeugten Filme zeigten das gewünschte, kubische, epitaktisch
orientierte Bornitrid, jedoch gab es gewisse Anzeichen von Sauerstoffverunreinigungen. Es sind
ebenfalls Films gebildet worden, indem das Substrat auf 675ºC während einer Ablation
und Ablagerung erhitzt wurde. Diese Filme zeigen signifikant weniger
Verunreinigungen, jedoch konnte die gewünschte kubische Struktur nicht bestätigt werden. Eine
KrF-Excimerlaserquelle (der als 18 dargestellte Laserstrahl), die bei einer Wellenlänge
von etwa 248 Nanometer und einer Frequenz von annähernd 10 Impulsen pro
Sekunde arbeitet, wurde als der Ablationsstrahl verwendet. Der von der Excimerlaserquelle
außerhalb der Kammer 14 emittierte Laserstrahl 18 gelangte durch ein transparentes
Fenster 22 vor einem Einfall auf das Ziel 12. Die Ablagerungen wurden in einem
Stickstoffgas von extrem hoher Reinheit und bei verschiedenen Laserflüssen, welche von etwa
1,5 bis 5,2 J/cm² reichen, durchgeführt.
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Genauer wurde vor der Laserablagerung eine polierte Einkristall-Siliziumscheibe
vom n-Typ, die entlang ihrer [100]-Kristallachse orientiert war, vorgesehen. Die Scheibe
wies eine dünne, natürlich auftretende Oxidschicht auf ihrer Oberfläche auf, von deren
Dicke man annahm, daß sie in der Größenordnung von einigen Nanometer lag. Die
Scheibe wurde in annähernd 1 Quadratzentimeter große Stücke geschnitten, mit
Ultraschall gereinigt und auf einer Substrat-Haltevorrichtung befestigt. Das Siliziumsubstrat
wurde an der Heizvorrichtung innerhalb der Kammer angebracht und auf annähernd
400ºC erhitzt. Diese Temperatur wurde während der Ablagerung aufrechterhalten.
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Die Laserablagerungen wurden in einer sechsfachen Quer- bzw. Kreuzkammer aus
rostfreiem Stahl durchgeführt, die durch eine Turbomolekularpumpe auf einen Druck
von
annähernd 4 × 10&supmin;² Pa (3 × 10&supmin;&sup4; Torr) evakuiert wurde. Das Ziel, ein Stück aus
polykristallinem, hochorientiertem hexagonalem Bornitrid, das handelsüblich von Union
Carbide erhältlich ist, wurde während der Laserablation gedreht, um eine übermäßige
Kraterbildung innerhalb des Ziels aufgrund der Laser/Ziel-Wechselwirkung zu
verhindern. Nicht-orientierte hexagonale BN-Ziele (Union Carbide Handelsgüte HBC oder
HBR) können ebenfalls verwendet werden. Ein KrF-Excimerlaser, der bei einer
Wellenlänge von etwa 248 Nanometer und einer Frequenz von annähernd 10 Impulsen pro
Sekunde arbeitet, wurde als der Ablationsstrahl verwendet. Der Abstand von dem Ziel
zu dem Substrat betrug annähernd 4 Zentimeter, kann aber zwischen etwa 2,5
Zentimeter und mehr als 4 Zentimeter in Abhängigkeit von den Betriebsparametern des
Lasers variieren.
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Die Laserablationen des Bornitrid-Ziels wurden innerhalb der evakuierten Kammer
in Gegenwart eines Stickstoffgases von extrem hoher Reinheit, das heißt annähernd
99,99995%, durchgeführt, das bei 10 sccm strömt. Für die vorliegende
Kammergeometrie hatte dies einen Umgebungsdruck von annähernd 6 Pa (45 mTorr) bei der
Ablagerungsoberfläche des Siliziumsubstrats zur Folge. Die Anwesenheit des Stickstoffgases
diente dazu, die Größe der durch die Wechselwirkung zwischen dem Laser und dem
Ziel erzeugten Plasmawolke bzw. -fahne zu begrenzen und um die
Stickstoffkonzentration der Filme nahezu stöchiometrisch mit dem Bor zu liefern. Die Anmelder haben
ebenfalls Bornitridfilme in NH&sub3;-Gas abgelagert, wobei das Verfahren der vorliegenden
Erfindung verwendet wurde, um zu versuchen, den Stickstoffgehalt zu erhöhen. Die
Anmelder glauben, daß die erhaltenen Filme ebenfalls kubisches epitaktisches
Bornitrid waren. Nach der Ablagerung des Bornitrids auf das Siliziumsubstrat wurden der
Film und das Substrat in strömendem Stickstoff auf Raumtemperatur gekühlt.
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Die Laserablagerungen von Bornitrid wurden bei verschiedenen Laserflüssen
durchgeführt, welche von etwa 1,5 bis 5,2 J/cm² reichten. In einem getrennten Experiment
wurde der minimale Schwellenfiuß für eine Ablation des hexagonalen Bornitrid-Ziels
auf annähernd 0,31 bis 0,34 J/cm² bestimmt. Daher traten die Laserablagerungen bei
Flüssen auf, die signifikant größer als die erforderliche minimale Schwelle waren.
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Es wurde gefunden, daß die Dicke der dünnen Bornitridfilme, wie durch eine Fühler-
Profilmessung bestimmt wurde, linear mit einem Laserfluß variiert. Es wurde ebenfalls
gefunden, daß die Dicke linear von der Anzahl von Laserimpulsen abhängt. Bei einem
Laserfluß von annähernd 3,9 J/cm² wurde eine durchschnittliche Ablagerungsrate von
ungefähr 0,0182 Nanometer pro Impuls gemessen. Für einen Betrieb mit 12.000
Impulsen
und einem Laserfluß von annähernd 1,5 J/cm² wurde ein Film mit einer Dicke von
etwa 176 Nanometer erzeugt.
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Bei den gemäß dieser Erfindung abgelagerten Filmen wurde beobachtet, daß die
Bornitrid/Silizium-Grenzfläche ein blaues Erscheinungsbild aufwies. Dies zeigt an, daß
die Filme eine anti-reflektierende Beschichtung bilden, welche in dem Gelb-Grün-
Bereich des sichtbaren Spektrums absorbiert. Die Filmdicke (d), der Brechungsindex
(n) und die absorbierte Wellenlänge (λ) stehen für anti-reflektierende Beschichtungen
durch die Gleichung
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n d = (m - 1/2) × (λ/2)
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miteinander in Beziehung, wobei m die ganzzahlige Interferenzordnung ist. Für λ gleich
550 Nanometer (Gelb-Grün-Licht) und eine Filmdicke d, die ungefähr gleich 176
Nanometer ist, wird gefunden, daß n gleich (m-1/2) × 1,56 ist. Zweifellos ist m gleich
1 nicht die Interferenzordnung, weil n niemals kleiner als 1 sein kann. Mit m gleich 2
jedoch beträgt n ungefähr 2,34, was mit dem von kubischem Bornitrid bei 2,1 und dem
von Diamant bei 2,42 konsistent ist.
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Die Filmmorphologie wurde mit optischen und abtastenden
Elektronenmikroskopverfahren untersucht. Bis zu der Auflösungsgrenze des abtastenden
Elektronenmikroskopinstruments, ungefähr 10 Nanometer, wurde keine Evidenz für Korngrenzen
beobachtet. Dies läuft darauf hinaus, daß entweder der Film ein Einkristall ist oder
daß der Film amorph ist, wobei er wenig oder keine Kristalleigenschaft besitzt. Die
letztgenannte Hypothese wurde als ein Ergebnis einer nachfolgenden Transmissions-
Elektronenmikroskopuntersuchung ausgeschlossen. Das optische Mikroskop lieferte eine
Evidenz, daß der Film von einer gleichförmigen Dicke und beinahe transparent war. Es
wurde ebenfalls beobachtet, daß mikrometergroße Partikel unbestimmten Ursprungs
spärlich über die Filmoberfläche verteilt waren, jedoch glaubt man, daß diese
Partikel mit einer weiteren Entwicklung und Untersuchung der Betriebsparameter beseitigt
werden können.
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Die relative Atomzusammensetzung der dünnen Bornitridfilme, die gemäß dieser
Erfindung hergestellt werden, wurde mit einer Elektronensonden-Mikroanalyse bestimmt,
welche das ZAF-Analyseverfahren verwendet. Es wurde gefunden, daß der
resultierende Film geringfügig nicht-stöchiometrisch mit annähernd 57% Bor und 41% Stickstoff
ist, mit einem relativen Fehler von + 10%. Zusätzlich wurden Spurenverunreinigungen
von Kohlenstoff und Sauerstoff, die jeweils weniger als etwa 1% betrugen, beobachtet.
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Die Kombination von Röntgenstreuung mit geringen Intensitäten für Bornitrid und
eine Filmdicke von 176 nm macht eine Charakterisierung unter Verwendung
herkömmlicher Röntgenstrahlbeugung schwierig. Jedoch zeigten Anfangsmuster auf den
resultierenden dünnen Filmen aus Bornitrid Anzeichen einer kristallinen kubischen Phase.
Dieser Befund wurde durch eine Transmissions-Elektronenmikroskopie bestätigt, die
den oben erwähnten Problemen besonders gut angepaßt ist. Es wurde bestimmt, daß
die resultierenden dünnen Filme durch eine kubische Struktur gekennzeichnet waren.
Man glaubt, daß das Auftreffen des Lasers auf das hexagonal orientierte Bornitrid-
Ziel eine Dissoziation der Bornitridverbindung zur Folge hat, wodurch zugelassen wird
daß sich die verdampften Bor- und Stickstoffatome auf dem kubischen Siliziumsubstrat
ablagern und sie sich selbst mit ihm ausrichten.
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Um eine Transmissions-Elektronenmikroskopie zu verwenden, mußten die Substrate
langsam geätzt werden, um Bornitridfilme mit einer Dicke von etwa 5 bis 10
Nanometer zu erhalten. Eine verdünnte Ätzsäure, die Fluorwasserstoffsäure und Salpetersäure
in Wasser enthält, wurde verwendet, um die Dicke des Siliziums auf weniger als 1
Mikrometer zu verringern. Das Bornitrid/Siliziumsubstrat wurde dann mit Ionen gefräst
bzw. geschnitten, wodurch Bereiche mit extrem dünnem Bornitrid erzeugt wurden.
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Das Beugungsbild einer Transmissions-Elektronenmikroskopie eines repräsentativen
Bereichs zeigte ein Beugungsbild eines kubischen Kristalls mit einer Gitterkonstante
von annähernd 0,38 Nanometer (3,8 Ångström). Jedoch beträgt die akzeptierte
Gitterkonstante eines kubischen Zinkblende-Bornitridpulvers etwa 0,36 Nanometer (3,6
Ångström). Somit ist das Gitter des dünnen Films für das kubische Bornitrid, das
gemäß dieser Erfindung gebildet wird, um etwa 5% gegenüber dem akzeptierten
Gitter für ein kubisches Zinkblende-Bornitridpulver vergrößert. Die Gitterkonstante von
0,38 Nanometer (3,8 Ångström) des Bornitridfilms der Erfindung gleicht genau einer
dichten kubischen Form von Bornitrid, die "schockwellenkomprimiert" genannt wird.
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Wie in Figur 2 dargestellt ist, enthalten die Beugungsbilder einer Transmissions-
Elektronenmikroskopie für die resultierenden kubischen Bornitridfilme, die auf dem
Siliziumsubstrat gebildet werden, eine Überlagerung einer [211]-Ebene von Silizium
und einer (100)-Ebene von kubischem Bornitrid. Dieses Beugungsbild zeigt, daß die
[022]-Richtung von Silizium parallel zu der (020)-Richtung der kubischen
Bornitridfilme ist und daß die [111]-Richtung von Silizium fast parallel zu der (002)-Richtung
des kubischen Bornitrids ist. Daher gibt es eine bevorzugte Orientierung für die
kubischen Bornitridfilme bezüglich des darunterliegenden Siliziumsubstrats, wobei die
(020)-Richtung des kubischen Bornitrids parallel zu der [022]-Richtung von Silizium
verläuft. Dies wird als eine wesentliche Evidenz dafür betrachtet, daß der kubische
Bornitridfilm mit dem Siliziumsubstrat epitaktisch ausgerichtet ist.
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Die Gitterkonstante von 0,38 Nanometer (3,8 Ångström) des kubischen
Bornitridfilms ist dem Siliziumsubstrat besonders gut angepaßt. Weil Silizium eine
diamantartige Kristallstruktur mit einer Gitterkonstante von ungefähr 0,542 Nanometer (5,42
Ångström) besitzt, können zwei kubische Bornitrid-Gitterkonstanten über die [100]-
Diagonale des Siliziumgitters passen, d.h. 0,38 Nanometer ist gleich 0,542 Nanometer,
dividiert durch 2½. In diese Konfiguration werden entweder die Bor- oder die
Stickstoffatome über den Siliziumatomen liegen.
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Die Anmelder haben ebenfalls unter Verwendung dieses Verfahrens der
Erfindung Bornitrid auf Einkristall-Siliziumsubstraten abgelagert, die entlang der [110]-
Kristallsymmetrieebene orientiert waren, und glauben, daß die Ergebnisse einer
Transmissions-Elektronenmikroskopie ein kubisches epitaktisches Bornitrid zeigen
werden. Die Anmelder haben Bornitrid auf einem Einkristall-Silizium abgelagert, das
entlang der [111]-Ebene orientiert war, und dies hat ein hexagonal orientiertes Bornitrid
zur Folge. Kubisches, epitaktisch ausgerichtetes Silizium ist ebenfalls durch das
Verfahren der vorliegenden Erfindung erhalten worden, wobei eine Strahlung von 193
Nanometer von einem ArF-Excimerlaser bei den gleichen, oben beschriebenen Flüssen,
aber bei einer Photonenenergie von etwa 6,2 Elektronenvolt, verwendet wurde.
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Im allgemeinen kann für jede bekannte und mögliche Anwendung, die für
Diamantfilme in Betracht gezogen wird, kubisches Bornitrid ein geeignetes Substitut sein.
Weil kubisches Bornitrid ein ausgezeichneter Isolator ist, der auf Silizium epitaktisch
gezüchtet werden kann und vermutlich eine hohe thermische Leitfähigkeit ähnlich der
kubischen Zinkblende-Kristallstruktur von Bornitrid besitzt, wird kubisches Bornitrid
zahlreiche Anwendungen als eine isolierende, thermisch leitfähige Grenz- bzw.
Sperrschicht für mikroelektronische Vorrichtungen auf Siliziumbasis besitzen. Ferner sollte
das kubische Bornitrid für viele verschleißfeste Anwendungen geeignet sein, weil die
kubische Zinkblende-Kristallstruktur von Bornitrid in der Härte nur gegenüber Diamant
geringer ist.
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Diese Erfindung liefert ohne weiteres ein Verfahren, um einkristalline, epitaktisch
ausgerichtete dünne Filme aus kubischem Bornitrid auf Einkristall-Siliziumsubstraten
zu bilden.