DE4443908C2 - Verfahren zur Herstellung kristallographisch gerichteter dünner Schichten von Siliciumcarbid durch Laserablagerung von Kohlestoff auf Silicium - Google Patents
Verfahren zur Herstellung kristallographisch gerichteter dünner Schichten von Siliciumcarbid durch Laserablagerung von Kohlestoff auf SiliciumInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht kristallinen
Siliciumcarbids auf einem Silicium-Substratmaterial. Die Laserabscheidung von
kristallinen Siliciumcarbidfilmen erfolgt aus Element-Targets mit Kohlenstoff auf
Silicium, dessen dünne Schichten vorzugsweise epitaxial sind.
Das übliche Verfahren zum Aufbau kristalliner Siliciumcarbid-(SiC)-Schichten ist die
chemische Gasphasenabscheidung (Chemical Vapour Deposition CVD) aus einem
Strom kohlenstoff- und siliciumhaltiger Moleküle, z. B. Kohlenwasserstoffe und Silan.
CVD-Abscheidungen werden gewöhnlich in einer Wasserstoffatmosphäre ausgeführt,
und häufig ist das Substrat für die Ausbildung der dünnen Siliciumcarbidschichten ein
Siliciumeinkristallwafer. In der Regel beginnt die Siliciumcarbid-CVD-Abscheidung mit
einem Karbonisierungsschritt, der zuerst das Wachsen einer dünnen SiC-Schicht nur
durch Reaktion des Kohlenwasserstoffs mit dem Substrat bei hoher Temperatur
bewirkt. Amorphe oder polykristalline dünne SiC-Schichten können auch durch
Sputtering von SiC-Targets aufgebaut werden.
In einer Reihe von Experimenten, in denen Si einem Beschuß energiereicher C+-Ionen
ausgesetzt wurde, wurde die Bildung von dispersen SiC-Kristalliten in einer dünnen
Schicht des nichtstöchiometrischen SixC1-x nahe der Oberfläche berichtet. Es wird auch
berichtet, daß der Beschuß von Si mit einem starken Fluß von 100 keV C+-Ionen eine
ungeordnete C/Si-Mischung erzeugt, die bei nachfolgender
Hochtemperaturbehandlung in polykristallines SiC umgewandelt wird.
In "Preparation of Oriented Silicon Carbide Films by Laser Ablation of Ceramic Silicon
Carbide Targets", I. Rimai, R. Ager, E. M. Logothetis, W. H. Weber und J. Hangas, Appl.
Phys. Letters, Bd. 59, 1991, S. 2266-2268 ist beschrieben, daß kristalline dünne SiC-
Schichten auf Si-Wafern durch gepulste Laserablation eines Keramik-SiC-Targets
aufgebaut werden können und daß diese dünnen Schichten unter geeigneten
Bedingungen einen hohen Grad epitaxialer Orientierung aufweisen. Ein Nachteil dieses
Vorgehens ist das Erfordernis eines Keramik-SiC-Targets als Materialquelle. Derartige
Targets enthalten in der Regel für ihre Herstellung notwendige Additive, die als
Verunreinigungen in die wachsende dünne Schicht übertragen werden. Die
Ablationsrate solcher Targets ist relativ niedrig, wodurch ein langsames Wachstum der
dünnen Schicht resultiert.
Aus Surface Science Letters, Bd. 260, 1992, S. L17-L28, J. A. Martin-Gago, J.
Fraxedas, S. Ferrer und F. Comin "Electron Loss Spectroscopy Study of the Growth by
Laser Ablation of ultra-thin Diamond-Like Films on Si(100)" ist es bekannt, C-Filme mit
Dicken von bis zu 10 Atomlagen auf (100)-Si-Substraten herzustellen, indem unter
Ultrahochvakuum-Bedingungen Graphit durch Laser behandelt wird. Der Artikel
beschreibt zwar, daß sich bei Erhitzen des Überzugs auf 950°C SiC bildet - dies erfolgt
aber ungeregelt unter dem aufgedampften Graphit und bei aufwendigen Bedingungen
(UHV-Vakuum).
Aufgabe der Erfindung ist es demnach, die Nachteile des Standes der Technik zu
überwinden und ein einfaches und ökonomisches Verfahren zur Herstellung von SiC-
Filmen auf Si-Substraten anzugeben.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 1
gelöst.
Als Kohlenstoffatomquelle für die dünne SiC-Schicht wird eine durch Laser-Ablation
eines reinen Elementar-Kohlenstofftargets erzeugte Wolke und als Siliciumatomquelle
das Siliciumsubstrat selbst verwendet.
Bei Temperaturen über etwa 1000°C wird die dünne Schicht epitaxial mit dem
Siliciumsubstrat ausgerichtet.
Vorteilhafte Weiterbildungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der beiliegenden
Zeichnungen erläutert. Hierin zeigen:
Fig. 1 schematisch eine Ausführungsform einer Laser-
Gasphasenabscheidungsanordnung, die zur Abscheidung kristallinen SiC
verwendet werden kann;
Fig. 2 einen Graph der Wachstumsrate der dünnen Schicht als Funktion der
Temperatur für dünne Schichten, die gemäß den Ausführungsformen der
Erfindung auf Silicium mit einem Kohlenstofftarget aufgebaut werden;
Fig. 3A und 3B Röntgendiffraktionsdaten erfindungsgemäß hergestellter
Ausführungsformen der dünnen SiC-Schichten;
Fig. 4 einen Graph der Temperaturabhängigkeit der aus der Röntgendiffraktion der auf
(100)-Silicium entsprechend Ausführungsformen der Erfindung gewachsenen
dünnen SiC-Schichten abgeleiteten Kristallitgrößen; und
Fig. 5 einen Graph der Ramanspektren der auf Si von C-Targets gewachsenen dünnen
Schichten entsprechend Ausführungsformen der Erfindung.
Erfindungsgemäß werden dünne Siliciumcarbid-Schichten im Vakuum unter
Verwendung von Targetmaterialien aus reinen Elementen auf Silicium aufgebaut, d. h.
einem nur-Kohlenstofftarget zur Bildung einer dünnen SiC-Schicht auf dem Silicium.
Wie bereits erwähnt, umfaßt das Verfahren den Einsatz eines Laserstrahls zur Ablation
der Targets, der elementare Atome oder Ionen erzeugt, die in Richtung des Silicium-
Substratmaterials, auf dem die dünne SiC-Schicht aufgebaut wird, gerichtet sind.
Das Silicium-Substratmaterial auf dem die dünne SiC-Schicht aufgebaut ist, kann in der
Hauptmenge Silicium in einem Silicium-Wafer oder eine auf einem Träger wie
Aluminiumoxid (Saphir), gesintertem Quarz oder beliebigen anderen isolierenden oder
leitenden Trägermaterialien vorgesehene Siliciumschicht umfassen. Die Dicke des
Silicium-Substratmaterials, auf dem die dünnen Schichten aufgebaut sind, ist zur
Ausführung der Erfindung keine kritische Eigenschaft, kann im allgemeinen von
ungefähr 0,5 Mikrometern bis zu Millimetern variieren und ist ganz besonders
bevorzugt mindestens 1 µm. Es wurde gefunden, daß die Kristallinität und Orientierung
der resultierenden dünnen SiC-Schicht in praxi besonders vorteilhaft denen des
kristallinen Silicium-Substratmaterials, auf dem die dünne SiC-Schicht aufgebaut ist,
entsprechen, vorausgesetzt, es wird auf über 1000°C erwärmt und das
Siliciumsubstrat ist ein Silicium-Einkristall. Bei Substrattemperaturen zwischen etwa
600° und 1000°C sind die resultierenden dünnen SiC-Schichten polykristallin. Das
steht im Gegensatz zu den amorphen dünnen Schichten, die häufig aus zum Aufbau
von SiC eingesetzten Verfahren des Standes der Technik resultieren. Im Gegensatz zu
solchen Verfahren des Standes der Technik schafft das Verfahren der Erfindung
vorteilhafterweise polykristalline dünne SiC-Schichten und kristalline epitaxiale dünne
SiC-Schichten, ohne während der Abscheidung Wasserstoffatmosphäre zu benötigen
und ohne das Erfordernis einer späteren Temperaturbehandlung.
Das in der Erfindung verwendete Siliciumbasismaterial kann jede Orientierung wie etwa
orientiertes (100)- oder (111)-Silicium besitzen, wobei die Wahl der Orientierung von
der Anwendung abhängig ist. Das Siliciumsubstrat kann durch jedes Mittel auf eine
Temperatur von mindestens 600°C (wenn dünne Epitaxial-Schichten erwünscht sind,
mit Temperaturen über 1000°C) während der Bildung der SiC-Schicht erwärmt werden.
Wenn es, wie oben erwähnt, erwünscht ist, epitaxialkristalline dünne SiC-Schichten zu
erzeugen, ist das Siliciumsubstrat am günstigsten ein Silicium-Einkristall. Es wurde
festgestellt, daß die Abscheidungsrate des SiC mit steigender Silicium-
Substrattemperatur wächst.
In der Vakuumanordung ist ein Kohlenstafftarget vorgesehen und eine
Ausführungsform einer derartigen geeigneten Anordnung, die einen gepulsten Laser
umfaßt, ist schematisch in Fig. 1 gezeigt. Die in der Erfindung verwendete
Vakuumanordnung kann jedes zur Laser-Ablation geeignete Kohlenstofftarget
enthalten. Ein typisches Vakuumsystem von 6,6 × 10-4 Pa bis 6,6 × 10-3 Pa Basisdruck
kann eingesetzt werden. Wie für den Fachmann selbstverständlich, können auch
andere geeignete Drücke eingesetzt werden; häufig sind Drücke zwischen 1,3 × 10-4
und 1,3 Pa. In der Ausführungsform der Fig. 1 trifft ein Laserstrahl 8, beispielsweise ein
Excimer-Laserstrahl, auf ein Kohlenstofftarget 5. Im allgemeinen dreht sich das Target
in derartigen Systemen, und der Laserstrahl trifft unter einem Winkel von 25 bis 60° auf
das Target, wo er einen kleinen Bereich des Targets, beispielsweise in der
Größenordnung von 0,2 cm2, beleuchtet. Ein vorteilhaft verwendeter Laser ist ein XeF-
Excimer-Laser (Wellenlänge 351 nm) mit Pulsraten im Bereich von 5-20 Hz. Die 20 ns
langen 200 bis 350 mJ Pulse erzielen in der Ausführungsform beim Target einen Fluß
von 1 bis 3 J/cm2. Beispielsweise abhängig von den optischen
Absorptionseigenschaften des Targetmaterials, kann Laserlicht anderer Wellenlängen,
z. B. 248 nm eines KF-Excimer-Lasers, 1060 oder 532 nm eines Nd-YAG Lasers
(Neodym-Ionen in Yttrium-Aluminium-Granat) auch eingesetzt werden. Man hat
gefunden, daß der Einsatz von Element-Targets, die gegenüber SiC-Targets für
längerwelliges Licht weniger transparent sind, die Verwendung von nahem IR oder
sichtbarem Laserlicht für die Target-Ablation ermöglicht. Dieses Licht besitzt eine
bessere Strahlstabilität und -qualität als das von Excimer-Lasern, verbessert die
Fokussierbarkeit, die Wolkenstabilität und daher auch die Qualität der abgeschiedenen
dünnen Schicht. Während der Ablation kann das Einzelelementtarget gedreht werden,
um die Oberflächenbeschädigungen auf ein Mindestmaß herabzusetzen. Das gleiche
kann durch kontinuierliche Bewegung des Brennflecks durch ständiges Verlagern
(geringfügig) der Richtung des Laserstrahls vor einer Fokussierlinse 3 mit einem
Spiegel 2 auf einem motorisierten Kardanrahmen erreicht werden, wobei die zwei
Freiheitsgrade des Kardanrahmens computergesteuert werden, so daß der Brennfleck
ein Abtastmuster auf dem Target beschreibt. Die Oberfläche des Siliciumsubstrats
kann durch geeignete, mit Mustern versehene Lochmasken abgedeckt werden, um
eine entsprechende mit Mustern versehene dünne SiC-Schicht zu erhalten.
Die Energie der Ionen und neutralen Atome in der beim Substrat ankommenden Wolke
beträgt günstigerweise höchstens mehrere zehn eV. Diese Energie kann durch
Zunahme des Druckes in der Vakuumkammer auf einen geringeren Wert reguliert
werden, was wichtig ist, da diese Energie die physikalischen Eigenschaften der dünnen
Schicht beeinflussen kann. Die Wolke aus Atomen und Ionen tritt im allgemeinen in
einem Kegel senkrecht zum Target auf und trifft auf das in einem Abstand, z. B. von 5
bis 15 cm, angeordnete Siliciumsubstrat auf. Das Laserlicht der beschriebenen
Ausführungsform wurde mit dem 45° Ablenkspiegel und der 50 cm Fokussierlinse 3,
beide außerhalb des Vakuumsystems angeordnet, in das Vakuumsystem übertragen.
Das Licht fällt durch ein Quarzfenster 4 in die Vakuumkammer. In einem Fall wird ein
reines Kohlenstofftarget 5 innerhalb der Vakuumanordnung nahe des Laserstrahlfokus
bei einem Winkel von ungefähr 45° zum einfallenden Strahl stationär gehalten. Es
wurde gefunden, daß die Wolke während der Laser-Ablation des Targets im
allgemeinen in Richtung senkrecht zur Targetoberfläche einen scharfen Peak aufweist,
was zu uneinheitlicher Abscheidung auf dem Silicium führt, aber durch ein
Targetabtastverfahren korrigiert werden kann, da sich die Wolke entsprechend dem
Substrat bewegt. Die neueste Technik vergrößert die Einheitlichkeit, um eine
einheitliche dünne Schicht über weitere Bereiche des Substrats zu schaffen. Bei
ausreichend niedrigem Druck kann der Abstand der Siliciumbasis zum
Kohlenstofftarget ebenfalls vergrößert werden, um einheitlichere Abscheidung dünner
Schichten zu liefern. Beispielsweise ist bei 0,13 Pa die durchschnittliche freie
Weglänge in der Größenordnung von 10 cm und ist umgekehrt proportional zum Druck.
Solange der Target-Substrat-Abstand in der Größenordnung oder kleiner als die
durchschnittliche freie Weglänge ist, sind die Wolkeneigenschaften, die den
Abscheidungsprozeß beeinflussen, druckunabhängig.
Wir fanden, daß, wenn die Atome oder Ionen der Kohlenstoffwolke das
Slliciumbasismaterial berühren, durch Reaktion dieser Kohlenstoffpartikel und Silicium
des Basismaterials eine dünne SiC-Schicht gebildet wird, wodurch
Kohlenstoffbindungen gebildet werden. Danach, wenn die dünne SiC-Schicht
weiterwächst, ist es offensichtlich, daß Diffusion von Si oder C oder beiden durch eine
endliche Dicke des SiC, selbst bei niedrigen Temperaturen von etwa 1000°C, auftritt.
Siliciumatome des Siliciumbasismaterials diffundieren demnach durch die gebildete
dünne SiC-Schicht, um weiteres SiC zu erzeugen und/oder Kohlenstoff diffundiert
durch die gebildete SiC-Schicht und reagiert mit dem Siliciumbasismaterial.
Verwendet man das Verfahren allein mit Kohlenstofftargets im Laser-Vakuumsystem,
findet man, daß im wesentlichen stöchiometrische dünne SiC-Schichten
günstigerweise bereits in einer Dicke bis zu ungefähr 400 nm und im allgemeinen mit
erhöhten Temperaturen bis zu ungefähr 1200°C gebildet werden können.
Entsprechend einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Siliciumbasis durch eine
Widerstandsheizung auf ungefähr 1000 bis 1150°C erwärmt. Die Wachstumsrate der
dünnen Schicht nimmt mit steigender Substrattemperatur zu, wie durch die Daten in
Fig. 2 gezeigt ist, in der die Zunahme der Dicke der dünnen Schicht in nm pro
Laserpuls als Funktion der Substrattemperatur während der Abscheidung für ein
orientiertes (100)-Si-Substrat aufgetragen ist. Die dünne SiC-Schicht besteht aus
kristallinem kubischem SiC, das die Orientierung der Siliciumbasis besitzt. Bei
Substrattemperaturen oberhalb etwa 1000°C hat das auf dem (100)-Silicium-Wafern
gewachsene SiC eine (100)-Orientierung und das auf dem (111)-Silicium gewachsene
SiC eine (111)-Orientierung. Das wird im einzelnen durch die "Θ-2Θ" Röntgen-
Diffraktionskurve in Fig. 3A und 3B dargestellt. Kurve (3A) ist eine dünne Schicht auf
(100)-Si mit einem Kohlenstofftarget allein, die klar eine starke (200)
Diffraktionscharakteristik der epitaxial orientierten dünnen Schicht und eine sehr
schwache (111)-Diffraktion zeigt, die angibt, daß deutlich weniger als 1% der dünnen
Schicht nicht orientiert ist. Kurve (3B) ist eine dünne Schicht auf (111)-Si mit nur einem
Kohlenstofftarget und zeigt, im Gegensatz zur Kurve (3A), eine sehr starke (111)-
Diffraktion und eine sehr schwache (200)-Diffraktion, genau wie für den Aufbau der
epitaxialen dünnen Schicht erwartet.
Bei einer weiteren Ausführungsform wird ein (100)- oder (111)-Silicium-Wafer 9 auf
einer mit Bornitrid isolierten Kohlenstoffschicht-Widerstandsheizung 10 für dessen
Temperatursteuerung während der Abscheidung angebracht, da die Eigenschaften der
resultierenden dünnen Schicht wesentlich von dieser Temperatur abhängen. Dies ist
die Kristallitgröße, die durch kleine Randwinkel und Defekte bestimmt wird, wobei sie
aus der Linienbreite der Röntgendiffraktion erhalten werden kann; sie wächst mit der
Abscheidungstemperatur. Das wird durch die Daten in Fig. 4 gezeigt, wo die
Kristallitgröße als Funktion der Substratabscheidungstemperatur für auf (100)-Si-
Substraten gewachsene dünne (100)-SiC-Schichten unter Verwendung nur von
Kohlenstofftargets aufgetragen ist. Die Siliciumheizanordnung wurde in der
Ausführungsform in ein Belichtungsschild 11 aus Tantal eingebracht, das eine
quadratische 2,5 × 2,5 cm2 Öffnung gegenüber dem Substrat besitzt, um die
Ablationswolke durchzulassen. In einigen Experimenten wurde eine Tantal-Lochmaske
12 gegenüber dem Substrat eingebracht, um rechtwinklige, zirkulare oder andere
Formen der abgeschiedenen dünnen Schicht zu erhalten. Abscheidung mit derartigen
Masken erhöht während der Abscheidung die Temperatureinheitlichkeit oberhalb der
dünnen Schicht und ermöglicht genaue Bestimmungen der Abscheidungsrate mittels
Kantendickemessungen eines Profilometers. Die anfängliche Substrattemperatur
wurde mit einem Infrarotpyrometer 13, Fig. 1, gemessen, das einen Bandpaßfilter
enthält, der das auf das Pyrometer durch ein Fenster 15 fallende Licht 14 auf das
schmale 0,9 bis 1,5 µm Band begrenzt. Da die wachsende dünne SiC-Schicht für
dieses Licht transparent ist, wenn die dünne Schicht anfängt zu wachsen, oszillieren
die Pyrometerausgabedaten aufgrund der Bildung von stehenden Interferenzwellen
dieses schmalen Lichtbandes in der dünnen Schicht. Die Trennung zwischen
aufeinanderfolgenden Oszillationspeaks erfolgt, da die dünne Schichtdicke um eine
Hälfte der Lichtwellenlänge in der dünnen Schicht anwächst. Die Oszillationen
ermöglichen "in situ" die Überwachung des Wachstums der dünnen Schicht und
erzielen, wenn der bekannte Berechnungsindex von SiC verwendet wird, dünne End-
Schichtdicken in Übereinstimmung mit den Profilometermessungen. Bei diesen
Beispielen wurde die Siliciumbasis etwa 7 cm vom Target entfernt mit einem
diedrischen Winkel von ungefähr 45° angebracht. Demnach bildet die Wolkenachse
ungefähr einen 45° Winkel mit dem Silicium-Substratmaterial, da sie etwa senkrecht zu
den Targets verläuft. Der Silicium-Substrat Targetabstand und Winkel sind nicht kritisch
bei der Erfindung und modifizieren hauptsächlich die Abscheidungsrate, wenn sie
variiert werden.
Wenn das Kohlenstofftarget eingesetzt wird, wird bei 1140°C nach etwa 7
Abscheidungsminuten eine Dicke von 300 nm erreicht.
Die Ramanspektren von Fig. 5 von mit nur-Kohlenstofftargets aufgebauten dünnen
Schichten zeigen klar das Auftreten transversaler und longitudinaler optischer
Phononen nahe 793 und 970 cm-1, die charakteristisch für kubisches SiC sind. Die
beiden am Si-Substrat angebrachten dünnen Schichten zeigen ebenfalls eine
zusätzlich breite Bande zwischen 940 und 990 cm-1, die für das Si-Substrat
charakteristisch ist, wohingegen diese Bande bei der dünnen SiC-Schicht, die vom
selben Substrat nach dem Wachsen entfernt wurde, fehlt. Die kleinen Verschiebungen
der SiC-Ramanbanden zwischen den angebrachten und entfernten dünnen Schichten
sind möglicherweise auf Spannungsfeldänderungen zurückzuführen, die aus der
fehlenden Anpassung zwischen Gitterkonstanten und Wärmeausdehnungs
koeffizienten zwischen SiC- und Si herrühren. Die Stöchiometrie dieser dünnen
Schichten wird ebenfalls durch Auger-Tiefenprofilmessung bestätigt. Der Einsatz von
Element-Targets vergrößert gegenüber des im Stand der Technik verwendeten
keramischen SiC-Targets durch erhöhte Ablationseffizienz des Targets die
Wachstumsrate der abgeschiedenen dünnen SiC-Schicht. Der wesentlich schnellere
Wachstumsrate liegt überraschenderweise innerhalb der gleichen Größenordnung wie
die durch CVD für orientierte dünne Kristlallschichten erzielbare, wodurch dies ein sehr
vorteilhaftes Verfahren ist.
Ein CVD-Verfahren für die SiC-Abscheidung hat den Nachteil, daß es bei einer hohen
Wasserstoffkonzentration durchgeführt wird, der teilweise in die dünne Schicht
eingebaut wird. Verglichen mit dem bekannten Sputtern und Ionenstrahltechniken für
diese dünnen SiC-Schichten, kann die Erfindung vorteilhafterweise kristallergraphisch
ausgerichtete dünne Schichten von kubischem SiC auf Si mit beiden (111)- und (100)-
Orientierungen erzeugen, wohingegen die vorherigen dünnen Schichten entweder
amorph oder bestenfalls polykristallin sind.
Die erfindungsgemäß erzeugten dünnen Schichten können für dünne Schichten in der
Elektronik im Hochtemperaturbereich, Sensoranwendungen im Hochtemperaturbereich
und als Kristallkeim für das Kristallzüchten in der Gasphase von kubischem SiC
eingesetzt werden. Dieses Verfahren eröffnet außerdem die Möglichkeit des
wasserstoffreien epitaxialen Aufbaus von kubischem dünnen SiC-Schichten auf in der
Gasphase gewachsenen hexagonalen SiC-Wafern. Dies ist für elektronische
Anwendungen wichtig, da kubisches SiC wahrscheinlich höhere Mobilität im Träger
besitzt als die anderen Kristallformen.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht kristallinen Siliciumcarbids auf
einem Silicium-Substratmaterial durch Herstellung einer auf das Silicium-
Substratmaterial, das eine Temperatur ≧ 600°C besitzt, gerichteten
Kohlenstoffatomwolke durch Laser-Ablation eines Kohlenstofftargets in einer
Vakuumanordnung, wodurch unmittelbar die kristalline dünne Siliciumcarbid-Schicht
erzeugt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Siliciumsubstratmaterial ein Einkristall-Siliciumsubstrat mit einer Temperatur
oberhalb von etwa 1000°C ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß kristalline dünne
Siliciumcarbid-Schichten in einer Dicke bis ungefähr 4 . 10-7 m hergestellt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Laser-Ablation das
Bereitstellen eines stationären oder mobilen Kohlenstofftargets umfaßt.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Laser ein XeF-
Excimer-, KF-Excimer- oder Nd-YAG-Laser mit einer Wellenlänge von 1,06 und
0,532 µm ist.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Vakuum einen Druck
zwischen ungefähr 13,33 × 10-4 und 13,33 Pa hat.
7. Verwendung der dünnen SiC-Schicht, hergestellt nach einem Verfahren gemäß
einem der vorangehenden Ansprüche, in der Elektronik im Hochtemperaturbereich,
Sensoranwendungen im Hochtemperaturbereich und als Kristallkeim für das Kri
stallzüchten von kubischem SiC aus der Gasphase.
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