DE69005805T2 - Planarer Randabschluss für hohe Spannungen unter Benutzung eines durchgriffshemmenden Implantates. - Google Patents

Planarer Randabschluss für hohe Spannungen unter Benutzung eines durchgriffshemmenden Implantates.

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Description

    Hintergrund der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen Hochspannungs-Halbleiterstrukturen und insbesondere Hochspannungs- Halbleiterstrukturen mit einem gleitenden Schutzringabschluß, der relativ hohe Durchbruchsspannungen ermöglicht.
  • Zum Durchbruch einer Planar-Sperrschichtvorrichtung kommt es, wenn ein elektrisches Feld, das sich aufbaut, wenn die Sperrschicht in Sperrichtung vorgespannt ist, eine kritische Stärke übersteigt. Die kritische Stärke ist eine Funktion des spezifischen Widerstandes des Materials, in dem die Sperrschicht hergestellt wird. Je nach der Geometrie der Vorrichtung wird diese kritische Stärke jedoch gewöhnlich bei Endspannungen überschritten, die unter einer maximalen theoretischen Endspannung für die Vorrichtung liegen, und die auch Parallelebenen-Sperrschicht-Durchbruchsspannung genannt wird. In der Technik ist bekannt, daß ein bestimmter Betrag an Spannung aufgrund des elektrischen Spitzenoberflächenfeldes zwischen den Elektroden verlorengeht. Dieses Oberflächenspitzenfeld resultiert aus Oberflächenladung und Oberflächenzuständen sowie aus gespeicherter Ladung in überlagernden Schichten, die das elektrische Feld an der Oberfläche der Vorrichtung verzerren und verdichten.
  • Dieses verdichtete elektrische Feld kann dazu führen, daß die elektrische Feldstärke die kritische Stärke bei relativ niedrigem Potential zwischen den Elektroden der Vorrichtung übersteigt. Daher ist ein homogenes und gleichmäßig verteiltes elektrisches Feld zwischen den Elektroden wünschenswert.
  • Das elektrische Feld konzentriert sich normalerweise in der Nähe einer Hauptsperrschicht der Vorrichtung und nahe an einer Oberfläche einer planaren Struktur. Es hat sich herausgestellt, daß dieses Problem auf ein Minimum verringert und eine höhere Durchbruchsspannung erreicht werden kann, indem gleitende Schutzringe oder Feldringe installiert werden, die die Sperrschichten der Vorrichtung umgeben. Obwohl diese Schutzringe vorteilhaft für die Erreichung höherer Durchbruchsspannungen sind, ist die Konstruktion solcher Schutzringe schwierig.
  • Zwei grundlegende Anordnungen sind verwendet worden, um Mehrfach-Schutzringabschlüsse für Hochspannungsvorrichtungen anzulegen. Bei der ersten Anordnung verringern sich sowohl der Feldringabstand als auch die Breite mit zunehmendem Abstand von der Hauptsperrschicht. Dies führt zu einer allmählichen Ausdehnung der Verarmungsschicht von der Hauptsperrschicht weg. Die Feldringe die weiter von der Sperrschicht entfernt sind, könnten schmaler sein, da die Verarmungsschicht unter ihnen zunehmend flacher wird. Dieses Vorgehen war jedoch nicht erfolgreich, wenn die Oberflächenraumladung nicht genau bekannt war, und es erwies sich nicht als geeignetes Verfahren zur Bestimmung des eigentlichen Feldringabstandes.
  • Bei einer zweiten Anordnung werden gleitende Feldringe gleicher Breite und gleichen Abstands, jedoch mehr Ringe als beim ersten Verfahren verwendet. Dieses Verfahren ermöglicht eine weitaus feinere Abstufung in der Verarmungsschicht am band der Vorrichtung, wobei aufgrund der größeren Anzahl von Ringen etwas mehr Raum eingenommen wird. Auch diese Konstruktionsanordnung war anfällig für Oberflächenladung, obwohl die große Anzahl von Ringen die Auswirkung von Oberflächenladungsänderung im Vergleich zur ersten Anordnung verringerte. Obwohl jede dieser Schutzringanordnungen zu höheren Durchbruchsspannungen führte, wurde bei keiner von beiden eine Durchbruchsspannung erzielt, die dem Parallelebenen-Sperrschicht-Durchbruch nahe kam.
  • Bei einer Mehrfach-Schutzringstruktur hat jeder folgende Ring ein schrittweise höheres Potential in Bezug auf den Haupt-P-N-Übergang. Damit mehrere Ringe wirksam sind, muß jeder folgende Ring die scnrittweise zunehmende Spannung aufnehmen. Das heißt, die Durchgreif-Durchbruchsspannung von Ring zu Ring begrenzt die zulässige schrittweise zunehmende Spannung von Ring zu Ring. Obwohl es vorteilhaft ist, die Ringe nahe aneinander anzuordnen, um feinere Abstufung des elektrischen Feldes zu erreichen, ist, wenn die Ringe nahe beieinander sind, die Durchgreif-Durchbruchsspannung zwischen den Ringen niedrig, und folgende Ringe sind nicht in der Lage, die gesamte schrittweise zunehmende Spannung aufzunehmen. Diese Situation führt zu Vorrichtungen mit niedrigerer Durchbruchsspannung.
  • Wenn als Alternative dazu die Ringe weiter voneinander beabstandet sind, um die Durchgreif-Durchbruchsspannung zu erhönen, nimmt die Feldabstufung zu und es kommt zu vermehrter elektrischer Feldkonzentration. Die höhere Feldkonzentration wiederum führt zu niedrigerer Durchbruchsspannung. Diese beiden entgegengesetzten Mechanismen haben bisher die praktischen Durchbruchsspannungen von Planar-Sperrschichtvorrichtungen auf weniger als ungefähr 1500 V begrenzt. Erforderlich ist eine Hochspannungsstruktur, die geringe Abstände von Ring zu Ring, aber auch hohe Durchgreif-Durchbruchsspannung von Ring zu Ring ermöglicht.
  • Die Patentanmeldung des Vereinigten Königreiches Nr. GB 2033657 beschreibt eine Halbleitervorrichtung mit einer Schutzringstruktur, die etnen Bereich zwischen dem Schutzring und dem Haupt-P-N-Kbergang mit dem gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Bereich des P-N-Übergangs, der den Schutzring umgibt, enthält, wodurch sowohl die Anzahl der Schutzringe als auch der Abstand zwischen ihnen verringert werden kann, um so die gleiche Sperrspannung aufzunehmen.
  • Ein weiteres Problem bei bisherigen Mehrfach-Schutzringstrukturen war die Frage, wo der erste Schutzring angeordnet werden soll. Ein großer Zwischenraum zwischen dem Haupt-P-N- Übergang und dem ersten Schutzring führte zu einer Erhöhung der Spannung, die ein einzelner Schutzring aufnehmen konnte.
  • Bei dieser Konstruktion konnte ein einzelner Schutzring mehrere hundert Volt aufnehnen. Es stelite sich jedoch heraus, daß, wenn mehr Spannung erwünscht war, dieser große Zwischenraum zu einer hohen Feldkonzentration in der Nähe des ersten Rings führt, und obwohl dieses starke Feld für einige hundert Volt annehmbar war, verhinderte es, daß die Struktur höhere Durchbruchsspannungen erreichte. Bei bisherigen Konstruktionen wurden lediglich mehr Ringe hinter dem ersten Schutzring hinzugefügt, ohne daß der Abstand des ersten Schutzrings verändert wurde. Die zusätzlichen Schutzringe führten dazu, daß diu Feldstärke in großer Entfernung von der Sperrschicht verringert wurde, sie beeinflußten jedoch die Feldstärke, die durch den anfänglichen Abstand des ersten Rings erzeugt wurde, nicht. Damit verbesserten die zusätzlichen Schutzringe die Durchbruchsspannung leicht, jedoch trat der Durchbruch schließlich am ersten Ring auf, wo die zusätzlichen Ringe keinen Einfluß hatten.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Hochspannungs-Halbleiterstruktur zu schaffen, die in der Lage ist, relativ hohe Durchbruchsspannung zu erreichen, die einen relativ einfachen Schutzringaufbau hat, die ein gleichmäßiges elektrisches Feld zwischen den Elektroden erzeugt oder die die Wahrscheinlichkeit des Durchgreifens zwischen Schutzringen veringert.
  • Diese und andere Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden mit einer Hochspannungs-Halbleiterstruktur mit mehreren Schutzringen erreicht, wobei ein Anreicherungsbe reich mit einem den Schutzringen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp zwischen den Schutzringen ausgeformt ist, um die Durchgreifspannung zwiscnen den Schutzringen zu erhöhen. Vorzugsweise haben Schutzringe, die am weitesten von einer Hauptsperrschicht entfernt sind, einen größeren Abstand voneinander als Schutzringe die sich näner an der Hauptsperrschicht befinden, wodurch die Durchbruchsspannung der Vorrichtung erhöht wird.
  • Somit schafft gemäß einem ersten Aspekt dje Erfindung eine Hochspannungs-Halbleiterstruktur, die umfaßt: einen Halbleiterkörper eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einem Haupt-P- N-Übergang zwischen dem Halbleiterkörper und einem aktiven Vorrichtungsbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der an der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgeformt ist; einen Schutzring eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der den Haupt- P-N-Übergang umgibt, wobei ein Zwischenraum zwischen dem Haupt-P-N-Übergang und dem Schutzring besteht; und einen Anreicherungsbereich vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Halbleiterkörper und mit einer höheren Dotierungskonzentration als die des Halbleiterkörpers, dadurch gekennzeichnet, daß der Anreicherungsbereich den Zwischenraum zwischen dem Haupt-P-N-Übergang und dem Schutzring vollutändig ausfüllt.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt schafft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Hochspannungs-Halbleiterstruktur, das die folgenden Schritte umfaßt Herstellung eines Halbleiterkörpers eines ersten Leitfähigkeitstyps; Herstellung eines Haupt-P-N-Übergangs zwischen dem Halbleiterkörper und einem aktiven Vorrichtungsbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der an der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgeformt ist; Herstellung einer Vielzahl von Schutzringen eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die den Haupt-P-N-Übergang umgeben, wobei der Zwischenraum zwiscnen aneinandergrenzenden Schutzringen mit zunehmenden Abstand vom Haupt-P-N-Übergang zunimmt; wobei das Verfahren durch den Schritt der Herstellung von Anreicherungsbereichen vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Halbleiterkörper und mit einer höheren Dotierungsmittelkonzentration als die des Halbleiterkörpers gekennzeichnet ist, die den Zwischenraum zwischen den Schutzringen und zwischen einem der Schutzringe und dem Haupt-P-N-Übergang vollständig ausfüllen.
    • Kurze Beschreibung von Zeichnungen
  • Die einzelne Figur zeigt eine stark vergrößerte Schnittansicht eines Abschnitts einer Hochspannungs-Halbleiterstruktur, die die vorliegende Erfindung verkörpert.
    • Ausführliche Beschreibung von Zeichnungen
  • Die Figur zeigt eine stark vergrößerte Schnittansicht eines Abschnitts einer Hochspannungs-Halbleiterstruktur. Zusätzliche aktive Schaltungen würden links vom dargestellten Abschnitt ausgeformt sein, während rechts vom dargestellten Schnitt ein Ritzgitter ausgerormt wäre. Es versteht sich, daß, obwohl die Figur eine Mehrfach-Schutzringstruktur darstellt, die vorliegende Erfindung auf Einfach-Schutzringstrukturen anwendbar ist, ubwohl niedrigere Durchbruchsspannungen erreicht werden. Eie Hochspannungs-Halbleiterstruktur enthält eine Halbleiterschicht 11 mit einen spezifischen Widerstand und einer Dicke, die so gewählt werden, daß eine vorgegebene Durchbruchsspannung erreicht ward. Ein breites Spektrum spezifischer Widerstände kann, wie ersichtlich ist, bei nur geringfügiger Abwandlung der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden. Die Auswahl des spezifischen Widerstandes und der Dicke der Halbleiterschicht 11 zur Erreichung einer vorgegebenen Durchbruchsspannung ist dem Fachmann vertraut.
  • Die aktive Vorrichtungsregion 14 ist vom der Halbleiterschicht 11 entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp und bildet einen Haupt-P-N-Übergang zur Halblelterschicht 11. Elektrode 13 stellt elektrischen Kontakt zum aktiven Vorrichtungsbereich 14 her und verbindet den aktiven Vorrichtungsbereich 14 mit anderen Bereichen der Halbleitervorrichtung, die nicht dargestellt sind. Der diffundierte Bereich 19 und Elektrode 12 sind an einen gesägten oder geritzten Rand eines Halbleiterchips angrenzend ausgeßormt und bilden einen Randabschluß. Diffundierter Bereich 19 ist vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie die Halbleiterschicht 11, jedoch stärker dotiert. Damit wird, da Elektrode 12 und diffundierter Bereich 19 relativ niedrigen spezifischen Widerstand aufweisen, ein konstantes Potential unter dem diffundierten Bereich 19 aufgebaut, das dem Potential an der Unterseite der Halbleiterschicht 11 annähernd gleich ist. Dieses konstante Potential begrenzt die Ausbreitung des elektrischen Feldes, auch Verarmungsbereich genannt, das entsteht, wenn der Haupt-P-N-Übergang in Sperrichtung vorgespannt wird. Oxid 16 ist lediglich ein Passivierungsoxid, das zwischen Elektrode 13 und Elektrode 12 ausgeformt ist, und kann Oxid, Siliziumnitrid oder andere ähnliche isolierende Materialien umfassen.
  • Es sind Schutzringe 17A-E ausgeformt, die den Haupt-P-N- Übergang an einer Oberseite der Halbleiterschicht 11 umgeben. Schutzringe 17A-E sind vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der aktive Bereich 14 und bilden so zusatzliche P-N- Übergänge, die den Haupt-P-N-Übergang umgeben. Die vorliegende Erfindung unterscheidet sich von bisherigen Abschlußstrukturen sowohl hinsichtlich des Abstandes der Schutzringe 17A-E als auch hinsichtlich eines Anreicherungsbereiches 18, der zwischen Schutzringen A-E ausgeformt ist.
  • Der Abstand von der Mitte von Schutzring 17A zur Mitte von Schutzring 17B wird durch S1 dargestellt. Desgleichen stellen die Abstände S2-S4 die Mittenabstände entsprechender Schutzringe dar, die weiter vom Haupt-P-N-Übergang entfernt sind. Schutzringe 17A-E sind so beabstandet, daß Schutzringe, die am weitesten vom Hauptübergang entfernt sind, weiter voneinander entfernt sind, als die näher am Übergang befindlichen Schutzringe. Das heißt, S1, der Abstand zwischen den Schutzringen 17A und 17B, ist geringer als S4, der Abstand zwischen den Schutzringen 17D und 17E. Vorzugsweise ist S1 kleiner als S2, das kleiner ist als S3, das kleiner ist als S4. Schutzring 17E kann weiter von 17D entfernt angeordnet sein, da die Krümmung des Verarmungsbereiches weniger weit vom Hauptübergang entfernt ist. Schutzringe 17A-E haben vorzugsweise gleiche Größe und Form und werden in einem Diffusionsschritt hergestellt, so daß sie gleiche Dotierungsmittelkonzentration und Sperrschichttiefe aufweisen. Schutzringe 17A-E haben vorzugsweise eine Fiefe im Bereich von 3,5 bis 6,5 Mikron, wobei 4,5 Mikron am sinnvollsten sind. Jeder Schutzring 17A-E unterscheidet sich nur hinsichtlich des relativen Abstandes zu angrenzenden Schutzringen.
  • Vorzugsweise nimmt der Abstand zwischen den Schutzringen 17 linear zu, wenn jeder Schutzring 17 in Richtung vom Haupt-P- N-Übergang weg hinzugefügt wird. Bei einer bevorzugten Ausführung beträgt S1 9,5 Mikron, S2 9,75 Mikron, S3 10,0 Mikron, wobei ein Mikron gleich ein um ist, jnd bei jedem weiteren Schutzring 17 wird ein Schritt von 0,25 Mikron zum Abstand hinzugefügt. Je nach der gewünschten Durchbruchsspannung kann eine beliebige Anzahl von Schutzringen 17 hinzugefügt werden. So können beispielsweise 10 Schutzringe fast 2000 V ermöglichen, während 20 - 30 5chutzringe über 3000 V aufnehmen. Der vergrößert Abstand zwischen den Ringen sollte sich im Bereich von 0,2 bis 0,3 Mikron pro Ring bewegen. Es hat sich herausgestellt, daß, wenn die Anzahl von Ringen 20 überschreitet, der vergrößerte Abstand für die Ringe über 20 in der Größenordnung von 0,5 bis 0,7 Mikron liegen sollte.
  • Ein weiteres Merkmal der Hochspannungsstruktur der vorliegenden Erfindung sind Anreicherungsbereiche 18, die zwischen jedem der Schutzringe 17A-E sowie zwischen erstem Schutzring 17A und aktivem Vorrichtungsbereich 14 ausgeformt sind. Anreicherungsbereiche 18 sind vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie Halbleiterschicht 11 und haben vorzugsweise eine Oberflächendotierungskonzentration von ungefähr 4 x 10¹&sup5; Atomen/cm³. Diese Dotierungskonzentration muß höher sein als die Dotierungskonzentration von Halbleiterschicht 11. Anreicherungsbereiche 18 werden vorteilhafterweise durch Ionenimplantation hergestellt und diffundiert, so daß sie ungefähr 0,5 Mikron flacher sind äls die 5chutzringe 17A-E. Die Anreicherungsbereiche 18 können auf eine Fläche innerhalb des letzten Schutzrings 17E begrenzt sein. Als Alternative dazu können weitere Schutzringe 17 eingesetzt werden, um die Fläche des Chips bis fast zum diffundierten Bereich 19 vollständig auszufüllen, wobei sich der Anreicherungsbereich 18 bis zum diffundierten Bereich 19 erstrecken kann.
  • Besonders bei Hochspannungsvorrichtungen, bei denen die Halbleiterschicht 11 sehr leicht dotiert ist, verbessert Anreicherungsschicht 18 erheblich die Einfleitlichkeit der Leistung der Schutzringe. Anreicherungsbereiche 18 erhöhen die Durchgreifspannung zwischen Schutzringen 17A-E, so daß sich die kumulative Durchgreifspannung der Lawinendurchbruchsspannung des Haupt-P-N-Übergangs nähert. Bei bisherigen Schutzringstrukturen war die naximale Durchbruchsspannung nicht durch die Lawinendurchbruchsspannung des Haupt-P-N- Übergangs begrenzt, sondern durch die Durchgreif-Durchbruchsspannung von Ring zu Ring. Beim Einsatz von Anreicherungsschicht 18 jedoch nähert sich die Summe der Durchbruchsspannung von Ring zu Ring der Lawinendurchbruchsspannung des Haupt-P-N-Übergangs, so daß eine höhere Spannung an den P-N-Übergang angelegt werden kann bevor es zum Durchbruch kommt.
  • Anreicherungsbereiche 13 ermöglichen erhebliche Variation des spezifischen Widerstandes der Halbleiterschicht 11 ohne Änderung der Konstruktion der Schutzringe 17A-E. Dies ermöglicht die Herstellung einer aktiven Borrichtung in einer Vielzahl von Substraten, wobei ein Substrat für einen 500 V- Betrieb ausgelegt sein kann, während ein anderes für einen 2000 V-Betrieb ausgelegt sein kann, ohne daß die Masken geändert werden, die die Vorrichtung bilden. Dies ermöglicht den Herstellern erhebliche Kosteneinsparungen und zusätzliche Flexibilität. Es kann nicht nur eine große Vielzahl von Substraten verwendet werden, daüber hinaus verbessern Anreicherungsbereiche 18 auch die Beständigkeit gegenüber Oberflächenladung und Oberflächenzuständen erheblich.
  • Ein drittes wichtiges Merkmal der Erfindung ist der relativ geringe Abstand zwischen den Schutzringen und dem Haupt-P-N- Übergang. Wenn mehrere Schutzringe verwendet werden, ist der erste Schutzring 17A vorzugsweise weniger als 15 Mikron vom aktiven Vorrichtungsbereich 14 angeordnet. Dieser relativ geringe Abstand zwischen aktivem Bereich 14 und erstem Schutzring 17A führt zu einer geringen Krümmung beim Verarmungsbereich während der Werspannung in Sperrichtung, so daß das elektrische Feld bei nohen Spannungen das kritische Feld für das Halbleitermaterial 11 nicht überschreitet. Obwohl durch diesen geringen Abstand der erste Schutzring 17A nicht soviel Spannung abfängt, wie er möglicherweise könnte, sind die zusätzlichen Vorteile die bei höheren Spannungen erreicht werden, erhebiich. Durch Steuerung der Feldkrümmung und der Felddichte in der Nähe des ersten Schutzrings 17A im Gegensatz zur Steuerung der Krümmung nur in der Nähe des letzten Schutzrings 17E können hohe Durchbruchsspannungen erreicht werden.
  • Zu diesem Zeitpunkt sollte ersichtlicn sein, daß eine Hochspannungs-Halbleiterstruktur geschaffen worden ist. Die erfindungsgemäße Hochspannungsstruktur ermöglicht einheitliche Konstruktion einer Vielzahl von Hochspannungsvorrichtungen und ermöglicht es, mit planaren Vorrichtungen Durchbruchsspannungen zu erreichen, die so nahe wie wünschenswert an Parallelebenen-Durchbruchsspannungen liegen. Durch einen Anreicherungsbereich, der zwischen jedem einer Vielzahl gleichgroßer Ringe ausgetornt ist, kann die Hochspannungsstruktur mit einer Vielzahl von spezifischen Materialwiderständen eingesetzt werden. Die Beabstandung jedes der Vielzahl von Schutzringen ermöglicht gesteuerte Kontourierung von Feldlinien eines Verarmungsbereiches, der zwischen einem Hauptübergang und einer Halbleiterschicht ausgeformt ist, in der die Schutzringe ausgeformt sind.

Claims (10)

1. Hochspannungs-Halbleiterstruktur, die umfaßt: einen Halbleiterkörper eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einem Haupt-P-N-Übergang zwischen dem Halbleiterkörper und einem aktiven Vorrichtungsbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der an der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgeformt ist; einen Schutzring (17a) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der den Haupt-P-N-Übergang umgibt, wobei ein Zwischenraum zwischen dem Haupt-P-N- Übergang und dem Schutzring besteht; und einen Anreicherungsbereich (18) vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Halbleiterkörper und mit einer höheren Dotierungskonzentration als die des Halbleiterkörpers, dadurch gekennzeichnet, daß der Anreicherungsbereich (18) den Zwischenraum zwischen dem Haupt-P-N-Übergang und dem Schutzring (17a) vollständig ausfüllt.
2. Halbleiterstruktur nach Anspruch 1, wobei der Haupt-P- N-Übergang und der Schutzring (17a) tiefer sind als der Anreicherungsbereich (18).
3. Halbleiterstruktur nach Anspruch 1, wobei sich der Anreicherungsbereich (18) von dem Haupt-P-N-Übergang nicht über den Schutzring (17a) hinaus erstreckt.
4. Hochspannungs-Halbleiterstruktur nach Anspruch 1, die umfaßt: weitere Schutzringe (17b-17e) des zweiten Leitfähigkeitstyps, die den Haupt-P-N-Übergang umgeben, wobei zwischen jedem Schutzring und dem Haupt-P-N-Übergang und zwischen jedem der Schutzringe Zwischenraum besteht, und die an die Oberseite angrenzen; sowie eine Vielzahl von Anreicherungsbereichen (33) vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Halbleiterkörper und mit einer höheren Dotierungskonzentration als die des Halbleiterkörpers, die an die Oberseite angrenzen und sich zwischen jedem der Schutzringe (17b-17e) und zwiscnen einem der Schutzringe (17a) und dem Haupt-P-N-Übergang (14) befinden, und wobei jeder Anreicherungsbereich den Zwischenraum zwischen jedem der Schutzringe vollständig ausfüllt.
5. Halbleiterstruktur nach Anspruch 4, wobei ein Abstand zwischen dem Haupt-P-N-Übergang und einem Schutzring (17a), der sich am nächsten am Haupt-P-N-Übergang befindet, geringer ist als 15 um.
6. Halbleiterstruktur nach Anspruch 4, wobei alle der Schutzringe (17-17e) die gleiche Größe haben.
7. Halbleiterstruktur nach Anspruch 4, wobei die Anreicherungsbereiche (18) flacher sind als die Schutzringe (17a-17e).
3. Hochspannungs-Halbleiterstruktur nach Anspruch 4, 5, 6 oder 7, wobei der Zwischenraum zwischen aneinandergrenzenden Schutzringen nit zunehmenden Abstand vom Haupt- P-N-Übergang zunimmt.
9. Halbleiterstruktur nach Anspruch 8, wobei die Zunahme des Zwischenraums zwischen aneinandergrenzenden Ringen (17a-17e) sich im Bereich von 0,2 bis 03 um oder 0,5 bis 0,7 um pro zusätzlichem Ring bewegt.
10. Verfahren zur HersteLlung einer Hochspannungs-Halbleiterstruktur, das die folgenden Schritte umfaßt: Herstellung eines Halbleiterkörpers (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps; Herstellung eines Haupt-P-N-Übergangs zwischen dem Halbleiterkörper und einem aktiven Vorrichtungsbereich eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der an der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgeformt ist; Herstellung einer Vielzahl von Schutzringen (17a - 17e) eines zweiten lieitfähigkeitstyps, die den Haupt-P- N-Übergang umgeben, wobei der Zwischenraum zwischen aneinandergrenzenden Schutzringen mit zunehmenden Abstand vom Haupt-P-N-Übergang zunimmt; wobei das Verfahren durch den Schritt der Herstellung von Anreicherungsbereichen (18) vom gleichen Leitfähigkeitstyp wie der Halbleiterkörper und mit einer höheren Dotierungsmittelkonzentration als die des Halbleiterkörpers gekennzeichnet ist, die den Zwischenraum zwischen den Schutzringen und zwischen einem der Schutzringe und dem Haupt-P-N-Übergang vollständig ausfüllen.
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