DE68926241T2 - Verfahren zur herstellung eines halbleiterelements mit supraleitendem material - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines halbleiterelements mit supraleitendem material

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6372356B1 (en) 1998-06-04 2002-04-16 Xerox Corporation Compliant substrates for growing lattice mismatched films
JP2967780B1 (ja) * 1998-09-28 1999-10-25 住友電気工業株式会社 ＧａＡｓ単結晶基板およびそれを用いたエピタキシャルウェハ
US6517944B1 (en) 2000-08-03 2003-02-11 Teracomm Research Inc. Multi-layer passivation barrier for a superconducting element

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0634418B2 (ja) * 1987-09-07 1994-05-02 株式会社半導体エネルギー研究所 超電導素子の作製方法
EP0292382B1 (de) * 1987-05-18 1994-09-14 Sumitomo Electric Industries Limited Verfahren zur Herstellung eines supraleitenden Materials des Oxydverbundtyps
US4929598A (en) * 1987-06-19 1990-05-29 Bell Communications Research, Inc. Oxygen plasma treatment of yttrium barium copper oxide
JPH01298005A (ja) * 1988-05-25 1989-12-01 Fujikura Ltd 酸化物系超電導体の製造方法
JPH0212044A (ja) * 1988-06-30 1990-01-17 Nkk Corp 赤外線カメラによる欠陥部の検出方法
JPH0214801A (ja) * 1988-06-30 1990-01-18 Anelva Corp 酸化物超電導体の改善方法
US5106827A (en) * 1989-09-18 1992-04-21 The Perkin Elmer Corporation Plasma assisted oxidation of perovskites for forming high temperature superconductors using inductively coupled discharges

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