DE68916019T2 - Verstärkeranordnung und verwendung in einer übertragungsleitungsschaltung. - Google Patents

Description

• Die Erfindung betrifft eine Verstärkeranordnung, welche wenigstens zwei Verstärker enthält, von denen jeder Gleichstrom durch ein Element leiten kann, welches zu beiden Verstärkern gehört, von denen jeder eine individuelle Überstromprüfschaltung enthält, welche mit einer Strombegrenzungsschaltung gekoppelt ist.
• Eine solche Verstärkeranordnung ist bereits aus GB-A-21 49 618 bekannt, bei welcher, wie erwähnt, von im belgischen Patent Nr. 894 437 beschriebenen Verstärkern Gebrauch gemacht wird. Das belgische Patent entspricht US-A-4,566,879 und EP-A-0 106 378. Diese bekannten Verstärkeranordnungen sind Teil einer Übertragungsleitungsschaltung, in welcher die Leitungen einer Übertragungsleitung mit dem Ausgang jeweils eines Verstärkers verbunden sind. Jeder dieser Verstärker ist in der Lage, Strom in die damit verbundene Leitung einzuspeisen sowie Strom aus der angeschlossenen Leitung zu einer negativen Spannungsversorgung und durch einen Transistor zu leiten, welcher zu beiden Verstärkern gehört und das vorstehend erwähnte Element darstellt. Dieser Transistor ist Teil einer Gleichstrom-Impedanzersatzschaltung und zu diesem Zweck weist er eine entsprechende Frequenzcharakteristik auf. Normalerweise liefert ein Verstärker Strom während der andere Strom durch den gemeinsamen Transistor an eine negative Spannungsversorgung abgibt, und jeder dieser Ströme und insbesondere der abgegebene Strom ist auf einem vorbestimmten Wert begrenzt. Jedoch kann es vorkommen, wenn eine Spannung irrtümlich an beide Leitungen gelegt wird, daß beide Verstärker Strom an die negative Versorgungsspannung und an den gemeinsamen Transistor abgeben. Es muß daher dafür gesorgt werden, daß der Transistor in einem solchen Fall nicht beschädigt wird. Eine mögliche Lösung dieses Problems bestünde darin, einen Leistungstransistor zu verwenden, welcher einen durch diesen Fehler verursachten höheren Strom aushalten kann. Ein solcher Leistungstransistor mit der erforderlichen Frequenzcharakteristik ist derzeit nicht erhältlich. Andererseits, wenn ein solcher erhältlich wäre, würde er nicht benutzt, weil ein Leistungstransistor Kühleinrichtungen benötigt, welche gemeinsam mit dem Transistor zu viel Platz auf einem Chip benötigt.
• Das mit der Erfindung zu lösende technische Probelm besteht deshalb darin, eine Verstärkeranordnung der vorstehend erwähnten Art anzugeben, welche die Stromstärke durch das gemeinsame Element wesentlich verringert, wenn beide Verstärker gleichzeitig in einen Zustand versetzt werden, in dem beide starke Ströme führen.
• Dieses technische Problem ist erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Verstärkeranordnung außerdem eine gemeinsame Überstromprüfschaltung (OCD3) enthält, deren Eingänge (A1/2) mit den Ausgängen (A1/2) der entsprechenden individuellen Überstromprüfschaltungen (OCD1/2) gekoppelt sind und welche Ausgänge (C1/2) besitzen, an denen entsprechende erste (C1) und zweite (C2) Steuersignale vorhanden sind, wobei der Wert eines jeden Steuersignals anzeigt, ob der von der zugeordneten individuellen Überstromprüfschaltung (OCD1/2) geprüfte Strom einen bestimmten Schwellenwert übersteigt oder nicht, und eine gemeinsame Torschaltung (GC1), welche von den ersten (C1) und zweiten (C2) Steuersignalen gesteuert ist und ein Ausgangssignal (BPWO) erzeugt, welches die Strombegrenzungsschaltungen (CLC1/2) der Verstärker (LOA1/2) steuert.
• Das Ausgangssignal der Torschaltung ist daher eine Funktion wenigstens des Zustandes der beiden, von der gemeinsamen Stromprüfschaltung gelieferten Steuersignale und welches dazu verwendet werden kann, die Strombegrenzungsschaltung der Verstärker zu steuern, wenn beide Steuersignale außergewöhnlich starke Verstärkerströme anzeigen.
• Eine andere charakteristische Eigenschaft der vorliegenden Verstärkeranordnung besteht darin, daß die Strombegrenzungsschaltung von jedem Verstärker sich in einem ersten/zweiten Zustand befindet, in dem sie den Strom, der von diesem Verstärker in das Element fließt, auf einen ersten/zweiten Wert begrenzt, welcher von dem ersten/zweiten Zustand des Ausgangssignals der Torschaltung abhängt.
• Auf diese Weise kann die Torschaltung jeden der Verstärker dadurch in einen Hoch/Niedrig-Leistungszustand bringen, daß es den Strom darin auf einen hohen/niedrigen Wert begrenzt.
• Die vorstehend erwähnten und andere Merkmale und Eigenschaften der Erfindung werden deutlicher und die Erfindung wird besser durch das nachstehend anhand der Zeichnungen beschriebene Ausführungsbeispiel verstanden.
• Es zeigen:
• Fig. 1 die schematische Darstellung eines Teils einer erfindungsgemäßen Verstärkeranordnung, welche Teil einer Übertragungsleitungsschaltung ist,
• Fig. 2 Einzelheiten eines Teils des Verstärkers LOA1 und der Schaltungen OCD1, OCD3, GC1 und CLC gemäß Fig. 1 und
• Fig. 3 eine Abänderung der Schaltungsanordnung OCD1 in Fig. 2.
• Die in Fig. 1 gezeigte Verstärkeranordnung ist Teil einer Übertragungsleitungsschaltung, welche mit folgenden Versorgungsspannungen betrieben wird:
• V+, welche mit Masse verbunden ist;
• V-, welche auf negativem Batteriepotential liegt;
• VAUX, welche ein Hilfspotential oberhalb von V- ist, z.B. 75% der gesamten Batteriespannung.
• Die Leitungsschaltung ist beispielsweise von der Art, wie sie in den vorstehend erwähnten Patenten beschrieben und in EP-A-0 201 635 veröffentlicht ist. Sie enthält zwei gleiche Leitungs-Operationsverstärker LOA1 und LOA2, deren nichtinvertierenden und invertierenden Eingänge mit nicht gezeigten Schaltungen verbunden sind und deren Ausgänge TP und RG über Speisewiderstände R1 und R2 mit den Leitungen L1 und L2 verbunden sind. Jeder der Leitungsverstärker ist an die Versorgungsspannung aus V+ und einer geregelten Spannung VT gelegt, welche an einem gleichnamigen Ausgang VT von einer Gleichspannung-Anpassungsschaltung ISC bereitgestellt wird, deren Eingänge mit den Anschlüssen STA, STB, SRA und SRB der Speisewiderstände R1 und R2 verbunden sind. Der Ausgang VT von ISC ist vom Emitter eines PNP-Ausgangstransistors T gebildet, dessen Kollektor mit V- verbunden ist. Der Transistor T ist kein Leistungstransistor und besitzt eine geeignete Frequenzcharakteristik, um seine Funktion in der Schaltung ISC erfüllen zu können.
• Unter normalen Betriebsbedingungen leitet einer der Leitungsverstärker LOA1/2, z.B. LOA1 Gleichstrom in die angeschlossene Leitung L1 von V+ aus, während dem anderen Leitungsverstärker LOA2 aus der Leitung L2 Gleichstrom nach VT zugeführt wird. Dieser Strom fließt außerdem durch den Transistor T nach V-. Die geregelte Spannung VT besitzt einen Wert zwischen V+ und V- und die Spannung auf den Leitungen ist etwas niedriger als V+ und etwas höher als VT, beispielsweise 3,5 Volt. Unter diesen Bedingungen arbeitet der Transistor T zuverlässig, selbst wenn die Toleranzen der Spannung V- derart sind, daß einen verhältnismäßig hohen negativen Wert erreichen kann.
• Wenn jedoch infolge eines Fehlers beide Leitungen L1 und L2 beispielsweise an V+ liegen, dann wird in beide Verstärker LOA1/2 Gleichstrom eingespeist. Das bedeutet, daß ein Gleichstrom von V+ über die Leitung zu dem gemeinsamen Anschluß VT in jedem der Verstärker und daß beide Gleichströme zusammen von VT zu V- durch den Transistor T fließen. Infolgedessen würde der Transistor T beschädigt, wenn keine Vorsorgemaßnahme getroffen wird, insbesondere wenn V- einen verhältnismäßig hohen negativen Wert besitzt.
• Ohne Änderung des Transistors T wird ein niedrigerer Strom möglich, wenn in der gezeigten Leitungsschaltung individuelle Überstromprüfschaltungen OCD1 und OCD2 vorhanden sind, welche Teil der entsprechenden Verstärker LOA1 und LOA2 sind und die Ausgänge Al und A2 besitzen, welche an eine gemeinsame außerhalb von LOA1/2 vorhandene gemeinsame Überstromprüfschaltung OCD3 angeschlossen sind. Die Schaltung OCD3 besitzt Ausgänge C1 und C2, welche mit den gleichnamigen Eingängen der Torschaltung verbunden sind und welche noch die Eingänge BPW, BR0 und BR1 besitzt, auf welche später noch näher eingegangen wird. Die Torschaltung GC1 hat einen Ausgang BPWO, welcher die Strombegrenzungsschaltungen CLC1 und CLC2 in den entsprechenden Verstärkern LOA1 und LOA2 steuert.
• Der Zweck der Überstromprüfschaltungen OCD1/2/3 besteht darin, festzustellen, wenn ein übermäßig starker Rückstrom in jeden der Verstärker LOA1 und LOA2 fließt und der Zweck der Torschaltung GC1 besteht darin, wenn das gleichzeitig geschieht, um dann die Strombegrenzungsschaltung CLC1 und CLC2 in diesen Verstärkern in einen sogenannten Niedrigleistungs-Zustand zu versetzen, in dem sie den Strom auf einen niedrigen Wert begrenzen.
• Fig. 2 zeigt die Ausgangsstufe OS1 des Leitungsverstärkers LOA1 zusammen mit der zugehörigen und schematisch dargestellten Gleichstrom-Versorgungsschaltung und mehr Einzelheiten der vorstehend erwähnten Schaltungen OCD1, OCD3 und CLC1.
• Der Leitungsverstärker LOA1 ist beispielsweise von der Art, wie er in der erwähnten US-A-4,566,879 beschrieben ist. Seine Ausgangsstufe OS1 wird von einem PMOS-Transistor PM1 und einem NMOS-Transistor NM1 gebildet, deren Hauptstrompfade in Reihe zwischen V+ und VT liegen und deren Gateanschlüsse mit entsprechenden Gleichstrom-Versorgungsschaltungen verbunden sind, welche jede schematisch durch die Reihenschaltung einer Konstantstromquelle CS1/2 und einem Widerstand R3/4 dargestellt ist. Der Gateanschluß von PM1 ist mit dem Verbindungspunkt von R3 und CS1 verbunden, und der Gateanschluß von NM1 ist mit dem Verbindungspunkt von R4 und CS2 verbunden. Der Verbindungspunkt B1 von PM1 und NM1 ist mit dem Ausgang TP von LOA1 über einen Meßwiderstand R5 verbunden, welcher Teil der Strombegrenzungsschaltung CLC1 ist.
• Die individuelle Überstromprüfschaltung OCD1, welche Bestandteil des Verstärkers LOA1 ist, enthält einen NMOS-Transistor NM2, welcher in Stromspiegelanordnung mit dem Transistor NM1 und dem Widerstand R6 zusammenwirkt, welcher in Reihe zur Drain-Source-Strecke von NM2 zwischen V+ und VT liegt, d.h. parallel zu PM1, NM1. Der Verbindungspunkt von R6 und NM2 ist mit der Basis des PNP-Transistors T1 verbunden, dessen Emitter-Kollektor-Strecke in Reihe zur Drain-Source-Strecke des NMOS-Transistors NM3 und der Konstantstromquelle CS3, welche Teil der gemeinsamen Überstromprüfschaltung OCD3 ist, zwischen V+ und V- angeordnet ist. Der Gateanschluß von NM3 liegt an VAUX. Der Kollektor von T1 bildet den vorstehend erwähnten Ausgang A1 von OCD1 und der Verbindungspunkt C1 von NM3 und CS3 ist mit gleichnamigen Eingang C1 der Torschaltung GC1 verbunden. Die Bauelemente R6, T1, NM3, CS3 bilden einen Strom-Spannungswandler.
• Der Leitungsverstärker LOA2 ist mit LOA1 identisch und die individuelle, sich an diese Stufe anschließende Überstromprüfschaltung OCD2 (nicht gezeigt) ist mit seinem Ausgang A2 mit der gemeinsamen Überstromprüfschaltung OCD3 verbunden. Der Ausgang A2 ist mit der Drainelektrode des NMOS-Transistors NM4 verbunden, dessen Drain-Source-Strecke in Reihe mit der Konstantstromquelle CS4 mit V- verbunden ist. Der Verbindungspunkt C2 von NM4 und CS4, welche mit NM3 und CS3 identisch sind, ist mit dem gleichnamigen Eingang C2 der Torschaltung GC1 verbunden.
• Mit der Torschaltung GC1 ist außerdem ein sogenannter (nicht gezeigter) digitaler Signalprozessor (DSP) verbunden, wie er in der vorstehend erwähnten EP-A-0 201 635 und GB-A-2 149 618 beschrieben ist. Der DSP liefert die folgenden drei Steuersignale an die vorstehend erwähnten Eingänge BR0, BR1 und BPW von GC1:
• BR0 und BR1: Mit diesen binären Steuersignalen unterrichtet der SDP die Leitungsschaltung über die Tatsache, daß die Spannungen an den Ausgängen TP/RG von LO1/2 einen hohen (H) oder niedrigen (L) Wert gemäß folgender Wahrheitstabelle haben:
• Während die allgemeine Wirkungsweise des DSP die gleiche wie im Patent ist, zeigen seine Binärzustände andere Zustände von TP/RG an.
• Der Zustand, bei dem BR0=BR1=1 ist, ist der sogenannte Erdverbindungszustand (z.B. V+), in welchem sich die Rückströme der Verstärker LOA1/2 in einem gesteuerten Zustand befinden.
• BPW: Mit diesem binären Steuersignal versucht der DSP die Leitungsschaltung in einen Zustand hoher Leistung (BPW=1) oder niedriger Leistung (BPW=0) zu bringen, d.h. in einen Zustand, in welchem die Strombegrenzungsschaltungen CLC1/2 eines jeden Verstärkers LOA1/2 den Stromfluß darin auf einen höheren/niedrigeren Wert begrenzen, wie später noch erläutert wird.
• Als Reaktion auf die erhaltenen Steuersignale liefert die Torschaltung GC1 ein individuelles Leistung hoch/niedrig-Signal BPWO, welches folgender Bool'sche Gleichung folgt:
• BPWO = ( + + BR0 BR1) BPW (1)
• und welche beide Strombegrenzungsschaltungen CLC1/2 wirkungsvoll steuert. Aus der Gleichung (1) ergibt sich, daß BPWO auf 0 ist, wenn BPW auf 0 ist, aber daß BPWO auf 0 sein kann, wenn BPW auf 1 ist. Das trifft insbesondere dann zu, wenn gleichzeitig C1=C2=1 und BR0 BR1=0 sind; der erste Zustand entspricht einem in beiden Verstärkern LOA1/2 festgestellten Überstrom und der zweite Zustand einer nicht vorhandenen Erdverbindung.
• Der Ausgang BPWO von GC1 ist mit beiden in LOA1 und LOA2 enthaltenen Strombegrenzungsschaltungen CLC1 und CLC2 verbunden, von denen nur CLC1 in Fig. 2 gezeigt ist. Der Ausgang BPWO ist mit dem Steuereingang der Torschaltung GC2 verbunden, welche zwei weitere Eingänge besitzt, denen entsprechende Bezugsspannungen VR1 und VR2 zugeführt werden. VR1 ist höher als VR2. In Abhängigkeit von dem 1/0-Zustand des BPWO-Signals an dem gleichnamigen Ausgang BPWO liegt entweder die Spannung VR1 oder VR2 am Ausgang GC2 vor. Dieser Ausgang ist mit einem Eingang des Spannungsvergleichers COMP wenn der andere Eingang mit dem Ausgang der Spannungs-Meßschaltung VMC verbunden ist, welche am Widerstand R5 liegt und in der Lage ist, den durch den Rückstrom von TP nach NM1 verursachten Spannungsabfall zu messen. Der Ausgang des Spannungsvergleichers COMP ist mit dem Gateanschluß des NMOS-Transistors NM5 verbunden, dessen Drainanschluß mit den verbundenen Gateanschlüssen von NM1, NM2 verbunden ist und dessen Sourceanschluß bei VT an einer Vorspannung liegt.
• Bei normalen Betriebsbedingungen der Leitungsschaltung sind die Ausgangstransistoren PM1 und NM1 der Leitungsverstärker LOA1/2 von den Gleich-Vorspannungsschaltungen, welche aus den Bauelementen R3, CS1 und CS2, R4 bestehen, in ausreichender Weise mit Vorspannungen versorgt. Entweder liefert der Transistor PM1 Strom von V+ über den Widerstand R5 an den Ausgang TR/RG oder der Transistor NM1 erhält einen Rückstrom von VT auch über den Widerstand R5. Im letzten Fall wird der durch NM1 fließende Strom, angenommen mit dem Wert I, in dem Transistor NM2 im Verhältnis I/m gespiegelt, wenn die Source-Oberfläche von NM1 die m-fache von NM2 ist. Ein Strom I/m fließt daher über den Widerstand R6 und NM2 von V+ nach VT, wobei der Energieverbrauch in diesem Widerstand vermindert wird. Normalerweise ist die am Widerstand K6 abfallende Spannung geringer als die Schwellenspannung VBE des PNP-Transistors T1, so daß dieser gesperrt bleibt.
• Falls die Leitungsschaltung sich im wirksamen "Leistung Hoch"-Zustand befindet, bei dem BPWO auf 1 ist, verbindet die Torschaltung GC2 die höhere Bezugsspannung VR1 mit dem Vergleicher COMP. In diesem Fall wird ein Rückstrom, der vom Ausgang TP oder RG über den Widerstand R5 und Transistor NM1 zu VT fließt, nur verringert, wenn er einen bestimmten höheren Wert übersteigt. Wenn er an R5 einen Spannungsabfall erzeugt, welcher höher als VR1 ist, dann wird der Ausgang des Vergleichers COMP wirksam (z.B. logische 1), wodurch der Transistor NM5 leitend wird. Als Folge davon wird der Strom von den Gates der Transistoren NM1 und NM2 abgeleitet, so daß der durch NM1 fließende Strom verringert wird.
• Wenn sich im Gegensatz dazu die Leitungsschaltung im "Leistung-Niedrig"-Zustand befindet, bei dem BPWO auf 0 ist, verbindet die Torschaltung GC2 die niedrigere Bezugsspannung VR2 mit dem Vergleicher COMP, so daß sein Ausgang nur dann wirksam gemacht wird, wenn der durch den Rückstrom durch R5 und NM1 nach VT erzeugte Spannungsabfall, welcher durch die Schaltung VMC gemessen wird, den Wert VR2 übersteigt. Das bedeutet, daß - wenn BPWO auf 0 ist - ein kleinerer Strom durch NM1 zugelassen wird, als wenn BPWO auf 1 ist.
• Falls die Leitungsschaltung sich in wirksamem "Leistung-Hoch"-Zustand befindet, bei dem BPWO auf 1 ist, und wenn keine Erdverbindung vorhanden ist, d.h. wenn gleichzeitig BPW=1 und BR0 BR1=0 sind, dann verursacht eine irrtümliche Verbindung einer Spannung, z.B. V+, mit beiden Leitungen L1 und L2 eine starke Steigerung der Rückströme in beiden Verstärkern LOA1/2 und das Signal BPWO wird in den 0-Zustand gebracht, so daß die Leitungsschaltung in den wirksamen "Leistung-Niedrig"-Zustand versetzt wird. Wenn die vom Strom I/m am Widerstand R6 des Verstärkers LOA1 erzeugte Spannung die Spannung VBE des Transistors T1 übersteigt, dann wird dieser leitend. Dann kann ein Strom von V+ durch die Transistoren T1, NM3 und die Konstantstromquelle CS3 nach V- fließen. Das gleiche trifft auf den Verstärker LOA2 zu, bei dem ein Strom von V+ durch die Transistoren T1 (des nicht gezeigten LOA2), NM4 und die Konstantstromquelle CS4 nach V- fließt. Dadurch ändert sich die Source-Spannung der Transistoren NM3 und NM4 von 0 nach VAUX-VGS, wobei VGS die Gate-Source-Spannung dieser Transistoren ist. Das bedeutet, daß beide Ausgänge C1 und C2 der Transistoren NM3 und NM4 wirksam gemacht werden (logische 1). Aus der vorstehenden Formel (1) ergibt sich, daß der Ausgang BPWO der Torschaltung GC1 unwirksam wird (logische 0), welches die Strombegrenzungsschaltungen CLC1/2 in den "Leistung-Niedrig"-Zustand versetzt.
• Wie vorstehend beschrieben, wird der Transistor T1 leitend, wenn seine Spannung VBE den Spannungsabfall übersteigt welcher von dem Strom I/m am Widerstand R6 erzeugt wird. Während der Faktor I/m in einer integrierten Schaltung sehr genau gemacht werden kann, ist das nicht für den Widerstand R6 und die Spannung VBE zustreffend, welche temperaturabhängig sind. Das führt zu geringen Fehlern, obwohl R6 einen negativen Temperaturkoeffizienten erhalten kann, um eine Anpassung an denjenigen der Basis-Emitter-Strecke von T1 vorzunehmen.
• Um solche geringen Fehler zu vermeiden, kann die Schaltung gemäß Fig. 3 verwendet werden. In dieser Schaltung bildet der PNP-Transistor T1 mit einem anderen PNP-Transistor T2 einen Vergleicher, in welchem eine Konstantstromquelle CS5 zwischen V+ und den Emittern der Transistoren T2 und T2 liegt, deren Kollektoren mit der Drainelektrode A1 des Transistors NM3 bzw. mit VT verbunden sind. Die Basis von T1 ist wieder mit dem Verbindungspunkt von R6 und NM2 verbunden, währenddessen die Basis von T2 mit dem Verbindungspunkt von Widerstand R7 und einer Konstantstromquelle CS6, welche zwischen V+ und VT in Reihe liegen, verbunden ist. Die Folge davon ist, daß die am Widerstand R7 erzeugte Schwellenspannung und die am Widerstand R6 abgenommene Spannung von den Widerständen R6 und R7 bestimmt werden, und diese können leicht angepaßt werden. Die Genauigkeit des Vergleichs ist daher nur von der Genaugikeit des Faktors m abhängig.
• Um den Energieverbrauch im Widerstand R7 zu verkleinern, kann er einen Wert erhalten, welcher um ein n-faches höher als der von R6 ist; dazu wird die Stromquelle CS6 verwendet, welche einen n-mal geringeren Strom erzeugt als derjenige, bei dem T1 leitend wird.
• Während die Grundsätze der Erfindung vorstehend anhand von bestimmten Vorrichtungen beschrieben worden sind, soll darauf hingewiesen werden, daß diese Beschreibung nur als Ausführungsbeispiel und nicht als Beschränkung des Schutzumfanges gedacht ist.

Claims (11)

1. Verstärkeranordnung, welche wenigstens zwei Verstärker (LOA1/2) enthält, von denen jeder Gleichstrom durch ein Element (T) leiten kann, welches zu beiden Verstärkern (LOA1/2) gehört, von denen jeder eine individuelle Überstromprüfschaltung (OCD1(2) enthält, welche mit einer Strombegrenzungsschaltung (CLG1/2) gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem eine gemeinsame Überstromprüfschaltung (OCD3) enthält, deren Eingänge (A1/2) mit den Ausgängen (A1/2) der entsprechenden individuellen Überstromprüfschaltungen (OCD1/2) gekoppelt sind und welche Ausgänge (C1/2) besitzen, an denen entsprechende erste (C1) und zweite (C2) Steuersignale vorhanden sind, wobei der Wert eines jeden Steuersignals anzeigt ob der von der zugeordneten individuellen Überstromprüfschaltung (OCD1/2) geprüfte Strom einen bestimmten Schwellenwert übersteigt oder nicht, und eine gemeinsame Torschaltung (GC1), welche von den ersten (C1) und zweiten (C2) Steuersignalen gesteuert ist und ein Ausgangssignal (BPWO) erzeugt, welches die Strombegrenzungsschaltungen (CLC1/2) der Verstärker (LOA1/2) steuert.

2. Verstärkeranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Strombegrenzungsschaltung (CLC1/2) eines jeden Verstärkers (LOA1/2) sich in einem ersten/zweiten Zustand befindet, in welchem sie den Strom, welcher von dem Verstärker in das Element (T) geleitet wird, auf einen ersten/zweiten Wert begrenzt welcher von dem ersten/zweiten Zustand des Ausgangssignals (BPWO) der Torschaltung abhängt.

3. Verstärkeranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Torschaltung (GC1) einen dritten Eingang (BPW) besitzt, welcher von einem dritten Steuersignal (BPW) gesteuert wird, dessen erster/zweiter Zustand das Ausgangssignal (BPWO) der Torschaltung jeweils in den ersten/zweiten Zustand bringt.

4. Verstärkeranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Torschaltung (GC1) einen vierten Eingang (BR0) besitzt, welcher von einem vierten Steuersignal (BR0) gesteuert wird, dessen erster/zweiter Zustand das Ausgangssignal (BPWO) der Torschaltung jeweils in den ersten/zweiten Zustand bringt und daß sie einen fünften Eingang (BR1) besitzt, welcher von einem vierten Steuersignal (BR1) gesteuert wird, dessen erster/zweiter Zustand das Ausgangssignal (BPWO) der Torschaltung jeweils in den ersten/zweiten Zustand bringt.

5. Verstärkerschaltung nach den Ansprüchen 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangssignal (BPWO) der Torschaltung durch folgende Bool'sche Gleichung dargestellt werden kann:

BPWO = ( + + BR0 BR1) BPW, in welcher BPWO das Ausgangssignal der Torschaltung ist und C1, C2, BPW, BR0 und BR1 jeweils das erste, zweite, dritte, vierte und fünfte Steuersignal sind.

6. Verstärkeranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Verstärker (LOA1/2) einen ersten, den Strom leitenden Transistor (NM1) enthält, der in Serie mit dem gemeinsamen Element geschaltet ist, welches aus einem zweiten Transistor (T) zwischen dem Verstärkerausgang (TP) und einer Versorgungsspannung (V-) besteht, wobei der erste Transistor (NM1) in Strom-Spiegel-Anordnung mit einem dritten Transistor (NM2) gekoppelt ist, dessen Haupt-Strompfad einen Teil der Überstromprüfschaltung (OCD1/2) bildet.

7. Verstärkeranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß jede der individuellen Überstromprüfschaltungen (OCD1/2) und ein entsprechender Teil (NM3, CS3, NM4, CS4) der gemeinsamen Überstromprüfschaltung (OCD3) einen Strom-Spannungswandler bilden, bei dem in der individuellen Schaltung (OCD1) eine Impedanz (R6) im Hauptstrompfad des dritten Transistors (NM2) enthalten ist und Mittel zum Vergleichen der an der Impedanz (R6) vorhandenen Spannung mit einem bestimmten Spannungs-Schwellenwert und zum Betreiben eines vierten Transistors (T1) mit dem Ausgang (A1), welcher der Ausgang der individuellen Schaltung (OCD1) ist, wenn der Schwellenwert überschritten ist; der vierte Transistor (T1) liegt in der gemeinsamen Schaltung (OCD3) in Reihe mit dem Haupt-Strompfad des fünften Transistors (NM3) und einer Konstant-Stromquelle (CS3), wobei der fünfte Transistor (NM3) eine konstante Torspannung (VAUX) besitzt und der Verbindungspunkt mit der der Konstantstromquelle ein Ausgang (C1) der gemeinsamen Schaltung (OCD3) darstellt.

8. Verstärkeranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der bestimmte Spannungs-Schwellenwert die Vorwärts-Basis-Emitter-Spannung (VBE) des zweiten Transistors (T1) ist, dessen Emitter-Basis-Strecke die Impedanz (R6) parallel geschaltet ist.

9. Verstärkeranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Spannungsvergleich einen sechsten Transistor (T2) aufweisen, dessen Basis mit dem Verbindungspunkt einer zweiten Impedanz (R7) und einer zweiten Konstantstrom-Quelle (CS6) verbunden ist, die in Reihe zu zwei Spannungen (V+, VT) und parallel zu einer Reihenschaltung aus der ersten Impedanz (R6) und dem zweiten Transistor (NM2) angeordnet sind, wobei der Haupt-Strompfad des vierten (T1) und des sechsten Transistors (T2) aus einer dritten Konstantstromquelle (CS5) gespeist wird.

10. Übertragungsleitungsschaltung mit einer Verstärkeranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausgänge dieser Verstärker (LOA1/2) mit den entsprechenden Leitern (L1/2) einer Übertragungsleitung verbunden sind.

11. Übertragungsleitungsschaltung nach den Ansprüchen 3, 4 und 10, dadurch gekennzeichnet, daß das dritte (BPW), vierte (BR0) und fünfte Steuersignal von einem Steuerprozessor (DSP) geliefert werden.