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ERFINDUNGSGEBIET
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Das
Gebiet der vorliegenden Erfindung betrifft mikroelektromechanische
Systeme (MEMS) und betrifft insbesondere MEMS-Vorrichtungen und
Verfahren für
das Schalten von akustischen Oberflächenwellen (AOW).
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ALLGEMEINER
STAND DER TECHNIK
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Filter
und Schalter werden häufig
in Kombination in elektronischen Einrichtungen verwendet. Bei Mobiltelefonen
zum Beispiel werden Hochfrequenz-(HF)-Signale von einer Antenne
detektiert, in elektrische Signale umgewandelt und dann verarbeitet.
Zur Verarbeitung der Signale wird ein Schalter benötigt, um
die HF-Antenne auf ein Filter auf der Empfangsseite der Einrichtung
oder zu einem Filter auf der Sendeseite der Einrichtung umzuschalten. Außerdem werden
Schalter zum Wechseln zwischen Frequenzkanälen benötigt. Bei den meisten elektronischen
Einrichtungen liegen die Schalter in Form von Transistoren vor.
In der Technik der Elektronik ist bekannt, dass elektrische Signale
unter einem „Einfügungsverlust" vom Durchlaufen
der Schalt- und Filterschaltungsanordnung leiden.
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AOW-Einrichtungen
werden in bestimmten elektronischen Anwendungen als Resonatoren
und Filter verwendet. Bei einem AOW-Filter wird ein elektrisches
Signal in einen auf einem piezoelektrischen Substrat ausgebildeten
AOW-Eingangswandler eingegeben. Das eingegebene elektrische Signal
weist in der Regel einen relativ breiten Bereich von Frequenzen
auf. Der AOW-Eingangswandler erzeugt jedoch eine AOW mit nur einem
schmalen Bereich von Frequenzen. Die AOW breitet sich dann über das Substrat
aus und wird von einem AOW-Ausgangswandler detektiert. Der AOW-Ausgangswandler
reagiert nur auf einen schmalen Bereich von AOW-Frequenzen, wodurch
die Signalfilterung weiter erhöht wird.
Die detektierte AOW wird dann in ein elektrisches Ausgangssignal
umgewandelt, das einen schmaleren Frequenzbereich als das elektrische
Eingangssignal aufweist.
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MEMS-Schalter
werden auch in ausgewählten
elektronischen Anwendungen eingesetzt. Ein Beispiel für einen
MEMS-Schalter ist ein Kondensatorshuntschalter, der eine obere Elektrode
in Form einer Membran und eine untere Elektrode in Form einer Übertragungsleitung
enthält.
Wenn bei Betrieb eine Gleichstrom-(DC)-Betätigungsspannung an die obere
Elektrode (Membran) und die untere Elektrode (Übertragungsleitung) angelegt
wird, wird die Membran abgelenkt, um mit der dielektrischen Schicht
der Übertragungsleitung
einen physischen Kontakt herzustellen. Dies schließt die Schaltung
nach Masse kurz, wodurch die Übertragung
von sich durch die Übertragungsleitung
ausbreitenden Signalen unterbrochen wird.
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Gegenwärtig werden
sowohl MEMS- als auch AOW-Einrichtungen in einer Vielzahl elektronischer
Einrichtungen als Resonatoren, Filter und Schalter verwendet. Beispielsweise
offenbart
US 3,999,153 ein
AOW-Filter, der ein Glied umfasst, das zu Oberflächenschwingungen angeregt werden
kann und das auch Mittel aufweist zum Umwandeln elektrischer Energie
in mechanische Energie und umgekehrt. Eine Aufgabe der Erfindung
besteht in der Bereitstellung eines AOW-Filters, der die Übertragungscharakteristik
eines Mehrfachfilters aufweist.
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Dennoch
beinhalten die allgemeinen Ansätze
zum Schalten und Filtern unter Verwendung von AOW- und/oder MEMS-Einrichtungen
das Schalten im elektrischen Bereich und das Filtern im akustischen
Bereich. Dieser Ansatz ist wegen der assoziierten Einfügungsverluste
im Allgemeinen ineffizient. Leider gibt es gegenwärtig wegen
des Mangels an effizienten Schaltern auf Akustikbasis keine alternativen
Ansätze.
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KURZE BESCHREIBUNG DER
ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine schematische Draufsicht auf ein verallgemeinertes Ausführungsbeispiel
einer MEMS-Schaltvorrichtung mit einer Betätigungselektrode mit zwei Elektrodengliedern;
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2 ist
eine schematische Draufsicht auf ein weiteres verallgemeinertes
Ausführungsbeispiel einer
MEMS-Schaltvorrichtung ähnlich
der von 1, außer dass die Betätigungselektrode
ein einzelnes Elektrodenglied enthält, das unter dem verformbaren
Glied liegt;
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3A ist
eine schematische Draufsicht auf ein verallgemeinertes Ausführungsbeispiel
der MEMS-Schaltvorrichtung von 1, wobei
der MEMS-Schalter ein verformbares Glied mit einer Gitterschicht
enthält;
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3B ist
eine Querschnittsansicht des verformbaren Glieds des MEMS-Schalters
von 3A und veranschaulicht die strukturelle Schicht
und die Gitterschicht eingehender;
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3C ist
eine vergrößerte Draufsicht
auf den MEMS-Schalter von 3A und
veranschaulicht ein vier Betätigungselektroden
verwendendes Ausführungsbeispiel;
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4A ist
eine schematische Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel der MEMS-Schaltvorrichtung
von 1, wobei der MEMS-Schalter ein verformbares Glied
mit einer Absorberschicht enthält; und
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4B ist
eine Querschnittsansicht des verformbaren Glieds des MEMS-Schalters
von 4A und veranschaulicht die strukturelle Schicht
und die Absorberschicht eingehender.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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In
der folgenden ausführlichen
Beschreibung der Ausführungsformen
der Erfindung wird auf die beiliegenden Zeich nungen Bezug genommen,
die Teil hiervon bilden und in denen veranschaulichend verschiedene
Ausführungsformen
gezeigt sind, wie die Erfindung praktiziert werden kann. Diese Ausführungsformen
werden ausreichend ausführlich
beschrieben, damit der Fachmann sie praktizieren kann, und es versteht
sich, dass andere Ausführungsformen
genutzt werden können
und dass Änderungen
vorgenommen werden können,
ohne von ihrem Schutzbereich abzuweichen. Die folgende ausführliche
Beschreibung ist deshalb nicht in einem beschränkenden Sinne aufzufassen,
und der Schutzbereich der Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung wird nur durch die angehängten Ansprüche definiert.
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1 ist
eine schematische Draufsicht eines verallgemeinerten Ausführungsbeispiels
einer MEMS-Schaltvorrichtung 100. Die Vorrichtung 100 enthält einen
AOW-Eingangswandler 112 und einen AOW-Ausgangswandler 114,
jeweils auf oder über einer
oberen Oberfläche 117 eines
piezoelektrischen Substrats 118 ausgebildet. Der AOW-Eingangswandler 112 enthält einen
ersten und zweiten Satz 120, 122 aus ineinandergreifend
angeordneten Elektrodenfingern 124 und 126. Gleichermaßen enthält der AOW-Ausgangswandler 114 einen
ersten und zweiten Satz 128 und 130 aus ineinandergreifend
angeordneten Elektrodenfingern 132 und 134.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
werden die Elektrodenfingersätze 120 und 122 aus
einem Metallfilm hergestellt, ausgebildet unter Verwendung von fotolithographischen
und Dünnfilmprozessen,
die entweder Ätz-
oder Liftoff-Techniken beinhalten können. Bei einem Ausführungsbeispiel
des AOW-Eingangswandlers 112 liegen
die Breite W1 jedes Elektrodenfingers 124 und 126 und
der Abstand S1 zwischen benachbarten Elektrodenfingern auf dem Mikrometer-
oder Submikrometerniveau. Gleichermaßen liegen bei einem Ausführungsbeispiel
des AOW-Ausgangswandlers 114 liegen die Breite W2 jedes
Elektrodenfingers 132 und 134 und der Abstand S2 zwischen
benachbarten Elektrodenfingern auf dem Mikrometer- oder Submikrometerniveau.
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Der
AOW-Eingangs- und Ausgangswandler 112 und 114 definieren
einen AOW-Weg 137, über den
sich eine AOW ausbreitet. Der AOW-Weg 137 ist definiert
als das Gebiet der Substratoberfläche 117 zwischen dem
AOW-Eingangs- und Ausgangswandler. Die Breite des AOW-Wegs 137 ist
im wesentlichen gleich der Breite der AOW-Wandler, so dass der AOW-Weg
im Wesentlichen von der Größe und dem Abstand
der AOW-Wandler bestimmt wird und den Bereich zwischen den AOW-Wandlern
abdeckt.
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Eine
elektrische-Signal-(z.B. Spannungs-)-Quelle 140 ist über Drähte 141 und 142 an Elektrodenfingersätze 120 und 122 des
AOW-Eingangswandlers 112 gekoppelt und dient zum Ansteuern
des AOW-Eingangswandlers. Bei einem Ausführungsbeispiel ist die elektrische
Signalquelle 140 ein elektronisches Element oder eine elektronische
Einrichtung wie etwa eine HF-Antenne oder ein Verstärker. Weiter
ist ein elektronisches Element oder eine elektronische Einrichtung 144 über Drähte 145 und 146 elektrisch
an Elektrodenfingersätze 128 und 130 des
AOW-Ausgangswandlers 114 gekoppelt. Bei einem Ausführungsbeispiel
ist das elektronische Element oder die elektronische Einrichtung 144 ein
Verstärker
(zum Beispiel ein rauscharmer Verstärker), ein elektronisches Filter
oder ein analoger Signalverarbeitungschip. Alternativ enthält die elektronische Einrichtung 144 einige
oder alle dieser (oder ähnlicher)
Elemente.
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Die
Vorrichtung 100 enthält
weiterhin einen auf einem piezoelektrischen Substrat 118 zwischen AOW-Eingangswandler 112 und
AOW-Ausgangswandler 114 ausgebildeten MEMS-Schalter 150.
Der MEMS-Schalter 150 enthält mit dem Substrat 118 an der
oberen Oberfläche
verbundene Anker 160. Die Anker 160 unterstützen ein
verformbares Glied 166, das dafür ausgelegt ist, die obere
Oberfläche 117 innerhalb
des AOW-Wegs 137 mechanisch zu kontaktieren. Bei einem
Ausführungsbeispiel
ist das verformbare Glied 166 ein Balken. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel
ist das verformbare Glied 166 eine Membran.
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Der
MEMS-Schalter 150 enthält
eine auf der Substratoberfläche 117 ausgebildete
Aktivierungselektrode 170. Die Aktivierungselektrode 170 ist
so ausgelegt, dass sie mit dem verformbaren Glied 166 in
elektromagnetischer Kommunikation steht. Insbesondere ist die Aktivierungselektrode 170 so
ausgelegt und angeordnet, dass sie das verformbare Glied 166 mit
ausreichender Stärke
elektromagnetisch in Eingriff nimmt, um zu verursachen, dass sich
das verformbare Glied verformt und die obere Oberfläche 117 des
Substrats kontaktiert, wenn ein elektrisches Signal (zum Beispiel
ein Spannungssignal) an die Aktivierungselektrode angelegt wird.
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Die
Aktivierungselektrode 170 kann aus einem oder mehreren
Elektrodenelementen bestehen. Beispielsweise besteht bei dem in 1 dargestellten
Ausführungsbeispiel
die Aktivierungselektrode 170 aus zwei seitlichen Elektrodenelementen 170A und 170B,
die auf der oberen Oberfläche 117 unter dem
verformbaren Glied 166 und benachbarten Ankern 160 angeordnet
ist. Bei einem Ausführungsbeispiel
liegen die Elektrodenelemente 170A und 170B völlig außerhalb
des AOW-Wegs 137.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel
liegen die die Elektrode 170 ausmachenden Elektrodenelemente
zumindest teilweise außerhalb
des AOW-Wegs 137.
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Bei
einem weiteren, in 2 dargestellten Beispiel enthält die Aktivierungselektrode 170 des MEMS-Schalters 150 ein
einzelnes Elektrodenelement 170A, das sich auf einer oberen
Oberfläche 117 des
Substrats direkt unter dem verformbaren Glied 166 innerhalb
des AOW-Wegs 137 befindet. Das Aktivierungselektrodenglied 170A ist
leitend und enthält bei
Ausführungsbeispielen
ein verschleißfestes
Metall wie etwa Cr oder enthält
einen Isolator wie etwa dotierten Diamant. Um den Verlust an AOW-Energie beim
Passieren über
die Aktivierungselektrode zu minimieren, sollte die Aktivierungselektrode 170A im Vergleich
zur Wellenlänge
der eingegebenen AOW 210 relativ dünn und gleichförmig sein.
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An
den MEMS-Schalter 150 und die Aktivierungselektrode 170 ist über einen
Draht 188 eine elektrische Betätigungssignal-(z.B. Spannungs-)-Quelle 190 gekoppelt,
die den MEMS-Schalter
periodisch betätigt
(d.h. aktiviert oder „einschaltet"), um das verformbare
Glied 166 so zu verformen, dass das verformbare Glied selektiv
mechanisch mit einem Abschnitt der oberen Oberfläche 117 des Substrats
innerhalb des AOW-Wegs 137 in Kontakt gebracht oder davon
entfernt wird.
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Unter
weiterer Bezugnahme auf 1 funktioniert die Vorrichtung 100 wie
folgt. Die elektrische Signalquelle 140 legt ein elektrisches
Eingangssignal 200 zwischen Sätzen 120 und 122 von
Elektrodenfingern 124 und 126 an. Dies erzeugt
eine periodische Formänderung
im piezoelektrischen Substrat 118, wodurch eine Eingangs-AOW 210 erzeugt
wird, die sich über
die Substratoberfläche 117 und
innerhalb des AOW-Wegs 137 ausbreitet. Die Elektrodenfingerbreite
W1, der Elektrodenfingerabstand S1, das Interdigitalmuster der Elektrodenfinger 124 und 126 und
der Frequenzinhalt des angelegten elektrischen Eingangssignals bestimmen
Größe und Phase
der Eingangs-AOW 210. Die Eingangs-AOW breitet sich über die
obere Oberfläche 117 des
Substrats 118 zum MEMS-Schalter 150 aus.
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Wenn
sich der MEMS-Schalter 150 in einem ersten Zustand befindet,
steht das verformbare Glied nicht mit der Substratoberfläche 117 in
Kontakt. Dadurch kann sich die AOW 210 unter dem verformbaren
Glied und durch den MEMS-Schalter ausbreiten, ohne gestört zu werden.
Die Eingangs-AOW 210 breitet sich weiter entlang der Substratoberfläche 117 aus,
bis sie den AOW-Ausgangswandler 114 erreicht, wo sie in
ein elektrisches Ausgangssignal 220 umgewandelt wird. Das
elektrische Ausgangssignal 220 wird dann von der elektronischen
Einrichtung 144 weiter verarbeitet.
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Wenn
der MEMS-Schalter 150 über
ein elektrisches Signal 226 von einer elektrischen Signalquelle 190 in
einen zweiten Zustand umgeschaltet wird, nimmt die Aktivierungselektrode 170 das
verformbare Glied 166 elektromagnetisch in Eingriff und zieht
es an. Dies bewirkt, dass sich das verformbare Glied verformt und
einen Kontakt mit der oberen Oberfläche 117 des Substrats
herstellt. Bei einer Ausführungsform
der Vorrichtung 100 lenkt des verformbare Glied 166 das
meiste oder im Wesentlichen alles der Eingangs-AOW 210 ab,
wodurch eine abgelenkte AOW 230 gebildet wird. Diese Ablenkung
verhindert, dass das meiste oder im Wesentlichen alles der Eingangs-AOW 210 den
AOW-Ausgangswandler 114 erreicht.
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Weiterhin
wird bei einem Ausführungsbeispiel
die abgelenkte AOW 230 fakultativ von einem absorbierenden
Glied 240 absorbiert, das sich auf oder über der
oberen Oberfläche 117 des
Substrats befindet und positioniert ist, die abgelenkte AOW abzufangen.
Zu beispielhaften Materialien für
das absorbierende Glied 240 zählen Silikon oder silikonbasierte
Materialien, wie etwa RTV-3145, erhältlich von Dow-Corning, Inc.
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Bei
einem unten ausführlicher
beschriebenen weiteren Ausführungsbeispiel
enthält
das verformbare Glied 166 eine Absorberschicht, die das meiste
oder im Wesentlichen alles der Eingangs-AOW 210 absorbiert
und dadurch verhindert, dass die Eingangs-AOW 210 den AOW-Ausgangswandler 114 erreicht.
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Die
selektive Betätigung
des MEMS-Schalters 150 bewirkt, dass das verformbare Glied 166 auf eine
Weise mit der Eingangs-AOW 210 interagiert und sie modifiziert,
die es der Vorrichtung 100 gestattet, als ein akustischer
Schalter zu arbeiten. Mehrere spezifische Ausführungsbeispiele des verallgemeinerten
Ausführungsbeispiels
der Vorrichtung 100 werden nun unten eingehender dargelegt.
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MEMS-Schalter
mit Gitter
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3A ist
eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels des allgemeinen
Ausführungsbeispiels
der MEMS-Schaltvorrichtung 100 von 1. 3B ist
eine Querschnittsansicht des verformbaren Glieds 166 der
Vorrichtung 100 von 3A. Das
verformbare Glied 166 enthält bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel
eine strukturelle Schicht 254 mit einer unteren Oberfläche 256.
Auf der unteren Oberfläche 256 ist
eine Gitterschicht 260 mit Gitterlinien 262 mit
einem Gitterabstand SG ausgebildet. Sowohl
die strukturelle Schicht 254 als auch die Gitterschicht 260 können aus
einer Reihe von Materialien hergestellt sein. Bei Ausführungsbeispielen
enthält
die strukturelle Schicht 254 ein Metall wie etwa Ni, Au,
Ti oder Al, und die Gitterschicht 260 enthält ein Metall,
ein metallbeschichtetes Dielektrikum, Nitrid, Carbid oder ein Oxid
wie etwa SiO2.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
ist die Gitterschicht 260 unter einem Winkel θ relativ
zur Achse A1 orientiert. Dies führt
dazu, dass die Eingangs-AOW 210 entlang einer (gedachten)
Achse A2 abgelenkt wird, die die Achse A1 schneidet. Bei einem Ausführungsbeispiel
liegt der Absorber 240 entlang der Achse A2, um die abgelenkte
AOW 230 abzufangen und zu absorbieren. Bei einem Ausführungsbeispiel
ist der Orientierungswinkel θ derart, dass
die Ablenkung des Eingangs-AOW 210 unter einem rechten
Winkel auftritt, dass heißt
so, dass die Achsen A1 und A2 unter 90 Grad verlaufen.
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Der
besondere Gitterwinkel θ,
der erforderlich ist, um eine bestimmte Ablenkrichtung zu erzielen,
hängt von
den Ge schwindigkeiten der Eingangs- und abgelenkten AOWs 210 und 230 ab.
Es seien V1 die Geschwindigkeit der einfallenden
AOW 210 und VD die Geschwindigkeit
der abgelenkten AOW 230. Die Geschwindigkeit VD kann
aufgrund einer Anisotropie des piezoelektrischen Kristallsubstrats 118 von V1
verschieden sein. Die Teilung der Gitterschicht 260 wird
bestimmt durch P = V1 sin θ/f, wobei
f die Frequenz der einfallen AOW 210 ist. Die Bedingung für eine Ablenkung
unter rechtem Winkel ist gegeben durch tan θ = V1/VD. Weiter werden bei
dem Ausführungsbeispiel
die Anzahl der Gitterlinien und der Gitterabstand SG so
gewählt,
dass die einfallende AOW 210 maximal reflektiert wird.
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3C ist
eine vergrößerte Draufsicht
auf den MEMS-Schalter von 3A, der
vier Anker 160 mit daran angebrachten und mit dem verformbaren Glied 166 verbundene
Aufhängungsglieder 272 enthält. Außerdem enthält die Aktivierungselektrode 170 des
MEMS-Schalter vier Aktivierungselektrodenglieder 170A, 170B, 170C und 170D auf
der Substratoberfläche 117,
angeordnet unter dem verformbaren Glied 166 neben den vier
Ecken des verformbaren Glieds. Diese Anordnung gestattet zusätzliche
Flexibilität
des verformbaren Glieds 166 und liefert dabei auch Raum
zum Unterbringen mehrerer Aktivierungselektroden.
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Beim
Betrieb der MEMS-Schaltvorrichtung 100 von 3A steht
das verformbare Glied 166 in einem ersten Zustand nicht
mit der oberen Oberfläche 117 des
Substrats in Kontakt. Dadurch kann sich die Eingangs-AOW 210 direkt
zum AOW-Ausgangswandler 114 ausbreiten. Wenn jedoch der MEMS-Schalter 150 über ein
elektrisches Signal 226 von der elektrischen Betätigungssignalquelle 190 in den
zweiten Zustand umgeschaltet wird, nehmen die Aktivierungselektrodenglieder 170A, 170B, 170C und 170D das
verformbare Glied 116 elektromagnetisch in Eingriff und
verursachen, dass sich das verformbare Glied verformt und einen
Kontakt mit der oberen Oberfläche 117 des
Substrats herstellt. Dadurch kann die Gitterschicht des verformbaren
Glieds das meiste oder im Wesentlichen alles der Eingangs-AOW 210 abfangen
und ablenken.
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Bei
einem Ausführungsbeispiel
wird die einfallende AOW 230 fakultativ von dem absorbierenden
Glied 240 absorbiert. Diese Ablenkung und Absorption liefern
die selektive Isolation des AOW-Ausgangswandlers 114 von
dem AOW-Eingangswandler 112, die erforderlich ist, um eine
Schaltoperation durchzuführen.
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MEMS-Schalter
mit Absorberschicht
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4A ist
eine schematische Draufsicht auf ein weiteres Ausführungsbeispiel
der verallgemeinerten beispielhaften MEMS-Schaltvorrichtung 100 von 1. 4B ist
eine vergrößerte Querschnittsansicht
des verformbaren Glieds 166.
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Bei
der Vorrichtung 100 von 4A ist
das verformbare Glied 166 membranartig und enthält eine
strukturelle Schicht 304 mit einer unteren Oberfläche 306 und
eine Absorberschicht 310 mit einer auf der unteren Oberfläche der
strukturellen Schicht ausgebildeten unteren Oberfläche 312.
Die Absorberschicht 310 besteht aus einem Material, das
eine AOW absorbieren kann. Zu Ausführungsbeispielen der Absorberschicht 310 gehören ein
Polymer oder ein weiches Metall.
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Bei
bestimmtem Ausführungsbeispielen kann
das die Absorberschicht 310 bildende Material das Substrat 118 möglicherweise
beschädigen
oder kontaminieren. In einem derartigen Fall enthält ein fakultatives
Ausführungsbeispiel
eine über
der unteren Oberfläche 312 ausgebildete
dünne Linerschicht 316,
um die obere Oberfläche 117 vor
Beschädigung oder
Verunreinigung durch die Absorberschicht 310 zu schützen. Die
dünne Linerschicht 316 besteht
aus einem Material, das mit dem Material kompatibel ist, das das
Substrat 118 bildet, und enthält bei einem Ausführungsbeispiel
das gleiche Material, das das Substrat 118 bildet.
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Weiter
enthält
bei einem Ausführungsbeispiel
die obere Oberfläche 117 des
Substrats eine nicht gezeigte fakultative dünne Schutzschicht, um eine
darunterliegende Elektrode oder das piezoelektrische Substrat selbst
zu schützen.
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Wenn
sich beim Betrieb der MEMS-Schaltvorrichtung 100 von 4A der
MEMS-Schalter 150 im ersten Zustand befindet, kontaktiert
das verformbare Glied 166 die Substratoberfläche 117 nicht.
Dadurch kann sich die Eingangs-AOW 210 direkt durch den
MEMS-Schalter 150 und zum AOW-Ausgangswandler 114 ausbreiten.
Wenn jedoch der MEMS-Schalter 150 über ein elektrisches Signal 226 von
der elektrischen Betätigungssignalquelle 190 betätigt wird,
nehmen die Aktivierungselektroden 170A und 170B das
verformbare Glied 116 elektromagnetisch in Eingriff und
verursachen, dass es sich verformt und einen mechanischen Kontakt
mit der oberen Oberfläche 117 des
Substrats herstellt. Dadurch kann das verformbare Glied 166 das
meiste oder im Wesentlichen alles der Eingangs-AOW in der Absorberschicht 310 abfangen
und absorbieren. Diese Absorption liefert die selektive Isolation
des AOW-Ausgangswandlers 114 von dem AOW-Eingangswandler 112,
die erforderlich ist, um eine Schaltoperation durchzuführen.
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Wenngleich
die vorliegende Erfindung in Verbindung mit bevorzugten Ausführungsformen
beschrieben worden ist, versteht sich, dass sie nicht derart beschränkt ist.
Im Gegenteil soll sie alle Alternativen, Modifikationen und Äquivalente
abdecken, wie sie innerhalb des Schutzbereichs der Erfindungsausführungsformen
wie in den beigefügten
Ansprüchen
definiert enthalten sein können.