JP2005533442A

JP2005533442A - 表面音波切り替え用微小電子機械装置および方法

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Publication number: JP2005533442A
Application number: JP2004521855A
Authority: JP
Inventors: チンマー; ドンシム
Original assignee: Intel Corp
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Priority date: 2002-07-17
Filing date: 2003-07-11
Publication date: 2005-11-04
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Abstract

表面音波(ＳＡＷ)切り替え用の複数の微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）装置および方法が開示される。装置は、離間された複数の入力および出力ＳＡＷトランスデューサを有する１つの圧電基板を含む。１つのＭＥＭＳスイッチが、入力および出力ＳＡＷトランスデューサの間に配置される。ＭＥＭＳスイッチは、基板上またはその上部に形成された１つ以上の作動電極と電磁的に接触する１つの変形可能な部材を有する。変形可能な部材は、基板に機械的に接触して、入力ＳＡＷトランスデューサによって生成された１つのＳＡＷを歪曲または吸収するように、変形可能である。

Description

本発明の分野は、複数の微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）に関し、より詳細には、表面音波切り替え用の複数のＭＥＭＳ装置および方法に関する。

複数のフィルタおよび複数のスイッチは、複数の電子機器において組み合わせて用いられることが多い。例えば、複数の携帯電話において、複数の無線周波数（ＲＦ）信号が１つのアンテナによって検出され、複数の電気信号に変換された後、処理される。複数の信号を処理するには、装置の受信側の１つのフィルタにＲＦアンテナを切り替えるための１つのスイッチが必要である。加えて、複数の周波数チャンネル間で変化させるための複数のスイッチが必要である。ほとんどの複数の電子装置において、スイッチは、複数のトランジスタの形態を取る。電子技術において、複数の電気信号は、切り替えやフィルタ回路を通過することからの「挿入損失」という悪影響を受けることが知られている。

複数のＳＡＷ装置が、複数の共振器および複数のフィルタとして、ある複数の電子的応用において用いられている。１つのＳＡＷフィルタにおいて、１つの圧電基板上に形成された１つの入力ＳＡＷトランスデューサに、１つの電気信号が入力される。入力電気信号は、典型的には、比較的広い１つの範囲の複数の周波数を有する。しかしながら、入力ＳＡＷトランスデューサは、比較的狭い１つの範囲の複数の周波数しか有しない１つのＳＡＷを生成する。その後、ＳＡＷは、基板上を進行して、１つの出力ＳＡＷトランスデューサによって検出される。出力ＳＡＷトランスデューサは、１つの狭い範囲の複数のＳＡＷ周波数に対して応答するだけであり、さらに信号フィルタリングを強化するものである。その後、検出されたＳＡＷは、１つの出力電気信号に変換され、当該信号は、入力電気信号より狭い１つの周波数範囲を有する。

複数のＭＥＭＳスイッチも、複数の選択電子応用において用いられる。１つのＭＥＭＳスイッチの一例は、１つのコンデンサ分路スイッチであり、当該スイッチは、１つの薄膜の形態を取る１つの先端電極と、１つの通信路の形態を取る１つの底部電極とを含む。動作の際に、１つの直流（ＤＣ）作動電圧を先端電極（薄膜）および底部電極（通信路）の両端に印加した場合、薄膜が歪曲されて通信路の誘電層と物理的に接触する。これにより、回路が短絡して接地し、通信路を通過している複数の信号の送信を切断してしまう。

現在、複数のＭＥＭＳおよびＳＡＷ装置が、複数の共振器、複数のフィルタ、および複数のスイッチとして、様々な複数の電子機器に利用されている。しかも、複数のＳＡＷおよび／またはＭＥＭＳ装置を用いたスイッチングおよびフィルタリングに対する一般的な取り組みは、電気領域におけるスイッチングおよび音声領域におけるフィルタリングに関与している。この取り組みは、関連する挿入損失により、効率が悪い傾向がある。都合の悪いことには、別の取り組みは、音声に基づく複数の効率的なスイッチがないことにより、現在存在しない。

以下の本発明の複数の実施形態の詳細な説明において、この一部を形成する添付の図面が参照され、本発明の実施形態が実施されるであろう複数の特定の実施形態が、説明のために示される。これらの複数の実施形態は、当業者が実施できるように十分に詳細に説明され、他の複数の実施形態を用いることができること、およびその範囲を逸脱することなく複数の変更を施すことができることが理解されるべきである。以下の詳細な説明は、したがって、限定的な意味で取り上げられるべきではなく、本発明の実施形態の範囲は、添付のクレームによってのみ定義される。

図１は、１つのＭＥＭＳ切り替え装置１００の一般的な一実施形態例の概略的な平面図である。装置１００は、１つの入力ＳＡＷトランスデューサ１１２と、１つの出力ＳＡＷトランスデューサ１１４とを含み、それぞれは、１つの圧電基板１１８の１つの上部表面１１７の上またはその上部に形成される。入力ＳＡＷトランスデューサ１１２は、櫛形に配置された電極指１２４および１２６の第１および第２の組１２０および１２２を含む。同様に、出力ＳＡＷトランスデューサ１１４は、櫛型に配置された電極指１３２および１３４の第１および第２の組１２８および１３０を含む。

一実施形態例において、電極指の組１２０および１２２は、光食刻処理および薄膜処理を用いて形成された１つの金属薄膜からなり、エッチング技術またはリフトオフ技術のいずれかを含んでもよい。入力ＳＡＷトランスデューサ１１２の一実施形態例では、各電極指１２４および１２６の幅Ｗ１と、隣接する複数の電極指間の間隔Ｓ１とは、ミクロンまたはミクロン以下のレベルにある。同様に、出力ＳＡＷトランスデューサ１１４の一実施形態例では、各電極指１３２および１３４の幅Ｗ２と、隣接する複数の電極指間の間隔Ｓ２とは、ミクロンまたはミクロン以下のレベルにある。

入力および出力ＳＡＷトランスデューサ１１２および１１４は、１つの信号が進行する１つのＳＡＷパス１３７を画定している。ＳＡＷパス１３７は、入力および出力ＳＡＷトランスデューサ間の基板表面１１７の領域として画定される。ＳＡＷパス１３７の幅は、複数のＳＡＷトランスデューサの幅と実質的に同一であり、ＳＡＷパスは、複数のＳＡＷトランスデューサのサイズおよび間隔によって本質的に画定され、複数のＳＡＷトランスデューサ間の領域を範囲に含む。

１つの電気信号（例えば、電圧）源１４０は、入力ＳＡＷトランスデューサ１１２の電極指の組１２０および１２２に対して、電線１４１および１４２を介して結合され、入力ＳＡＷトランスデューサを駆動する役割を果たす。一実施形態例において、電子信号源１４０は、１つの電子素子または装置であって、１つのＲＦアンテナまたは１つの増幅器などである。さらに、１つの電子素子または装置１４４は、出力ＳＡＷトランスデューサ１１４の電極指の組１２８および１３０に対して、電線１４５および１４６を介して電気的に結合している。一実施形態例において、電子素子および装置１４４は、１つの増幅器（例えば、低雑音増幅器）、１つの電子フィルタ、または１つのアナログ信号処理チップである。代わりに、電子装置１４４は、これら（または類似の）素子のいくつかまたは全部を含む。

装置１００は、入力ＳＡＷトランスデューサ１１２および出力ＳＡＷトランスデューサ１１４間の圧電基板１１８上に形成された１つのＭＥＭＳスイッチ１５０をさらに含む。ＭＥＭＳスイッチ１５０は、基板１１８に上部表面１１７で接続された複数のアンカー１６０を含む。複数のアンカー１６０は、ＳＡＷパス１３７内の上部表面１１７に機械的に接触するようになっている１つの変形可能な部材１６６を支持する。一実施形態例において、変形可能な部材１６６は、梁である。他の実施形態例において、変形可能な部材１６６は、薄膜である。ＭＥＭＳスイッチ１５０は、基板表面１１７上に形成された１つの作動電極１７０を含む。

作動電極１７０は、変形可能な部材１６６と電磁的な通信を行うように配置されている。特に、作動電極１７０は、変形可能な部材１６６と十分な力で電磁的に係合するように設計および配置されて、１つの電気信号（例えば、１つの電圧信号）が作動電極に印加されるときに、変形可能な部材を変形および基板上部表面１１７に接触するようにする。作動電極１７０は、１つ以上の電極素子によって作成することができる。例えば、図１に示す実施形態例では、作動電極１７０は、上部表面１１７の上かつ変形可能な部材１６６および隣接する複数のアンカー１６０の下に配置された２つの側の作動電極素子１７０Ａおよび１７０Ｂによって作成される。一実施形態例において、電極素子１７０Ａおよび１７０Ｂは、ＳＡＷパス１３７の完全に外部に位置する。他の実施形態例において、電極１７０をなす複数の電極素子は、少なくとも一部はＳＡＷパス１３７の外部に位置する。

図２に示す他の実施形態例において、ＭＥＭＳスイッチ１５０の作動電極１７０は、基板上部表面１１７の上かつＳＡＷパス１３７内の変形可能な部材１６６の真下に位置する単一の電極部材１７０Ａを含む。作動電極部材１７０Ａは、伝導性を有し、複数の実施形態例において、クロムなどの耐久性のある金属を含むか、またはドープ処理されたダイアモンドなどの絶縁体を含む。作動電極を通過するときのＳＡＷエネルギーの損失を最小限にするために、作動電極１７０Ａは、入力ＳＡＷ２１０の波長に比べて、比較的薄くかつ均一でなければならない。

ＭＥＭＳスイッチ１５０および作動電極１７０に対して１つの電線１８８を介して結合されているのは、作動電気信号（例えば、電圧）源１９０であって、定期的にＭＥＭＳスイッチを作動させて（すなわち、作動または「オンにして」）、変形可能な部材がＳＡＷパス１３７内の基板上部表面１１７の一部分に対する機械的な接触または離間が選択的に行えるように、変形可能な部材１６６を変形させる。

図１の参照を続けて、装置１００は以下のように動作する。電気信号源１４０は、１つの入力電気信号２００を電極指１２４および１２６の組１２０および１２２の間に印加する。これは、圧電基板１１８の周期的な変形を生じさせ、それによって、基板表面１１７を渡ってＳＡＷパス１３７内を進行する１つの入力ＳＡＷ２１０を生じさせる。電極指の幅Ｗ１、電極指の間隔Ｓ１、櫛形状の電極指１２４および１２６、ならびに印加された入力電気信号２００の周波数内容によって、入力ＳＡＷ２１０の大きさおよび位相が決定される。入力ＳＡＷは、基板１１８の上部表面１１７を渡ってＭＥＭＳスイッチ１５０に伝播する。

ＭＥＭＳスイッチ１５０が第１の状態であるとき、変形可能な部材１６６は、基板表面１１７に接触していない。これにより、ＳＡＷ２１０は、変形可能な部材の下であってかつＭＥＭＳスイッチを通って、妨害されることなく伝播することができる。入力ＳＡＷ２１０は、基板表面１１７に沿って出力ＳＡＷトランスデューサ１１４に到達するまで伝播し続け、１つの出力電気信号２２０に変換される。出力電気信号２２０は、その後、電子装置１４４によってさらに処理される。

ＭＥＭＳスイッチ１５０が電気信号源１９０からの１つの電気信号２２６を介して第２の状態に切り替えられると、作動電極１７０は、変形可能な部材１６６と電磁的に係合し、引き付ける。これにより、変形可能な部材は変形し、かつ基板上部表面１１７と接触するようになる。装置１００の一実施例において、変形可能な部材１６６はほとんどまたは実質的に全部の入力ＳＡＷ２１０を歪曲して、それにより、１つの歪曲ＳＡＷ２３０を形成する。この歪曲により、ほとんどまたは実質的に全部の入力ＳＡＷ２１０が出力ＳＡＷトランスデューサ１１４に到達するのを防止する。

さらに、一実施形態例において、歪曲されたＳＡＷ２３０は、基板上部表面１１７上またはその上部に存在しかつ歪曲されたＳＡＷを遮断する１つの吸収部材２４０によって、任意的に吸収される。吸収部材２４０の複数の材料例は、ダウ・コーニング社から入手可能なＲＴＶ−３１４５などのシリコンおよびシリコンを基本とした物質を含む。

以下でより詳細に説明する他の実施形態例において、変形可能な部材１６６は、入力ＳＡＷ２１０のほとんどまたは実質的に全部を吸収する１つの吸収体層を含み、それにより、入力ＳＡＷ２１０が出力ＳＡＷトランスデューサ１１４に到達するのを防止する。

ＭＥＭＳスイッチ１５０の選択的な作動は、変形可能な部材１６６を、装置１００が音声スイッチとして動作できるように、入力ＳＡＷ２１０に対して連係または修正する。ここで、装置１００の一般的な実施形態例のうち、いくつかの特定の実施形態例について、以下に詳細に説明する。

格子付きのＭＥＭＳスイッチ：図３Ａは、図１のＭＥＭＳ切り替え装置１００の一般的な実施形態例の一実施形態例の概略的な平面図である。図３Ｂは、図３Ａの装置１００の変形可能な部材１６６の横断面図である。変形可能な部材１６６は、本実施形態例において、１つの下部表面２５６を有する１つの構造層２５４を含む。下部表面２５６に形成されているのは、格子間隔ＳＧである複数の格子線２６２を有する１つの格子層２６０である。構造層２５４および格子層２６０は共に、多くの物質によって形成することができる。複数の実施形態例において、構造層２５４は、ニッケル、金、チタン、またはアルミニウムなどの１つの金属を含み、格子層２６０は１つの金属、金属で被膜された１つの誘電体、窒化物、カーバイド、またはニ酸化ケイ素などの１つの酸化物を含む。

一実施形態例において、格子層２６０は、軸Ａ１に対して１つの角度θの方向を向いている。これにより、入力ＳＡＷ２１０は、軸Ａ１を横切る１つの（仮想）軸Ａ２に沿って歪曲する結果となる。一実施形態例において、吸収体２４０は、軸Ａ２に沿って位置して、歪曲されたＳＡＷ２３０を横断および吸収する。一実施形態例において、方位角θは、入力ＳＡＷフィルタ２１０の歪曲が直角で生じるように、すなわち、軸Ａ１および軸Ａ２が直角であるようにする。

１つの特定の歪み方向を達成するために必要な特定の格子角θは、入力および歪曲されたＳＡＷ２１０および２３０の速度に基づく。ＶＩを入射ＳＡＷ２１０の速度、ＶＤを歪曲されたＳＡＷ２３０の速度として考察する。圧電水晶基板１１８の異方性により、速度ＶＤは、ＶＩと異なってもよい。格子層２６０のピッチＰは、Ｐ＝ＶＩＳｉｎθ／ｆによって決定され、式中、ｆは入射ＳＡＷ２１０の周波数である。直角歪曲条件は、ｔａｎθ＝ＶＩ／ＶＤによって与えられる。さらに、実施形態例において、格子線の数および格子間隔ＳＧは、入射ＳＡＷ２１０を最大限反映するように選ばれる。

図３Ｃは、図３ＡのＭＥＭＳスイッチの近接平面図であって、４つのアンカー１６０を含み、そこには複数の懸架部材２７２が取り付けられ、かつ変形可能な部材１６６に接続されている。加えて、ＭＥＭＳスイッチの作動電極１７０は、基板表面１１７の上であって、変形可能は部材の４隅に隣接した変形可能場部材１６６の下に４つの作動電極部材１７０Ａ，１７０Ｂ，１７０Ｃ，および１７０Ｄを含む。この配置により、変形可能な部材１６６の柔軟性を増すことができ、また、複数の作動電極を収容する空間を提供する。

図３ＡのＭＥＭＳ切り替え装置１００の動作において、第１の状態では、変形可能な部材１６６は、基板上部表面１１７と接触していない。これにより、入力ＳＡＷ２１０は、出力ＳＡＷトランスデューサ１１４に対して直接伝播することができる。しかしながら、ＭＥＭＳスイッチ１５０が、作動電気信号源１９０からの電気信号２２６を介して第２の状態に切り替えられる場合には、作動電極部材１７０Ａ，１７０Ｂ，１７０Ｃ，および１７０Ｄは変形可能な部材１１６と電磁的に係合し、変形可能な部材を変形させて基板上部表面１１７と接触させるようにする。これにより、変形可能な部材の格子層は、ほとんどまたは実質的に全部の入力ＳＡＷ２１０を遮断および歪曲させることができる。

１つの実施形態例では、歪曲されたＳＡＷ２３０は、吸収体層２４０によって任意に吸収される。この歪曲および吸収は、切り替え動作を実行するために必要な、出力ＳＡＷトランスデューサ１１４の入力ＳＡＷトランスデューサ１１２からの選択的な分離を提供する。

吸収体層付ＭＥＭＳスイッチ：図４Ａは、図１の一般的な例であるＭＥＭＳ切り替え装置１００の別の実施形態例の概略的な平面図である。図４Ｂは、変形可能な部材１６６の近接横断面図である。

図４Ａの装置１００において、変形可能な部材１６６は膜性であり、１つの下部表面３０６を有する１つの構造層３０４と、構造層の下部表面上に形成された１つの下部表面３１２を有する１つの吸収体層３１０とを含む。吸収体層３１０は、１つのＳＡＷを吸収することが可能な１つの物質によりなる。吸収体層３１０の複数の実施形態例は、１つのポリマーまたは１つの軟金属を含む。

ある複数の実施形態例において、吸収体層３１０をなす物質は、基盤１１８を害するかまたは汚染する可能性がある場合がある。そのような場合、１つの任意の実施形態例は、下部表面３１２に渡る１つの薄い裏地層３１６を含み、吸収体層３１０からの損害または汚染から上部表面１１７を保護する。薄い裏地層３１６は、基板１１８をなす物質に匹敵する１つの物質からなり、１つの実施形態例において、基板１１８をなす物質と同一の物質を含む。

さらに、１つの実施形態例において、基板上部表面１１７は、任意の薄い保護層（図示せず）を含み、下に横たわる１つの電極または圧電基板そのものを保護する。

図４ＡのＭＥＭＳ切り替え装置１００の動作において、ＭＥＭＳスイッチ１５０が第１の状態の場合に、変形可能な部材１６６は基板表面１１７と接触していない。これにより、入力ＳＡＷ２１０は、直接ＭＥＭＳスイッチ１５０を介して出力ＳＡＷトランスデューサ１１４に伝播することができる。しかしながら、ＭＥＭＳスイッチ１５０が作動電気信号源１９０から電気信号２２６を介して作動される場合、作動電極１７０Ａおよび１７０Ｂが電磁的に変形可能な部材１６６と係合して、それを変形させ、基板上部表面１１７に機械的に接触する。これにより、変形可能な部材１６６は、吸収体層１０におけるほとんどまたは実質的に全部の入力ＳＡＷを遮断および吸収することができる。この吸収は、切り替え動作を実行するために必要な、出力ＳＡＷトランスデューサ１１４の入力ＳＡＷトランスデューサ１１２からの選択的な分離を提供する。

本発明を複数の好ましい実施形態に関連して説明してきたが、これに限定されるものではないと理解される。逆に、複数の添付クレームに画定したような、本発明の複数の実施例の精神および範囲内に含まれるであろうすべての代替物、修正、および同等物を範囲に含むことが意図されている。

２つの電極部材付き作動電極を有する１つのＭＥＭＳ切り替え装置の一般的な一実施形態例の概略的な平面図である。図１に類似した１つのＭＥＭＳ切り替え装置の他の実施形態例の概略的な平面図であって、作動電極は、変形可能な部材の下に位置した単一の電極部材を含む。図１のＭＥＭＳ切り替え装置の一実施形態の概略的な平面図であって、ＭＥＭＳスイッチは、１つの格子層付きの１つの変形可能な部材を含む。図３ＡのＭＥＭＳスイッチの変形可能な部材の横断面図であって、構造層および格子層をより詳細に示す。図３ＡのＭＥＭＳスイッチの近接平面図であって、４つの作動電極を用いる一実施形態例を示す。図１のＭＥＭＳ切り替え装置の一実施形態の概略的な平面図であって、ＭＥＭＳスイッチは、１つの吸収体層付の１つの変形可能な部材を含む。図４ＡのＭＥＭＳスイッチの変形可能な部材の横断面図であって、構造層および吸収体層をより詳細に示す。

Claims

１つの装置であって、
離間された複数の入力および出力表面音波（ＳＡＷ）トランスデューサを有する１つの圧電基板と、
前記入力および出力ＳＡＷトランスデューサの間に配置された１つの微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチであって、前記基板と機械的に接触して前記入力ＳＡＷトランスデューサによって生成された１つのＳＡＷを修正するために変形可能な、１つの変形可能な部材を有するＭＥＭＳスイッチと
を備える、装置。
前記変形可能な部材が、前記ＳＡＷを歪曲させるように成される、請求項１に記載の装置。
前記変形可能な部材が、前記ＳＡＷを歪曲させるように成される１つの格子層をさらに備える、請求項２に記載の装置。
前記圧電基板の上およびその上部に形成され、かつ１つの歪曲されたＳＡＷを吸収するように配置された１つの吸収体をさらに備える、請求項２に記載の装置。
前記変形可能な部材が、前記ＳＡＷを吸収するようにした１つの吸収体層を含む、請求項１に記載の装置。
前記装置が、前記変形可能な部材と電磁的に係合するように配置された１つの作動電極をさらに備える、請求項１に記載の装置。
前記作動電極が、前記変形可能な部材の下にあって、前記入力および出力ＳＡＷトランスデューサを接続する１つの軸に沿って、前記基板表面上に配置される、請求項６に記載の装置。
前記作動電極が、前記変形可能な部材の下の前記基板表面上に配置され、前記入力および出力ＳＡＷトランスデューサによって画定される１つのＳＡＷパスの少なくとも部分的に外部にある、２つ以上の作動電極部材を含む、請求項６に記載の装置。
前記入力ＳＡＷトランスデューサに電気的に結合された１つの第１の電気信号源をさらに備える、請求項１に記載の装置。
前記ＭＥＭＳスイッチに電気的に結合された１つの第２の電気信号源をさらに備える、請求項９に記載の装置。
前記出力ＳＡＷトランスデューサに電気的に結合された１つの電子装置をさらに含む、請求項１０に記載の装置。
１つの装置であって、
１つの圧電基板の１つの表面に存在する、複数の入力および出力表面音波（ＳＡＷ）トランスデューサと、
前記入力および出力ＳＡＷトランスデューサの間の前記基板に固定された微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチであって、前記基板表面に接触するように変形可能な１つの変形可能な部材と、前記基板の前記表面に形成され、前記変形可能な部材と電磁的に係合するように配置された作動スイッチとを有するＭＥＭＳスイッチと
を備える、装置。
前記入力ＳＡＷトランスデューサに電気的に結合された１つの第１の電気信号源と、
前記ＭＥＭＳスイッチに電気的に結合された１つの第２の電気信号源と
を更に備える、請求項１２に記載の装置。
前記作動電極が、前記入力および出力ＳＡＷトランスデューサによって画定される１つのＳＡＷパス内に存在する、請求項１２に記載の装置。
前記作動電極が、前記入力および出力ＳＡＷトランスデューサによって画定される１つのＳＡＷパスの外部に存在する２つ以上の作動電極部材を含む、請求項１２に記載の装置。
１つの方法であって、
１つの基板の１つの表面に沿って進行する１つの第１の表面音波（ＳＡＷ）を生成する段階と、
１つの微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチを前記基板表面に接触させることによって、前記第１のＳＡＷを選択的に修正する段階と
を備える、方法。
前記変形部材の一部として形成された１つの格子を前記基板表面に接触させることによって、前記第１のＳＡＷを歪曲させて、１つの第２のＳＡＷを形成する段階を備える、請求項１６に記載の方法。
前記第２のＳＡＷを吸収する段階を備える、請求項１７に記載の方法。
前記変形部材の一部として形成された１つの吸収体層で前記第１のＳＡＷを吸収する段階を備える、請求項１６に記載の方法。
前記基板表面の上にあって、前記変形可能な部材の下にあって、前記入力および出力ＳＡＷトランスデューサによって画定された１つのＳＡＷパス内に存在する１つの作動電極に対して作動電気信号を提供することによって、前記変形可能な部材を電磁的に係合することによって、前記ＭＥＭＳスイッチを作動させる段階を更に備える、請求項１６に記載の方法。
前記入力および出力ＳＡＷトランスデューサによって画定された１つのＳＡＷパスの少なくとも一部が外部に存在する２つ以上の部材を有する１つの作動電極に対して作動電気信号を提供することによって、前記変形可能な部材を電磁的に係合することによって、前記ＭＥＭＳスイッチを作動させる段階を更に備える、請求項１６に記載の方法。
前記第１のＳＡＷを生成する段階が、１つの入力電気信号を１つの入力ＳＡＷトランスデューサに提供する段階を備える、請求項１６に記載の方法。
前記変形可能な部材が前記基板と接触していないとき、１つの出力ＳＡＷトランスデューサで前記第１のＳＡＷを検出する段階を備える、請求項１６に記載の方法。
１つの出力電気信号を前記出力ＳＡＷトランスデューサで形成する段階と、
前記出力電気信号を処理する段階と
を備える、請求項２３に記載の方法。
１つの切り替え方法であって、
１つの基板表面に１つの入力表面音波（ＳＡＷ）を生成する段階と、
前記基板上にある１つの微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチの１つの変形可能な部材を電磁的に係合させることによって、前記変形可能な部材を前記入力ＳＡＷに対して連係および修正する段階と
を備える、切り替え方法。
前記ＳＡＷを修正する段階が、前記入力ＳＡＷを吸収する段階および歪曲する段階のうちの１つを備える、請求項２５に記載の切り替え方法。
前記入力ＳＡＷを生成する段階が、１つの電気信号を１つのＳＡＷトランスデューサに提供する段階を備える、請求項２５に記載の切り替え方法。
１つの電気信号を１つの作動電極に提供して、前記変形可能な部材を電磁的に結合および変形させて、前記変形可能な部材を前記基板表面に接触させる段階を備える、請求項２５に記載の切り替え方法。
歪曲された１つのＳＡＷを吸収する段階を備える、請求項２５に記載の切り替え方法。