DE60305049T2 - Verfahren zur Herstellung von Elektroden auf einem II-VI-Verbindungshalbleitermaterial - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Elektroden auf einem II-VI-Verbindungshalbleitermaterial Download PDF

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Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Elektroden auf einem Halbleiter-Material vom Typ II-VI oder auf einer Verbindung dieses Materials. Sie bezieht sich insbesondere auf Röntgenstrahlungs- oder Gammastrahlungs-Detektoren und insbesondere
    • – auf einzelne Detektor-Blöcke, die in einer Detektor-Matrix benachbart zueinander angeordnet werden können, und
    • – auf monolithische Detektoren, die mehrere Elektroden auf einer Oberfläche (Zerlegung in Pixel bzw. Bildelemente) und eine Polarisationselektrode auf einer anderen Oberfläche aufweisen.
  • Die Erfindung betrifft insbesondere die Herstellung von Elektroden auf Detektoren, die aus Halbleiter-Materialien vom Typ II-VI, beispielsweise aus CdZnTe, CdTe, CdTe:Cl, CdTeSe:Cl, CdZnTe:Cl, CdTe:In, CdTe:In, CdZnTe:In und CdHgTe hergestellt sind.
  • Diese Halbleiter auf Basis von Tellur und Cadmium können beispielsweise erhalten werden nach einem Aufwachs-Verfahren vom Bridgman- oder THM-Typ und sie weisen als Hauptcharakteristikum einen sehr hohen spezifi schen elektrischen Widerstand (von höher als 109 Ω·cm) auf, der unerlässlich ist für die Herstellung von Röntgen- oder Gamma-Spektrometrie-Vorrichtungen, die für die medizinische, industrielle oder wissenschaftliche Bildgebung bestimmt sind.
  • Das den Gegenstand der Erfindung bildende Verfahren ist direkt industriell anwendbar aufgrund seiner Einfachheit, seiner Anpassungsfähigkeit an die gängigen industriellen Produkte aus Halbleitern (positive Harze) und wegen seiner mäßigen Kosten. Es ist insbesondere geeignet für Röntgenstrahlen- oder Gammastrahlen-Detektoren, es ist jedoch auf diese Anwendung nicht beschränkt.
  • Stand der Technik
  • Es sind bereits verschiedene Typen von Strahlungsdetektoren bekannt, darunter die Gasdetektoren, die Szintillations-Detektoren und die Halbleiter-Detektoren. Die letztgenannten haben den Vorteil, dass sie eine hohe Ordnungszahl (Kernladungszahl) aufweisen, die es ihnen erlaubt, ein Maximum an auftreffenden Fotonen für eine minimale Dicke des Materials zu absorbieren.
  • Diese Halbleiter-Detektoren haben im Allgemeinen eine parallelepipedische Form und sie werden hergestellt durch Abschneiden einer Scheibe von einem Block, wobei die Scheibe mindestens zwei parallele Oberflächen aufweist, auf welche die elektrischen Kontakte aufgebracht werden, die eine Polarisation der Detektoren und eine Aufnahme der durch die auftreffende Strahlung erzeugten elektrischen Signale ermöglichen.
  • Die elektrischen Kontakte dürfen das Verhalten des entsprechenden Detektors nicht modifizieren und müssen infolgedessen einen vernachlässigbar kleinen Stromwiderstand haben, verglichen mit demjenigen des Detektor-Materials.
  • Sie müssen somit solche vom Ohm'schen Typ sein, d.h. eine Strom-Spannungs-Charakteristik aufweisen, die praktisch linear ist und ergeben eine vernünftige Streifenkrümmung im Kontakt mit dem Metall-Halbleiter, einen Tunneleffekt an dieser Stelle aufweisen und die Rekombinationen in der Raumladungszone ermöglichen.
  • Die Herstellung solcher Ohm'scher Kontakte auf den weiter oben genannten Materialien (II – VI) bleibt ein schwierig zu lösendes Problem, weil außer der Erzielung eines geeigneten elektrischen Verhaltens diese Elektroden beispielsweise durch einen Leseschaltkreis miteinander verbunden sein müssen.
  • Die Verbindung (Verknüpfung) darf auf keinen Fall das elektrische Verhalten des Kontakts verändern. Sie induziert im Allgemeinen Belastungen, die der Kontakt aufnehmen muss. Seine Haftung ist demnach umso wichtiger, als die vorhandenen Materialien nicht notwendigerweise die gleichen Ausdeh nungskoeffizienten aufweisen. Die Temperaturschwankungen induzieren infolgedessen zusätzliche Spannungen, die sehr hoch sein können.
  • Es sei schon jetzt darauf hingewiesen, dass die Erfindung mit Verbindungen auf Basis von Cd und Te vom p- oder n-Typ durchgeführt werden kann.
  • Im Falle von CdTe und Verbindungen dieses Typs, die einen hohen spezifischen elektrischen Widerstand aufweisen, ist es schwierig, einen Ohm'schen Kontakt herzustellen, weil die Mehrzahl der Metalle eine Elektronenaustrittsarbeit aufweisen, die niedriger ist als diejenige von CdTe, die 5,02 eV beträgt.
  • Nur das Platin (5,3 eV) und das Gold (4,8 eV) liegen nahe bei diesem Wert. Die durch Aufdampfung oder Aufstäubung dieser beiden Metalle hergestellten Kontakte sind weder Ohm'sche Kontakte noch blockierende Kontakte, sondern liegen zwischen beiden. Weitere physikalisch-chemische Phänomene, wie z.B. der Zustand der Oberfläche vor der Abscheidung des Metalls oder die Oxidation der Oberfläche, legen die Höhe der Schwelle des Austrittspotentials fest unabhängig von der Elektronenaustrittsarbeit des Metalls.
  • Die Erzielung eines Ohm'schen Kontaktes ist möglich, wenn die Träger durch den Tunneleffekt frei zirkulieren können. Dieser Transportmodus wird begünstigt durch die elektrochemische Abscheidung von Lösungen vom Goldchlorid (AuCl3)-Typ oder vom Platinchlorid (PtCl4)-Typ auf einer vorher chemisch geätzten bzw. gebeizten Oberfläche. Das Metall wird durch das Tellur chemisch reduziert und wirkt wie ein starker Blockierungsmittelakzeptor an der Oberfläche des Detektors. Diesbezüglich wird Bezug genommen auf das folgende Dokument:
    • [1] J. P Ponpon, Solid-state electronics, Band 28, Nr. 7, Seiten 689-706 (1985).
  • Wie daraus ersichtlich, gehören das Gold und das Platin zu den besten Kandidaten für die Herstellung von Ohm'schen Kontakten mit einem hohen spezifischen Widerstand auf CdTe und auf Verbindungen desselben. Ihre Abscheidung erfolgt vorzugsweise auf elektrochemischem Wege (um den Tunnel-Effekt zu begünstigen) auf einer Oberfläche, die vorher in geeigneter Weise vorbehandelt worden ist. Diesbezüglich sei auf das folgende Dokument verwiesen:
    • [2] E. Janick et al., "J. Phys. D : Appl. Phys.", 16 (1983), Seiten 2333-2340.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass das CdTe oder die Verbindungen des selben in einer polykristallinen oder monokristallinen Form verwendet werden und solche vom n- oder p-Typ sind.
  • Darüber hinaus wird durch die Struktur dieser Materialien eine Polarität induziert: die Stöchiometrie ist unterschiedlich entsprechend der betrachteten Oberfläche. Es ist klar, dass diese Polarität ein spezifisches mechanisches und chemisches Verhalten induziert je nach dem betrachteten Fall.
  • Die Einstellung des Detektors auf die gewünschten Dimensionen erfolgt im Allgemeinen durch Zuschneiden, Läppen und anschließendes Polieren, wodurch es möglich ist, Oberflächen zu erhalten, deren gestörte Dicke minimal ist und durch chemischen Angriff entfernt werden kann, ohne die Planheit und die Enddimensionen zu stark zu verändern, weil diese Dicke Verunreinigungen enthalten kann, die vom elektrischen Gesichtspunkt aus betrachtet stören können und den Widerstand an der Grenzfläche zwischen dem Detektor-Material und einem elektrischen Kontakt, der schließlich auf letzterem gebildet wird, erhöhen kann.
  • Für die chemische Vorbehandlung der Oberfläche können im Allgemeinen zwei Typen von Lösungen verwendet werden:
    • – Säure-Lösungen auf Basis von Kaliumbichromat oder einer Mischung verschiedener Säuren, wie z.B. HF, HNO3, H2SO4, CH3COOH;
    • – gemischte Säure/Lösungsmittel-Lösungen, wie z.B. die Br-Methanol-Lösung, die sehr häufig im Falle von CdTe oder einer Verbindung desselben verwendet wird.
  • Es ist eine große Anzahl von Lösungen bekannt, ihr Einfluss auf die Stöchiometrie der Oberfläche kann von einer Lösung zur anderen verschieden sein, insbesondere was die Haftung einer Metallschicht, die einen elektrischen Kontakt darstellen soll, und was das elektrische Verhalten des Detektors nach der Herstellung desselben angeht.
  • Gold und Platin sind gut geeignet für die Herstellung von Elektroden, insbesondere im Falle von CdTe und Verbindungen desselben. Nach der Abscheidung auf elektrochemischem Wege ("stromlos"), ausgehend von einem Chlorid des betrachteten Metalls (Gold oder Platin), nimmt dieses Metall den Platz von Cadmium an der Oberfläche des Detektors ein. Das Cadmium selbst wird in der Lösung angereichert, die der Metallabscheidung dient.
  • Diese Lösung besteht im Allgemeinen aus Goldchlorid oder Platinchlorid und Wasser oder gegebenenfalls einem Lösungsmittel, wie z.B. Ethylenglycol. Die erhaltene maximale Dicke hängt von der Chlorid-Konzentration in der Lösung ab, sie beträgt jedoch im Allgemeinen weniger als 150 nm für Au und Pt wegen des Polarisationseffekts, der durch die Abscheidungsreaktion des Metalls (Au oder Pt) induziert wird.
  • Die gebildeten Kontakte aus Gold oder aus Platin, die durch elektrochemische Abscheidung ("stromlos") auf CdTe oder auf Verbindungen von CdTe gebildet werden, müssen erfüllen:
    • – elektrische Spezifikationen, weil an der Metall/Halbleiter-Grenzfläche ein niedriger elektrischer Widerstand vorliegen muss, um das Maximum von Ladungen des Detektors sammeln zu können;
    • – mechanische Spezifikationen, weil sie eine ausreichende Kontaktdicke aufweisen müssen, damit das spätere Verbinden mit einem anderen Element das darunterliegende Material nicht beeinträchtigt (verschlechtert), weder die Eigenschaften desselben noch eine ausreichende Haftung, um mechanische Spannungen aufnehmen zu können, die auf unterschiedliche Ausdehnungskoeffizienten zurückzuführen sind.
  • Angesichts des Umstandes, dass die elektrische Leitfähigkeit von CdTe sehr niedrig ist, werden nämlich durch jede Temperaturänderung Spannungen in dem elektrischen Kontakt erzeugt.
  • Darüber hinaus nehmen bei der elektrochemischen Abscheidung ("stromlos") selbst die Spannungen mit der Dicke der Schicht zu, wodurch man gezwungen ist, diese Dicke auf 50 nm zu begrenzen, und damit die Gefahren der Beeinträchtigung der Metall/Halbleiter-Grenzfläche im Augenblick des Verbindens.
  • Spannungen werden auch erzeugt durch eine eventuelle zusätzliche Abscheidung auf dem Kontakt (z.B. eine Abscheidung von elektrisch leitendem Klebstoff) oder durch ein Verschweißen (mit einem andersartigen Material, beispielsweise Indium für die kollektiven Verbindungen vom Umkehr-Chip-Typ („Flip-Chip"-Typ) und somit eine Erhöhung der Temperatur (auf etwa 160 °C für Indium) mit Ausbildung einer Legierung.
  • Außerdem werden Spannungen auf dem Kontakt induziert durch Zusammenschließen mit einem Verbindungsstromkreis oder einem Lesestromkreis in einem Behälter.
  • Die Haftung des Kontakts ist somit eine Funktion der Vorbehandlung der Oberfläche, der chemischen Reaktionen an der Metall/Halbleiter-Grenzfläche, der Dicke der Abscheidung, aber auch der Oberfläche der letzteren.
  • Die derzeitige Tendenz beispielsweise auf dem Gebiet von Nuclear-Detektoren, ist die, monolithische, aus Pixeln aufgebaute Detektoren oder unmittelbar nebeneinander angeordnete unitäre Detektoren herzustellen. Die Oberfläche der Kontakte kann dann von 5 mm2 bis auf 50 μm2 vermindert werden. Die Haftung wird dann sehr kritisch.
  • Zu diesem Zweck sei auf das folgende Dokument verwiesen:
    • [3] V. Gostilo et al., "Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A" 460 (2001), Seiten 27 – 34.
  • Eine Goldschicht, die aus einer wässrigen Lösung (ausgehend von einer Lösung in einem Lösungsmittel, wie z.B. Ethylenglycol) abgeschieden worden ist, ist nämlich beständig gegenüber einer Abzugskraft, die 1 kg/cm2 (bzw. 2 kg/cm2) nicht übersteigt für eine Schicht, deren Dicke unter 50 nm liegt. Für größere Dicken nimmt die Haftung stark ab.
  • Was das Platin angeht, so ist dann, wenn es aus einer wässrigen Lösung bei 30 °C abgeschieden wird, die Haftung etwas besser, sie nimmt jedoch stark ab, wenn die Dicke 100 nm übersteigt.
  • In dem Dokument FR 1 143 213 ist die elektrochemische Abscheidung eines Metalls auf einem Material vom Typ II-VI beschrieben, bei der man von einer Lösung eines Edelmetallsalzes ausgeht, die angesäuert ist oder nicht-angesäuert ist, die bis zu 20 % HCl enthält.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Das den Gegenstand der Erfindung bildende Verfahren hat das Ziel, auf einem Material vom CdTe-Typ oder auf Verbindungen dieses Materials Elektroden herzustellen, die gute elektrische Eigenschaften, vor allem aber eine große Dicke und ein hohes Haftungsvermögen aufweisen. Um dies zu errei chen, führt man eine elektrochemische Abscheidung ("stromlos") von Goldchlorid oder Platinchlorid, gelöst in reiner Chlorwasserstoffsäure, durch.
  • Zweckmäßig wird die Oberfläche des verwendeten Materials (CdTe oder eine CdTe-Verbindung) vorbehandelt, indem man von einer Lösung von Br und vorzugsweise reiner Chlonrvasserstoffsäure ausgeht.
  • Allgemein löst die vorliegende Erfindung das Problem der Herstellung von Elektroden auf einem Halbleiter-Material vom Typ II-VI oder auf einer Ver bindung dieses Materials, wobei diese Elektroden eine größere Dicke und eine bessere Haftung an dem Material aufweisen können als beim Stand der Technik. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung mindestens einer Elektrode auf einem Halbleiter-Material vom Typ II-VI oder einer Verbindung dieses Materials, wobei diese Elektrode aus einem Metall besteht, dessen Elektronenaustrittsarbeit im Wesentlichen gleich derjenigen oder höher ist als diejenige des II-VI-Halbleiters, wobei dieses Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, dass die Elektrode durch eine elektrochemische Abscheidung des Metalls hergestellt wird, wobei man von einer Lösung eines Metallchlorids in reiner Chlorwasserstoffsäure ausgeht.
  • Das Metall ist vorzugsweise Gold oder Platin und man verwendet eine Lösung von Gold- oder Platinchlorid in reiner Chlonnrasserstoffsäure.
  • Außerdem liegt die Konzentration des Goldchlorids oder Platinchlorids in der reinen Chlorwasserstoffsäure vorzugsweise unter 5 %.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung führt man eine Vorbehandlung der Oberfläche des Materials vor der Abscheidung durch, um diese Oberfläche für die Fixierung des Metalls geeignet zu machen.
  • Um dies zu erreichen, kann die Oberfläche des Materials chemisch gebeizt bzw. geätzt werden.
  • Vorzugsweise handelt es sich bei dem Material um CdTe. In diesem Fall kann man beispielsweise die Elektrode auf einem Material ausbilden, das ausgewählt wird aus der Gruppe CdZnTe, CdTe:Cl, CdTeSe:Cl, CdZnTe:Cl, CdTe:In, CdZnTe:In und CdHgTe.
  • Detaillierte Beschreibung spezieller Ausführungsformen der Erfindung
  • Die Erfindung erlaubt beispielsweise die Herstellung von Gold- oder Platinschichten, deren Dicke zwischen 100 und 150 nm liegt und die beständig sind gegen Abzugskräfte von höher als 10 kg/cm2 dank einer geeigneten chemischen Vorbehandlung der Oberfläche von CdTe oder einer Verbindung davon und einer darauf folgenden elektrochemischen Abscheidung ("stromlos") des Metalls, wobei man von einer Säurelösung ausgeht.
  • Die chemische Vorbehandlung der Oberfläche besteht insbesondere darin, dass man die durch maschinelle Bearbeitung (durch Läppen, Polieren) beschädigte Schichtdicke entfernt und eine Oberfläche erzeugt, an der eine nachfolgende Abscheidung haften kann und die chemisch vorteilhaft ist für die Erzielung einer Metall/Halbleiter-Grenzfläche mit einem niedrigen elektrischen Widerstand, wobei diese Vorbehandlung durchgeführt wird unter Verwendung einer Lösung, die besteht aus Br und vorzugsweise reiner Chlorwasserstoffsäure in einem geeigneten Mengenanteil (einige % von Br).
  • Die Auflösung von Br in der vorzugsweise reinen Chlorwasserstoffsäure erfolgt sehr langsam und erfordert ein Rühren für mehrere Minuten.
  • Nach dem chemischen Angriff wird die Probe in vorzugsweise reiner Chlorwasserstoffsäure gespült (beispielsweise zweimal), dann direkt getrocknet. Von der Anwesenheit von Wasser wird abgeraten.
  • Die richtig getrocknete Probe wird anschließend mit der elektrochemischen Lösung ("stromlos") in Kontakt gebracht, deren wesentliche Charakteristik darin besteht, dass das Goldchlorid oder Platinchlorid in reiner Chlorwasserstoffsäure gelöst ist.
  • Die Konzentration des Chlorids ist vorzugsweise niedrig (sie beträgt weniger als 1 % im Falle von Goldchlorid), weil die Abscheidungskinetik für das Endergebnis wichtig ist.
  • Wenn die Abscheidung beendet ist, wird mit Chlorwasserstoffsäure und dann mit Wasser gespült, woran sich eine geeignete Trocknung anschließt.
  • Das gesamte Verfahren wird in einem sauren Medium durchgeführt, was dazu führt, dass die Teile der Probe, die keinem chemischen Angriff ausgesetzt werden dürfen oder keinen Metallüberzug erhalten, mit positiven lichtempfindlichen Harzen geschützt werden, wie sie üblicherweise in der Halbleiterindustrie verwendet werden.
  • Diese positiven lichtempfindlichen Harze sind in den Standard-Lösungsmitteln, z.B. in Methanol, löslich. Die chemische Vorbehandlung einer Oberfläche wird sehr häufig mit einer Br-Methanol-Mischung durchgeführt. Darüber hinaus wird die Goidabscheidung gelegentlich auch in Gegenwart eines Lösungsmittels durchgeführt.
  • Außerdem ist die Oberflächenspannung der beiden Lösungen (eine für die Vorbehandlung und die andere für die Abscheidung) der Art, dass sie die Verwendung von Tropfen dieser Lösungen erlaubt, sodass chemische Angriffe und Abscheidungen auf die für den Kontakt bestimmten Oberflächen begrenzt sind.
  • Diese Arbeitsgänge sind mit einer Br-Methanol-Mischung oder mit Lö sungen eines Chlorids in einem Lösungsmittel, wie z.B. Ethylenglycol, nicht durchführbar.
  • Es sei daran erinnert, dass das Chlor in Halbleiter-Materialien auch als Dotierungsmittel verwendet wird, wobei das Medium, das Chlor enthält, auf diese Weise auch vorteilhaft für diese Materialien ist.
  • Vergleichsversuche, die mit dem gleichen Material (CdTe), jedoch mit anderen Kontakttechnologien durchgeführt wurden, zeigen, dass der Detektor-Wirkungsgrad der Detektoren, die nach diesem Verfahren hergestellt worden sind, mindestens gleich demjenigen der Detektoren ist, die unter Anwendung von klassischen Technologien hergestellt wurden.
  • Darüber hinaus ist die Dauer der Verwendung der Lösung von Br in Chlorwasserstoffsäure lang (mehrere Tage), während die klassischen Br-Methanol-Lösungen ihre Aggressivität nur einige Stunden behalten wegen der Verdampfung des Broms.
  • Außerdem ist die Konzentration beispielsweise von Gold in der Abscheidungslösung sehr niedrig im Vergleich zu derjenigen der klassischen wässrigen Lösungen (1 g auf 30 cm3 Wasser), was vom industriellen Standpunkt aus betrachtet vorteilhaft (interessant) ist.
  • Dieses Verfahren wurde bei unitären Detektoren aus CdTe (HPBM) oder aus CdTe:Cl (vom p-Typ) und auch von monolithischen mit Pixel (Bildpunkten)-Aufbau angewendet. Ihr elektrisches Verhalten zeigt eine deutliche Verbesserung und vom mechanischen Standpunkt aus betrachtet eine stark erhöhte Haftung (Adhäsion).
  • Nachstehend wird ein weiteres Beispiel für das erfindungsgemäße Verfahren beschrieben, das die Herstellung von Goldelektroden auf einem CdTe-Substrat erlaubt.
  • Um dies zu erreichen, verwendet man eine Lösung von Goldchlorid in reiner Chlorwasserstoffsäure, wobei die Goldchlorid-Konzentration in dieser Säure unter 1 % liegt.
  • Dann führt man eine elektrochemische Abscheidung von Gold auf den Zonen des Substrats durch, auf welche die Elektroden aufgebracht werden sollen, indem man die Lösung mit diesen Zonen in Kontakt bringt.
  • Vorher schützt man die Teile des Substrats, die man mit der Lösung nicht in Kontakt bringen will, insbesondere die Teile, auf denen man kein Gold abscheiden will. Um dies zu erreichen, bringt man auf diese Teile einen Schutzüberzug auf und eliminiert diesen Schutzüberzug, nachdem auf den gewünschten Stellen Gold abgeschieden worden ist.
  • Als Schutzüberzug kann man beispielsweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Harz verwenden.
  • Außerdem ist es bevorzugt, die Oberfläche des Substrats vorzubehandeln, bevor Gold darauf abgeschieden wird, insbesondere um diese Oberfläche geeignet zu machen für die Fixierung von Gold.
  • Um dies zu erreichen, kann man eine chemische Beizung (Ätzung) mittels einer Lösung von Brom in Chlorwasserstoffsäure, die vorzugsweise rein ist, durchführen. Vorzugsweise spült man mit der gleichen Säure und dann mit Wasser die auf diese Weise gebeizte bzw. geätzte Oberfläche, dann trocknet man letztere.
  • Wie weiter oben ersichtlich, kann man anstelle von Gold auch Platin verwenden.
  • Anstelle eines Substrats aus CdTe kann man ein Substrat verwenden, das aus einer CdTe-Verbindung hergestellt worden ist, um darauf erfindungsgemäße Elektroden auszubilden. Beispiele für eine solche Verbindung sind bereits weiter oben angegeben.
  • Nachstehend wird daran erinnert, dass reine Chlorwasserstoffsäure verwendet wird.
  • Die Chlorwasserstoffsäure ist eine Flüssigkeit, die man erhält durch Auflösung von Chlorwasserstoff (ein Gas mit der chemischen Formel HCl) in Wasser. Man kann höchstens 37 Gew.-% (bis 38 Gew.-%) HCl-Gas-Moleküle in Wasser lösen. Bei dieser maximalen Konzentration spricht man von "reiner" Chlorwasserstoffsäure. Es handelt sich um diese Flüssigkeit, die erfindungsgemäß für die elektrochemische Abscheidung verwendet wird.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass in dem Stand der Technik (vgl. z.B. FR-A-1 143 213) eine konzentrierte Chlorwasserstoffsäure-Lösung mit einer Konzentration zwischen 0 und 20 % verwendet wird. Dies bedeutet, dass zur Herstellung einer solchen Lösung reine Säure verdünnt worden ist und dass die Konzentration der Lösung zwischen 0 % 37 %igem gasförmigen HCl und 20 37 %igem gasförmigem HCl liegt.

Claims (8)

  1. Verfahren zur Herstellung mindestens einer Elektrode auf einem II-VI Halbleiter-Material oder einer Verbindung dieses Materials, wobei diese Elektrode aus einem Metall besteht, dessen Elektronen-Austrittsarbeit im Wesentlichen gleich oder größer ist als diejenige des II-VI-Halbleiters, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode durch elektrochemische Abscheidung des Metalls aus einer Lösung eines Chlorids des Metalls in reiner Chlorwasserstoffsäure gebildet wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, in dem das Metall Gold oder Platin ist und eine Lösung von Goldchlorid oder Platinchlorid in reiner Chlorwasserstoffsäure verwendet wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, in dem die Konzentration des Goldchlorids oder Platinchlorids in reiner Chlorwasserstoffsäure unter 5 % liegt.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem diese Oberfläche des Materials vor der Abscheidung vorbehandelt wird, um eine Fixierung des Metalls daran zu ermöglichen.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem die Oberfläche des Materials chemisch gebeizt wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, in dem das Metall Gold oder Platin ist und eine Lösung von Goldchlorid oder Platinchlorid in reiner Chlorwasserstoffsäure verwendet wird und eine Lösung von Brom und vorzugsweise reiner Chlorwasserstoffsäure für das chemische Beizen verwendet wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, in dem das Material CdTe ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Elektrode auf einem Material gebildet wird, das ausgewählt wird aus der Gruppe CdZnTe, CdTe:Cl, CdTeSe:Cl, CdZnTe:Cl, CdTe:In, CdZnTe:In und CdHgTe.
DE60305049T 2002-09-20 2003-09-19 Verfahren zur Herstellung von Elektroden auf einem II-VI-Verbindungshalbleitermaterial Expired - Lifetime DE60305049T2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
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