DE60212332D1 - Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher - Google Patents

Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher

Info

Publication number
DE60212332D1
DE60212332D1 DE60212332T DE60212332T DE60212332D1 DE 60212332 D1 DE60212332 D1 DE 60212332D1 DE 60212332 T DE60212332 T DE 60212332T DE 60212332 T DE60212332 T DE 60212332T DE 60212332 D1 DE60212332 D1 DE 60212332D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
volatile memory
error
self
repair method
avoidance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60212332T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60212332T2 (de
Inventor
Rino Micheloni
Aldo Losavio
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of DE60212332D1 publication Critical patent/DE60212332D1/de
Publication of DE60212332T2 publication Critical patent/DE60212332T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/80Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
    • G11C29/808Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout using a flexible replacement scheme
DE60212332T 2002-04-26 2002-04-26 Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher Expired - Lifetime DE60212332T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02425265A EP1357559B1 (de) 2002-04-26 2002-04-26 Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60212332D1 true DE60212332D1 (de) 2006-07-27
DE60212332T2 DE60212332T2 (de) 2007-06-06

Family

ID=28686044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60212332T Expired - Lifetime DE60212332T2 (de) 2002-04-26 2002-04-26 Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6922366B2 (de)
EP (1) EP1357559B1 (de)
DE (1) DE60212332T2 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353242A (ja) * 2004-06-14 2005-12-22 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法
EP1607865B1 (de) * 2004-06-14 2013-08-14 Micron Technology, Inc. Datenverwaltungseinheit fähig Startfehler zu korrigieren und entsprechendes Verfahren
EP1624463A1 (de) 2004-07-14 2006-02-08 STMicroelectronics S.r.l. Ein programmierbarer Speicher mit verbesserter Redundanz-Struktur
US7275190B2 (en) * 2004-11-08 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Memory block quality identification in a memory device
US7518918B2 (en) * 2006-01-31 2009-04-14 International Business Machines Corporation Method and apparatus for repairing embedded memory in an integrated circuit
US20080165599A1 (en) * 2006-01-31 2008-07-10 Gorman Kevin W Design structure used for repairing embedded memory in an integrated circuit
US8811060B2 (en) 2012-05-31 2014-08-19 International Business Machines Corporation Non-volatile memory crosspoint repair
US9875810B2 (en) * 2013-07-24 2018-01-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Self-identifying memory errors
US20220217136A1 (en) * 2021-01-04 2022-07-07 Bank Of America Corporation Identity verification through multisystem cooperation
CN113569517B (zh) * 2021-06-29 2024-02-23 南方电网科学研究院有限责任公司 一种减小列冗余替换电路面积的电路及芯片

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268870A (en) * 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor
EP0617363B1 (de) * 1989-04-13 2000-01-26 SanDisk Corporation Austausch von fehlerhaften Speicherzellen einer EEprommatritze
US5361227A (en) * 1991-12-19 1994-11-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same
FR2716566B1 (fr) * 1994-02-23 1996-04-19 Sgs Thomson Microelectronics Circuit de sélection d'éléments de mémoire redondants et mémoire "Flash Eeprom" comportant ledit circuit.
US5438546A (en) * 1994-06-02 1995-08-01 Intel Corporation Programmable redundancy scheme suitable for single-bit state and multibit state nonvolatile memories
EP0686979B1 (de) * 1994-06-10 2001-03-07 STMicroelectronics S.r.l. Fehlertolerantes Speichergerät, insbesondere des Typs "flash EEPROM"
US5513144A (en) * 1995-02-13 1996-04-30 Micron Technology, Inc. On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same
US5559742A (en) * 1995-02-23 1996-09-24 Micron Technology, Inc. Flash memory having transistor redundancy
DE69621770T2 (de) 1996-03-22 2003-03-06 St Microelectronics Srl Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz
US5928370A (en) * 1997-02-05 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure
TW439293B (en) * 1999-03-18 2001-06-07 Toshiba Corp Nonvolatile semiconductor memory
JP2001052495A (ja) * 1999-06-03 2001-02-23 Toshiba Corp 半導体メモリ
EP1126372B1 (de) * 2000-02-14 2005-05-18 STMicroelectronics S.r.l. Nichtflüchtige Speicheranordnung mit konfigurierbarer Zeilenredundanz
US6459628B1 (en) * 2001-04-02 2002-10-01 Advanced Micro Devices, Inc. System and method to facilitate stabilization of reference voltage signals in memory devices
US6498752B1 (en) * 2001-08-27 2002-12-24 Aplus Flash Technology, Inc. Three step write process used for a nonvolatile NOR type EEPROM memory

Also Published As

Publication number Publication date
US20030235092A1 (en) 2003-12-25
EP1357559B1 (de) 2006-06-14
DE60212332T2 (de) 2007-06-06
US6922366B2 (en) 2005-07-26
EP1357559A1 (de) 2003-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE50308988D1 (de) Nichtflüchtiges speicherelement sowie zugehörige herstellungsverfahren und speicherelementanordnungen
AU2003241844A1 (en) Nonvolatile memory and its manufacturing method
DE60318659D1 (de) Nichtflüchtiger Speicher und Auffrischungsverfahren
AU2003221003A1 (en) Non-volatile memory and manufacturing method thereof
TWI370359B (en) Method and system for non-volatile memory performance improvement
AU2003267237A8 (en) Non-volatile memory and method of programming with reduced neighboring field errors
DE60041199D1 (de) Programmierverfahren für nichtflüchtigen Speicher
DE602004015813D1 (de) Speichervorrichtung und verfahren zur löschung derselben
DE69717229D1 (de) Methode zur Speicherverwaltung
DE602006011684D1 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher mit drei Zuständen und dessen Betriebsverfahren
DE602005012080D1 (de) Verfahren und vorrichtung für eine doppelte stromversorgung für eingebetteten, nicht-flüchtigen speicher
DE60328960D1 (de) Selbstausrichtendes Verfahren zur Herstellung einer Phasenwechsel-Speicherzelle und dadurch hergestellte Phasenwechsel-Speicherzelle
DE60223440D1 (de) Magnetoresistives Element, Speicherelement mit solchem magnetoresistivem Element, und Speicher unter Verwendung eines solchen Speicherelements
DE69824386D1 (de) Verfahren für kontrolliertes Löschen von Speicheranordnungen, insbesondere Analog- oder Mehrwert-Flash-EEPROM Anordnungen
DE60217463D1 (de) Nichtflüchtige ferroelektrische Zweitransistor-Speicherzelle
DE60212332D1 (de) Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher
ATE312024T1 (de) Umhüllungsmaterial mit einer z-verriegelung und verfahren zu dessen herstellung und zur verwendung desselben
DE60222891D1 (de) Nichtflüchtige Speicheranordnung und Selbstreparatur-Verfahren
DE60317457D1 (de) Einbettbares Flashspeichersystem für nichtflüchtige Speicherung von Kode, Daten und Bitströmen für eingebettete FPGA-Konfigurationen
DE60214374D1 (de) Magnetoresistiver Speicher mit weichmagnetischen Referenzschichte
DE60230592D1 (de) Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür
DE60021041D1 (de) Nichtflüchtiger Speicher und Steuerungsverfahren dafür
DE50207435D1 (de) Verfahren zum beschreiben magnetoresistiver speicherzellen und mit diesem verfahren beschreibbarer magnetoresistiver speicher
DE59813984D1 (de) Verfahren zur herstellung einer speicherzelle mit mos-transistor
DE602005004553D1 (de) Flash-speichereinheit und verfahren zur programmierung einer flash-speichereinheit

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition