DE60212332D1 - Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher - Google Patents
Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger SpeicherInfo
- Publication number
- DE60212332D1 DE60212332D1 DE60212332T DE60212332T DE60212332D1 DE 60212332 D1 DE60212332 D1 DE 60212332D1 DE 60212332 T DE60212332 T DE 60212332T DE 60212332 T DE60212332 T DE 60212332T DE 60212332 D1 DE60212332 D1 DE 60212332D1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- volatile memory
- error
- self
- repair method
- avoidance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
- G11C29/808—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout using a flexible replacement scheme
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02425265A EP1357559B1 (de) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE60212332D1 true DE60212332D1 (de) | 2006-07-27 |
DE60212332T2 DE60212332T2 (de) | 2007-06-06 |
Family
ID=28686044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE60212332T Expired - Lifetime DE60212332T2 (de) | 2002-04-26 | 2002-04-26 | Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6922366B2 (de) |
EP (1) | EP1357559B1 (de) |
DE (1) | DE60212332T2 (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005353242A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法 |
EP1607865B1 (de) * | 2004-06-14 | 2013-08-14 | Micron Technology, Inc. | Datenverwaltungseinheit fähig Startfehler zu korrigieren und entsprechendes Verfahren |
EP1624463A1 (de) | 2004-07-14 | 2006-02-08 | STMicroelectronics S.r.l. | Ein programmierbarer Speicher mit verbesserter Redundanz-Struktur |
US7275190B2 (en) * | 2004-11-08 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Memory block quality identification in a memory device |
US7518918B2 (en) * | 2006-01-31 | 2009-04-14 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for repairing embedded memory in an integrated circuit |
US20080165599A1 (en) * | 2006-01-31 | 2008-07-10 | Gorman Kevin W | Design structure used for repairing embedded memory in an integrated circuit |
US8811060B2 (en) | 2012-05-31 | 2014-08-19 | International Business Machines Corporation | Non-volatile memory crosspoint repair |
US9875810B2 (en) * | 2013-07-24 | 2018-01-23 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Self-identifying memory errors |
US20220217136A1 (en) * | 2021-01-04 | 2022-07-07 | Bank Of America Corporation | Identity verification through multisystem cooperation |
CN113569517B (zh) * | 2021-06-29 | 2024-02-23 | 南方电网科学研究院有限责任公司 | 一种减小列冗余替换电路面积的电路及芯片 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5268870A (en) * | 1988-06-08 | 1993-12-07 | Eliyahou Harari | Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor |
EP0617363B1 (de) * | 1989-04-13 | 2000-01-26 | SanDisk Corporation | Austausch von fehlerhaften Speicherzellen einer EEprommatritze |
US5361227A (en) * | 1991-12-19 | 1994-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same |
FR2716566B1 (fr) * | 1994-02-23 | 1996-04-19 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de sélection d'éléments de mémoire redondants et mémoire "Flash Eeprom" comportant ledit circuit. |
US5438546A (en) * | 1994-06-02 | 1995-08-01 | Intel Corporation | Programmable redundancy scheme suitable for single-bit state and multibit state nonvolatile memories |
EP0686979B1 (de) * | 1994-06-10 | 2001-03-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Fehlertolerantes Speichergerät, insbesondere des Typs "flash EEPROM" |
US5513144A (en) * | 1995-02-13 | 1996-04-30 | Micron Technology, Inc. | On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same |
US5559742A (en) * | 1995-02-23 | 1996-09-24 | Micron Technology, Inc. | Flash memory having transistor redundancy |
DE69621770T2 (de) | 1996-03-22 | 2003-03-06 | St Microelectronics Srl | Sektoriziertes elektrisch löschbares und programmierbares nichtflüchtiges Speichergerät mit Redundanz |
US5928370A (en) * | 1997-02-05 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure |
TW439293B (en) * | 1999-03-18 | 2001-06-07 | Toshiba Corp | Nonvolatile semiconductor memory |
JP2001052495A (ja) * | 1999-06-03 | 2001-02-23 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
EP1126372B1 (de) * | 2000-02-14 | 2005-05-18 | STMicroelectronics S.r.l. | Nichtflüchtige Speicheranordnung mit konfigurierbarer Zeilenredundanz |
US6459628B1 (en) * | 2001-04-02 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method to facilitate stabilization of reference voltage signals in memory devices |
US6498752B1 (en) * | 2001-08-27 | 2002-12-24 | Aplus Flash Technology, Inc. | Three step write process used for a nonvolatile NOR type EEPROM memory |
-
2002
- 2002-04-26 EP EP02425265A patent/EP1357559B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-04-26 DE DE60212332T patent/DE60212332T2/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-24 US US10/423,845 patent/US6922366B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030235092A1 (en) | 2003-12-25 |
EP1357559B1 (de) | 2006-06-14 |
DE60212332T2 (de) | 2007-06-06 |
US6922366B2 (en) | 2005-07-26 |
EP1357559A1 (de) | 2003-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE50308988D1 (de) | Nichtflüchtiges speicherelement sowie zugehörige herstellungsverfahren und speicherelementanordnungen | |
AU2003241844A1 (en) | Nonvolatile memory and its manufacturing method | |
DE60318659D1 (de) | Nichtflüchtiger Speicher und Auffrischungsverfahren | |
AU2003221003A1 (en) | Non-volatile memory and manufacturing method thereof | |
TWI370359B (en) | Method and system for non-volatile memory performance improvement | |
AU2003267237A8 (en) | Non-volatile memory and method of programming with reduced neighboring field errors | |
DE60041199D1 (de) | Programmierverfahren für nichtflüchtigen Speicher | |
DE602004015813D1 (de) | Speichervorrichtung und verfahren zur löschung derselben | |
DE69717229D1 (de) | Methode zur Speicherverwaltung | |
DE602006011684D1 (de) | Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher mit drei Zuständen und dessen Betriebsverfahren | |
DE602005012080D1 (de) | Verfahren und vorrichtung für eine doppelte stromversorgung für eingebetteten, nicht-flüchtigen speicher | |
DE60328960D1 (de) | Selbstausrichtendes Verfahren zur Herstellung einer Phasenwechsel-Speicherzelle und dadurch hergestellte Phasenwechsel-Speicherzelle | |
DE60223440D1 (de) | Magnetoresistives Element, Speicherelement mit solchem magnetoresistivem Element, und Speicher unter Verwendung eines solchen Speicherelements | |
DE69824386D1 (de) | Verfahren für kontrolliertes Löschen von Speicheranordnungen, insbesondere Analog- oder Mehrwert-Flash-EEPROM Anordnungen | |
DE60217463D1 (de) | Nichtflüchtige ferroelektrische Zweitransistor-Speicherzelle | |
DE60212332D1 (de) | Selbstreparatur-Methode für nicht flüchtige Speicher mit einer Architektur zur Fehlervermeidung sowie nicht flüchtiger Speicher | |
ATE312024T1 (de) | Umhüllungsmaterial mit einer z-verriegelung und verfahren zu dessen herstellung und zur verwendung desselben | |
DE60222891D1 (de) | Nichtflüchtige Speicheranordnung und Selbstreparatur-Verfahren | |
DE60317457D1 (de) | Einbettbares Flashspeichersystem für nichtflüchtige Speicherung von Kode, Daten und Bitströmen für eingebettete FPGA-Konfigurationen | |
DE60214374D1 (de) | Magnetoresistiver Speicher mit weichmagnetischen Referenzschichte | |
DE60230592D1 (de) | Selbstreparaturverfahren für nichtflüchtige Speicheranordnung mit Lösch-/Programmierfehlerdetektion, und nichtflüchtige Speicheranordnung dafür | |
DE60021041D1 (de) | Nichtflüchtiger Speicher und Steuerungsverfahren dafür | |
DE50207435D1 (de) | Verfahren zum beschreiben magnetoresistiver speicherzellen und mit diesem verfahren beschreibbarer magnetoresistiver speicher | |
DE59813984D1 (de) | Verfahren zur herstellung einer speicherzelle mit mos-transistor | |
DE602005004553D1 (de) | Flash-speichereinheit und verfahren zur programmierung einer flash-speichereinheit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |