-
Die
vorliegende Erfindung betrifft die mechanische Datenverarbeitung
und insbesondere das Löschen
von auf einer mechanischen Datenspeichereinheit gespeicherten Daten,
bei welcher ein Datenbit durch Zuführen von Energie zu einer gegen
die Oberfläche
gedrückten
Spitze auf diese Oberfläche geschrieben
wird, indem die Oberfläche
lokal verformt wird und eine Vertiefung in dieser Oberfläche das
Datenbit repräsentiert.
-
Ein
Beispiel für
eine solche Speichereinheit wird in „The Millipede – More than
one thousand tips for future AFM data storage", von P. Vettiger et al., IBM Journal
of Research and Development, Bd. 44, Nr. 3, Mai 2000, beschrieben.
Hierin wird beschrieben, dass diese Einheit eine zweidimensionale
Matrix von Abtastarmsensoren umfasst, welche auf einem Siliciumsubstrat
erzeugt wurden. Jeder Abtastarm ist an einem Ende des Substrats
angebracht. Das andere Ende jedes Abtastarms trägt ein Widerstandsheizelement
und eine nach außen
zeigende Spitze. Jeder Abtastarm kann über Zeilen- und Spaltenleiterbahnen
adressiert werden. Die Zeilen- und Spaltenleiterbahnen ermöglichen,
elektrischen Strom selektiv durch jeden Abtastarm fließen zu lassen,
um das darauf befindliche Heizelement zu erhitzen.
-
Sowohl
bei Lese- als auch bei Schreiboperationen werden die Spitzen der
Matrix in Kontakt mit einem Speichermedium gebracht und diesem gegenüber bewegt,
welches eine Polymerschicht umfasst, der ein ebenes Substrat bedeckt.
-
Daten
werden auf das Speichermedium durch eine Kombination des Einwirkens
einer lokalen Kraft auf die Polymerschicht durch jede Spitze und des
Erhitzens jeder Spitze durch Anlegen von Datensignalen an die entsprechenden
Zeilen- und Spaltenleiterbahnen geschrieben, wobei die Einwirkungen so
stark sind, dass die Polymerschicht lokal verformt wird, indem die
Spitze in die Oberfläche
der Polymerschicht eindringt und einen Eindruck oder eine Vertiefung
hinterlässt.
-
Jedes
Heizelement stellt auch gleichzeitig einen thermischen Auslesesensor
dar, da der Widerstand des Heizelementes von der Temperatur abhängt. Für Datenleseoperationen
wird nacheinander an jede Zeile der Matrix ein Heizsignal angelegt.
Das Heizsignal erwärmt
Heizelemente in der ausgewählten
Zeile, und zwar diesmal auf eine Temperatur, die zum Schmelzen der
Polymerschicht nicht ausreicht. Die thermische Leitfähigkeit
zwischen den Heizelementen und dem Speichermedium ändert sich
mit dem Abstand zwischen den Heizelementen und dem Speichermedium.
Wenn die Spitzen beim Abtasten des Speichermediums in die Bitvertiefungen
gelangen, verringert sich der Abstand zwischen den Heizelementen
und dem Speichermedium. Das Medium zwischen den Heizelementen und
dem Speichermedium überträgt die Wärme zwischen
den Heizelementen und dem Speichermedium. Die Wärmeübertragung zwischen jedem Heizelement
und dem Speichermedium nimmt zu, wenn die jeweilige Spitze in eine
Vertiefung gelangt. Die Temperatur und damit der Widerstand des
Heizelements sinken daraufhin. Änderungen
der Temperatur der ständig
erwärmten Heizelemente
jeder Zeile können
parallel verfolgt und somit die aufgezeichneten Bits erfasst werden.
Das Speichermedium kann mehrmals thermisch gelöscht und neu beschrieben werden. Üblicherweise
wird die Polymerschicht zum Löschen
des Speichermediums einige Sekunden lang über ihren Schmelzpunkt erhitzt.
Durch das Erhitzen wird die Polymerschicht wieder aufgeschmolzen,
sodass alle im Speichermedium aufgezeichneten Vertiefungen beseitigt
werden. Außerdem
wäre es
wünschenswert,
nur eine oder eine Gruppe von im Speichermedium aufgezeichneten
Vertiefungen selektiv zu löschen.
-
Die
US-Patentschrift 5 307 311 und die Patentanmeldung
JP 08 297 870 beschreiben herkömmliche
Sonden-Speichereinheiten mit jeweils einer Datenspeicheroberfläche, einer über die
Oberfläche
zu bewegenden Spitze und einem Mittel zum Verformen der Oberfläche durch
die Spitze, um auf der Oberfläche
Datenbits aufzuzeichnen.
-
Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird jetzt ein Verfahren zum Löschen in einer Datenspeichereinheit
aufgezeichneter Daten bereitgestellt, bei welchem ein Datenbit durch
Einwirken einer ersten Kombination von Energie und Kraft mittels
einer Spitze auf die Oberfläche
geschrieben wird, um in der Oberfläche durch lokale Verformung
der Oberfläche
eine Vertiefung zu bilden, die für
das Datenbit repräsentativ
ist, wobei das Verfahren das Einwirken einer zweiten Kombination
von Energie und Kraft mittels der Spitze auf vorher aufgezeichnete
und zu löschende Vertiefungen
der Oberfläche
umfasst, wobei sich die zweite Kombination von der ersten Kombination
unterscheidet und neue Vertiefungen erzeugt, welche die Vertiefungen überlappen,
welche die vorher aufgezeichneten und zu löschenden Daten repräsentieren,
sodass die Oberfläche
im Wesentlichen nivelliert wird.
-
Die
vorliegende Erfindung ermöglicht
in vorteilhafter Weise das Löschen
eines einzelnen oder einer Teilmenge aus einer Vielzahl auf der
Oberfläche aufgezeichneter
Datenbits.
-
Die
bei der ersten Kombination ausgeübte Kraft
ist größer als
die bei der zweiten Kombination ausgeübte Kraft. Ebenso ist die bei
der ersten Kombination einwirkende Energie größer als die bei der zweiten
Kombination einwirkende Energie. Bei einer bevorzugten Ausführungsart
der vorliegenden Erfindung umfasst die bei der ersten und der zweiten Komponenten
einwirkende Energie Wärme.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsart der vorliegenden
Erfindung umfasst das Verfahren die Bildung neuer Vertiefungen,
welche die Deformationen überlappen,
die für
die vorher aufgezeichneten und zu löschenden Daten repräsentativ
sind, um so die Oberfläche
im Wesentlichen zu nivellieren. Die Bildung neuer Vertiefungen umfasst
vorzugsweise einen Versatz zwischen den neuen Vertiefungen und den
für die
vorher aufgezeichneten und zu löschenden
Daten repräsentativen
Verformungen. Die Bildung neuer Vertiefungen kann ferner die Bildung
einer Reihe neuer Vertiefungen umfassen, in der jede Vertiefung die
unmittelbar vorangehende Vertiefung überlappt.
-
Bei
einer bevorzugten Ausführungsart
der vorliegenden Erfindung werden nicht benötigte Datenbits gelöscht, indem
sie mit einer größeren Dichte neuer
Datenbits überschrieben
werden, sodass jedes neue Datenbit das unmittelbar vorangehende Datenbit
wirksam löscht.
Das Löschen
muss nicht unbedingt vollständig
sein. Es können
auch noch Oberflächenrestunebenheiten
zurückbleiben.
Es reicht aus, dass ein gelöschtes
Datenbit durch den Lesemechanismus nicht als Datenbit erkannt wird.
Dies hängt
natürlich
von der Empfindlichkeit des Datenlesevorgangs ab. Bei einigen Ausführungsarten
der vorliegenden Erfindung ist es zulässig, dass das letzte in einer
zum Löschen
einer nicht benötigten
Datenreihe geschriebenen Reihe neuer Bits einen Teil neuer aufzuzeichnender
Daten bildet. Bei anderen Ausführungsarten
der vorliegenden Erfindung kann die Dichte, mit der neue Bits zum
Löschen
nicht benötigter
Bits geschrieben werden, so groß sein,
dass keine neuen aufgezeichneten Bits auf der Oberfläche zurückbleiben.
-
Unter
einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird jetzt ein Datenverarbeitungssystem
bereitgestellt, welches Folgendes umfasst: eine Datenspeicheroberfläche; eine
in Kontakt mit der Oberfläche
befindliche Spitze, die über
diese bewegt werden kann; und eine Steuereinheit, die in einem Schreibmodus über eine
Spitze eine erste Kombination von Energie und Kraft auf die Oberfläche einwirken
lässt,
sodass in der Oberfläche
durch Deformation der Oberfläche
eine Vertiefung gebildet wird, die für das Datenbit repräsentativ
ist, und die in einem Löschmodus über die
Spitze eine zweite Kombination von Energie und Kraft auf die vorher
in der Oberfläche
aufgezeichneten und zu löschenden
Vertiefungen einwirken lässt,
wobei sich die zweite Kombination von der ersten Kombination unterscheidet
und die Steuereinheit die Spitze so steuert, dass neue Vertiefungen
gebildet werden, welche die Vertiefungen überlappen, die für die vorher
aufgezeichneten und zu löschenden
Daten repräsentativ
sind, und die Oberfläche
im Wesentlichen nivellieren.
-
Im
Folgenden werden ausschließlich
anhand von Beispielen und unter Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen
bevorzugte Ausführungsarten
der vorliegenden Erfindung beschrieben, in welchen:
-
1 eine
Draufsicht eines Sensors einer Datenspeichereinheit ist, welche
die vorliegende Erfindung realisiert;
-
2 eine
Querschnittsansicht des Sensors in Richtung der Pfeile A-A' ist;
-
3 eine
isometrische Ansicht der Datenspeichereinheit ist;
-
4 eine
Querschnittsansicht eines Speichermediums des Datenspeichersystems
nach einer Schreiboperation ist;
-
5 eine
Querschnittsansicht des Speichermediums nach einer selektiven Löschoperation ist;
-
6 eine
weitere Querschnittsansicht des Speichermediums nach einer selektiven
Löschoperation
ist;
-
7 ein
Energiediagramm der Oberfläche des
Speichermediums ist;
-
8 eine
Querschnittsansicht des Speichermediums während einer Schreiboperation
ist; und
-
9 eine
Querschnittsansicht des Speichermediums während einer selektiven Löschoperation
ist.
-
Ein
Beispiel eines Datenspeichersystems in 1, welches
die vorliegende Erfindung realisiert, umfasst eine zweidimensionale
Matrix von auf einem Substrat 20 angebrachten Abtastarmsensoren 10. Desgleichen
sind auf dem Substrat auch Zeilenleiterbahnen 60 und Spaltenleiterbahnen 50 angebracht. Jeder
Sensor 10 wird durch eine unterschiedliche Kombination
einer Zeilenleiterbahn 60 und einer Spaltenleiterbahn 50 adressiert.
Jeder Sensor 10 umfasst einen U-förmigen Silicium-Abtastarm 15 mit einer
Länge im
Bereich von 70 μm
und einer Dicke im Bereich von einigen μm. Die Schenkel des Abtastarms 15 sind
an ihren abgewandten Enden an einem Siliciumsubstrat 20 befestigt.
Die Spitze des Abtastarms 15 befindet sich in einer im
Substrat 20 gebildeten Aussparung 70 und kann
sich in einer zum Substrat 20 senkrechten Richtung frei
bewegen. Der Abtastarm 15 trägt an seiner Spitze ein Widerstandsheizelement 30 und
eine vom Substrat 20 weg zeigende Siliciumspitze 40.
Die Schenkel des Abtastarms 15 sind zur Verbesserung der
elektrischen Leitfähigkeit stark
dotiert. Das Heizelement 30 wird durch eine schwächere Dotierung
der Spitze des Abtastarms 15 gebildet, sodass ein Bereich
mit höherem
elektrischen Widerstand für
einen durch den Abtastarm 15 fließenden Strom entsteht. Einer
der Schenkel des Abtastarms 15 ist über eine zwischengeschaltete
Diode 80 mit einer Zeilenleiterbahn 60 verbunden.
Der andere Schenkel des Abtastarms 15 ist mit einer Spaltenleiterbahn 50 verbunden.
Die Zeilenleiterbahn 60, die Spaltenleiterbahn 70 und
die Diode 80 sind ebenfalls auf dem Substrat 20 aufgebracht.
Der Abtastarm 15 ist mechanisch vorgespannt, um die Spitze
elastisch vom Substrat 20 abzuheben.
-
Die
Spitze 40 in 2 wird gegen ein ebenes Speichermedium
gedrückt,
welches die Form einer Polymerschicht 90 wie zum Beispiel
eine Schicht aus PMMA (Polymethylmethacrylat) mit einer Dicke im
Bereich von 40 nm hat. Die Spitze 40 kann mechanisch gegen
die Oberfläche
gedrückt
werden. Bei anderen Ausführungsarten
der vorliegenden Erfindung können
jedoch andere Arten der Vorspannung zum Andrücken der Spitze 40 an
die Oberfläche
verwendet werden. Die Polymerschicht 90 befindet sich auf einem
Siliciumsubstrat 100. Zwischen der Polymerschicht 90 und
dem Substrat 100 ist wahlweise eine Pufferschicht 110 aus
einem vernetzten Fotolack wie zum Beispiel SU-8 mit einer Dicke
im Bereich von 70 nm angeordnet. Sowohl bei den Lese- als auch den Schreiboperationen
befindet sich die Spitze 40 der Matrix oberhalb der Oberfläche des
Speichermediums. Bei den Schreiboperationen kann die Matrix der Spitzen über das
Speichermedium bewegt werden, um das Schreiben von Daten auf einer
Fläche
der Polymerschicht 90 zu ermöglichen.
-
Daten
werden durch eine Kombination der Ausübung einer lokalen Kraft durch
die Spitze auf die Polymerschicht 90 und durch Einwirken
von Energie über
die Spitze 40 auf die Oberfläche in Form von Wärme durch
einen durch den Abtastarm 15 fließenden Schreibstrom von der
entsprechenden Zeilenleiterbahn 60 zur entsprechenden Spaltenleiterbahn 50 auf
das Speichermedium geschrieben. Der durch den Abtastarm 15 fließende Strom
führt zur
Erwärmung
des Heizelements 30. Die Wärmeenergie gelangt durch Wärmeleitung
vom Heizelement 30 zur Spitze 40.
-
In 3 ist
jede Zeilenleiterbahn 60 mit einer separaten Zeile des
Zeilenmultiplexers 180 verbunden. Entsprechend ist jede
Spaltenleiterbahn 50 mit einer separaten Zeile eines Spaltenmultiplexers 130 verbunden.
Zwischen einer Steuereinheit 210 und dem Zeilenmultiplexer 180 und
dem Spaltenmultiplexer 130 werden über die Steuerleitungen 140 bzw. 150 Daten-
und Steuersignale übertragen.
Das Speichermedium 90 lässt
sich durch die Positionierungswandler 160, 170 und 220 kontrolliert
in senkrecht aufeinander stehenden Richtungen über die Matrix bewegen. Die
Wandler 160 und 170 bewirken eine Bewegung der
Matrix in einer Ebene parallel zur Oberfläche der Polymerschicht 90.
Der Wandler 220 bewirkt eine Bewegung der Matrix in einer
zu dieser senkrechten Richtung. Während des Betriebes erzeugt
die Steuereinheit 210 Schreibsignale zum Ansteuern der
Matrix während
Schreiboperationen, Lesesignale zum Ansteuern der Matrix während Leseoperationen
und Positionierungssignale zum Ansteuern der Wandler 160, 170 und 220 zur
Steuerung der Bewegung der Spitzen in der Matrix über die
Polymerschicht 90. Die Steuereinheit 210 empfängt während der
Leseoperationen auch Ausgangssignale von der Matrix. Bei besonders
bevorzugten Ausführungsarten
der vorliegenden Erfindung werden die Wandler 160, 170 und 220 durch
piezoelektrische Wandler, elektromagnetische Wandler oder eine Kombination
beider realisiert. Es ist jedoch klar, dass auch andere Ausführungen
möglich
sind. Die Steuereinheit 210 kann durch einen Mikroprozessor,
einen Mikrocontroller oder eine ähnliche
Steuereinheit oder mehrere solcher Steuereinheiten realisiert werden.
-
In 4 wird
der Schreibstrom zum Erhitzen der Spitze 40 auf eine Temperatur
ausgewählt,
welche zur lokalen Verformung der Polymerschicht 90 ausreicht,
damit die Spitze 40 in die Oberfläche der Polymerschicht 90 eingedrückt wird
und eine Vertiefung 120 mit einem Durchmesser im Bereich
von 40 nm hinterlässt.
Beispielsweise wurde gefunden, dass man die lokale Verformung einer
PMMA-Schicht durch Erhitzen der Spitze 40 auf eine Temperatur
der Größenordnung
von 700°C
erreichen kann. Die optionale Pufferschicht 110 hat einen
höheren Schmelzpunkt
als die PMMA-Schicht 90 und wirkt deshalb dem Eindringen
entgegen, um das Abtragen des Substrats 90 durch die Spitze 40 zu
verhindern. Die Vertiefung 120 ist von einem Ring 190 aus
Polymermaterial umgeben, das über
die Polymerschicht 90 angehoben ist. Eine zweite, überlappende
Vertiefung 121 ist mit gestrichelten Linien angedeutet.
-
Das
Heizelement 30 stellt auch einen thermischen Auslesesensor
bereit, da der Widerstand des Heizelementes von der Temperatur abhängt. Für Datenleseoperationen
wird von der entsprechenden Zeilenleiterbahn 60 ein Heizstrom
durch den Abtastarm 15 zur entsprechenden Spaltenleiterbahn 50 geschickt.
Dabei wird das Heizelement 40 erneut erhitzt, diesmal aber
auf eine Temperatur, die zum Verformen der Polymerschicht 90 nicht
ausreicht. Lesetemperaturen in der Größenordnung von 400°C reichen
beispielsweise nicht zum Schmelzen einer PMMA-Schicht aus, ermöglichen
jedoch eine ausreichende Lesequalität. Die Wärmeleitung zwischen dem Heizelement 30 und
der Polymerschicht 90 hängt
vom Abstand zwischen dem Heizelement und der Polymerschicht 90 ab.
Während
einer Leseoperation wird die Spitze 40 über die Oberfläche der
Polymerschicht 90 geführt.
Das erreicht man dadurch, dass man die Matrix gegenüber der
Polymerschicht 90 verschiebt. Wenn die Spitze 40 in
eine Vertiefung 120 gelangt, verringert sich der Abstand
zwischen dem Heizelement 30 und der Polymerschicht 90.
Das Medium zwischen dem Heizelement 30 und der Polymerschicht 90 überträgt die Wärme zwischen
dem Heizelement 30 und der Polymerschicht 90.
Die Wärmeübertragung
zwischen dem Heizelement 30 und der Polymerschicht 90 nimmt
zu, wenn die Spitze 40 in die Vertiefung 120 gelangt.
Aus diesem Grund sinken die Temperatur und somit der Widerstand
des Heizelements 30. Die Temperaturänderungen der ständig erhitzten
Zeile der Heizelemente 30 können parallel erfasst und somit
die aufgezeichneten Bits gelesen werden.
-
Der
oben erwähnte
Heizstrom wird durch Anlegen eines Heizspannungsimpulses an die
entsprechende Zeilenleiterbahn 60 erzeugt. Aus diesem Grund
fließt
durch jeden Sensor 10 ein Heizstrom, der mit derjenigen
Zeilenleiterbahn 60 verbunden ist, an welche der Heizspannungsimpuls
angelegt wird. Deshalb werden alle Heizelemente 30 in der
entsprechenden Zeile des Matrix erhitzt. Dann werden die aufgezeichneten
Daten parallel aus der erhitzten Zeile der Sensoren 10 gelesen.
Somit wird jede Zeile der Matrix nacheinander entsprechend einem
Multiplexschema gelesen. Bei einer bevorzugten Ausführungsart
der vorliegenden Erfindung bietet das Speichermedium eine Speicherfläche von
3 mm × 3
mm.
-
Bei
einer in 5 gezeigten bevorzugten Ausführungsart
der vorliegenden Erfindung werden aufgezeichnete Daten selektiv
gelöscht,
indem neue Vertiefungen 121 bis 124 gebildet werden,
welche die zu vorher aufgezeichneten und zu löschenden Daten so überlappen,
dass die Oberfläche
der Polymerschicht 90 im Wesentlichen nivelliert ist. Dies
wird bei besonders bevorzugten Ausführungsarten der vorliegenden
Erfindung dadurch erreicht, dass durch Ausführen der oben erwähnten Schreiboperation
die zu löschenden
Vertiefungen mit einer größeren Dichte neuer,
einander überlappender
Vertiefungen 121 bis 124 überschrieben werden, sodass
jede neue Vertiefung die unmittelbar vorangehende Vertiefung wirksam
löscht.
Die sich überlappenden
neuen Vertiefungen 121 bis 124 vereinigen sich
untereinander und mit der zu löschenden
Vertiefung 120 und nivellieren so im Wesentlichen die Oberfläche der
Polymerschicht 90, wie in 6 gezeigt
wird. Es wurde bereits früher
gesagt, dass die Löschung
nicht unbedingt vollständig
sein muss. In der Oberfläche
der Polymerschicht 90 kann eine Reihe von Wellen 200 zurückbleiben.
Es genügt,
dass ein gelöschtes
Bit während
einer Leseoperation nicht als Datenbit erkannt wird. Das hängt natürlich von
der Empfindlichkeit des Lesevorgangs ab. Die Steuereinheit 210 in 3 kann
in einem Löschmodus
betrieben werden, um die Bildung neuer Vertiefungen 121 bis 124 zu
steuern. Bei einigen Ausführungsarten
der vorliegenden Erfindung kann es gemäß 5 ausreichen,
dass das letzte in einer Reihe geschriebene Bit zum Löschen einer
nicht benötigten
Datenreihe, wie zum Beispiel das durch die neue Vertiefung 124 dargestellte
Bit, einen Teil einer neu aufzuzeichnenden Datenreihe bildet. Bei
anderen Ausführungsarten
der vorliegenden Erfindung kann die Dichte, mit der neue Bits zum
Löschen
nicht benötigter
Bits geschrieben werden, so groß sein,
dass in der Oberfläche
keine neuen aufgezeichneten Bits zurückbleiben.
-
Die
Oberfläche
der Polymerschicht 90 hat gemäß 7 einen
stabilen oder Grundzustand 230 und einen metastabilen Zustand 240.
Durch Einwirken einer Kombination von Kraft Fw und Energie Ew durch
die Spitze 40 auf die Oberfläche wird diese am Kontaktpunkt
mit der Spitze 40 zu ihrem metastabilen Zustand 240 verformt.
Bei einer bevorzugten Ausführungsart
der vorliegenden Erfindung wird gemäß 7 und 8 ein
Datenbit an eine Stelle auf der Oberfläche geschrieben, indem man
die Spitze 40 an der Stelle positioniert und durch die
Spitze 40 eine Kombination von Kraft Fw und Energie Ew
auf die Oberfläche
einwirken lässt,
um die Oberfläche
an dieser Stelle zu verformen. Das Datenbit wird dann gemäß 9 dadurch
gelöscht,
dass man die Spitze 40 an der verformten Stelle positioniert
und durch die Spitze 40 die Energie Ee einwirken lässt. Die
Energie Ee kann kleiner als die zum Schreiben eines Datenbits auf
die Oberfläche
erforderliche Energie, aber größer als
die zum Lesen eines in der Oberfläche aufgezeichneten Datenbits
erforderliche Energie sein. Alternativ kann die Energie Ee eine ähnliche Größenordnung
wie die Energie Ew haben. Auf jeden Fall reicht die Energie Ee aus,
um die vom metastabilen Zustand 240 in den stabilen Zustand 230 zu überführen. Bei
der Löschoperation
wird die Kraft Fw verringert und kann bei einigen Ausführungsarten
der vorliegenden Erfindung ganz entfallen. Die Verringerung der
Kraft Fw kann durch den Wandler 220 realisiert werden.
Wenn man die Energie Ee bei verringerter Kraft Fw einwirken lässt, um
die Moleküle
in der verformten Oberfläche
anzuregen, reichen die intermolekularen Kräfte Fm in der Oberfläche aus,
um die Spitze 40 herauszudrücken, während die Oberfläche in ihren
stabilen Zustand zurückkehrt.
Die für
die Lese-, Schreib- und die selektiven Löschoperationen erforderlichen
verschiedenen Kombinationen von Energie und Kraft werden wie oben
beschrieben durch die Steuereinheit 210 der Matrix zugeführt.
-
Bei
bevorzugten Ausführungsart
der oben beschriebenen vorliegenden Erfindung wirkt während Schreib-,
Lese- und selektiver Löschoperationen
Energie in Form von Wärme
durch die Spitze 40 auf die Oberfläche ein. Bei anderen Ausführungsarten
der vorliegenden Erfindung kann die Energie während solcher Operationen jedoch
in anderen Formen auf die Oberfläche
einwirken.