DE602004021599D1 - Leseschaltung und Leseverfahren für eine nichtflüchtige Speichervorrichtung - Google Patents
Leseschaltung und Leseverfahren für eine nichtflüchtige SpeichervorrichtungInfo
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP04425724A EP1640995B1 (de) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | Leseschaltung und Leseverfahren für eine nichtflüchtige Speichervorrichtung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE602004021599D1 true DE602004021599D1 (de) | 2009-07-30 |
Family
ID=34932789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE602004021599T Active DE602004021599D1 (de) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | Leseschaltung und Leseverfahren für eine nichtflüchtige Speichervorrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7242619B2 (de) |
EP (1) | EP1640995B1 (de) |
DE (1) | DE602004021599D1 (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ITTO20070109A1 (it) | 2007-02-14 | 2008-08-15 | St Microelectronics Srl | Circuito e metodo di lettura per un dispositivo di memoria non volatile basati sulla generazione adattativa di una grandezza elettrica di riferimento |
US7724596B1 (en) | 2007-09-14 | 2010-05-25 | Marvell World Trade Ltd. | Auto-zero current sensing amplifier |
EP2354882B1 (de) * | 2010-02-10 | 2017-04-26 | Nxp B.V. | Umschaltbare Stromquellenschaltung und Verfahren |
US8472262B2 (en) | 2010-06-10 | 2013-06-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Sense amplifier for reading a crossbar memory array |
US9460785B2 (en) * | 2014-03-06 | 2016-10-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device |
JP2016207243A (ja) * | 2015-04-24 | 2016-12-08 | 株式会社デンソー | 半導体記憶装置 |
US11048654B2 (en) * | 2018-10-24 | 2021-06-29 | Innogrit Technologies Co., Ltd. | Systems and methods for providing multiple memory channels with one set of shared address pins on the physical interface |
IT202000001630A1 (it) * | 2020-01-28 | 2021-07-28 | St Microelectronics Srl | Circuito di generazione della tensione di bit line per un dispositivo di memoria non volatile e relativo metodo |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2586722B2 (ja) * | 1990-10-11 | 1997-03-05 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
US5805500A (en) * | 1997-06-18 | 1998-09-08 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Circuit and method for generating a read reference signal for nonvolatile memory cells |
IT1293644B1 (it) * | 1997-07-25 | 1999-03-08 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito e metodo di lettura di celle di una matrice di memoria analogica, in particolare di tipo flash |
IT1308857B1 (it) * | 1999-10-29 | 2002-01-11 | St Microelectronics Srl | Metodo e circuito di lettura per una memoria non volatile. |
US6191989B1 (en) * | 2000-03-07 | 2001-02-20 | International Business Machines Corporation | Current sensing amplifier |
US6288934B1 (en) * | 2000-09-06 | 2001-09-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Analog memory device and method for reading data stored therein |
US7116572B2 (en) * | 2004-11-09 | 2006-10-03 | Ramtron International Corporation | Circuit for generating a centered reference voltage for a 1T/1C ferroelectric memory |
-
2004
- 2004-09-28 DE DE602004021599T patent/DE602004021599D1/de active Active
- 2004-09-28 EP EP04425724A patent/EP1640995B1/de active Active
-
2005
- 2005-09-28 US US11/238,137 patent/US7242619B2/en active Active
-
2007
- 2007-06-08 US US11/811,394 patent/US7450428B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1640995B1 (de) | 2009-06-17 |
US7242619B2 (en) | 2007-07-10 |
US20070247903A1 (en) | 2007-10-25 |
US20060077710A1 (en) | 2006-04-13 |
US7450428B2 (en) | 2008-11-11 |
EP1640995A1 (de) | 2006-03-29 |
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Date | Code | Title | Description |
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