DE602004021599D1 - Leseschaltung und Leseverfahren für eine nichtflüchtige Speichervorrichtung - Google Patents

Leseschaltung und Leseverfahren für eine nichtflüchtige Speichervorrichtung

Info

Publication number
DE602004021599D1
DE602004021599D1 DE602004021599T DE602004021599T DE602004021599D1 DE 602004021599 D1 DE602004021599 D1 DE 602004021599D1 DE 602004021599 T DE602004021599 T DE 602004021599T DE 602004021599 T DE602004021599 T DE 602004021599T DE 602004021599 D1 DE602004021599 D1 DE 602004021599D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
reading
memory device
nonvolatile memory
circuit
reading circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE602004021599T
Other languages
English (en)
Inventor
Ignazio Martines
Placa Michele La
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Publication of DE602004021599D1 publication Critical patent/DE602004021599D1/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • G11C16/28Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
DE602004021599T 2004-09-28 2004-09-28 Leseschaltung und Leseverfahren für eine nichtflüchtige Speichervorrichtung Active DE602004021599D1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP04425724A EP1640995B1 (de) 2004-09-28 2004-09-28 Leseschaltung und Leseverfahren für eine nichtflüchtige Speichervorrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE602004021599D1 true DE602004021599D1 (de) 2009-07-30

Family

ID=34932789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602004021599T Active DE602004021599D1 (de) 2004-09-28 2004-09-28 Leseschaltung und Leseverfahren für eine nichtflüchtige Speichervorrichtung

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7242619B2 (de)
EP (1) EP1640995B1 (de)
DE (1) DE602004021599D1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITTO20070109A1 (it) 2007-02-14 2008-08-15 St Microelectronics Srl Circuito e metodo di lettura per un dispositivo di memoria non volatile basati sulla generazione adattativa di una grandezza elettrica di riferimento
US7724596B1 (en) 2007-09-14 2010-05-25 Marvell World Trade Ltd. Auto-zero current sensing amplifier
EP2354882B1 (de) * 2010-02-10 2017-04-26 Nxp B.V. Umschaltbare Stromquellenschaltung und Verfahren
US8472262B2 (en) 2010-06-10 2013-06-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Sense amplifier for reading a crossbar memory array
US9460785B2 (en) * 2014-03-06 2016-10-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor storage device
JP2016207243A (ja) * 2015-04-24 2016-12-08 株式会社デンソー 半導体記憶装置
US11048654B2 (en) * 2018-10-24 2021-06-29 Innogrit Technologies Co., Ltd. Systems and methods for providing multiple memory channels with one set of shared address pins on the physical interface
IT202000001630A1 (it) * 2020-01-28 2021-07-28 St Microelectronics Srl Circuito di generazione della tensione di bit line per un dispositivo di memoria non volatile e relativo metodo

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2586722B2 (ja) * 1990-10-11 1997-03-05 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US5805500A (en) * 1997-06-18 1998-09-08 Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. Circuit and method for generating a read reference signal for nonvolatile memory cells
IT1293644B1 (it) * 1997-07-25 1999-03-08 Sgs Thomson Microelectronics Circuito e metodo di lettura di celle di una matrice di memoria analogica, in particolare di tipo flash
IT1308857B1 (it) * 1999-10-29 2002-01-11 St Microelectronics Srl Metodo e circuito di lettura per una memoria non volatile.
US6191989B1 (en) * 2000-03-07 2001-02-20 International Business Machines Corporation Current sensing amplifier
US6288934B1 (en) * 2000-09-06 2001-09-11 Oki Electric Industry Co., Ltd. Analog memory device and method for reading data stored therein
US7116572B2 (en) * 2004-11-09 2006-10-03 Ramtron International Corporation Circuit for generating a centered reference voltage for a 1T/1C ferroelectric memory

Also Published As

Publication number Publication date
EP1640995B1 (de) 2009-06-17
US7242619B2 (en) 2007-07-10
US20070247903A1 (en) 2007-10-25
US20060077710A1 (en) 2006-04-13
US7450428B2 (en) 2008-11-11
EP1640995A1 (de) 2006-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602005012028D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung und Leseverfahren
TWI316254B (en) Semiconductor memory device and a data read method thereof
DE602004010239D1 (de) Verbesserter Seitenspeicher für eine programmierbare Speichervorrichtung
DE602004016283D1 (de) Integrierter Daten-Flash-Speicher und Programmcode-Flash-Speicher
DE602007009001D1 (de) Prüfverfahren für eine Halbleiterspeichervorrichtung und Halbleiterspeichervorrichtung dafür
DE602005020066D1 (de) Decodierschaltung zur Verwendung in einer nichtflüchtigen Halbleiterspeichervorrichtung
EP1895418A4 (de) Nichtflüchtige speichervorrichtung sowie verfahren zum schreiben und lesen von daten
GB2432444B (en) Flash memory device and word line enable method thereof
DE602006001026D1 (de) Integriertes Schaltgerät, Flash-Speicherarray, nichtflüchtige Speichervorrichtung und Betriebsverfahren
DE602006018234D1 (de) Sockelstruktur für eine Speicherkarte
DE602006009045D1 (de) Sockelstruktur für eine Speicherkarte
DE602006011803D1 (de) Zeilenlayoutstruktur, Halbleiterspeichervorrichtung und Layoutverfahren
DE602005012080D1 (de) Verfahren und vorrichtung für eine doppelte stromversorgung für eingebetteten, nicht-flüchtigen speicher
NO20042824L (no) System for merking og avlesing
DE602007002416D1 (de) Halbleiterspeicher und Datenzugangsverfahren
DE602007000219D1 (de) Nichtflüchtige Speichervorrichtung und Betriebsverfahren dafür
DE602004004494D1 (de) Datenverwaltungs-Vorrichtung und -Methode für einen Flash-Speicher
DE60324117D1 (de) Multibit Speicheranordnung und Verfahren zur Programmierung und zum Auslesen derselben
DE602005018561D1 (de) Halbleiterspeicherbauelement und dessen Herstellungsverfahren
DE602005013212D1 (de) Halbleiter-speicherkarte
DE602005022136D1 (de) Datenaufzeichnungsgerät und Datenaufzeichnungsverfahren
DE602005015925D1 (de) Speicherkarte
DE60311228D1 (de) Mehrbitspeicherelement für eine binäre Anzeigevorrichtung
NO20043977L (no) Lesemetode og deteksjonsanordning
DE602005001394D1 (de) Integrationsvorrichtung und -verfahren für eine militärische datenverbindung

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition