DE60128049T2 - Bildsensor mit verbesserter Gleichmässigkeit des spektralen Ansprechverhaltens - Google Patents

Bildsensor mit verbesserter Gleichmässigkeit des spektralen Ansprechverhaltens Download PDF

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Description

  • Die Erfindung betrifft allgemein das Gebiet der Bildsensoren und insbesondere in MOS-Vorrichtungen verwendete Elektrodenstrukturen.
  • US-A 5 483 090 zeigt einen Bildsensor mit einem ersten und einem zweiten Abtastbereich. Jeder Bereich enthält Schichten transparenten Materials. Die Dicken der beiden Schichtbereiche sind gleich, sodass beide Bereiche das gleiche optische Ansprechverhalten aufweisen.
  • US-A 5 798 542 vom 25. August 1998, Anagnostopoulos u.a., zeigt einen Bildsensor mit Fotosensoren, die einen ersten und einen zweiten Bereich aufweisen. Jeder Bereich enthält einen Stapel aus transparenten Schichten, die sich aus einer dielektrischen Gate-Schicht, transparenten Elektrodenschichten, Isolationsschichten und Passivierungsschichten über einem Halbleitersubstrat zusammensetzen. Das spektrale Ansprechverhalten der Fotosensoren wird von den Schichtmaterialien und deren relativen Dicken stark beeinflusst. Infolgedessen ändert sich die Spektralempfindlichkeit des Bildsensors für einfallendes Licht mit der Wellenlänge, sodass eine Spektralempfindlichkeitskurve mit Höchst- und Tiefstwerten erzeugt wird. Besonders akut kann dieses Problem auftreten, wenn die Stapel transparenter Schichten für beide Bereiche gleich sind.
  • Es besteht somit ein Bedarf für einen Bildsensor mit verbesserter Gleichmäßigkeit des spektralen Ansprechverhaltens.
  • Dieser Bedarf wird erfindungsgemäß durch die Schaffung eines Bildsensors gedeckt, der ein Halbleitersubstrat aufweist sowie einen Fotosensor, der umfasst: einen ersten Abtastbereich mit einem ersten Stapel aus einer Schicht oder mehreren Schichten aus transparenten Materialien, die das Substrat überlagern, wobei der erste Abtastbereich ein spektrales Ansprechver halten mit Höchst- und Tiefstwerten aufweist, und einen zweiten Abtastbereich mit einem zweiten Stapel aus einer Schicht oder mehreren Schichten aus transparenten Materialien, die das Substrat überlagern, wobei der zweite Abtastbereich ein spektrales Ansprechverhalten mit Höchst- und Tiefstwerten aufweist und wobei mindestens ein Höchst- oder Tiefstwert des spektralen Ansprechverhaltens des ersten Bereichs angeglichen wird an mindestens einen entsprechenden Tiefst- oder Höchstwert des spektralen Ansprechverhaltens des zweiten Bereichs, wodurch das durchschnittliche spektrale Ansprechverhalten des Fotosensors ausgeglichener ist als das individuelle spektrale Ansprechverhalten des ersten oder zweiten Abtastbereichs.
  • Der Bildsensor hat den Vorteil, dass die Gleichmäßigkeit des spektralen Ansprechverhaltens verbessert wird. Wenn durch Hinzufügen von Farbfiltern zu dem Bildsensor ein Farbbildsensor erzeugt wird, ergibt sich infolgedessen eine erhebliche Verbesserung der Gleichmäßigkeit der Spektralempfindlichkeit des Sensors.
  • Die Erfindung wird im Folgenden anhand eines in der Zeichnung dargestellten bevorzugten Ausführungsbeispiels näher erläutert.
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung einer Pixelarchitektur nach dem Stand der Technik;
  • 2A einen Querschnitt der Darstellung in 1 durch die von der Linie A-A angezeigten Speicherbereiche des Pixels in 1;
  • 2B einen Querschnitt der Darstellung in 1 durch eine der Phasen des Pixels entlang der Linie B-B;
  • 3 das spektrale Ansprechverhalten für einen typischen Polysilicon-Indiumzinnoxid-CCD und einen erfindungsgemäß spektral optimierten Polysilicon-Indiumzinnoxid-Gate-Elektroden-CCD;
  • 4 den Aufbau einer erfindungsgemäßen doppelten Indiumzinnoxid-Gate-Elektrodenstruktur und
  • 5 und 6 spektrale Transmissionskurven für Kombinationen von Indiumzinnoxid-Gate-Elektroden mit verschiedenen optischen Endstapeln. Jedes Bild zeigt die individuelle Gate-Transmission und die zusammengesetzte End-Transmission der beiden Elektroden.
  • 1 zeigt eine für die Erfindung geeignete Fotosensorausführung nach dem Stand der Technik. Der Fotosensor 10 weist einen ersten Speicherbereich 11 und einen zweiten Speicherbereich 12 mit entsprechenden Sperrbereichen 21 und 22 auf, die verhindern, dass gespeicherte Ladung aus den Speicherbereichen 11, 12 abfließt. Zum Schutz gegen Überstrahlung ist ein seitlicher Überlaufdrainanschluss 16 vorgesehen. Ein erster Abtastbereich umfasst den Speicherbereich 11, den Sperrbereich 21 und einen ersten Stapel aus Schichten, der eine überlagernde dielektrische Schicht 28, eine Polysilicon-Elektrode 32 und gegebenenfalls weitere Schichten, wie zum Beispiel nicht dargestellte Isolations- und Passivierungsschichten, umfasst. Entsprechend umfasst ein zweiter Abtastbereich den Speicherbereich 12, den Sperrbereich 22 und einen zweiten Stapel aus Schichten, der eine überlagernde dielektrische Schicht 28, eine Polysilicon-Elektrode 30 und gegebenenfalls weitere Schichten, wie zum Beispiel nicht dargestellte Isolations- und Passivierungsschichten, umfasst.
  • Die in 2A dargestellte Querschnittsansicht von 1 entlang der Linie A-A durch die Speicherbereiche 11, 12 und die Sperrbereiche 21, 22, veranschaulicht die Ausführung des Fotosensors 10 mit einem Substrat 24, das hier vorzugsweise als hochdotiertes P-Substrat mit einer darauf ausgebildeten Epitaxialschicht 26 aus weniger hoch dotiertem P-Material, die sich bis zur Oberfläche erstreckt, besteht. Die Speicherbereiche 11 und 12 werden vorzugsweise aus einer leicht dotierten N-Implantation in die Epitaxialschicht 26 gebildet. Die zur Herstellung des Fotosensors 10 verwendeten zusätzlichen Strukturen werden ebenfalls in der Epitaxialschicht 26 ausgebildet, wie zum Beispiel die Sperrbereiche 21, 22, für deren Bildung die gleiche N-Implantierung wie im Speicherbereich und eine zusätzliche leichte P-Implantierung verwendet werden.
  • In der in 2B dargestellten Querschnittsansicht von 1 entlang der Linie B-B ist der Sperrbereich 19, der die Überlaufsperre zum Drainanschluss zur Verhinderung von Überstrahlung darstellt, exakt so ausgebildet wie die Sperrbereiche 21 und 22, aber schmaler dargestellt, um den "Kurzkanaleffekt" zu nutzen, wodurch ein geringfügig tieferes Oberflächenkanalpotential erzeugt wird. Ein Kanalstopper 15 wird vorzugsweise aus einer P+-Implantierung gebildet. Zur Bildung des seitlichen Überlaufdrainanschlusses 16 wird eine hochdotierte N-Implantierung in einer P-Implantierung 17 verwendet. Diese auf der Epitaxialschicht 26 ausgebildeten Strukturen haben ein Potential, das über eine Indiumzinnoxid-Elektrode 30 und Polysilicon-Elektroden 32, die von diesen Strukturen durch ein Siliziumdioxid-Siliziumnitrid-Siliziumdioxid(ONO)-Dielektrikum 28 getrennt sind, gesteuert wird.
  • Das spektrale Ansprechverhalten eines Vollbild-Zweiphasen-CCD wird von den Gate-Elektrodenmaterialien und der relativen Dicke und Zusammensetzung dielektrischer Filme über den Gate-Elektroden stark beeinflusst. Die Spektralempfindlichkeit des CCD für einfallendes Licht ändert sich mit der Wellenlänge. CCDs sind für rotes Licht typischerweise empfindlicher als für blaues Licht. Dieser Unterschied im optischen Ansprechverhalten erfordert eine elektronische Verarbeitung des erfassten Bildes, um die unterschiedliche Spektralempfindlichkeit auszugleichen. Bei den herkömmlichen Vollbild-Mehrgate-CCDs können alle Elektroden die gleiche Dicke aufweisen. Die Lichtwege und folglich die Absorption und Reflexion des Films und deren Schnittstellen sind fast exakt gleich. Dies führt zu einem periodischen Anstieg und Abfall des optischen Ansprechverhaltens des Bilderzeugers über die interessierenden Wellenlängen. Der Anstieg und Abfall des optischen Ansprechverhaltens wird durch Absorption, Reflexion und konstruktive und destruktive Einwirkung des einfallenden Lichts verursacht. Diese Wechselwirkungen führen zu einer ständig zu- und abnehmenden Lichtmenge, die pro Wellenlänge in die CCD-Wannen eintritt, im gesamten sichtbaren Spektrum. Der Anstieg und Abfall des optischen Ansprechverhaltens ändert sich mit der Änderung der Wellenlänge, weil sich die optischen Wechselwirkungen des Lichts mit den CCD-Filmen ändern, wenn sich die Wellenlänge des einfallenden Lichts ändert.
  • 3 zeigt eine Kurve 34 des spektralen Ansprechverhaltens für einen Bildsensor der in 1 und 2A-B gezeigten Art. Wie ersichtlich, weist die Kurve des Ansprechverhaltens eine Reihe von Höchst- und Tiefstwerten auf, die auf die Mehrschichteinwirkung der Schichten über den Speicherbereichen 11 und 12 zurückzuführen sind.
  • Die Filme und deren optische Eigenschaften steuern in Kombination die konstruktiven und destruktiven Einwirkungseffekte des in das CCD-Pixel eintretenden einfallenden Lichts. Ein Zweiphasen-CCD verfügt über zwei Elektroden über jedem Pixel. Die Gesamtmenge des in jedes Pixel eintretenden Lichts wird von den überlagernden Filmen gesteuert. Durch eine zweckmäßige Wahl der Filme und der Filmdicke kann die wellenabhängige kombinierte Transmission eines jeden Gate-Elektrodenpaars veranlasst werden, sich ausgeglichen und stetig über das gesamte Spektrum von UV bis annähernd IR zu ändern.
  • Erfindungsgemäß wird die Dicke der Schichten eines oder beider Abtastbereiche so eingestellt, dass mindestens ein Höchst- oder Tiefstwert des spektralen Ansprechverhaltens des ersten Bereichs angeglichen wird an mindestens einen entsprechenden Tiefst- oder Höchstwert des spektralen Ansprechverhaltens des zweiten Bereichs, sodass das durchschnittliche spektrale Ansprechverhalten des Fotosensors ausgeglichener ist als das individuelle spektrale Ansprechverhalten des ersten oder zweiten Abtastbereichs. So bestand die ursprüngliche Dicke der Elektrodenschicht 30 zum Beispiel aus 175 nm Indiumzinnoxid und die ursprüngliche Dicke der Elektrodenschicht 32 aus 170 nm Polysilicion.
  • Mittels einer Computersimulation der Einwirkungseffekte der Schichten in der Vorrichtung nach dem Stand der Technik wurde für jeden der Abtastbereiche eine Kurve des spektralen Ansprechverhaltens erzeugt. Nach Einstellen der Dicken der Elektrodenschichten wurden mittels einer neuen Simulation modifizierte Kurven des spektralen Ansprechverhaltens erzeugt und untersucht, um festzustellen, ob ein oder mehrere Höchstwerte einer der Kurven mit einem oder mehreren Tiefstwerten der anderen Kurve zusammenfielen. Darauf wurde der Prozess bis zur Erzeugung einer kombinierten Kurve mit einem gleichförmigeren spektralen Ansprechverhalten wiederholt. Das so ermittelte, mit einer Elekrodenschicht 30 aus 95 nm dickem Indiumzinnoxid und einer Elektrodenschicht 32 aus 170 nm dickem Polysilicon erzeugte spektrale Ansprechverhalten ist in 3 als Kurve 36 dargestellt. Zusätzlich wurden die Dicken der überlagernden dielektrischen Passivierungsschichten (in 1 und 2A-B nicht dargestellt) eingestellt, um das Ansprechverhalten des Sensors weiter anzupassen.
  • Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung bestehen beide Elektrodenschichten 30 und 32 aus Indiumzinnoxid. In diesem Fall werden zur Optimierung der Gleichmäßigkeit des spektralen Ansprechverhaltens des Bildsensors die individuellen Dicken der Elektroden eingestellt. Durch Einstellen der Dicke einer jeden Elektrode kann der Lichtweg des einfallenden Lichts so optimiert werden, dass die normale periodische Veränderung der Transmission über interessierende Wellenlängen des Filmstapels reduziert oder eliminiert werden kann.
  • 4 zeigt den Aufbau eines erfindungsgemäßen doppelten Indiumzinnoxid-Gate-Elektrodensensors mit unterschiedlichen Elektrodendicken zur Erzeugung eines spektral ausgeglichenen Ansprechverhaltens. Der Sensor umfasst ein Substrat 24, eine Epitaxialschicht 26, eine dielektrische Siliziumdioxid-Siliziumnitrid-Siliziumdioxid(ONO)-Schicht 28 und Gate-Elektroden 30 und 30' aus Indiumzinnoxid unterschiedlicher Dicke. Die Elektroden werden von einer Siliziumdioxidschicht 38, einer Passivierungsschicht 40 aus Siliziumoxydnitrid und einer Antireflexionsschicht 42 aus Siliziumdioxid überlagert. Wie ersichtlich, können sich die Dicken der Oxidschicht über den Gate-Elektroden 30 und 30' aus Indiumzinnoxid unterscheiden und wirken sich dann auf das spektrale Ansprechverhalten des Sensors aus. Jede Gate-Elektrode und die sie überlagernde Oxidschicht weist bzw. weisen eine optische Transmission auf, die so angepasst werden kann, dass die relative Transmission einer jeden Gate-Elektrode das Komplement der anderen für eine bestimmte Wellenlänge darstellt. Eine Gate-Elektrode (z.B. 30) kann für eine bestimmte Wellenlänge eine hohe Transmission aufweisen, während die andere Gate-Elektrode (z.B. 30') eine deutlich geringere Transmission aufweist. Das Endergebnis ist ein Mittelwert der Transmission der beiden Elektroden und ein flacheres Ansprechverhalten über einen weiten Wellenlängenbereich.
  • 5 veranschaulicht das spektrale Ansprechverhalten einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Die Ausführungsform umfasst eine Elektrode 30 mit einer Dicke von 290 nm, eine Elektrode 30' mit einer Dicke von 100 nm, eine Siliziumdioxidschicht 38 mit einer Dicke von 110 nm über der Elektrode 30 und einer Dicke von 300 nm über der Elektrode 30', eine Oxynitridschicht 40 mit einer Dicke von 400 nm und eine Antireflexionsschicht 42 mit einer Dicke von 100 nm.
  • Die Kurven 44 und 46 veranschaulichen das spektrale Ansprechverhalten der Gate-Elektroden 30 und 30'. Die Kurve 48 zeigt das durchschnittliche spektrale Ansprechverhalten der beiden Gate-Elektroden. Diese Anordnung ergibt ein relativ flaches optisches Ansprechverhalten mit ausgeglichener Veränderung.
  • Das durchschnittliche spektrale Ansprechverhalten des Sensors kann durch Anpassen der Dicken der überlagernden Schichten weiter eingestellt werden, indem man für die Siliziumdioxidschicht 38 eine Dicke von 10 nm über der Elektrode 30 und eine Dicke von 200 nm über der Elektrode 30' wählt. In 6 wird das so erhaltene spektrale Ansprechverhalten der Gate-Elektroden 30 und 30' von den Kurven 50 und 52 dargestellt. Die Kurve 54 zeigt das durchschnittliche spektrale Ansprechverhalten der beiden Gate-Elektroden.
  • Die Erfindung wurde hier anhand bestimmter bevorzugter Ausführungsformen ausführlich beschrieben, lässt jedoch Variationen und Modifikationen zu, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. So kann zum Beispiel statt der beschriebenen Verwendung von zwei Gate-Elektroden aus Indiumzinnoxid als Material für die Gate-Elektrode auch jedes andere transparente, leitende Material verwendet und erfindungsgemäß angepasst werden, um ein gleichförmiges spektrales Ansprechverhalten zu erzielen. Ferner kann ein Sensor mit mehr als zwei Gates, z.B. vier Gates, auf ähnliche Weise angepasst werden. Statt der beschriebenen Verwendung von Gate-Elektroden mit unterschiedlicher Materialdicke können natürlich auch Gate-Elektroden mit gleicher Materialdicke verwendet und die Dicken der überlagernden Schichten angepasst werden, um ein gleichmäßigeres Ansprechverhalten des Sensors zu erzielen.

Claims (8)

  1. Bildsensor mit: a) einem Halbleitersubstrat; b) einem Fotosensor, der umfasst: i) einen ersten Abtastbereich mit einem ersten Stapel aus einer Schicht oder mehreren Schichten aus transparenten Materialien, die das Substrat überlagern, wobei der erste Abtastbereich ein spektrales Ansprechverhalten mit Höchst- und Tiefstwerten aufweist; und ii) einen zweiten Abtastbereich mit einem zweiten Stapel aus einer Schicht oder mehreren Schichten aus transparenten Materialien, die das Substrat überlagern, wobei der zweite Abtastbereich ein spektrales Ansprechverhalten mit Höchst- und Tiefstwerten aufweist; c) dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Höchst- oder Tiefstwert des spektralen Ansprechverhaltens des ersten Bereiches angeglichen wird an mindestens einen entsprechenden Höchst- oder Tiefstwert des spektralen Ansprechverhaltens des zweiten Bereiches, wodurch das durchschnittliche spektrale Ansprechverhalten des Fotosensors ausgeglichener ist als das individuelle spektrale Ansprechverhalten des ersten oder zweiten Abtastbereichs.
  2. Bildsensor nach Anspruch 1, worin die Anzahl an Schichten und die Materialien im ersten und zweiten Stapel von Schichten gleich sind und die Dicke einer oder mehrerer Schichten sich unterscheidet.
  3. Bildsensor nach Anspruch 1, worin die Anzahl an Schichten im ersten und zweiten Stapel und/oder die Materialien sich unterscheiden.
  4. Bildsensor nach Anspruch 1, worin eine der Schichten in jedem Stapel eine Gate-Elektrodenschicht ist.
  5. Bildsensor nach Anspruch 1, worin eine der Gate-Elektrodenschichten aus Indiumzinnoxid besteht.
  6. Bildsensor nach Anspruch 1, worin eine der Gate-Elektrodenschichten aus Polysilicon besteht.
  7. Bildsensor nach Anspruch 5, worin die Gate-Elektrodenschichten in beiden Stapeln aus Indiumzinnoxid bestehen.
  8. Bildsensor nach Anspruch 7, worin die Gate-Elektrodenschichten in beiden Stapeln unterschiedlich dick sind.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3960904B2 (ja) 2002-11-08 2007-08-15 オリンパスメディカルシステムズ株式会社 経内視鏡的医療具
US6924472B2 (en) * 2002-11-12 2005-08-02 Eastman Kodak Company Image sensor with improved optical response uniformity
EP1457865B1 (de) * 2003-03-12 2017-11-08 Asulab S.A. Substrat mit unsichtbaren elektroden und dessen herstellungsverfahren
US6940097B2 (en) * 2003-08-19 2005-09-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical property normalization for a transparent electrical device
US7851822B2 (en) * 2006-06-27 2010-12-14 Eastman Kodak Company Full frame ITO pixel with improved optical symmetry

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1532859A (en) * 1976-03-30 1978-11-22 Mullard Ltd Charge coupled circuit arrangements and devices
US4214264A (en) * 1979-02-28 1980-07-22 Eastman Kodak Company Hybrid color image sensing array
JPH0671096B2 (ja) * 1985-03-13 1994-09-07 松下電器産業株式会社 受光素子
US5528643A (en) * 1989-11-13 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making
US5483090A (en) * 1993-04-09 1996-01-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid-state image pickup device and method for manufacturing such device
KR960015271B1 (ko) * 1993-08-18 1996-11-07 엘지반도체 주식회사 전하전송장치의 제조방법
US5798542A (en) 1996-10-08 1998-08-25 Eastman Kodak Company Image sensor having ITO electrodes with overlapping color filters for increased sensitivity
US5804845A (en) * 1996-10-08 1998-09-08 Eastman Kodak Company Image sensor having ITO electrodes with an ONO layer
JPH10144951A (ja) * 1996-11-08 1998-05-29 Shimadzu Corp 半導体受光素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP4936619B2 (ja) 2012-05-23
DE60128049D1 (de) 2007-06-06
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JP2002158347A (ja) 2002-05-31
US6489642B1 (en) 2002-12-03
EP1207561B1 (de) 2007-04-25
EP1207561A3 (de) 2004-09-01

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