JP2002158347A - 画像センサ - Google Patents
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
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-
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- H01L31/02—Details
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- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 分光感度の均一性が改善された画像センサを
提供すること。 【解決手段】 半導体基板２４と光センサとを備えた画
像センサであって、光センサは第１及び第２の感光領域
を有し、第１の感光領域は基板上に少なくとも一つの透
明材料層の第１の積層体を有するとともにピークと谷を
持つ分光感度を有し、第２の感光領域は基板上に少なく
とも一つの透明材料層の第２の積層体を有するとともに
ピークと谷を持つ分光感度を有している。また、第１の
感光領域の分光感度の少なくとも一つのピークあるいは
谷を第２の感光領域の分光感度の少なくとも一つの谷あ
るいはピークと重なり合わせて、光センサの平均分光感
度を第１あるいは第２の感光領域の個々の分光感度より
滑らかにした。
提供すること。 【解決手段】 半導体基板２４と光センサとを備えた画
像センサであって、光センサは第１及び第２の感光領域
を有し、第１の感光領域は基板上に少なくとも一つの透
明材料層の第１の積層体を有するとともにピークと谷を
持つ分光感度を有し、第２の感光領域は基板上に少なく
とも一つの透明材料層の第２の積層体を有するとともに
ピークと谷を持つ分光感度を有している。また、第１の
感光領域の分光感度の少なくとも一つのピークあるいは
谷を第２の感光領域の分光感度の少なくとも一つの谷あ
るいはピークと重なり合わせて、光センサの平均分光感
度を第１あるいは第２の感光領域の個々の分光感度より
滑らかにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は画像センサの分野に
関し、さらに詳しくは、ＭＯＳ装置に使用される電極構
造に関する。
関し、さらに詳しくは、ＭＯＳ装置に使用される電極構
造に関する。
【０００２】
【従来の技術】１９９８年８月２５日に発行されたAnag
nostopoulosらの米国特許第５，７９８，５４２号は、
第１及び第２の領域を持つ光センサを備えた画像センサ
を開示している。各領域には、半導体基板上に形成され
たゲート誘電体層、透明電極層、絶縁層及びパッシベー
ション層を含む透明層の積層体が設けられている。光セ
ンサの分光感度は、層の材料やその相対厚さに大きく影
響される。
nostopoulosらの米国特許第５，７９８，５４２号は、
第１及び第２の領域を持つ光センサを備えた画像センサ
を開示している。各領域には、半導体基板上に形成され
たゲート誘電体層、透明電極層、絶縁層及びパッシベー
ション層を含む透明層の積層体が設けられている。光セ
ンサの分光感度は、層の材料やその相対厚さに大きく影
響される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】したがって、入射光に
対する画像センサの分光感度は波長とともに変化し、ピ
ークと谷を有する分光感度曲線が生成される。透明層の
積層体が両方の領域で同一であれば、この問題は特に重
大である。
対する画像センサの分光感度は波長とともに変化し、ピ
ークと谷を有する分光感度曲線が生成される。透明層の
積層体が両方の領域で同一であれば、この問題は特に重
大である。
【０００４】本発明は、従来技術の有するこのような問
題点に鑑みてなされたものであり、分光感度の均一性が
改善された画像センサを提供することを目的としてい
る。
題点に鑑みてなされたものであり、分光感度の均一性が
改善された画像センサを提供することを目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板と光センサとを備え、該光セ
ンサは第１及び第２の感光領域を有し、前記第１の感光
領域は前記基板上に少なくとも一つの透明材料層の第１
の積層体を有するとともにピークと谷を持つ分光感度を
有し、前記第２の感光領域は前記基板上に少なくとも一
つの透明材料層の第２の積層体を有するとともにピーク
と谷を持つ分光感度を有し、前記第１の感光領域の分光
感度の少なくとも一つのピークあるいは谷を前記第２の
感光領域の分光感度の少なくとも一つの谷あるいはピー
クと重なり合わせて、前記光センサの平均分光感度を前
記第１あるいは第２の感光領域の個々の分光感度より滑
らかにしたことを特徴とする。
に、本発明は、半導体基板と光センサとを備え、該光セ
ンサは第１及び第２の感光領域を有し、前記第１の感光
領域は前記基板上に少なくとも一つの透明材料層の第１
の積層体を有するとともにピークと谷を持つ分光感度を
有し、前記第２の感光領域は前記基板上に少なくとも一
つの透明材料層の第２の積層体を有するとともにピーク
と谷を持つ分光感度を有し、前記第１の感光領域の分光
感度の少なくとも一つのピークあるいは谷を前記第２の
感光領域の分光感度の少なくとも一つの谷あるいはピー
クと重なり合わせて、前記光センサの平均分光感度を前
記第１あるいは第２の感光領域の個々の分光感度より滑
らかにしたことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図１は本発明に有効
な従来の光センサのデザインを示している。光センサ１
０は第１及び第２の格納領域１１，１２を備えており、
各領域はバリヤ領域２１，２２をそれぞれ有し、格納さ
れた電荷が格納領域１１，１２から流出するのを防止し
ている。ブルーミング対策として横にオーバーフロード
レイン１６が設けられている。第１の感光領域は、格納
領域１１、バリヤ領域２１、その上の誘電体層２８、ポ
リシリコン電極３２、図示してはいないが絶縁層やパッ
シベーション層のような他の層を含む第１の積層体を有
している。同様に、第２の感光領域は、格納領域１２、
バリヤ領域２２、その上の誘電体層２８、ポリシリコン
電極３０、図示してはいないが絶縁層やパッシベーショ
ン層のような他の層を含む第２の積層体を有している。
て、図面を参照しながら説明する。図１は本発明に有効
な従来の光センサのデザインを示している。光センサ１
０は第１及び第２の格納領域１１，１２を備えており、
各領域はバリヤ領域２１，２２をそれぞれ有し、格納さ
れた電荷が格納領域１１，１２から流出するのを防止し
ている。ブルーミング対策として横にオーバーフロード
レイン１６が設けられている。第１の感光領域は、格納
領域１１、バリヤ領域２１、その上の誘電体層２８、ポ
リシリコン電極３２、図示してはいないが絶縁層やパッ
シベーション層のような他の層を含む第１の積層体を有
している。同様に、第２の感光領域は、格納領域１２、
バリヤ領域２２、その上の誘電体層２８、ポリシリコン
電極３０、図示してはいないが絶縁層やパッシベーショ
ン層のような他の層を含む第２の積層体を有している。
【０００７】図２（ａ）は、格納領域１１，１２及びバ
リヤ領域２１，２２を横切る線Ａ−Ａに沿った図１の断
面図で、基板２４を有する光センサ１０の構造を示して
おり、基板２４は、高濃度にドープされたｐ型基板で、
より低濃度にドープされたｐ型材料製のエピタキシャル
層がその上の全面に形成されたものが好ましい。格納領
域１１，１２は、エピタキシャル層２６に打ち込まれた
低濃度のドープされたｎ型注入層から形成されるのがよ
い。光センサ１０を構成するために使用される他の構成
は、格納領域や別の低濃度ｐ型注入層と同じｎ型注入層
を使用して形成されるバリヤ領域２１，２２のようなエ
ピタキシャル層２６にも形成される。
リヤ領域２１，２２を横切る線Ａ−Ａに沿った図１の断
面図で、基板２４を有する光センサ１０の構造を示して
おり、基板２４は、高濃度にドープされたｐ型基板で、
より低濃度にドープされたｐ型材料製のエピタキシャル
層がその上の全面に形成されたものが好ましい。格納領
域１１，１２は、エピタキシャル層２６に打ち込まれた
低濃度のドープされたｎ型注入層から形成されるのがよ
い。光センサ１０を構成するために使用される他の構成
は、格納領域や別の低濃度ｐ型注入層と同じｎ型注入層
を使用して形成されるバリヤ領域２１，２２のようなエ
ピタキシャル層２６にも形成される。
【０００８】図２（ｂ）は、図１の線Ｂ−Ｂに沿った断
面図で、ドレインに対しオーバーフローバリヤを構成し
てブルーミングを防止するバリヤ領域１９は、バリヤ領
域２１，２２と全く同様に構成されるが、より狭く設け
られて「短チャネル効果」の利点を持ち、多少深い表面
チャネル電位を生成している。チャネルストッパ１５は
ｐ＋注入層から形成するのが好ましい。横のオーバーフ
ロードレイン１６は、ｐ型コンテナ注入層１７内の高ド
ーズｎ型注入層を使用して形成される。エピタキシャル
層２６上に形成されるこれらの構造は、二酸化ケイ素−
窒化ケイ素−二酸化ケイ素（ＯＮＯ）誘電体２８により
これらの構造体から分離されたインジウム−錫酸化物電
極３０及びポリシリコン電極３２を介して制御される電
位を持つ。
面図で、ドレインに対しオーバーフローバリヤを構成し
てブルーミングを防止するバリヤ領域１９は、バリヤ領
域２１，２２と全く同様に構成されるが、より狭く設け
られて「短チャネル効果」の利点を持ち、多少深い表面
チャネル電位を生成している。チャネルストッパ１５は
ｐ＋注入層から形成するのが好ましい。横のオーバーフ
ロードレイン１６は、ｐ型コンテナ注入層１７内の高ド
ーズｎ型注入層を使用して形成される。エピタキシャル
層２６上に形成されるこれらの構造は、二酸化ケイ素−
窒化ケイ素−二酸化ケイ素（ＯＮＯ）誘電体２８により
これらの構造体から分離されたインジウム−錫酸化物電
極３０及びポリシリコン電極３２を介して制御される電
位を持つ。
【０００９】フルフレーム２相ＣＣＤの分光感度は、ゲ
ート電極材料やゲート電極上の誘電体膜の相対厚さや組
成に強く影響される。入射光に対するＣＣＤの感度は、
波長とともに変化する。ＣＣＤは通常、青色光より赤色
光の方に反応する。この光学的感度の違いにより、集め
た画像を電子的に取り扱う必要があり、カラー感度の相
違を補償している。これまでのフルフレーム・マルチゲ
ートＣＣＤでは、すべての電極は同じ厚さでもよかっ
た。光路、すなわち、膜及びその界面の吸収率と反射率
は、ほとんど等しい。このことで、全波長にわたり画像
の光学的感度が周期的に上がったり下がったりする。光
学的感度の上がり下がりは、入射光の吸収率、反射率
や、建設的及び破壊的干渉による。これらの相互作用
は、可視スペクトルにわたってＣＣＤウェルに入射する
光量が常に増加したり減少する。光学的感度の上がり下
がりは波長の変化とともに変化する。これは、光の光学
的相互作用が、入射光の波長が変化するにつれて、ＣＣ
Ｄフィルムとともに変化するからである。
ート電極材料やゲート電極上の誘電体膜の相対厚さや組
成に強く影響される。入射光に対するＣＣＤの感度は、
波長とともに変化する。ＣＣＤは通常、青色光より赤色
光の方に反応する。この光学的感度の違いにより、集め
た画像を電子的に取り扱う必要があり、カラー感度の相
違を補償している。これまでのフルフレーム・マルチゲ
ートＣＣＤでは、すべての電極は同じ厚さでもよかっ
た。光路、すなわち、膜及びその界面の吸収率と反射率
は、ほとんど等しい。このことで、全波長にわたり画像
の光学的感度が周期的に上がったり下がったりする。光
学的感度の上がり下がりは、入射光の吸収率、反射率
や、建設的及び破壊的干渉による。これらの相互作用
は、可視スペクトルにわたってＣＣＤウェルに入射する
光量が常に増加したり減少する。光学的感度の上がり下
がりは波長の変化とともに変化する。これは、光の光学
的相互作用が、入射光の波長が変化するにつれて、ＣＣ
Ｄフィルムとともに変化するからである。
【００１０】図３は、図１、図２（ａ）及び図２（ｂ）
に示されるタイプの画像センサの分光感度曲線３４を示
している。この図から分かるように、格納領域１１、１
２にわたる多層干渉により感度曲線には多数のピークと
谷がある。
に示されるタイプの画像センサの分光感度曲線３４を示
している。この図から分かるように、格納領域１１、１
２にわたる多層干渉により感度曲線には多数のピークと
谷がある。
【００１１】フィルムやその光学特性の組み合わせによ
り、ＣＣＤピクセルに入る入射光の建設的あるいは破壊
的干渉の影響を制御することができる。２相ＣＣＤは各
ピクセル上に二つの電極を持つ。各ピクセルへの入射光
量はフィルムにより制御される。フィルムとその厚さを
適宜選択することにより、各ゲート電極対の波長に依存
した複合透過率を、ＵＶからＩＲの近傍までの全スペク
トルにわたって滑らかで連続するように変化させること
ができる。
り、ＣＣＤピクセルに入る入射光の建設的あるいは破壊
的干渉の影響を制御することができる。２相ＣＣＤは各
ピクセル上に二つの電極を持つ。各ピクセルへの入射光
量はフィルムにより制御される。フィルムとその厚さを
適宜選択することにより、各ゲート電極対の波長に依存
した複合透過率を、ＵＶからＩＲの近傍までの全スペク
トルにわたって滑らかで連続するように変化させること
ができる。
【００１２】本発明によれば、感光領域の一つあるいは
両方の層厚みは、第１の領域の分光感度の少なくとも一
つのピークあるいは谷を第２の領域の分光感度の少なく
とも一つの谷あるいはピークに重ね合わせ、光センサの
平均分光感度が第１あるいは第２の感光領域の個々の分
光感度より滑らかになるように調節される。例えば、電
極層３０，３２の元の厚さは、それぞれＩＴＯの１７５
ｎｍとポリシリコンの１７０ｎｍであった。
両方の層厚みは、第１の領域の分光感度の少なくとも一
つのピークあるいは谷を第２の領域の分光感度の少なく
とも一つの谷あるいはピークに重ね合わせ、光センサの
平均分光感度が第１あるいは第２の感光領域の個々の分
光感度より滑らかになるように調節される。例えば、電
極層３０，３２の元の厚さは、それぞれＩＴＯの１７５
ｎｍとポリシリコンの１７０ｎｍであった。
【００１３】従来装置における層の干渉効果のコンピュ
ータシミュレーションを感光領域の各々に対し分光感度
曲線を作成するために行った。電極層の厚さをそれから
調節し、新たなシミュレーションにより分光感度の修正
曲線を作成した。曲線の一つの少なくとも一つのピーク
が他の曲線の少なくとも一つの谷に重なっているかどう
かを決定するために分光感度の修正曲線を調べた。より
均一な分光感度を持つ組み合わせ曲線が作成されるま
で、このプロセスは繰り返された。その結果、ＩＴＯの
９５ｎｍとポリシリコンの１７０ｎｍの厚さを持つ電極
層３０，３２により得られた分光感度が図３の曲線３６
として示されている。さらに、その上の誘電体パッシベ
ーション層（図１、図２（ａ）及び図２（ｂ）には図示
せず）の厚みをセンサ感度をさらに向上させるために調
節した。
ータシミュレーションを感光領域の各々に対し分光感度
曲線を作成するために行った。電極層の厚さをそれから
調節し、新たなシミュレーションにより分光感度の修正
曲線を作成した。曲線の一つの少なくとも一つのピーク
が他の曲線の少なくとも一つの谷に重なっているかどう
かを決定するために分光感度の修正曲線を調べた。より
均一な分光感度を持つ組み合わせ曲線が作成されるま
で、このプロセスは繰り返された。その結果、ＩＴＯの
９５ｎｍとポリシリコンの１７０ｎｍの厚さを持つ電極
層３０，３２により得られた分光感度が図３の曲線３６
として示されている。さらに、その上の誘電体パッシベ
ーション層（図１、図２（ａ）及び図２（ｂ）には図示
せず）の厚みをセンサ感度をさらに向上させるために調
節した。
【００１４】本発明の好ましい実施の形態によれば、電
極層３０，３２は両方共ＩＴＯであり、電極の個々の厚
みは画像センサの分光感度の均一性を最適化するために
制御される。各電極の厚みを制御することにより、入射
光の光路が最適化され、フィルム積層体の波長に対する
透過率の通常の周期的変化を減少したり解消することが
できる。
極層３０，３２は両方共ＩＴＯであり、電極の個々の厚
みは画像センサの分光感度の均一性を最適化するために
制御される。各電極の厚みを制御することにより、入射
光の光路が最適化され、フィルム積層体の波長に対する
透過率の通常の周期的変化を減少したり解消することが
できる。
【００１５】図４は、滑らかな分光感度を生成するため
に使用された異なる電極厚さを有する本発明にかかるデ
ュアルＩＴＯゲート電極センサの構造を示している。セ
ンサは、厚さが異なる基板２４、エピタキシャル層２
６、ＯＮＯ誘電体層２８、ＩＴＯゲート電極３０，３
０’を有する。二酸化ケイ素層３８、窒化酸化ケイ素パ
ッシベーション層４０及び二酸化ケイ素反射防止層４２
が、電極上に設けられている。図示されているように、
ＩＴＯゲート電極３０，３０’上の酸化層の厚みは異な
っていてもよく、センサの分光感度に影響を与える。各
ゲート電極及びその上の酸化層は、各ゲート電極の相対
透過率が特定波長において他のものと相補的となるよう
に調節できる光学的透過率を有する。あるゲート電極
（例えば、３０）はある波長に対し高い透過率を有し、
別のゲート電極（例えば、３０’）はかなり低い透過率
を持つようにしてもよい。その結果、二つの電極の透過
率が平均化され、広範囲の波長にわたり平坦な感度が得
られる。
に使用された異なる電極厚さを有する本発明にかかるデ
ュアルＩＴＯゲート電極センサの構造を示している。セ
ンサは、厚さが異なる基板２４、エピタキシャル層２
６、ＯＮＯ誘電体層２８、ＩＴＯゲート電極３０，３
０’を有する。二酸化ケイ素層３８、窒化酸化ケイ素パ
ッシベーション層４０及び二酸化ケイ素反射防止層４２
が、電極上に設けられている。図示されているように、
ＩＴＯゲート電極３０，３０’上の酸化層の厚みは異な
っていてもよく、センサの分光感度に影響を与える。各
ゲート電極及びその上の酸化層は、各ゲート電極の相対
透過率が特定波長において他のものと相補的となるよう
に調節できる光学的透過率を有する。あるゲート電極
（例えば、３０）はある波長に対し高い透過率を有し、
別のゲート電極（例えば、３０’）はかなり低い透過率
を持つようにしてもよい。その結果、二つの電極の透過
率が平均化され、広範囲の波長にわたり平坦な感度が得
られる。
【００１６】図５は、本発明の実施の形態１にかかる分
光感度を示している。この実施の形態では、厚さ２９０
ｎｍの電極３０、厚さ１００ｎｍの電極３０'、電極３
０上の厚さが１１０ｎｍで電極３０’上の厚さが３００
ｎｍの二酸化ケイ素層３８、厚さ４００ｎｍの酸窒化物
層４０、厚さ１００ｎｍの反射防止層４２が設けられて
いる。
光感度を示している。この実施の形態では、厚さ２９０
ｎｍの電極３０、厚さ１００ｎｍの電極３０'、電極３
０上の厚さが１１０ｎｍで電極３０’上の厚さが３００
ｎｍの二酸化ケイ素層３８、厚さ４００ｎｍの酸窒化物
層４０、厚さ１００ｎｍの反射防止層４２が設けられて
いる。
【００１７】ゲート電極３０，３０’の分光感度は曲線
４４及び４６によりそれぞれ示されている。二つのゲー
ト電極の平均分光感度は曲線４８により示されている。
この構成により、かなり平坦で滑らかに変化する光学的
感度が得られる。
４４及び４６によりそれぞれ示されている。二つのゲー
ト電極の平均分光感度は曲線４８により示されている。
この構成により、かなり平坦で滑らかに変化する光学的
感度が得られる。
【００１８】センサの平均分光感度は、電極３０上及び
電極３０’上の二酸化ケイ素層の厚みをそれぞれ１０ｎ
ｍ及び２００ｎｍにして上部層の厚みを調整することに
より、さらに調節することができる。
電極３０’上の二酸化ケイ素層の厚みをそれぞれ１０ｎ
ｍ及び２００ｎｍにして上部層の厚みを調整することに
より、さらに調節することができる。
【００１９】図６に示されるように、ゲート電極３０，
３０’の分光感度は曲線５０，５２でそれぞれ示されて
おり、二つのゲート電極の平均分光感度は曲線５４で示
されている。
３０’の分光感度は曲線５０，５２でそれぞれ示されて
おり、二つのゲート電極の平均分光感度は曲線５４で示
されている。
【００２０】本発明を実施の形態を参照して詳述した
が、本発明の範囲内において様々な変形例が考えられ
る。例えば、二つのＩＴＯゲート電極を使用して本発明
を説明したが、他の透明導電材料をゲート電極材料とし
て使用して適宜調整し、均一な分光感度を提供すること
もできる。さらに、二つ以上、例えば四つのゲートを持
つセンサも同様に得ることができる。また、ゲート電極
材料の厚みを変えて本発明を説明したが、ゲート電極材
料の厚みは同じでもよく、その上層の厚みを適宜調節す
ることにより、より均一なセンサ感度を得ることもでき
る。
が、本発明の範囲内において様々な変形例が考えられ
る。例えば、二つのＩＴＯゲート電極を使用して本発明
を説明したが、他の透明導電材料をゲート電極材料とし
て使用して適宜調整し、均一な分光感度を提供すること
もできる。さらに、二つ以上、例えば四つのゲートを持
つセンサも同様に得ることができる。また、ゲート電極
材料の厚みを変えて本発明を説明したが、ゲート電極材
料の厚みは同じでもよく、その上層の厚みを適宜調節す
ることにより、より均一なセンサ感度を得ることもでき
る。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、分光感度の均一性が改善されている。すな
わち、第１の領域の分光感度の少なくとも一つのピーク
あるいは谷を第２の領域の分光感度の少なくとも一つの
谷あるいはピークに重なり合わせたので、光センサの平
均分光感度が第１あるいは第２の感光領域の個々の分光
感度より滑らかになるように調節されている。
ているので、分光感度の均一性が改善されている。すな
わち、第１の領域の分光感度の少なくとも一つのピーク
あるいは谷を第２の領域の分光感度の少なくとも一つの
谷あるいはピークに重なり合わせたので、光センサの平
均分光感度が第１あるいは第２の感光領域の個々の分光
感度より滑らかになるように調節されている。
【００２２】したがって、カラーフィルタを画像センサ
に追加してカラー画像センサを製作すると、センサのカ
ラー感度の均一性が大きく改善される。
に追加してカラー画像センサを製作すると、センサのカ
ラー感度の均一性が大きく改善される。
【図１】 従来のピクセル構造の概略正面図である。
【図２】 図１のピクセル構造の断面図であり、（ａ）
は図１の線Ａ−Ａに沿った断面図で、（ｂ）は図１の線
Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
は図１の線Ａ−Ａに沿った断面図で、（ｂ）は図１の線
Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図３】 典型的なポリシリコン−ＩＴＯ ＣＣＤの分
光感度と、スペクトルを最適化した本発明にかかるポリ
シリコン−ＩＴＯゲート電極ＣＣＤの分光感度を示すグ
ラフである。
光感度と、スペクトルを最適化した本発明にかかるポリ
シリコン−ＩＴＯゲート電極ＣＣＤの分光感度を示すグ
ラフである。
【図４】 本発明にかかるデュアルＩＴＯゲート電極構
造を示す図である。
造を示す図である。
【図５】 ＩＴＯゲート電極を様々な光学的積層体と組
み合わせた分光透過率曲線を示すグラフであり、二つの
電極の個々のゲート透過率と合成透過率を示している。
み合わせた分光透過率曲線を示すグラフであり、二つの
電極の個々のゲート透過率と合成透過率を示している。
【図６】 ＩＴＯゲート電極を様々な光学的積層体と組
み合わせた分光透過率曲線を示す別のグラフであり、二
つの電極の個々のゲート透過率と合成透過率を示してい
る。
み合わせた分光透過率曲線を示す別のグラフであり、二
つの電極の個々のゲート透過率と合成透過率を示してい
る。
１０ 光センサ、 １１ 第１の格納領域、 １２ 第
２の格納領域、１５ チャネルストッパ、 １６ オー
バーフロードレイン、１７ 注入層、 １９，２１，２
２ バリヤ領域、 ２４ 基板、２６ エピタキシャル
層、 ２８ 上部誘電体層、３０，３０’ ＩＴＯ ゲ
ート電極層、 ３２ ＩＴＯポリシリコン電極層、３
４、３６，４４，４６，４８，５０，５２，５４ 分光
感度曲線、３８ 二酸化シリコン層、 ４０ パッシベ
ーション層、 ４２ 反射防止層
２の格納領域、１５ チャネルストッパ、 １６ オー
バーフロードレイン、１７ 注入層、 １９，２１，２
２ バリヤ領域、 ２４ 基板、２６ エピタキシャル
層、 ２８ 上部誘電体層、３０，３０’ ＩＴＯ ゲ
ート電極層、 ３２ ＩＴＯポリシリコン電極層、３
４、３６，４４，４６，４８，５０，５２，５４ 分光
感度曲線、３８ 二酸化シリコン層、 ４０ パッシベ
ーション層、 ４２ 反射防止層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロレッタ・アール・フェンドロック アメリカ合衆国14468ニューヨーク州ヒル トン、ノース・グリース・ロード366番 (72)発明者 スティーブン・ローレンス・コスマン アメリカ合衆国14615ニューヨーク州ロチ ェスター、グレノラ・ドライブ73番 Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA12 CA08 CB01 DA20 FA06 FA14 GC07 5F049 MA14 MB03 NB05 QA14 RA02 SE04 TA13
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板と光センサとを備え、該光セ
ンサは第１及び第２の感光領域を有し、前記第１の感光
領域は前記基板上に少なくとも一つの透明材料層の第１
の積層体を有するとともにピークと谷を持つ分光感度を
有し、前記第２の感光領域は前記基板上に少なくとも一
つの透明材料層の第２の積層体を有するとともにピーク
と谷を持つ分光感度を有し、前記第１の感光領域の分光
感度の少なくとも一つのピークあるいは谷を前記第２の
感光領域の分光感度の少なくとも一つの谷あるいはピー
クと重なり合わせて、前記光センサの平均分光感度を前
記第１あるいは第２の感光領域の個々の分光感度より滑
らかにしたことを特徴とする画像センサ。 - 【請求項２】 前記第１及び第２の積層体の層数及び材
料は同一で、少なくとも一つの層の厚みが異なる請求項
１に記載の画像センサ。 - 【請求項３】 前記第１及び第２の積層体の層数及び材
料の少なくとも一方が異なる請求項１に記載の画像セン
サ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/672246 | 2000-09-28 | ||
| US09/672,246 US6489642B1 (en) | 2000-09-28 | 2000-09-28 | Image sensor having improved spectral response uniformity |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158347A true JP2002158347A (ja) | 2002-05-31 |
| JP4936619B2 JP4936619B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=24697757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001296456A Expired - Lifetime JP4936619B2 (ja) | 2000-09-28 | 2001-09-27 | 画像センサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6489642B1 (ja) |
| EP (1) | EP1207561B1 (ja) |
| JP (1) | JP4936619B2 (ja) |
| DE (1) | DE60128049T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004041098A1 (ja) | 2002-11-08 | 2004-05-21 | Olympus Corporation | 経内視鏡的医療具 |
| JP2004165662A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Eastman Kodak Co | 光学応答の均一性が改良された撮像センサ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1457865B1 (fr) * | 2003-03-12 | 2017-11-08 | Asulab S.A. | Substrat à électrodes transparent et son procédé de fabrication |
| US6940097B2 (en) * | 2003-08-19 | 2005-09-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Optical property normalization for a transparent electrical device |
| US7851822B2 (en) * | 2006-06-27 | 2010-12-14 | Eastman Kodak Company | Full frame ITO pixel with improved optical symmetry |
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| JPH10144951A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-29 | Shimadzu Corp | 半導体受光素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1532859A (en) * | 1976-03-30 | 1978-11-22 | Mullard Ltd | Charge coupled circuit arrangements and devices |
| US4214264A (en) * | 1979-02-28 | 1980-07-22 | Eastman Kodak Company | Hybrid color image sensing array |
| US5528643A (en) * | 1989-11-13 | 1996-06-18 | Texas Instruments Incorporated | Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making |
| US5483090A (en) * | 1993-04-09 | 1996-01-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid-state image pickup device and method for manufacturing such device |
| KR960015271B1 (ko) * | 1993-08-18 | 1996-11-07 | 엘지반도체 주식회사 | 전하전송장치의 제조방법 |
| US5798542A (en) | 1996-10-08 | 1998-08-25 | Eastman Kodak Company | Image sensor having ITO electrodes with overlapping color filters for increased sensitivity |
| US5804845A (en) * | 1996-10-08 | 1998-09-08 | Eastman Kodak Company | Image sensor having ITO electrodes with an ONO layer |
-
2000
- 2000-09-28 US US09/672,246 patent/US6489642B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-09-21 DE DE60128049T patent/DE60128049T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-21 EP EP01203578A patent/EP1207561B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-27 JP JP2001296456A patent/JP4936619B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JPS61208259A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 受光素子 |
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| WO2004041098A1 (ja) | 2002-11-08 | 2004-05-21 | Olympus Corporation | 経内視鏡的医療具 |
| JP2004165662A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Eastman Kodak Co | 光学応答の均一性が改良された撮像センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60128049T2 (de) | 2007-12-27 |
| JP4936619B2 (ja) | 2012-05-23 |
| DE60128049D1 (de) | 2007-06-06 |
| EP1207561A2 (en) | 2002-05-22 |
| US6489642B1 (en) | 2002-12-03 |
| EP1207561B1 (en) | 2007-04-25 |
| EP1207561A3 (en) | 2004-09-01 |
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