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Hintergrund
der Erfindung
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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betrifft die Plasmabehandlung von Halbleitereinrichtungen
bzw. -bauelementen. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung
eine Vorrichtung zur Integration von Sensoren und Hardware-Steuerungen,
die in einer Halbleiterherstellungsanlage verwendet werden, insbesondere
in einem Plasmaätzsystem.
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Stand der
Technik
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Zahlreiche
Formen der Behandlung mit ionisierten Gasen, beispielsweise Plasma-Ätzen/Abscheidung
und reaktive(s) Ionenätzen/-abscheidung, sind
von zunehmender Bedeutung, insbesondere auf dem Gebiet der Herstellung
von Halbleitereinrichtungen bzw. -bauelementen. Von besonderem Interesse sind
Einrichtungen, die in dem Ätzprozess
verwendet werden. Die 1 stellt ein herkömmliches
induktiv gekoppeltes Plasmaätzsystem 100 dar,
das bei der Behandlung und Herstellung von Halbleitereinrichtungen
verwendet werden kann. Ein induktiv gekoppeltes Plasmabehandlungssystem 100 umfasst
einen Plasmareaktor 102 mit einer darin vorgesehenen Plasmakammer 104.
Ein mit einem Transformator gekoppelter Spannungscontroller (Transformer
Coupled Power Controller; TCP) 106 und ein Vorspannungscontroller 108 steuern
jeweils eine TCP-Spannungsversorgung 110 und
eine Vorspannungsversorgung 112, die das Plasma beeinflussen,
das innerhalb der Plasmakammer 104 erzeugt wird.
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Der
TCP-Spannungscontroller 106 gibt einen Sollwert für die TCP-Spannungsversorgung 110 vor,
so dass ein Hochfrequenzsignal (RF), das mit Hilfe eines TCP-Abstimmungsnetzwerks 114 abgestimmt
werden kann, an eine TCP-Spule 116 abgegeben werden kann,
die sich nahe der Plasmakammer 104 befindet. Ein für Hochfrequenzstrahlung transparentes
Fenster 118 ist typischerweise vorgesehen, um die TCP-Spule 116 von
der Plasmakammer 104 zu trennen, wobei gleichzeitig Energie
von der TCP-Spule 116 zu der Plasmakammer 104 gelangen
kann.
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Der
Vorspannungscontroller 108 stellt einen Sollwert für die Vorspannungsversorgung 112 ein,
so dass ein Hochfrequenzsignal, das mit Hilfe eines Vorspannungs-Abstimmungsnetzwerks 120 abgestimmt werden
kann, an eine Elektrode 122 abgegeben werden kann, die
sich innerhalb des Plasmareaktors 104 befindet und oberhalb
der Elektrode 122 eine Gleichspannungs-Vorspannung (DC)
erzeugt, die ausgelegt ist, um ein Substrat 124 aufzunehmen
bzw. zu empfangen, beispielsweise einen Halbleiterwafer, das gerade
behandelt wird.
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Ein
Gasversorgungsmechanismus 126, beispielsweise ein Pendel-Steuerventil,
versorgt den Innenraum des Plasmareaktors 104 typischerweise
mit der geeigneten Chemie, die für
den Herstellungsprozess erforderlich ist. Ein Gasauslassmechanismus 128 beseitigt
Teilchen aus dem Innenraum der Plasmakammer 104 und hält einen
bestimmten Druck innerhalb der Plasmakammer 104 aufrecht.
Eine Drucksteuereinrichtung 130 steuert sowohl den Gasversorgungsmechanismus 126 als
auch den Gasauslassmechanismus 128.
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Eine
Temperatursteuereinrichtung 134 steuert die Temperatur
der Plasmakammer 104 auf einen ausgewählten Temperatur-Sollwert unter
Verwendung von Heizeinrichtungen, beispielsweise Heizpatronen, die
um die Plasmakammer 104 herum angeordnet sind.
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In
der Plasmakammer 104 wird ein Ätzen des Substrats dadurch
erreicht, dass das Substrat 104 unter Vakuum ionisierten
Gasgemischen (Plasma) ausgesetzt wird. Der Ätzprozess beginnt, wenn die
Gase in die Plasmakammer 104 eingeleitet werden. Die Hochfrequenzleistung,
die von der TCP-Spule 116 abgegeben wird und mit Hilfe
des TCP-Abstimmungsnetzwerks 110 eingestellt
wird, ionisiert die Gase. Die Hochfrequenzleistung, die von der
Elektrode 122 abgegeben wird und mit Hilfe des Vorspannungsabstimmungsnetzwerks 120 eingestellt
wird, induziert auf dem Substrat 124 eine DC-Vorspannung,
um die Richtung und Energie des Ionenbombardements des Substrats 124 zu
kontrollieren. Während
des Ätzprozesses
reagiert das Plasma chemisch mit der Oberfläche des Substrats 124, um
Material zu entfernen, das nicht von einer Fotolackmaske abgedeckt
ist.
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Primäre Parameter,
beispielsweise die Einstellwerte des Plasmareaktors, sind bei der
Plasmabehandlung von grundlegender Bedeutung. Der Wert der tatsächlichen
TCP- Spannung, der
Vorspannung, des Gasdrucks, der Gastemperatur und der Gasströmungsrate
innerhalb der Plasmakammer 104 beeinflussen die Prozessbedingungen
erheblich. Eine erhebliche Schwankung der tatsächlich in die Plasmakammer 104 abgegebenen
Leistung kann unerwartet den erwarteten Wert von anderen variablen
Prozessparametern verändern,
beispielsweise die Teilchendichte von neutralen und ionisierten
Teilchen, die Temperatur und Ätzrate.
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Bei
bestehenden Plasmaätzsystemen
werden jedoch die primären
Parameter mit Hilfe von separaten unabhängigen Steuereinrichtungen
gesteuert, die miteinander nicht unmittelbar und nicht in Echtzeit
kommunizieren. Die 2 stellt ein herkömmliches
Plasmaätz-Steuerungshardwaresystem dar.
Eine TCP-Abstimmung 200 umfasst eine TCP-Steuereinrichtung 202.
Eine Vorspannungsabstimmung 204 umfasst eine Vorspannungs-Steuereinrichtung 206.
Ein Drucksteuerventil 208 umfasst eine Druck-Steuereinrichtung 210.
Ein optisches Emissionsspektrometer (OES) oder Interferometer (INTRF) 212 umfasst
eine OES- oder INTRF-Steuereinrichtung 214. Ein VME-Leiterplatinenrahmen 216 steht über serielle
Verbindungen 218 mit unabhängigen Steuereinrichtungen 202, 206, 210 und 214 in
einer Datenverbindung. Somit werden die Reaktoreinstellwerte mit
Hilfe von unabhängigen
Steuereinrichtungen getrennt voneinander gesteuert, und zwar mit einer
vergleichsweise langsamen Datenübertragungsverbindung
zwischen einander.
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In
Plasmaätzsystemen
kann eine Veränderung
von einem der Parameter die anderen Parameter beeinflussen. Beispielsweise
führen
chemische Reaktionen in der Kammer während eines Prozesses dazu,
dass die Plasmaimpedanz variiert, was die Leistungsabgabe, Temperatur
und den Druck beeinflusst. Somit müssen von einer Bedienperson
in aufwendiger Weise diskrete Bedienungsschritte entwickelt werden,
um diese Effekte wirkungsvoll zu entkoppeln. Dies beschränkt das
Betriebsfenster des Prozesses und verlängert die Prozessdauer, was
das gesamte Potential des Plasmaätzsystems
beeinflusst. Außerdem
sind der Erste-Wafer-Effekt (die Behandlung eines ersten Wafers
innerhalb desselben Plasmareaktors führt zu Veränderungen in dem Plasmareaktor,
welche die nachfolgenden Prozesse beeinflussen) und die stets vorhandene
Prozessdrift über
die Zeit (Plasmareaktoren, die über
einen Zeitraum verwendet werden, verlieren aufgrund der länger andauernden
Verwendung ihre Genauigkeit) ebenfalls Hinweise darauf, dass die
Steuerung der Einstellwerte des Reaktors nicht alleine das steuern, was
innerhalb der Kammer und auf dem Wafer abläuft.
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Deshalb
besteht ein Bedürfnis
nach einem Verfahren und einer Einrichtung, womit sämtliche Steuerungsvorgänge bei
einer offenen Architektur zentralisiert werden können, was eine Datenübermittlung
zwischen den verschiedenen Steuereinrichtungen in Echtzeit erlaubt.
Eine solche Einrichtung würde
es einer Bedienperson ermöglichen,
die Stabilität
und Wiederholbarkeit des Ätzprozesses
signifikant zu verbessern und schließlich die Parameter zu steuern,
die unmittelbar für
den Prozess relevant sind, um so schließlich die Merkmale des Wafers
zu kontrollieren.
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US-A-5
666 381 offenbart ein Datenübermittlungssystem
zur Verwendung in einer Halbleiterbauelement-Herstellungsanlage.
Dieses umfasst eine Haupt-CPU und eine hauptseitige Datenübermittlungseinheit,
die jeweils mit einem Hauptbus und mehreren Daten übertragenden
Folge-Logikmodulen verbunden sind, die mit einer entsprechenden
Anzahl von empfangenden Folge-Logikmodulen gepaart sind. Die hauptseitige
Datenübermittlungseinheit
umfasst ein Daten übermittelndes
Master-Logikmodul und ein empfangendes Master-Logikmodul, die Information an die empfangenden
Folge-Logikmodule und die Daten übermittelnden
Folge-Logikmodule senden bzw. von diesen empfangen. Das Datenübermittlungssystem
ermöglicht
eine Datenübermittlung zwischen
den verschiedenen Elementen der Halbleiterbauelement-Herstellungsanlage.
Die Datenübermittlungssignale
laufen sämtliche
durch die Haupt-CPU.
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Kurze Beschreibung
der Erfindung
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird eine zentrale Steuereinrichtung zur Verwendung in
einer Halbleiterherstellungsanlage nach Anspruch 1 bereitgestellt.
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Gemäß einem
weiteren Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren
zum Steuern einer Mehrzahl von Sensoren und einer Mehrzahl von Steuerungshardware
zur Verwendung in einer Halbleiterherstellungsanlage nach Anspruch
6 bereitgestellt.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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1 ist
ein System-Blockdiagramm, das ein herkömmliches Plasmaätzsystem
darstellt.
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2 ist
ein System-Blockdiagramm, das eine herkömmliche Steuerungshardwareumgebung in
einem Plasmaätzsystem
darstellt.
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3 ist
ein System-Blockdiagramm, das einen zentralen Hardwarecontroller
eines Ätzsystems gemäß einem
bestimmten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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4 ist
ein System-Blockdiagramm, das eine Leiterplatine gemäß einem
bestimmten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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Ausführliche
Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels
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Der
Durchschnittsfachmann auf diesem Gebiet wird erkennen, dass die
nachfolgende Beschreibung der vorliegenden Erfindung nur beispielhaft
erfolgt und diese in keinster Weise beschränkt. Andere Ausführungsformen
gemäß der Erfindung
werden sich dem Fachmann auf diesem Gebiet ohne weiteres aufdrängen, wenn
dieser Zugang zu dieser Offenbarung erhält.
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Eine
Halbleiterherstellungsanlage, beispielsweise ein Plasmaätzsystem,
verwendet ein Computersystem, um den Transport des Wafers, eine
Gasströmungsrate,
eine Waferbehandlung und eine Waferreinigung zu überwachen und zu steuern.
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Ein
Hardwaresteuerungssystem, das ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel
gemäß der vorliegenden
Erfindung darstellt, ist in der 3 gezeigt.
Dieses umfasst eine zentrale Steuereinrichtung 300, die zumindest
eine zentrale Prozessoreinheitskarte (CPU) 304, zumindest
eine Leiterplatine 306, beispielsweise eine VIOP-Karte,
sowie eine optionale Datenübertragungskarte 308 umfasst.
Sämtliche Karten
sind in einen Bus eingesteckt, beispielsweise in einen VME-Bus 310,
und zwar innerhalb eines Platinenaufnahmerahmens 312. Die
Datenübermittlungskarte 308 wirkt
mit anderen Komponenten des Plasmaätzsystems zusammen, beispielsweise
mit einer Nutzerschnittstelle. Mehrere I/O-Mikrocontroller sind
auf eine Leiterplatine 306 montiert. Die I/O-Mikrocontroller
kommunizieren mit verschiedenen externen Steuerungshardwarekomponenten
und -sensoren, beispielsweise einer TCP-Abstimmung 314, einer Vorspannungsabstimmung 316,
einem Druck-Steuerventil 318 und einem OES- oder INTRF-Sensor 320.
Insbesondere steuert der sich auf der Leiterplatine 306 befindende
TCP-Mikrocontroller 322 eine externe TCP-Abstimmung 314.
Zwei Vorspannungs-Mikrocontroller 324, die sich auf der
Leiterplatine 306 befinden, steuern eine externe Vorspannungsabstimmung 316.
Ein Druck-Mikrocontroller 326, der sich auf der Leiterplatine 306 befindet, steuert
ein externes Druck-Steuerventil 318. Ein OES- oder INTRF-Controller 328,
der sich auf der Leiterplatine 306 befindet, steuert einen
externen OES- oder INTRF-Sensor 320.
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Mikrocontroller 322, 324, 326, 328 können in unabhängige Schrittmotor-Controller
eingebaut sein, die mit externen Antrieben kommunizieren, das heißt mit einem
TCP-Kondensatorantrieb,
einem Vorspannabstimmungs-Kondensatorantrieb oder einem Pendelventil-Antrieb.
Die zentrale Steuereinrichtung kann auch eine eingebaute Schnittstelle
für ein
OES, beispielsweise ein Ocean Optics S2000 Spektrometer, oder sowohl
für ein
OES als auch für
ein INTRF umfassen, beispielsweise ein Ocean Optics SD2000.
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In
einer Reaktionskammer wird eine Waferätzung dadurch erreicht, dass
die Wafer ionisierten Gasgemischen (Plasma) unter Vakuumbedingungen ausgesetzt
werden. Ätzvorschriften
bestehen aus einer Serie von Schritten, die Gasströmungsraten,
den Kammerdruck, die Hochfrequenzleistung, einen Spaltabstand, die
Kammertemperatur und den Druck eines rückseitig kühlenden Heliums steuern. Diese Werte
sind in ein Computersystem einprogrammiert. Eine Bedienperson wählt die
gewünschte
Vorschrift vor dem Starten des Ätzprozesses
aus. Die CPU 304 arbeitet den Vorschriftenalgorithmus dadurch
ab, dass eine Hochsprachen-I/O und Steueralgorithmen ausgeführt werden
und diese mit Mikrocontrollern 322, 324, 326, 328 über den
VME-Bus 320 kommuniziert. Die Mikrocontroller 322, 324, 326, 328 führen dann
Basis-VO- und Niedersprachen-Steuerfunktionen aus und stellen integrierte
Schnittstellen für
Sensoren und die Steuerungshardware 314, 316, 318, 320 bereit.
Deshalb kommuniziert die CPU 304 über den VME-Bus 310 mit
Mikrocontrollern 322, 324, 326, 328,
um Steuerungsfunktionen von verschiedenen Untersystemen des Plasmaätzsystems
auszuführen
oder zu ermöglichen,
beispielsweise die TCP-Spannung, Vorspannung, Gasdruck und OES- oder
INTRF-Sensoren.
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Die 4 stellt
ein gegenwärtig
bevorzugtes Ausführungsbeispiel
einer Leiterplatine 306 (3) dar.
Eine I/O-Prozessor-Leiterplatine 400 kann eine zu einem
24-bit-Adressen- und 16-bit-Daten-VME-Bus kompatible Karte aufweisen,
die einen Adressblock von 64kB in einem VME-Speicherbereich einnimmt.
Ein Bus 402 kommuniziert mit den Schrittmotor-Steuerschnittstellen 404,
mit der digitalen Eingabe-(DI) und digitalen Ausgabe-(DO)-VME-Schnittstelle 406 und
mit Dualportspeichern (DPM; Dual Port Memories) 408.
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Die
Schrittmotor-Steuerschnittstellen 404 können zwei Achsen für eine TCP-Abstimmung 314 (TCP-Kondensator
eins 410 und TCP-Kondensator zwei 412), zwei Achsen
für eine
Vorspannungsabstimmung 316 (Vorspannungskondensator eins 414 und
Vorspannungskondensator zwei 416), eine Achse für ein Druck-Steuerventil 318 (Pendelventil 418) und
eine Ersatzachse 420 aufweisen. Die Schrittmotor-Steuerschnittstellen
senden Befehle an Mikrocontroller 422, welche die Achse
steuern. Datenübertragungsgeschwindigkeiten
können
vier Bits für
eine Schrittrate und ein Bit für
eine Richtung mit mehreren Ratentabellen aufweisen. Ein Firmware-Mikrocontroller
wird eine Beschleunigung/Verlangsamung zwischen den Schrittratenänderungen
automatisch realisieren.
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Die
DI- und DO-VME-Schnittstelle 406 bildet DI und DO 424 in
einen VME-Speicherbereich
ab. Bei DI kann es sich um eine 24-Volt-Quelle handeln, weil eine
Quellenspannung von den Sensoren angefordert wird. Bei DO kann es
sich um eine 24-Volt-Quelle
handeln, mit einer Rückleseeigenschaft
(read back).
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DPM 408 kommuniziert
mit einem Mikrocontroller 426 und einer OES- und/oder INTRF-VME-Schnittstelle 428.
Analoge Eingaben (AI) und analoge Ausgaben (AO) 430 werden
unmittelbar auf einen VME-Speicherbereich unter Verwendung des DPM 408 abgebildet.
Eine AI 430 wird unter Verwendung eines Wandlers ADC 430 gewandelt,
der von einem Mikrocontroller 426 gesteuert wird. Der DAC 430,
der von dem Mikrocontroller 426 gesteuert wird, wandelt
digitale Signale in AO 430. Der VIOP 400 kann
32 AI und 12 AO aufweisen. Die AI kann eine Auflösung von 12 Bit in einem Bereich
zwischen –10
Volt bis +10 Volt aufweisen, insbesondere mit einer Genauigkeit
von 0,1 %, die durch eine von einem Host ausgelöste Selbstkalibrierung garantiert
wird. Die AO kann eine Auflösung
von 12 Bit mit einer Genauigkeit von 0,1 % in dem Bereich zwischen
0 bis 10 Volt mit einer Rücklesefähigkeit
für Selbsttestzwecke aufweisen.
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VIOP 300 kann
ebenfalls eine VME-Schnittstelle 428 für ein OES und/oder INTRF 432 aufweisen,
wo Steuerungsdaten und Daten allgemein auf einen VME-Speicherbereich
abgebildet werden. Ein OES kann ein Ocean Optics S2000 sein. Ein
OES und INTRF kann ein Ocean Optics SD2000 sein. Die Spektrumdaten
können
eine Breite von 12 Bit aufweisen, bei gleichzeitiger Erfassung eines
OES- und/oder INTRF-Spektrums. Die Aufsummierung der Spektren kann
mit Hilfe eines Controllers 428 ausgeführt werden, beispielsweise
eines PLD-basierten Controllers,
mit einer Integrationsschrittweite, die von 4 mS bis 250 mS in einer
Sequenz 1, 1.4, 2, 2.8....
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Die
vorliegende Erfindung ermöglicht
deshalb die Aufteilung von Steuerungsfunktionen für ein optimales
Betriebsverhalten. Dies erleichtert eine enge Kopplung von zeitkritischen
Schleifen bzw. Kreisläufen,
während
zugleich eine „lokale" Steuerung von nicht-zeitkritischen Untersystemen
ermöglicht
ist. Solch eine integrierte Schnittstelle reduziert die Kosten der
Anlage durch Maximierung der Verwendung von Ressourcen und Reduzierung
von Redundanzen in der Hardware und Software. Eine solche offene
Architektur ermöglicht
auch, dass Controller in Echtzeit koordiniert werden, was den Prozess stabil
und einheitlich macht.
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Die 5 ist
ein Flussdiagramm, das die Interaktion zwischen einer Softwareanwendung
und Sensoren und Steuerungshardware darstellt. Im Block 500,
einer Anwendungssoftware, die auf einer CPU-Karte, beispielsweise
einer CPU-Karte 304. lokalisiert ist, kann eine Bedienperson
Eingabeparameter eingeben, die erforderlich sind, um ein gewünschtes
Oberflächenprofil
auf einem Wafer in einem Plasmaätz-
und Abscheidungsreaktor zu erzeugen. Die Anwendungssoftware wirkt
mit Antriebseinrichtungen bzw. Treibern in dem Block 502 zusammen.
Die Treiber stellen Niedersprachen-Treiberprogrammroutinen dar,
welche die Anwendungssoftware in dem Block 500 mit den
Steuerungssensoren und der Steuerungshardware im Block 504 verknüpfen. Der
Leiterplatine 306 (3) ist eine
bestimmte Abbildungsadresse für
jeden Sensor und jede Steuerungshardware zugeordnet. Beispielsweise
ist der VME-Speicherbereich FAC2000h-FAC21FFFh einer VIOP-Status/Steuerung
und einer DI/DO zugeordnet. Die Treiber können Hochsprachenbefehle der Anwendungssoftware
für den
bestimmten Sensor oder die bestimmte Steuerungshardware unter Referenzierung
auf die entsprechenden Speicherabbildungsadressen ausführen.
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Ein
Verfahren zum Steuern der Sensoren und Steuerungshardware zur Verwendung
in einer Halbleiterherstellungsanlage ist in einem Flussdiagramm
gemäß der 6 dargestellt.
In einem ersten Block 600 wird eine Anwendungssoftware,
die einer Bedienperson ermöglicht,
eine Verfahrensvorschrift auszuwählen,
die die bestimmten Parameter enthält, um ein gewünschtes
Oberflächenprofil
in einem Plasmaätz-
und Abscheidungssystem zu erzeugen, auf eine CPU-Karte geladen,
beispielsweise eine CPU-Karte 304 (3). In dem
Block 602 wird die CPU-Karte in einen Bus eingesteckt bzw.
an diesen gekoppelt, beispielsweise einen VME-Bus 310.
In dem Block 604 werden die Sensoren und Steuerungshardware,
beispielsweise die TCP-Abstimmung 314, die Vorspannungsabstimmung 316,
das Druck-Steuerventil 318 und
OES/Interferometer 320, mit Mikrocontrollern verknüpft. In
dem Block 606 werden elektrische Controller, beispielsweise
Mikrocontroller 322, 324, 326 und 328,
die auf einer einzelnen Leiterplatine angeordnet sind, beispielsweise
der VIOP-Karte 306, aktiviert. Die einzelne Leiterplatine wird
dann in den Bus im Block 608 eingesteckt bzw. mit diesem
verknüpft.
Eine Bedienperson steuert die Sensoren und Steuerungshardware in
dem Block 610 über
die Anwendungssoftware, die auf die CPU-Karte geladen wurde. Mit
einer solchen zentralen Anordnung der Controller auf einer einzigen
Platine wird eine enge Kopplung einer Mehrzahl von zeitkritischen
Schleifen bzw. Kreisläufen
ermöglicht, wobei
zugleich eine lokale Steuerung einer Mehrzahl von nicht-zeitkritischen
Untersystemen möglich
ist. Bei anderen Ausführungsbeispielen
des in der 6 dargestellten Verfahrens können der
Block 600 bis 608 in einer beliebigen anderen
Reihenfolge angeordnet sein.
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Weil
die Mikrocontroller auf der einzelnen Leiterplatine in Echtzeit
kommunizieren, können
diese kritische Informationen über
den Status der Plasma-Waferprozessierung austauschen, so dass die CPU
den gesamten Vorgang steuern kann. Eine solche Plasma-Waferprozessierung
wird von der CPU zentral gesteuert, die Hochsprachenbefehle an die Mikrocontroller
und Schnittstellen auf der einzelnen Leiterplatine sendet. Diese
Befehle werden dann von den Mikrocontrollern ausgeführt, die
sich auf „einfache" Tätigkeiten
fokussieren. Eine solche Architektur ermöglicht, dass die Regelkreise
von jedem Controller miteinander Daten austauschen. Wegen der hohen
Anzahl von voneinander abhängigen
Parametern und Variablen, die einen Plasmaätz- und Abscheidungsprozess
beinflussen, ermöglicht
die makroskopische „gleichzeitige" Steuerung von Parametern,
wie beispielsweise TCP, Vorspannung oder Druck, einer Bedienperson,
dass diese die Genauigkeit, Stabilität und Wiederholbarkeit des Ätz- und
Abscheidungsprozesses erheblich verbessern kann.
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Wenngleich
Ausführungsbeispiele
und Anwendungen dieser Erfindung gezeigt und beschrieben worden
sind, wird dem Fachmann auf diesem Gebiet, der Zugang zu dieser
Offenbarung hat, ersichtlich sein, dass viele weitere Modifikationen
als vorstehend ausgeführt,
möglich
sind, ohne von den hierin beschriebenen erfindungsgemäßen Konzepten
abzuweichen. Beispielsweise ist der Grad der Integration der verschiedenen
Regelschleifen auf die integrierte I/O-Karte skalierbar, was von
der speziellen Anwendung abhängig
ist, die angestrebt wird. Beispielsweise kann das OES mit seiner
Niedersprachen-Firmware extrahiert und mit einer CPU-Karte als „portables" optisches Emissionsspektrometer kombiniert
werden. Diese neue Steuereinrichtung kann im Stand der Technik zur
Verbesserung ihrer derzeit bestehenden Möglichkeiten verwendet werden.
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Auch
für sehr
komplizierte Halbleiterherstellungsanlagen können mehrere dieser „zentralen" Steuerungseinrichtungen
dazu verwendet werden, um die Steuerung eines Zerfalls, von Kabelbäumen und
einer Speicherzuordnung zu optimieren.