DE60037630T2 - Verbinder mit schmalen abständen, abstandsumsetzer, mikromaschine, piezoelektrisches stellglied, elektrostatisches stellglied, tintenstrahldruckkopf, tintenstrahldrucker, flüssigkristallbauelement und elektronisches gerät - Google Patents

Verbinder mit schmalen abständen, abstandsumsetzer, mikromaschine, piezoelektrisches stellglied, elektrostatisches stellglied, tintenstrahldruckkopf, tintenstrahldrucker, flüssigkristallbauelement und elektronisches gerät Download PDF

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Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Verbinder mit geringem Kontaktabstand zum Verbinden von Klemmen untereinander, einen Kontaktabstandswandler, eine Mikromaschine, einen piezoelektrischen Betätiger, einen elektrostatischen Betätiger, einen Tintenkopf, einen Tintenstrahldrucker, eine Flüssigkristallvorrichtung und ein elektronisches Gerät.
  • STAND DER TECHNIK
  • In letzter Zeit wurden bemerkenswerte elektronische Geräte entwickelt, und der Integrationsgrad pro Flächeneinheit stieg an, während die elektronischen Gerät an Größe und Gewicht verloren und an Leistung gewannen. Unter den vorliegenden Umständen jedoch bleibt der technische Fortschritt peripherer Teile der elektronischen Geräte relativ zurück, und insbesondere gibt es keinen Vorschlag, Klemmenelektroden eines Verbindungsteils dünner zu machen.
  • Verbindungsstücke wie Druckköpfe (im folgenden als "Druckwerk-Teile" bezeichnet) mit piezoelektrischen Elementen zum Ausstoßen von Tinte durch Vibration der piezoelektrischen Elemente, LCD-Zellen von Flüssigkristallvorrichtungen oder dergleichen wurden Jahr für Jahr dünner gemacht, so dass der Zwischenraum zwischen Klemmenelektroden entsprechend kleiner geworden ist. Um eine Treiberschaltung mit einem solchen Verbindungsstück zu verbinden, wird bisher ein Bandträgergehäuse angebracht, um den Leiterabstand eines Verdrahtungsmusters umzuwandeln, um eine Verbindung mit der Treiberschaltung herzustellen.
  • Diese Verbindung wird anhand der Zeichnungen ausführlich beschrieben. 17 ist eine vergrößerte Hauptteilansicht eines Verbindungsstücks und eines Bandträgergehäuses. Wie in 17 gezeigt, sind in einem Verbindungsstück 1 wie einem Druckwerk-Teil, einer LCD-Zelle einer Flüssigkristallvorrichtung oder dergleichen eine Vielzahl von mit Elementen verbundenen Verdrahtungen 2 auf der Oberfläche des Verbindungsstücks 1 gezogen und sind in Endteilen des Verbindungsstücks 1 Klemmenelektroden 3 gebildet.
  • Andererseits ist ein Bandträgergehäuse 4 zum Herstellen einer Verbindung mit dem Verbindungsstück 1 aus einem flexiblen Substrat gebildet, dessen Material aus Polyimid besteht. Klemmenelektroden 5, welche auf die jeweils in den Endteilen des Verbindungsstücks 1 gebildeten Klemmenelektroden 3 gelegt sein können, sind an einem Ende dieses Substrats gebildet, wohingegen im den Klemmenelektroden 5 entgegengesetzten Endteil Klemmenelektroden 6, welche breiter als die Klemmenelektroden 5 sind und welche in größeren Abständen als die Klemmenelektroden 5 angeordnet sind, gebildet sind. Eine Halbleitervorrichtung 6A zum Ansteuern des Verbindungsstücks 1 ist zwischen den Klemmenelektroden 5 und den Klemmenelektroden 6 angebracht. Diese Halbleitervorrichtung 6A ist in einem Lochteil (Vorrichtungsloch) untergebracht, welcher in einem im wesentlichen zentralen Teil des Bandträgergehäuses 4 angeordnet ist. Die anderen Endteile von die Klemmenelektroden 5 und die Klemmenelektroden 6 bildenden Verdrahtungen stehen aus dem Lochteil vor, so dass sie innere Zuleitungen bilden. Die inneren Zuleitungen sind mit in der Halbleitervorrichtung 6A angeordneten Klemmen so verbunden, dass die Klemmenelektroden 5 und die Klemmenelektroden 6 mit der Halbleitervorrichtung 6A elektrisch leitend verbunden sind.
  • 18 ist eine erläuternde Ansicht, welche das Verfahren des Verbindens des Verbindungsstücks 1 mit dem Bandträgergehäuse 4 zeigt. Wie in 18 gezeigt, wird im Fall, in welchem das obenerwähnte Verbindungsstück 1 und das obenerwähnte Bandträgergehäuse 4 miteinander verbunden werden, das Verbindungsstück 1 zuerst so auf einen Kontaktierungstisch 7 gelegt, dass die Klemmenelektroden 3 sich auf der Oberseite befinden. Daraufhin erfolgt die Positionierung zwischen den auf dem Bandträgergehäuse 4 angeordneten Klemmenelektroden 5 und den obenerwähnten Klemmenelektroden 3 so, dass die beiden Klemmenelektroden übereinandergelegt sind. Übrigens wird ein elektrisch leitende Partikel enthaltendes Haftmittel so zwischen die Klemmenelektroden 3 und die Klemmenelektroden 5 eingebracht, dass die beiden Klemmenelektroden durch die elektrisch leitenden Partikel elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
  • Hier ist ein Kontaktierungswerkzeug 8, welches sich auf und ab bewegen kann, über der Stelle angeordnet, wo die beiden Elektroden übereinandergelegt sind, das heißt, über den Klemmenelektroden 5 im Bandträgergehäuse 4. Übrigens enthält das Kontaktierungswerkzeug 8 eine Heizung 9, so dass ein vorderer Endteil des Kontaktierungswerkzeugs 8 durch Betreiben dieser Heizung 9 erwärmt werden kann.
  • Durch Absenken des so konfigurierten Kontaktierungswerkzeugs 8 werden die beiden Elektroden miteinander verbunden, was nicht nur den Zweck hat, die beiden Elektroden in engen Kontakt mit den elektrisch leitenden Partikeln zu bringen, sondern auch den Zweck hat, die Zeit zum Trocknen des Haftmittels durch Erwärmen zu verkürzen. Übrigens ist, wenn die beiden Elektroden miteinander verbunden werden, das elektrisch leitende Partikel enthaltende Haftmittel nicht immer erforderlich. Die beiden Elektroden können durch Anwenden von Druck und Wärme auf die Elektroden, welche ohne Verwendung eines Haftmittels übereinandergelegt sind, verschweißt oder metallisch verbunden werden.
  • Übrigens kann das Kontaktieren, obwohl hier als Beispiel ein Druckkopf (Druckwerk-Teil) mit einem piezoelektrischen Element oder eine LCD-Zelle einer Flüssigkristallvorrichtung beschrieben wurde, mittels eines ähnlichen Verfahrens auch in einer Mikromaschine, in welcher ein dünner Bewegungsmechanismus-Teil auf einem Substrat gebildet ist und eine Verdrahtung zum Übertragen von Energie (zum Anlegen einer Spannung) an diesen Bewegungsmechanismus-Teil herausgeführt ist, einem piezoelektrischen Betätiger mit einem piezoelektrischen Element, einem elektrostatischen Betätiger mit einem elektrostatischen Vibrator, einem Druckkopf mit einem elektrostatischen Betätiger, einem Drucker mit solchen Betätigern und einem mit einer solchen Vorrichtung versehenen elektronischen Gerät ausgeführt werden.
  • Jedoch traten im oben beschriebenen Bandträgergehäuse- oder Klemmenelektroden-Verbindungsverfahren folgende technischen Probleme auf.
  • 19(a) und (b) sind jeweils Schnittansichten längs der Linie C-C in 18, in welchen ein Zwischenraum 10 zwischen den Klemmenelektroden 3 entsprechend der Tatsache, dass das Verbindungsstück 1 wie ein Druckwerk-Teil, eine LCD-Zelle einer Flüssigkristallvorrichtung oder dergleichen wie oben beschrieben Jahr für Jahr dünner gemacht wurde, kleiner gemacht ist. Wenn das das Verbindungsstück 1 bildende Material (hauptsächlich Silizium) und das das Bandträgergehäuse 4 bildende Material (hauptsächlich Polyimid) verschiedene Wärmeausdehnungskoeffizienten haben, wird folglich die Wärmeausdehnung des Bandträgergehäuses 4 aufgrund der Wirkung der in das Kontaktierungswerkzeug 8 eingebauten Heizung 9 größer, wenn das Kontaktierungswerkzeug 8 in die Nähe des Verbindungsstücks 1 und des Bandträgergehäuses 4 gebracht wird, um diese zu kontaktieren. Folglich werden die Klemmenelektroden 5 jeweils relativ zu den Klemmenelektroden 3 verschoben wie in 19(b) gezeigt. So wurde befürchtet, dass ein Problem wie Zunahme des Widerstands, Versagen der Kontaktierung zwischen den beiden Klemmen oder Kurzschluss zu benachbarten Klemmen auftritt. Übrigens wurde durch verschiedene vom Erfinder vorgenommene Untersuchungen bestätigt, dass es in einem Bandträgergehäuse aus Polyimidmaterial eine Grenze für den Verdrahtungsabstand gibt, die bei 60 μm liegt.
  • Übrigens steht die im Innern des Bandträgergehäuses 4 untergebrachte Halbleitervorrichtung 6A nicht in engem Kontakt mit dem Bandträgergehäuse 4. Deshalb bestand ein Problem darin, dass es keinen Wärmeübergang von der Halbleitervorrichtung 6A zum Bandträgergehäuse 4 gibt, so dass die Wärmeabstrahlung von der Halbleitervorrichtung 6A nicht wirksam erfolgt. Außerdem stehen die inneren Zuleitungen, welche Verdrahtungs-Endteile darstellen, aus dem Vorrichtungsloch vor und sind sie mit den Klemmen der Halbleitervorrichtung 6A verbunden, um eine elektrische Verbindung mit der Halbleitervorrichtung 6A herzustellen. Jedoch haben die inneren Zuleitungen auch eine Funktion, die Halbleitervorrichtung im Vorrichtungsloch mechanisch zu halten. Wenn die Halbleitervorrichtung 6A sich (aufgrund einer äußeren Kraft oder dergleichen) im Vorrichtungsloch bewegt, wurde deshalb befürchtet, dass nebeneinanderliegende innere Zuleitungen aneinanderstoßen und dadurch eine Störung wie einen Kurzschluss oder dergleichen bewirken. Deshalb ist, um die inneren Zuleitungen zu schützen, das Aufbringen von Vergussmasse auf die Halbleitervorrichtung 6A und die inneren Zuleitungen erforderlich, nachdem sie miteinander kontaktiert sind, so dass der Umfang des die Halbleitervorrichtung 6A enthaltenden Vorrichtungslochs abgedichtet ist. Das heißt, zur Verfestigung der Vergussmasse ist ein Trocknungs-/Verfestigungsprozess erforderlich. Folglich ist der Anstieg des Herstellungsaufwands ein Problem geworden.
  • Andererseits war es bei einem Betätiger oder dergleichen, welcher unter Verwendung einer Mikromaschine oder eines Mikrobearbeitungsverfahrens hergestellt wurde, unvermeidlich, dass die Fläche von Verdrahtungsklemmen gegenüber einem Bewegungsmechanismus-Teil oder einem Betätigerteil zunahm, weil der Betätiger mittels eines Verfahrens des Kontaktierens von flexiblen Substraten oder Drähten, des Lötens von Drähten oder dergleichen mit einer äußeren Leiterplatte verbunden wird. Um einen solchen Bewegungsmechanismus-Teil oder einen solchen Betätiger zu bilden, ist eine genaue Bearbeitung, verkörpert durch anisotropisches Ätzen, erforderlich und ist außerdem ein kostspieliges Material oder eine kostspielige Maschine erforderlich. Deshalb ist es wünschenswert, die Fläche von Verdrahtungsklemmen-Teilen so klein zu machen, dass der Bewegungsmechanismus-Teil oder Betätiger wirtschaftlich hergestellt wird.
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Verbinder mit geringem Kontaktabstand, bei welchem die Lageabweichung zwischen miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden verringert werden kann, selbst wenn er thermischer Beanspruchung ausgesetzt ist, bei welchem eine wirksame Wärmeabstrahlung von einer auf dem Verbinder befestigten Halbleitervorrichtung erreicht werden kann und welcher leicht hergestellt werden kann; einen Kontaktabstandswandler; eine Mikromaschine; einen piezoelektrischen Betätiger; einen elektrostatischen Betätiger; einen Tintenkopf; einen Tintenstrahldrucker; eine Flüssigkristallvorrichtung; und ein elektronisches Gerät zu schaffen.
  • Die obige Aufgabe wird durch die Erfindung gemäß der Definition durch die unabhängigen Patentansprüche erfüllt, wobei die abhängigen Ansprüche bevorzugte Ausführungsformen betreffen.
    • (1) Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand geschaffen, in welchem eine Vielzahl von ersten Klemmenelektroden und eine Vielzahl von zweiten Klemmenelektroden auf einem Substrat gebildet sind und eine mit den ersten Klemmenelektroden verbundene erste Verdrahtung und eine mit den zweiten Klemmenelektroden verbundene zweite Verdrahtung gebildet sind; wobei der Verbinder mit geringem Kontaktabstand eine Halbleitervorrichtung, welche mit der ersten Verdrahtung und der zweiten Verdrahtung elektrisch verbunden ist, enthält, ein Abstand der ersten Klemmenelektroden kleiner als ein Abstand der zweiten Klemmenelektroden ist und die Anzahl der ersten Klemmenelektroden größer als die Anzahl der zweiten Klemmenelektroden ist.
    • (2) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist im im obigen Absatz (1) erwähnten Verbinder mit geringem Kontaktabstand das Substrat aus Silizium gebildet.
    • (3) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist im im obigen Absatz (1) erwähn ten Verbinder mit geringem Kontaktabstand die Halbleitervorrichtung so angeordnet, dass lange Seiten der Halbleitervorrichtung im wesentlichen parallel zu einer Ausrichtungsrichtung der ersten Klemmenelektroden gelegt sind.
    • (4) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist im im obigen Absatz (1) erwähnten Verbinder mit geringem Kontaktabstand die Halbleitervorrichtung so angeordnet, dass kurze Seiten der Halbleitervorrichtung im wesentlichen parallel zu einer Ausrichtungsrichtung der ersten Klemmenelektroden gelegt sind.
    • (5) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung ist im im obigen Absatz (1) erwähnten Verbinder mit geringem Kontaktabstand eine Isolierschicht so auf das Substrat aufgebracht, dass sie mindestens in einem Bereich, wo die Halbleitervorrichtung angeordnet ist, gebildet ist, und sind die erste Verdrahtung und die zweite Verdrahtung auf der Isolierschicht gebildet.
  • In der jeweiligen Erfindung der obigen Absätze (1) bis (5) kann, wenn Silizium als Material für das Substrat des Verbinders mit geringem Kontaktabstand verwendet wird, der Verbinder mit geringem Kontaktabstand aus einem Material, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient kleiner als derjenige eines Materials eines flexiblen Substrats ist, und ferner auf die gleiche Weise wie beim Verfahren zur Bildung einer Halbleitervorrichtung gebildet werden. Außerdem können die Verdrahtungen mit geringem Leiterabstand einfach gebildet werden. Ferner hat Silizium eine so hohe Wärmeleitfähigkeit, dass die Wirkung der Wärmeabstrahlung gesteigert werden kann. Deshalb kann verhindert werden, dass die Temperatur des Verbinders mit geringem Kontaktabstand aufgrund in der Halbleitervorrichtung entstandener Wärme ansteigt.
  • Außerdem kann die Halbleitervorrichtung so angeordnet sein, dass die langen Seiten der Halbleitervorrichtung im wesentlichen parallel zur Ausrichtungsrichtung der ersten Klemmenelektroden liegen, oder so angeordnet sein, dass die kurzen Seiten der Halbleitervorrichtung im wesentlichen parallel zur Ausrichtungsrichtung der ersten Klemmenelektroden liegen. Im letzteren Fall kann die Breite des Verbinders mit geringem Kontaktabstand verringert werden.
  • Außerdem geht, weil die Halbleitervorrichtung durch eine Isolierschicht fest auf dem Substrat des Verbinders mit geringem Kontaktabstand haftet, selbst wenn in der Halbleitervorrichtung Wärme entsteht, die in der Halbleitervorrichtung entstandene Wärme auf das Substrat über und wird dann vom Substrat abgestrahlt. Mithin dient nicht nur die Oberfläche der Halbleitervorrichtung sondern auch die Oberfläche des Substrats zur Wärmeabstrahlung. Demgemäß ist selbst bei großer Verlustwärme der Halbleitervorrichtung eine zufriedenstellende Wärmeabstrahlung möglich. Ferner wird es einfach, die mechanische Festigkeit sicherzustellen, weil das Substrat zum Halten der Halbleitervorrichtung genutzt werden kann.
  • Außerdem sind die jeweiligen Elektroden der Halbleitervorrichtung mit Verdrahtungen längs (in engem Kontakt mit) der Oberfläche des Substrats verbunden, die nicht innere Zuleitungen sind, welche einseitig befestigt sind. Entsprechend ist nicht zu befürchten, dass die Halbleitervorrichtung sich nach dem Verbinden bewegt. Folglich ist ein Aufbringen von Vergussmasse auf die Halbleitervorrichtung nicht erforderlich. Mithin ist es nicht nur möglich, einen Trocknungsprozess und so weiter zu eliminieren, sondern es ist auch nicht zu befürchten, dass es aufgrund der Bewegung der Halbleitervorrichtung zu einem Kurzschluss zwischen Klemmen kommt.
    • (6) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Kontaktabstandswandler geschaffen, enthaltend: einen Verbinder mit geringem Kontaktabstand, in welchem eine Vielzahl von ersten Klemmenelektroden und eine Vielzahl von zweiten Klemmenelektroden auf einem Substrat gebildet sind und eine mit den ersten Klemmenelektroden verbundene erste Verdrahtung und eine mit den zweiten Klemmenelektroden verbundene zweite Verdrahtung gebildet sind; und ein Verbindungsstück mit äußeren Klemmenelektroden, welche mit den ersten Klemmenelektroden elektrisch verbunden sind; wobei eine mit der ersten Verdrahtung und der zweiten Verdrahtung elektrisch verbundene Halbleitervorrichtung vorgesehen ist, ein Abstand der ersten Klemmenelektroden kleiner als ein Abstand der zweiten Klemmenelektroden ist und die Anzahl der ersten Klemmenelektroden größer als die Anzahl der zweiten Klemmenelektroden ist.
    • (7) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung hat im obigen Kontaktabstandswandler das Substrat eine Eigenschaft, dass ein Wärmeausdehnungskoeffizient desselben im wesentlichen gleich einem oder kleiner als ein Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbindungsstücks ist.
    • (8) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung sind im obigen Kontaktabstandswandler das Substrat und das Verbindungsstück aus dem gleichen Material gebildet.
    • (9) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung sind im obigen Kontaktabstandswandler das Substrat und das Verbindungsstück aus Silizium gebildet.
    • (10) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung sind im obigen Kontaktabstandswandler die ersten Klemmenelektroden durch elektrisch leitende Elemente mit den äußeren Klemmenelektroden elektrisch verbunden.
  • In den jeweiligen Erfindungen der obigen Absätze (6) bis (10) hat das Substrat des Verbinders mit geringem Kontaktabstand eine Eigenschaft, dass der Wärmeausdehnungskoeffizient des Substrats im wesentlichen gleich demjenigen oder kleiner als derjenige des Verbindungsstücks ist. Wenn die ersten Klemmenelektroden des Verbinders und die äußeren Klemmenelektroden des Verbindungsstücks durch Andrücken und Erwärmen miteinander verbunden werden, werden entsprechend die beiden Elektroden um im wesentlichen den gleichen Betrag gedehnt, so dass die relative Lageabweichung der Elektroden, welche übereinander gelegt sind, auf das Minimum beschränkt werden kann.
  • Weil das Substrat des Verbinders mit geringem Kontaktabstand und das Verbindungsstück aus dem gleichen Material gebildet sind, kann außerdem die relative Lageabweichung der Elektroden beschränkt werden, wenn die Elektroden übereinander gelegt werden.
  • Weil Silizium, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist, als Material des Substrats des Verbinders mit geringem Kontaktabstand und des Verbindungsstücks verwendet wird, kann ferner die Wirkung der Wärmeabstrahlung weiter gesteigert werden, so dass verhindert werden kann, dass der Widerstand aufgrund eines Temperaturanstiegs zunimmt.
  • Zudem kann, weil die ersten Klemmenelektroden des Verbinders und die äußeren Klemmenelektroden des Verbindungsstücks durch die elektrisch leitenden Elemente miteinander verbunden werden, die elektrische Verbindung zwischen den beiden Elektroden zuverlässiger gemacht werden. Übrigens kann zum Beispiel, wenn ein durch Bilden eines anisotropischen, leitfähigen Haftmittels als ein dünner Film hergestellter anisotropischer, leitfähiger Film als elektrisch leitende Elemente verwendet wird, verhindert werden, dass die elektrisch leitenden Elemente aus dem Kontaktierungsteil vorstehen.
    • (11) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Mikromaschine geschaffen, enthaltend ein erstes Substrat, in welchem ein Bewegungsmechanismus-Teil und eine Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden gebildet sind, und ein zweites Substrat, in welchem erste Klemmenelektroden zum Herstellen elektrischer Verbindungen mit der Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden gebildet sind; wobei das zweite Substrat eine Vielzahl von zweiten Klemmenelektroden, eine mit den ersten Klemmenelektroden verbundene erste Verdrahtung, eine mit den zweiten Klemmenelektroden verbundene zweite Verdrahtung und eine mit der ersten Verdrahtung und der zweiten Verdrahtung verbundene Halbleitervorrichtung aufweist; und wobei ein Abstand der ersten Klemmenelektroden kleiner als ein Abstand der zweiten Klemmenelektroden ist und die Anzahl der ersten Klemmenelektroden größer als die Anzahl der zweiten Klemmenelektroden ist. In der Erfindung des obigen Absatzes (11), in der Mikromaschine, sind das erste Substrat, in welchem der Bewegungsmechanismus-Teil der Mikromaschine gebildet ist, und das zweite Substrat zum Herstellen einer Verbindung nach außen separat gebildet. Entsprechend lässt sich die Fläche des ersten Substrats minimieren.
    • (12) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein piezoelektrischer Betätiger geschaffen, enthaltend ein erstes Substrat, in welchem ein piezoelektrisches Element und eine Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden gebildet sind, und ein zweites Substrat mit ersten Klemmenelektroden zum Herstellen elektrischer Verbindungen mit der Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden; wobei das zweite Substrat eine Vielzahl von zweiten Klemmenelektroden, eine mit den ersten Klemmenelektroden verbundene erste Verdrahtung, eine mit den zweiten Klemmenelektroden verbundene zweite Verdrahtung und eine mit der ersten Verdrahtung und der zweiten Verdrahtung verbundene Halbleitervorrichtung aufweist; und wobei ein Abstand der ersten Klemmenelektroden kleiner als ein Abstand der zweiten Klemmenelektroden ist und die Anzahl der ersten Klemmenelektroden größer als die Anzahl der zweiten Klemmenelektroden ist.
    • (13) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein elektrostatischer Betätiger geschaffen, enthaltend ein erstes Substrat, in welchem ein elektrostatischer Vibrator und eine Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden gebildet sind, und ein zweites Substrat mit ersten Klemmenelektroden zum Herstellen elektrischer Verbindungen mit der Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden; wobei das zweite Substrat eine Vielzahl von zweiten Klemmenelektroden, eine mit den ersten Klemmenelektroden verbundene erste Verdrahtung, eine mit den zweiten Klemmenelektroden verbundene zweite Verdrahtung und eine mit der ersten Verdrahtung und der zweiten Verdrahtung verbundene Halbleitervorrichtung aufweist; und wobei ein Abstand der ersten Klemmenelektroden kleiner als ein Abstand der zweiten Klemmenelektroden ist und die Anzahl der ersten Klemmenelektroden größer als die Anzahl der zweiten Klemmenelektroden ist.
    • (14) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Tintenkopf geschaffen, enthaltend den im obigen Absatz (12) erwähnten piezoelektrischen Betätiger.
    • (15) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Tintenkopf geschaffen, enthaltend den im obigen Absatz (13) erwähnten elektrostatischen Betätiger.
    • (16) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Tintenstrahldrucker geschaffen, enthaltend einen im obigen Absatz (14) erwähnten Tintenkopf.
    • (17) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Tintenstrahldrucker geschaffen, enthaltend einen im obigen Absatz (15) erwähnten Tintenkopf.
  • In den jeweiligen Erfindungen der obigen Absätze (12), (14) und (16) werden das erste Substrat, in welchem ein piezoelektrisches Element gebildet wird, und das zweite Substrat zum Herstellen einer Verbindung nach außen separat gebildet. Entsprechend kann die Fläche des ersten Substrats minimiert werden.
  • Andererseits werden in den jeweiligen Erfindungen der obigen Absätze (13), (15) und (17) das erste Substrat, in welchem ein elektrostatischer Vibrator gebildet wird, und das zweite Substrat zum Herstellen einer Verbindung nach außen separat gebildet. Entsprechend kann die Fläche des ersten Substrats minimiert werden.
    • (18) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Flüssigkristallvorrichtung geschaffen, in welcher ein Flüssigkristall zwischen einem ersten Substrat und einem zweiten Substrat gehalten wird und in welcher eine Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden auf entweder dem ersten oder dem zweiten Substrat gebildet ist; wobei ein drittes Substrat mit ersten Klemmenelektroden zum Herstellen elektrischer Verbindungen mit der Vielzahl von äußeren Klemmenelekt roden vorgesehen ist; wobei das dritte Substrat eine Vielzahl von zweiten Klemmenelektroden, eine mit den ersten Klemmenelektroden verbundene erste Verdrahtung, eine mit den zweiten Klemmenelektroden verbundene zweite Verdrahtung und eine mit der ersten Verdrahtung und der zweiten Verdrahtung verbundene Halbleitervorrichtung aufweist; und wobei ein Abstand der ersten Klemmenelektroden kleiner als ein Abstand der zweiten Klemmenelektroden ist und die Anzahl der ersten Klemmenelektroden größer als die Anzahl der zweiten Klemmenelektroden ist. In der Erfindung des obigen Absatzes (18) sind die sogenannte Flüssigkristallzelle, in welcher der Flüssigkristall zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat gehalten wird und in welcher eine Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden in entweder dem ersten oder dem zweiten Substrat gebildet ist, und das dritte Substrat zum Herstellen einer Verbindung nach außen separat gebildet. Entsprechend kann die durch die äußeren Klemmenelektroden in der Flüssigkristallzelle eingenommene Fläche minimiert werden. Deshalb kann ein großer Flüssigkristallanzeige-Teil in der Flüssigkristallzelle geschaffen werden, selbst wenn die verwendete Flüssigkristallzelle die gleiche Fläche wie eine dem Stand der Technik entsprechende hat. Außerdem kann, weil die Anzahl von Klemmen in einem Verbindungsteil leicht erhöht werden kann, der Abstand von Bildelementen verringert werden, so dass die Bildelemente extrem genau gemacht werden können.
    • (19) Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein elektronisches Gerät geschaffen, enthaltend eine Flüssigkristallvorrichtung; wobei die Flüssigkristallvorrichtung so angeordnet ist, dass ein Flüssigkristall zwischen einem ersten Substrat und einem zweiten Substrat gehalten wird und eine Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden auf entweder dem ersten oder dem zweiten Substrat gebildet ist; wobei ein drittes Substrat mit ersten Klemmenelektroden zum Herstellen elektrischer Verbindungen mit der Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden vorgesehen ist; wobei das dritte Substrat eine Vielzahl von zweiten Klemmenelektroden, eine mit den ersten Klemmenelektroden verbundene erste Verdrahtung, eine mit den zweiten Klemmenelektroden verbundene zweite Verdrahtung und eine mit der ersten Verdrahtung und der zweiten Verdrahtung verbundene Halbleitervorrichtung aufweist; und wobei ein Abstand der ersten Klemmenelektroden kleiner als ein Abstand der zweiten Klemmenelektroden ist und die Anzahl der ersten Klemmenelektroden größer als die Anzahl der zweiten Klemmenelektroden ist.
  • In der Erfindung des obigen Absatzes (19) hat das elektronische Gerät die Flüssigkristallvorrichtung, welche die sogenannte Flüssigkristallzelle enthält, in welcher der Flüssigkristall zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat gehalten wird und in welcher eine Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden in entweder dem ersten oder dem zweiten Substrat gebildet ist, und das dritte Substrat zum Herstellen einer Verbindung nach außen, und sind die Flüssigkristallzelle und das dritte Substrat separat gebildet. Entsprechend kann die durch die äußeren Klemmenelektroden in der Flüssigkristallzelle eingenommene Fläche minimiert werden. Folglich wird eine Miniaturisierung des elektronisches Geräts einfach.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine Vorderansicht, welche einen Kontaktabstandswandler gemäß Ausführungsform 1 der vorliegenden Erfindung zeigt, welcher einen Verbinder mit geringem Kontaktabstand und einen Klemmenteil eines Verbindungsstücks, mit welchem dieser Verbinder verbunden ist, aufweist.
  • 2 ist eine erläuternde Ansicht, welche das Verfahren zum Verbinden des Verbindungsstücks mit dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand zeigt.
  • 3 ist eine vergrößerte Ansicht eines Teils d in 2.
  • 4(a) und 4(b) sind jeweils Schnittansichten längs der Linie B-B in 2, welche das Verfahren zum Verbinden des Verbindungsstücks mit dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand veranschaulichen.
  • 5(a) bis 5(c) sind jeweils erläuternde Ansichten, welche das Verfahren zum Herstellen des Verbinders mit geringem Kontaktabstand gemäß Ausführungsform 1 veranschaulichen.
  • 6(a) bis 6(c) sind jeweils erläuternde Ansichten, welche das Verfahren zum Herstellen des Verbinders mit geringem Kontaktabstand gemäß Ausführungsform 1 zeigen.
  • 7 ist eine vergrößerte Ansicht, welche einen Hauptteil eines Verbinders mit geringem Kontaktabstand gemäß Ausführungsform 2 der vorliegenden Erfindung und jeweilige Klemmenteile eines Verbindungsstücks und ein flexibles Substrat, mit welchem dieser Verbinder verbunden ist, zeigt.
  • 8(a) und 8(b) sind erläuternde Ansichten, welche eine Mikropumpe als Beispiel einer Mikromaschine gemäß Ausführungsform 3 der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • 9 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht eines Hauptteils, welche einen Lichtmodulator als ein anderes Beispiel gemäß Ausführungsform 4 der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 10 ist eine erläuternde Ansicht, welche einen piezoelektrischen Betätiger gemäß Ausführungsform 5 der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 11 ist eine konzeptionelle Ansicht, welche einen Tintenkopf mit dem piezoelektrischen Betätiger gemäß Ausführungsform 6 der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 12(a) und 11(b) sind erläuternde Ansichten, welche den Aufbau eines Tintenkopfs mit einem elektrostatischen Betätiger gemäß Ausführungsform 7 der vorliegenden Erfindung zeigen.
  • 13 ist eine erläuternde Ansicht, welche ein Beispiel zeigt, in welchem ein Tintenkopf gemäß Ausführungsform 8 der vorliegenden Erfindung montiert ist.
  • 14 ist eine erläuternde Ansicht, welche einen Tintenstrahldrucker gemäß Ausführungsform 8 zeigt.
  • 15 ist eine erläuternde Ansicht, welche eine Flüssigkristallvorrichtung gemäß Ausführungsform 9 der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • 16 ist eine erläuternde Ansicht, welche ein Mobiltelefon zeigt, welches ein Beispiel eines elektronischen Geräts mit der Flüssigkristallvorrichtung gemäß Ausführungsform 10 der vorliegenden Erfindung ist.
  • 17 ist eine vergrößerte Ansicht eines Hauptteils eines Verbindungsstücks und eines Verbinders, gebildet durch ein flexibles Substrat nach Stand der Technik.
  • 18 ist eine erläuternde Ansicht, welche das Verfahren zum Verbinden des Verbindungsstücks mit dem Verbinder nach Stand der Technik zeigt.
  • 19(a) und 19(b) sind Schnittansichten längs der Linie C-C in 18, welche das Verfahren zum Verbinden des Verbindungsstücks mit dem Verbinder nach Stand der Technik zeigen.
  • BESTE AUSFÜHRUNGSWEISE DER ERFINDUNG
  • Ausführungsform 1
  • 1 ist eine Vorderansicht, welche einen Kontaktabstandswandler gemäß dieser Ausführungsform zeigt und ein Beispiel eines Verbinders mit geringem Kontaktabstand und eines Klemmenteils eines Verbindungsstücks, welches mit diesem Verbinder verbunden werden soll, veranschaulicht. Wie in 1 gezeigt, hat ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand 20 gemäß dieser Ausführungsform eine Konfiguration, in welcher metallene Verdrahtungen 24 auf der Oberfläche eines Substrats 22 gebildet sind.
  • Das Substrat 22 besteht aus einem rechteckigem Einkristall-Silizium und wird durch Zerschneiden eines Halbleiter-Wafers in Stücke eines Gittermusters so, dass auf der Oberfläche jedes Stücks eine Halbleitervorrichtung gebildet ist, hergestellt. Eine Vielzahl von metallenen Verdrahtungen 24A und eine Vielzahl von metallenen Verdrahtungen 24B sind auf der Oberfläche des Substrats 22 so angeordnet, dass sie das Substrat 22 queren. Klemmenelektroden 30 als Kontaktierungsteile, welche auf auf einem Verbindungsstück 26 angeordnete Klemmenelektroden 28 gelegt werden können, sind jeweils in Endteilen auf einer Seite der metallenen Verdrahtungen 24, das heißt, in einem Endteil 22A des Substrats 22, gebildet. Das heißt, die Klemmenelektroden 30 sind so gesetzt, dass sie den gleichen Abstand wie die Klemmenelektroden 28 (maximal 60 μm) haben. Andererseits sind in einem den Klemmenelektroden 30 entgegengesetzten Endteil 226 des Verbinder-Grundkörpers 22 Klemmenelektroden 32 gebildet, deren Anzahl kleiner als die Anzahl der Klemmenelektroden 30 ist, deren Breite und Abstand aber vergrößert sind (Abstand von minimal 80 μm). Außerdem ist eine Halbleitervorrichtung 33 zum Ansteuern von Elementen des Verbindungsstücks 26 auf einem zentralen Teil des Substrats 22 so befestigt, dass die Halbleitervorrichtung 33 so angeordnet ist, dass ihre Längsrichtung von Seite zu Seite verläuft, das heißt, die langen Seiten der Halbleitervorrichtung 33 im wesentlichen parallel zur Klemmenausrichtungsrichtung des Verbindungsstücks 26 gelegt sind. Übrigens befinden sich die den Klemmenelektroden 30 entgegengesetzten Endteile der metallenen Verdrahtungen 24A und die den Klemmenelektroden 32 entgegengesetzten Endteile der metallenen Verdrahtungen 246 auf den Elektrodenpositionen der Halbleitervorrichtung 33. Mithin sind die beiden Endteile der metallenen Verdrahtungen 24A und 246 mit den Elektroden der Halbleitervorrichtung 33 so verbunden, dass die Klemmen der Halbleitervorrichtung 33, die metallenen Verdrahtungen 24A und die metallenen Verdrahtungen 246 elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
  • Mithin ist die Halbleitervorrichtung 33 in engem Kontakt mit der Oberfläche des Substrats 22 angeordnet. Wenn in der Halbleitervorrichtung 33 Wärme entsteht, geht diese entstandene Wärme demgemäß auf das Substrat 22 über, und das Substrat 22 spielt die Rolle eines Kühlblechs (Kühlkörpers). Selbst wenn die Verlustwärme der Halbleitervorrichtung 33 zunimmt, strahlt folglich das Substrat 22 die in der Halbleitervorrichtung 33 entstandene Wärme wirksam ab, so dass ein stabiler Betrieb der Halbleitervorrichtung 33 möglich ist.
  • Ferner wird das Eigengewicht der Halbleitervorrichtung 33 durch das Substrat 22 gehalten und sind die in der Halbleitervorrichtung 33 angebrachten Elektroden mit den fest auf der Oberfläche des Substrats 22 gebildeten metallenen Verdrahtungen 24A und 246 verbunden. Mithin ist, selbst wenn eine äußere Kraft auf die Halbleitervorrichtung 33 einwirkt, nicht zu befürchten, dass die Halbleitervorrichtung 33 durch die äußere Kraft bewegt wird. Folglich wird ein Vergussmassenaufbringungsvorgang, ein Vergussmassentrocknungsvorgang oder dergleichen zum Fixieren der Umfänge der Elektroden der Halbleitervorrichtung 33 mit Vergussmasse, um einen Kurzschluss zu verhindern, überflüssig, was das Herstellungsverfahren vereinfacht.
  • Weil die Halbleitervorrichtung 33 innerhalb des Substrats 22 angebracht ist, wird es außerdem überflüssig, die Halbleitervorrichtung 33 vor oder hinter dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand, das heißt, auf dem Verbindungsstück 26 oder auf einem äußeren Substrat wie einem flexiblen Substrat, welches mit den Klemmenelektroden 32 verbunden ist, zu befestigen. Folglich kann die Montagefläche verringert werden, so dass der Verbinder mit geringem Kontaktabstand selbst miniaturisiert werden kann.
  • Weil die Halbleitervorrichtung 33 so angeordnet ist, dass die langen Seiten der Halbleitervorrichtung 33 im wesentlichen parallel zur Klemmenausrichtungsrichtung des Verbindungsstücks 26 liegen, werden außerdem die Längen der jeweiligen Elektroden zur Halbleitervorrichtung 33 gleich, so dass der Widerstand des Verdrahtungsmusters gleich gemacht werden kann.
  • Außerdem kann die Anzahl der Verbindungsstücke 26, welche aus einem Halbleiter-Wafer hergestellt werden können, erhöht werden, so dass die Produktivität gesteigert werden kann und die Herstellungskosten gesenkt werden können.
  • Übrigens ist im Verbindungsstück 26, wo zum Beispiel die Klemmenelektroden 28 gebildet sind, ein piezoelektrisches Element auf einem Siliziumsubstrat, welches aus dem gleichen Material wie das Substrat 22 besteht, angebracht. Mithin ist das Verbindungsstück 26 als ein Druckkopf (im folgenden als "Druckwerk-Teil" bezeichnet) zum Ausstoßen von Tinte durch Vibration des piezoelektrischen Elements vorgesehen. Durch Anlegen einer Spannung an die Klemmenelektroden 28 kann das auf dem Verbindungsstück 26 angebrachte piezoelektrische Element betrieben (in Vibration versetzt) werden.
  • Nun wird anhand 2 bis 4 das Verfahren zum Verbinden des die obenerwähnte Konfiguration aufweisenden Verbinders mit geringem Kontaktabstand 20 mit dem Verbindungsstück 26 beschrieben. 2 ist eine erläuternde Ansicht des Verfahrens, in welchem die Klemmenelektroden 28 des Verbindungsstücks 26 und die Klemmenelektroden 30 des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 20 durch elektrisch leitende Elemente übereinander gelegt und durch Andrücken und Erwärmen miteinander verbunden werden. 3 ist eine vergrößerte Ansicht eines Teils d in 2, und 4 ist eine Schnittansicht längs der Linie B-B in 2.
  • Wie in diesen Zeichnungen gezeigt, wird, wenn der Verbinder mit geringem Kontaktabstand 20 mit dem Verbindungsstück 26 verbunden wird, zuerst das Verbindungsstück 26 auf die Oberseite eines Kontaktierungstischs 34 gelegt. Eine untere Heizung 36 ist im Innern des Kontaktierungstischs 34 angebracht. Durch Betreiben der unteren Heizung 36 können das Verbindungsstück 26 und so weiter erwärmt werden.
  • Über dem auf die Oberseite des Kontaktierungstischs 34 gelegten Verbindungsstück 26 wird der Verbinder 20 so angeordnet, dass die Klemmenelektroden 30 auf der Verbinderseite auf die Klemmenelektroden 28 des Verbindungsstücks 26 gelegt sind. Hier wird ein elektrisch leitende Partikel 38 enthaltendes Haftmittel 40 zwischen die Klemmenelektroden 28 und die Klemmenelektroden 30 eingebracht wie gezeigt in 3. Durch Andrücken des Verbinders 20 von der Rückseite des Verbinders 20 her stoßen die elektrisch leitenden Partikel 38 so gegen die Klemmenelektroden 28 und die Klemmenelektroden 30, dass diese Klemmenelektroden durch die elektrisch leitenden Partikel 38 elektrisch leitend miteinander verbunden werden. Außerdem wird die Verfestigung des die elektrisch leitenden Partikel 38 enthaltenden Haftmittels 40 durch den Betrieb der unteren Heizung 36 oder einer in einem Kontaktierungswerkzeug, welches nachfolgend beschrieben wird, enthaltenen Heizung beschleunigt.
  • Ein Kontaktierungswerkzeug 42 ist über den Klemmenelektroden 30, das heißt, über dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand 20, angeordnet. Dieses Kontaktierungswerkzeug 42 ist an einer nicht gezeigten linearen Führung befestigt, um entlang der linearen Führung aufwärts und abwärts bewegt zu werden. Durch Absenken des Kontaktierungswerkzeugs 42 wird von der Rückseite her auf den Verbinder mit geringem Kontaktabstand 20 gedrückt, so dass die Klemmenelektroden 28 und die Klemmenelektroden 30, welche übereinander gelegt sind, durch die elektrisch leitenden Partikel 38 in engen Kontakt gebracht werden. Außerdem enthält das Kontaktierungswerkzeug 42 eine obere Heizung 44. Durch das Betreiben der oberen Heizung 44 wird das vordere Ende des Kontaktierungswerkzeug 42 erwärmt, so dass der Verbinder mit geringem Kontaktabstand 20 erwärmt werden kann.
  • Übrigens werden in der oberen Heizung 44 und der unteren Heizung 36 die Temperaturen so eingestellt, dass die Temperatur im Bereich der Grenze zwischen den Klemmenelektroden 28 und den Klemmenelektroden 30 gleichmäßig wird, das heißt, es tritt kein Temperaturunterschied zwischen dem Substrat 22 und dem Verbindungsstück 26 auf, wenn das Kontaktierungswerkzeug 42 so abgesenkt wird, dass das vordere Ende des Kontaktierungswerkzeugs 42 von der Rückseite her auf das Substrat 22 drückt. Dann werden, überflüssig zu erwähnen, die Temperaturen der oberen Heizung 44 und der unteren Heizung 36 so eingestellt, dass sie nicht niedriger als eine Temperatur sind, welche die Verfestigung des Haftmittels 40 beschleunigt.
  • Nachdem die Temperaturen der oberen Heizung 44 und der unteren Heizung 36 so eingestellt sind, wird das Kontaktierungswerkzeug 42 abgesenkt, so dass die Klemmenelektroden 28 und die Klemmenelektroden 30, vom in 4(a) gezeigten Zustand ausgehend und zum in 4(b) gezeigten Zustand führend, jeweils miteinander verbunden werden.
  • Übrigens wird hier ein die elektrisch leitenden Partikel 38 enthaltendes anisotropisches, leitfähiges Haftmittel oder ein anisotropischer, leitfähiger Film, bei welchem das anisotropische, leitfähige Haftmittel als ein dünner Film gebildet ist, für die Verbindung zwischen den Klemmenelektroden 28 und den Klemmenelektroden 30 verwendet, so dass die Klemmenelektroden 28 und 30 durch die im Haftmittel enthaltenen elektrisch leitenden Partikel 38 in engen Kontakt gebracht werden. Jedoch sind die elektrisch leitenden Partikel 38 nicht immer erforderlich. Im Fall, in welchem keine elektrisch leitenden Partikel 38 dazwischengelegt werden, wird ein Verfahren verwendet, bei welchem die miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden 28 und Klemmenelektroden 30 mittels Schweißen oder Kontaktieren metallisch verbunden werden.
  • Hier bestehen das Substrat 22 und das Verbindungsstück 26 aus dem gleichen Material (Silizium). Außerdem sind die Erwärmungstemperaturen des Substrats 22 und des Verbindungsstücks 26 gleich, so dass zwischen diesen kein Temperaturunterschied entsteht. Demgemäß werden, wenn die Klemmenelektroden 28 und die Klemmenelektroden 30 miteinander verbunden werden, die durch Erwärmung verursachten Dehnungsbeträge der Klemmenelektroden 28 und 30 gleich, so dass keine relative Lageabweichung zwischen den Klemmenelektroden 28 und den Klemmenelektroden 30 auftritt. Folglich können die beiden Klemmenelektroden sicher miteinander kontaktiert werden, so dass verhindert werden kann, dass zum Zeitpunkt des Verbindens der Elektroden Nachteile wie Zunahme des Widerstands, Versagen der Kontaktierung oder Kurzschluss zu benachbarten Klemmen zutagetreten. Übrigens wurde als Beispiel für diese Ausführungsform der Fall beschrieben, in welchem Silizium das Material ist, aus welchem das Substrat 22 und das Verbindungsstück 26 bestehen. In diesem Fall wurde durch verschiedene vom Erfinder vorgenommene Untersuchungen bestätigt, dass eine Verbindung sicher hergestellt werden kann, selbst wenn der Verdrahtungsabstand nicht größer als 25 μm ist, zum Beispiel selbst wenn der Verdrahtungsabstand ungefähr 15 μm beträgt. Aus dieser Tatsache wird gefolgert, dass eine Verbindung in Übereinstimmung mit dem Bereich der Verbindungsauflösung hergestellt werden kann, selbst wenn der Verdrahtungsabstand nicht größer als 15 μm ist.
  • Übrigens ist als das Material des Substrats 22 nicht immer das gleiche wie dasjenige des Verbindungsstücks 26. Selbst wenn die Materialien der beiden verschieden sind und es wegen der verschiedenen Materialien einen Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizient zwischen diesen gibt, wird eine Temperaturdifferenz zum Zeitpunkt des Erwärmens so eingestellt, dass das Substrat 22 und das Verbindungsstück 26 sicher miteinander kontaktiert werden können. Das heißt, die Leistungen der oberen Heizung 44 und der unteren Heizung 36 werden so verändert, dass eine Temperaturdifferenz zwischen dem Substrat 22 und dem Verbindungsstück 26 aggressiv erzeugt wird. Konkret wird die Temperatur der auf der Seite, wo der Wärmeausdehnungskoeffizient kleiner ist, angeordneten Heizung höher eingestellt, wohingegen die Temperatur der auf der Seite, wo der Wärmeausdehnungskoeffizient größer ist, angeordneten Heizung niedriger eingestellt wird. Durch solches aggressives Erzeugen einer Temperaturdifferenz wird der durch den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizient verursachte Dehnungsbetrag kompensiert, so dass die relativen Lagen der beiden Klemmenelektroden aneinander angeglichen werden. Mithin können die beiden Klemmenelektroden miteinander kontaktiert werden, so dass verhindert werden kann, dass zum Zeitpunkt des Verbindens der Elektroden Nachteile wie Zunahme des Widerstands, Versagen der Kontaktierung oder Kurzschluss zu benachbarten Klemmen zutagetreten.
  • Nun wird das Verfahren zum Herstellen des Verbinders mit geringem Kontaktabstand gemäß dieser Ausführungsform beschrieben. 5 und 6 sind jeweils das Verfahren erläuternde Ansichten, welche das Verfahren zum Herstellen des Verbinders mit geringem Kontaktabstand gemäß dieser Ausführungsform zeigen. Übrigens ist das Verfahren, in welchem metallene Verdrahtungen auf einem Substrat gebildet werden, in diesen Zeichnungen als Schnitt längs der Linie A-A in 1 gezeigt, und die gestrichelten Linien in den jeweiligen Zeichnungen bezeichnen eine Schnittlinie 48 zum Trennen von nebeneinander gebildeten Verbindern mit geringem Kontaktabstand.
  • Zuerst wird, wie in 5(b) gezeigt, auf der Oberfläche eines Halbleiter-Wafers 46, welcher aus einem in 5(a) gezeigten Einkristall-Silizium besteht, ein 5.000 bis 20.000 Angström dicker Isolierfilm 50 gebildet. Zum Beispiel kann dieser Isolierfilm 50 durch mittels eines CVD-Verfahrens, trockener Thermooxidation, nasser Thermooxidation oder dergleichen niedergeschlagenes BPSG (Bor-Phosphor-Silikatglas) gebildet werden.
  • Nachdem der Isolierfilm 50 auf eine solche Weise auf der Oberfläche des Halbleiter-Wafers 46 gebildet ist, wird der mit dem Isolierfilm 50 versehene Halbleiter-Wafer 46 in eine Argonatmosphäre mit einem Druck von 2 bis 5 mTorr und einer Temperatur von 150 bis 300° eingebracht. Dann erfolgt Sputtern mit einer Gleichstromleistung von 9 bis 12 kW, um Al-Cu, Al-Si-Cu, Al-Si, Ni, Cr, Au usw. niederzuschlagen. So wird ein Metallfilm 52 zum Bilden metallener Verdrahtungen, welche jeweils die gleiche Zusammensetzung wie solche Targets aufweisen, niedergeschlagen, der 200 bis 20.000 Angström dick ist. Übrigens kann der Metallfilm 52 nicht auf die obenerwähnte Weise, sondern auf eine Weise, dass Au etwa 1.000 Angström dick auf einer Grundschicht aus Cr niedergeschlagen werden kann, gebildet werden. Dieser Zustand ist in 5(c) dargestellt.
  • Nachdem der Metallfilm 52 auf der Oberseite des Isolierfilms 50 gebildet ist, wird ein Fotolackfilm 54 auf den Metallfilm 52 aufgetragen wie in 6(a) gezeigt. Dann erfolgt eine Musterbildung durch Fotolithografie wie in 6(b) gezeigt, wobei der Fotolackfilm 54 außer dem Teil, wo die metallenen Verdrahtungen gebildet werden, entfernt wird, und wird der Metallfilm 52 unter Verwendung des Fotolackfilms 54 als Maske geätzt. Dann wird der Fotolackfilm 54 auf den durch Ätzen des Metallfilms 52 gebildeten metallenen Verdrahtungen 24 entfernt wie in 6(b) und (c) gezeigt. Daraufhin erfolgt das Schneiden längs der Schnittlinien 48, so dass Verbinder mit geringem Kontaktabstand aus dem Halbleiter-Wafer 46 geschnitten werden.
  • Ausführungsform 2
  • 7 zeigt ein anderes Beispiel des Verbinders mit geringem Kontaktabstand gemäß dieser Ausführungsform. 7 ist eine vergrößerte Ansicht, welche einen Hauptteil der Beziehung zwischen diesem Verbinder, einem mit einer Seite des Verbinders zu verbindenden Klemmenteil eines Verbindungsstücks und einem mit der anderen Seite des Verbinders zu verbindenden Klemmenteil eines äußeren Substrats wie eines flexiblen Substrats oder dergleichen zeigt. Wie in 7 gezeigt, hat ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand 700 gemäß dieser Ausführungsform eine Konfiguration, bei welcher metallene Verdrahtungen 704 auf der Oberfläche eines Verbinder-Grundkörpers 702 gebildet sind.
  • Das Substrat 702 besteht aus einem rechteckigem Einkristall-Silizium und wird durch Zerschneiden eines Halbleiter-Wafers, in welchem eine Halbleitervorrichtung auf der Oberfläche gebildet ist, in ein Gittermuster hergestellt. Eine Vielzahl von metallenen Verdrahtungen 704A und eine Vielzahl von metallenen Verdrahtungen 704B sind auf der Oberfläche des Substrats 702 so angeordnet, dass sie das Substrat 702 queren. Klemmenelektroden 710 als Kontaktierungsteile, welche auf auf einem Verbindungsstück 706 angeordnete Klemmenelektroden 708 gelegt werden können, sind in einem Endteil der metallenen Verdrahtungen 704, das heißt, in einem Endteil 702A des Substrats 702 gebildet. Das heißt, die Klemmenelektroden 710 sind so gesetzt, dass sie den gleichen Abstand wie die Klemmenelektroden 708 (maximal 60 μm) haben. Andererseits sind in einem den Klemmenelektroden 710 entgegengesetzten Endteil 7026 des Substrats 702 Klemmenelektroden 712 als Kontaktierungsteile, welche auf auf einem flexiblen Substrat 720 angeordnete Klemmenelektroden 722 gelegt werden können, so gebildet, dass die Anzahl der Klemmenelektroden 712 kleiner als die Anzahl der Klemmenelektroden 710 ist, aber Breite und Abstand der Klemmenelektroden 712 vergrößert sind (Abstand von minimal 80 μm). Außerdem ist eine Halbleitervorrichtung 713 zum Ansteuern von Elementen des Verbindungsstücks 706 auf einem zentralen Teil des Substrats 702 so befestigt, dass die Halbleitervorrichtung 713 so angeordnet ist, dass ihre Längsrichtung von Seite zu Seite verläuft, das heißt, die kurzen Seiten der Halbleitervorrichtung 713 im wesentlichen parallel zur Klemmenausrichtungsrichtung des Verbindungsstücks 706 gelegt sind. Übrigens befinden sich die den Klemmenelektroden 710 entgegengesetzten Endteile der metallenen Verdrahtungen 704A und die den Klemmenelektroden 712 entgegengesetzten Endteile der metallenen Verdrahtungen 704B auf den Elektrodenpositionen der Halbleitervorrichtung 713. Mithin sind die beiden Endteile der metallenen Verdrahtungen 704A und 704B mit den Elektroden der Halbleitervorrichtung 713 so verbunden, dass die Klemmen der Halbleitervorrichtung 33, die metallenen Verdrahtungen 704A und die metallenen Verdrahtungen 704B elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
  • Mithin ist die Halbleitervorrichtung 713 in engem Kontakt mit der Oberfläche des Substrats 702 angeordnet. Wenn in der Halbleitervorrichtung 713 Wärme entsteht, geht diese entstandene Wärme demgemäß auf das Substrat 702 über, und das Substrat 702 spielt die Rolle eines Kühlblechs (Kühlkörpers). Selbst wenn die Verlustwärme der Halbleitervorrichtung 713 zunimmt, strahlt folglich das Substrat 702 die in der Halbleitervorrichtung 713 entstandene Wärme wirksam ab, so dass ein stabiler Betrieb der Halbleitervorrichtung 713 möglich ist.
  • Ferner wird die Halbleitervorrichtung 713 durch das Substrat 702 gehalten und sind die in der Halbleitervorrichtung 713 angebrachten Elektroden mit den fest auf der Oberfläche des Substrats 702 gebildeten metallenen Verdrahtungen 704A und 704B verbunden. Mithin ist es, selbst wenn eine äußere Kraft auf die Halbleitervorrichtungen 713 einwirkt, möglich, Verbindungsfehler gegenüber dem ein Bandträgergehäuse verwendenden Verfahren nach Stand der Technik zu beschränken.
  • Weil die Halbleitervorrichtung 713 innerhalb des Substrats 702 angebracht wird, wird es außerdem überflüssig, die Halbleitervorrichtung 713 vor oder hinter dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand 700, das heißt, auf dem Verbindungsstück 706 oder auf einem äußeren Substrat wie einem flexiblen Substrat 720 oder dergleichen, welches mit den Klemmenelektroden 712 verbunden ist, zu befestigen. Folglich kann die Montagefläche verringert werden, so dass die Vorrichtung selbst miniaturisiert werden kann.
  • Außerdem kann, weil die Halbleitervorrichtung 713 so angeordnet wird, dass die kurzen Seiten der Halbleitervorrichtung 713 im wesentlichen parallel zur Klemmenausrichtungsrichtung des Verbindungsstücks 706 liegen, die Breite des Verbinders mit geringem Kontaktabstand verringert werden. Übrigens kann die Halbleitervorrichtung 713 so angeordnet werden, dass die langen Seiten der Halbleitervorrichtung 713 im wesentlichen parallel zur Klemmenausrichtungsrichtung des Verbindungsstücks 706 liegen. In diesem Fall werden die Längen der jeweiligen Verdrahtungen zur Halbleitervorrichtung 713 gleich, so dass der Widerstand des Verdrahtungsmusters gleich gemacht werden kann.
  • Außerdem kann die Anzahl der Verbindungsstücke 706, welche aus einem Halbleiter-Wafer hergestellt werden können, erhöht werden, so dass die Produktivität gesteigert werden kann und die Herstellungskosten gesenkt werden können.
  • Übrigens ist im Verbindungsstück 706, wo zum Beispiel die Klemmenelektroden 708 gebildet sind, ein piezoelektrisches Element auf einem Siliziumsubstrat, welches aus dem gleichen Material wie das Substrat 702 besteht, angebracht. Mithin ist das Verbindungsstück 706 als ein Druckkopf (im folgenden als "Druckwerk-Teil" bezeichnet) zum Ausstoßen von Tinte durch Vibration des piezoelektrischen Elements vorgesehen. Durch Anlegen einer Spannung an die Klemmenelektroden 708 kann das auf dem Verbindungsstück 706 angebrachte piezoelektrische Element betrieben (in Vibration versetzt) werden).
  • Im Fall übrigens, in welchem ein elektrisch leitende Elemente, das heißt, elektrisch leitende Partikel, enthaltendes anisotropisches, leitfähiges Haftmittel oder ein anisotropischer, leitfähiger Film, bei welchem das anisotropische, leitfähige Haftmittel als ein dünner Film gebildet ist, zwischen Klemmenelektroden der Mikropumpe und Klemmenelektroden des Verbinders mit geringem Kontaktabstand gelegt wird, wenn die beiden Klemmenelektroden miteinander kontaktiert werden, werden diese miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden durch das anisotropische, leitfähige Haftmittel oder den anisotropischen, leitfähigen Film in engen Kontakt gebracht. Im gegenteiligen Fall, in welchem kein solches anisotropisches, leitfähiges Haftmittel und kein solcher anisotropischer, leitfähiger Film dazwischengelegt wird, werden die miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden mittels Schweißen oder Kontaktieren metallisch verbunden.
  • Ausführungsform 3
  • 8 betrifft eine Mikropumpe als Beispiel einer Mikromaschine gemäß dieser Ausführungsform. 8(a) ist eine Draufsicht und 8(b) ist eine Schnittansicht der Mikropumpe.
  • Die Mikropumpe hat einen Aufbau, in welchem ein mittels eines Mikrobearbeitungsverfahrens bearbeitetes Siliziumsubstrat 101 so zwischen zwei Glasplatten 102 und 103 gelegt ist, dass Flüssigkeit aus einem saugseitigen Rohr 104 angesaugt und in ein druckseitiges Rohr 105 ausgestoßen wird.
  • Das Funktionsprinzip der Mikropumpe ist das folgende. Eine Spannung wird an ein auf eine im zentralen Teil des Siliziumsubstrats 101 gebildete Membran 106 geklebtes piezoelektrisches Element 107 angelegt, so dass das piezoelektrische Element 107 sich krümmt. Folglich ändert sich der Druck in einer Druckkammer 108, so dass eine saugseitige Ventilmembran 109 und eine druckseitige Ventilmembran 111, welche die Druckkammer 108 räumlich fortsetzen, verschoben werden. Folglich werden ein Einlassventil 112 und ein Auslassventil 113 geöffnet und geschlossen. Mithin wird die Flüssigkeit komprimiert und aus dem saugseitigen Rohr 104 in das druckseitige Rohr 105 befördert. Übrigens setzt in 8(b) die Druckkammer 108 einen Raum über der saugseitigen Ventilmembran 109 und einen Raum unter der druckseitigen Ventilmembran 111 fort.
  • Auch in diesem Beispiel wird durch einen Verbinder mit geringem Kontaktabstand ähnlich dem in 1 bis 3 gezeigten, welcher mit einer Halbleitervorrichtung zum Ansteuern der Mikropumpe versehen ist, eine Verdrahtung nach außen ausgeführt, während die Temperatur zum Zeitpunkt des Andrückens und Erwärmens so gesteuert wird, dass eine relative Lageabweichung der Klemmen voneinander verhindert wird, wenn die Klemmen miteinander kontaktiert werden. Mithin kann durch separates Bereitstellen des Verbinders mit geringem Kontaktabstand die Mikropumpe selbst in einer kleinen Größe hergestellt werden.
  • Außerdem steht die auf dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand angebrachte Halbleitervorrichtung zum Ansteuern der Mikropumpe durch eine Isolierschicht in engem Kontakt mit der Oberfläche des Substrats. Selbst wenn in der Halbleitervorrichtung Wärme entsteht, geht die in der Halbleitervorrichtung entstandene Wärme demgemäß auf das Substrat über und wird dann von diesem abgestrahlt. Mithin dient nicht nur die Oberfläche der Halbleitervorrichtung, sondern auch die Oberfläche des Substrats zur Wärmeabstrahlung. Demgemäß ist selbst bei großer Verlustwärme der Halbleitervorrichtung eine zufriedenstellende Wärmeabstrahlung möglich.
  • Im Fall übrigens, in welchem ein elektrisch leitende Elemente, das heißt, elektrisch leitende Partikel, enthaltendes anisotropisches, leitfähiges Haftmittel oder ein anisotropischer, leitfähiger Film, bei welchem das anisotropische, leitfähige Haftmittel als ein dünner Film gebildet ist, zwischen Klemmenelektroden der Mikropumpe und Klemmenelektroden des Verbinders mit geringem Kontaktabstand gelegt wird, wenn die beiden Klemmenelektroden miteinander kontaktiert werden, werden diese miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden durch das anisotropische, leitfähige Haftmittel oder den anisotropischen, leitfähigen Film in engen Kontakt gebracht. Im gegenteiligen Fall, in welchem kein solches anisotropisches, leitfähiges Haftmittel und kein solcher anisotropischer, leitfähiger Film dazwischengelegt wird, werden die miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden mittels Schweißen oder Kontaktieren metallisch verbunden.
  • Ausführungsform 4
  • 9 ist eine auseinandergezogene perspektivische Hauptteilansicht, welche einen Lichtmodulator als ein anderes Beispiel gemäß dieser Ausführungsform zeigt.
  • Dieser Lichtmodulator besteht grob aus einem Siliziumsubstrat 200, einem Glassubstrat 220 und einem Abdeckungssubstrat 250.
  • Das Siliziumsubstrat 200 weist eine in Form einer Matrix angeordnete Vielzahl von Mikrospiegeln 202 auf. Von diesen Mikrospiegeln 102 sind in einer Richtung, zum Beispiel in 9 in einer Richtung X, angeordnete Mikrospiegel 202 durch Torsionsfedern 204 miteinander verbunden. Ferner ist ein rahmenartiger Teil 206 vorgesehen, der den Bereich, in welchem die Vielzahl von Mikrospiegeln 202 angeordnet ist, umschließt. Entgegengesetzte Enden der Vielzahl von Torsionsfedern 204 sind mit diesem rahmenartigen Teil 206 verbunden. Außerdem sind in den Umfängen der Mikrospiegel 202, wo die Mikrospiegel 202 mit den Torsionsfedern 204 verbunden sind, Schlitze gebildet. Durch Bilden dieser Schlitze lassen sich die Torsionsfedern 204 einfach ansteuern, um sie um ihre Achsen zu neigen. Ferner ist auf der Oberfläche jedes Mikrospiegels 202 eine Reflexionsschicht 202a gebildet. Dann ändert sich, wenn jeder Mikrospiegel 202, um ihn zu neigen, angesteuert wird, die Reflexionsrichtung von auf diesen Mikrospiegel 202 einfallendem Licht. Durch Steuern der Zeit zum Reflektieren des Lichts in einer vorbestimmten Reflexionsrichtung lässt sich Lichtmodulation erreichen. Eine Schaltung zum Ansteuern der Mikrospiegel 202, um diese zu neigen, ist auf dem Glassubstrat 220 gebildet.
  • Das Glaselektrodensubstrat 220 hat einen vertieften Teil 222 in seinem zentralen Bereich und hat einen erhöhten Teil 224 um den vertieften Teil 222 herum. Eine Seite des erhöhten Teils 224 ist so ausgeschnitten, dass sie einen Elektrodenauslassanschluss 226 bildet. Ein den vertieften Teil 222 fortsetzender Elektrodenauslassplatten-Teil 228 ist außerhalb des Elektrodenauslassanschlusses 226 gebildet. Außerdem ist im vertieften Teil 222 des Glassubstrats 220 eine große Anzahl von Tragsäulen-Teilen 230 gebildet, welche aus dem vertieften Teil 222 vorstehen und die gleiche Höhe wie diejenige bis zur Oberseite des erhöhten Teils 224 haben und welche sich jeweils an einer Stelle gegenüber der Torsionsfeder 204 zwischen jeweils zweien der in der Richtung X nebeneinanderliegenden Mikrospiegel 202 befinden. Ferner sind auf dem vertieften Teil 222 und dem Elektrodenauslassplatten-Teil 228 des Glassubstrats 220 Verdrahtungsmuster-Teile 232 gebildet. Jeder dieser Verdrahtungsmuster-Teile 232 hat erste und zweite Adressierungselektroden 234 und 236 auf Positionen, welche den Rückseiten der Mikrospiegel 202 auf den entgegengesetzten Seiten der Torsionsfeder 204 gegenüberliegen. Dann werden die in einer Richtung Y angeordneten ersten Adressierungselektroden 234 gemeinsam mit einer ersten gemeinsamen Verdrahtung 238 verbunden. Entsprechend werden die in der Richtung Y angeordneten zweiten Adressierungselektroden 236 gemeinsam mit einer zweiten gemeinsamen Verdrahtung 240 verbunden.
  • Das Siliziumsubstrat 200 wird anodisch auf das Glassubstrat 220 mit der obenerwähnten Struktur "gebondet". Zu diesem Zeitpunkt werden die entgegengesetzten Endteile der Torsionsfedern 204 und der rahmenartige Teil 206 des Siliziumsubstrats 200 mit dem erhöhten Teil 224 des Glassubstrats 220 "gebondet". Ferner werden die Zwischenteile der Torsionsfedern 204 des Siliziumsub strats 200 jeweils mit den Tragsäulen-Teilen 230 des Glassubstrats 220 anodisch "gebondet". Dann wird das Abdeckungssubstrat 250 auf den rahmenartigen Teil 206 des Siliziumsubstrats 200 "gebondet". Die entgegengesetzten Endteile jeder mit dem rahmenartigen Teil 206 verbundenen Torsionsfeder 104 werden an Stellen, wo sie vom rahmenartigen Teil 206 abgeschnitten werden sollten, zerschnitten. Ferner wird ein im erhöhten Teil 224 des Glassubstrats 220 durch Ausschneiden gebildeter, den Elektrodenauslassanschluss 226 enthaltender Umfangsrand-Teil abgedichtet oder mit einer Dichtmasse verschlossen. So wird ein Lichtmodulator fertiggestellt. Dann wird ein dem in 1 bis 3 gezeigten ähnlicher Verbinder mit geringem Kontaktabstand, welcher mit einer Halbleitervorrichtung zum Ansteuern der Mikrospiegel, um diese zu neigen, versehen ist, mit der ersten gemeinsamen Verdrahtung 238 und der zweiten gemeinsamen Verdrahtung 240 des fertiggestellten Lichtmodulators verbunden. Somit ist der Lichtmodulator durch den Verbinder mit geringem Kontaktabstand mit einem flexiblen Substrat wie einer flexiblen Leiterplatte oder dergleichen verbunden, so dass Signale zum Lichtmodulator geleitet werden.
  • Auch in diesem Beispiel werden die gemeinsamen Verdrahtungen 238 und 240 mit dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand verbunden, während die Temperatur so gesteuert wird, dass eine relative Lageabweichung der Klemmen voneinander verhindert wird, wenn die Klemmen miteinander kontaktiert werden. Mithin kann durch separates Bereitstellen des Verbinders mit geringem Kontaktabstand die durch die Verdrahtungsklemmen des Glassubstrats 220 eingenommene Fläche so minimiert werden, dass der Lichtmodulator selbst in einer kleinen Größe hergestellt werden kann.
  • Außerdem steht die auf dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand befestigte Halbleitervorrichtung zum Ansteuern der Mikrospiegel, um diese zu neigen, durch eine Isolierschicht in engem Kontakt mit der Oberfläche des Substrats. Selbst wenn in der Halbleitervorrichtung Wärme entsteht, geht die in der Halbleitervorrichtung entstandene Wärme demgemäß auf das Substrat über und wird dann von diesem abgestrahlt. Mithin dient nicht nur die Oberfläche der Halbleitervorrichtung, sondern auch die Oberfläche des Substrats zur Wärmeabstrahlung. Demgemäß ist selbst bei großer Verlustwärme der Halbleitervorrichtung eine zufriedenstellende Wärmeabstrahlung möglich.
  • Im Fall übrigens, in welchem ein elektrisch leitende Elemente, das heißt, elektrisch leitende Partikel, enthaltendes anisotropisches, leitfähiges Haftmittel oder ein anisotropischer, leitfähiger Film, bei welchem das anisotropische, leitfähige Haftmittel als ein dünner Film gebildet ist, zwischen die gemeinsamen Verdrahtungen 238 und 240 als Klemmenelektroden des Lichtmodulators und die Klemmenelektroden des Verbinders mit geringem Kontaktabstand gelegt wird, wenn die beiden Klemmenelektroden miteinander kontaktiert werden, werden diese miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden durch das anisotropische, leitfähige Haftmittel oder den anisotropischen, leitfähigen Film in engen Kontakt gebracht. Im gegenteiligen Fall, in welchem kein solches anisotropisches, leitfähiges Haftmittel und kein solcher anisotropischer, leitfähiger Film dazwischengelegt wird, werden die miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden mittels Schweißen oder Kontaktieren metallisch miteinander verbunden.
  • Ausführungsform 5
  • 10 ist eine erläuternde Ansicht, welche einen piezoelektrischen Betätiger gemäß dieser Ausführungsform zeigt.
  • Der piezoelektrische Betätiger verfügt über einen piezoelektrischen Vibrator 302, in welchem äußere Elektroden 302e und 302f (durch die dicken Linien gekennzeichnete Teile in 10) auf entgegengesetzten Seiten gebildet sind, und ein Halteelement 310 zum Halten dieses piezoelektrischen Vibrators 302. Im Halteelement 310 ist ein vorstehender Teil 311 gebildet. Der piezoelektrische Vibrator 302 ist in einem Kontaktierungsbereich A des vorstehenden Teils 311 mit dem Halteelement 310 kontaktiert. Die äußeren Elektroden 302e und 302f des piezoelektrischen Vibrators 302 erstrecken sich jeweils von entgegengesetzten Seitenoberflächen des piezoelektrischen Vibrators 302 zur Mitte einer ersten Oberfläche 302b. Außerdem erstrecken sich im Halteelement 310 gebildete und durch die dicken Linien gekennzeichnete Elektroden 310a und 310b auch von entgegengesetzten Außenrändern zur Mitte des vorstehenden Teils 311. Während der piezoelektrische Vibrator 302 und das Halteelement 310 in dem im vorstehenden Teil 311 angeordneten Kontaktierungsbereich A fest miteinander kontaktiert werden, werden die äußeren Elektroden 302e und 302f des piezoelektrischen Vibrators so mit den Elektroden 310a und 310b des Halteelements verbunden, dass diese Elektroden elektrisch leitend miteinander verbunden werden. Ferner ist ein Verbinder mit geringem Kontaktabstand 320 ähnlich dem in 1 bis 3 gezeigten, welcher mit einer Halbleitervorrichtung zum Ansteuern des piezoelektrischen Vibrators versehen ist, mit den Elektroden 310a und 310b des Halteelements 310 verbunden. Mithin sind die Elektroden 310a und 310b des Halteelements 310 durch den Verbinder mit geringem Kontaktabstand 320 mit einem flexiblen Substrat wie einer flexiblen Leiterplatte oder dergleichen verbunden, so dass Signale von außen zum piezoelektrischen Betätiger geleitet werden.
  • Auch in diesem Beispiel werden die Elektroden 310a und 310b des Halteelements 310 mit dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand 320 verbunden, während die Temperatur so gesteuert wird, dass eine relative Lageabweichung der Klemmenelektroden voneinander verhindert wird, wenn die Klemmen miteinander kontaktiert werden. Mithin kann durch separates Bereitstellen des Verbinders mit geringem Kontaktabstand die durch die Verdrahtungsklemmen des piezoelektrischen Betätigers eingenommene Fläche minimiert werden, so dass der piezoelektrische Betätiger selbst in einer kleinen Größe hergestellt werden kann. Gleichzeitig kann aus einer Waferplatte eine große Anzahl von piezoelektrischen Betätigern hergestellt werden, so dass die Herstellungskosten gesenkt werden können.
  • Außerdem steht die auf dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand angebrachte Halbleitervorrichtung zum Ansteuern des piezoelektrischen Vibrators durch eine Isolierschicht in engem Kontakt mit der Oberfläche des Substrats. Selbst wenn in der Halbleitervorrichtung Wärme entsteht, geht die in der Halbleitervorrichtung entstandene Wärme demgemäß auf das Substrat über und wird dann von diesem abgestrahlt. Mithin dient nicht nur die Oberfläche der Halbleitervorrichtung, sondern auch die Oberfläche des Substrats zur Wärmeabstrahlung. Demgemäß ist selbst bei großer Verlustwärme der Halbleitervorrichtung eine zufriedenstellende Wärmeabstrahlung möglich.
  • Im Fall übrigens, in welchem ein elektrisch leitende Elemente, das heißt, elektrisch leitende Partikel, enthaltendes anisotropisches, leitfähiges Haftmittel oder ein anisotropischer, leitfähiger Film, bei welchem das anisotropische, leitfähige Haftmittel als ein dünner Film gebildet ist, zwischen die Klemmenelektroden 310a und 310b des piezoelektrischen Betätigers und die Klemmenelektroden des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 320 gelegt wird, wenn die beiden Klemmenelektroden miteinander kontaktiert werden, werden diese miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden durch das anisotropische, leitfähige Haftmittel oder den anisotropischen, leitfähigen Film in engen Kontakt gebracht. Im gegenteiligen Fall, in welchem kein solches anisotropisches, leitfähiges Haftmittel und kein solcher anisotropischer, leitfähiger Film dazwischengelegt wird, werden die miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden mittels Schweißen oder Kontaktieren metallisch miteinander verbunden.
  • Ausführungsform 6
  • 11 eine konzeptionelle Ansicht, welche einen Tintenkopf gemäß dieser Ausführungsform zeigt, der mit dem obenerwähnten piezoelektrischen Betätiger in 10 versehen ist. Gleiche Teile wie in 10 haben auch gleiche Bezugszeichen.
  • In diesem Tintenkopf 400 ist eine mit einer Düse 406 versehene Düsenplatte 408 mit einem vorderen Ende eines durch ein Kanalbildungselement 401 gebildeten Tintenkanals 404 und einer Membran 402 "gebondet". Ein Tintenzufuhrkanal 410 ist am der Düsenplatte 408 entgegengesetzten Ende angeordnet. Der piezoelektrische Betätiger ist so angebracht, dass eine mechanische Einwirkungsoberfläche 412 gegen die Membran 402 stößt, und der piezoelektrische Betätiger ist so angeordnet, dass er dem Tintenkanal 410 gegenüberliegt. Dann werden die äußeren Elektroden 302e und 302f auf den entgegengesetzten Seiten des piezoelektrischen Vibrators 302 mit den Elektroden 310a und 310b des Halteelements 310 verbunden. Mithin sind die Elektroden 310a und 310b des Halteelements 310 durch einen Verbinder mit geringem Kontaktabstand 320 (siehe 10) ähnlich dem in 1 bis 3 gezeigten, welcher mit einer Halbleitervorrichtung zum Ansteuern des piezoelektrischen Vibrators versehen ist, mit einem flexiblen Substrat wie einer flexiblen Leiterplatte oder dergleichen verbunden, so dass Signale von außen zum piezoelektrischen Betätiger geleitet werden.
  • Wenn in dieser Konfiguration Tinte (bis zum vorderen Ende der Düse 406) in den Tintenkanal 410 geladen wird und der obenerwähnte piezoelektrische Betätiger angesteuert wird, erzeugt die mechanische Einwirkungsoberfläche 412 gleichzeitig eine starke wirksame Dehnungsverformung und Krümmungsverformung, um eine sehr große wirksame Verschiebung in Aufwärts /Abwärtsrichtung in 11 zu erzielen. Aufgrund dieser Verformung wird die Membran 402 entsprechend der mechanischen Einwirkungsoberfläche 412 verformt wie durch die gestrichelte Linie in 11 gezeigt, um im Tintenkanal 410 eine große Druckänderung (Volumenänderung) zu erzeugen. Aufgrund dieser Druckänderung wird in 11 in Pfeilrichtung ein Tintentröpfchen aus der Düse 406 ausgestoßen. Die Tinte wird wegen der hohen wirksamen Druckänderung sehr wirksam ausgestoßen.
  • Mithin kann durch separates Bereitstellen des Verbinders mit geringem Kontaktabstand die durch die Verdrahtungsklemmen des piezoelektrischen Betätigers eingenommene Fläche minimiert werden, so dass der Tintenkopf selbst in einer kleinen Größe hergestellt werden kann.
  • Außerdem steht die auf dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand angebrachte Halbleitervorrichtung zum Ansteuern des piezoelektrischen Vibrators durch eine Isolierschicht in engem Kontakt mit der Oberfläche des Substrats. Selbst wenn in der Halbleitervorrichtung Wärme entsteht, geht die in der Halbleitervorrichtung entstandene Wärme demgemäß auf das Substrat über und wird dann von diesem abgestrahlt. Mithin dient nicht nur die Oberfläche der Halbleitervorrichtung, sondern auch die Oberfläche des Substrats zur Wärmeabstrahlung. Demgemäß ist selbst bei großer Verlustwärme der Halbleitervorrichtung eine zufriedenstellende Wärmeabstrahlung möglich.
  • Übrigens werden wie oben beschrieben im Fall, in welchem ein elektrisch leitende Elemente, das heißt, elektrisch leitende Partikel, enthaltendes anisotropisches, leitfähiges Haftmittel oder ein anisotropischer, leitfähiger Film, bei welchem das anisotropische, leitfähige Haftmittel als ein dünner Film gebildet ist, zwischen die Klemmenelektroden 310a und 310b des piezoelektrischen Betätigers und die Klemmenelektroden des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 320 gelegt wird, wenn die beiden Klemmenelektroden miteinander kontaktiert werden, diese miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden durch das anisotropische, leitfähige Haftmittel oder den anisotropischen, leitfähigen Film in engen Kontakt gebracht. Im gegenteiligen Fall, in welchem kein solches anisotropisches, leitfähiges Haftmittel und kein solcher anisotropischer, leitfähiger Film dazwischengelegt wird, werden die miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden mittels Schweißen oder Kontaktieren metallisch verbunden.
  • Ausführungsform 7
  • 12(a) und (b) sind erläuternde Ansichten, welche den Aufbau eines mittels einer Mikrobearbeitungstechnologie hergestellten elektrostatischen Betätigers zeigen.
  • Ein elektrostatischer Betätiger 56 ist ein Mikrostruktur-Betätiger, welcher in einem Tintenkopf in einem Tintenstrahldrucker verwendet wird und welcher mittels eines auf Mikrobearbeitungstechnologie beruhenden Feinbearbeitungsverfahrens gebildet ist.
  • Ein solcher Mikrostruktur-Betätiger nutzt elektrostatische Kraft als Antriebsquelle. In einem Tintenkopf 60 zum Ausstoßen von Tintentröpfchen 58 mittels einer solchen elektrostatischen Kraft sind die Unterseiten von mit Düsen 62 kommunizierenden Tintenkanälen 64 als Membranen 66 gebildet, welche jeweils elastisch verformbare Vibratoren darstellen. Ein Substrat 68 ist in einem festen Abstand (siehe ein Maß g in 12(a)) gegenüber den Membranen 66 angeordnet. Einander gegenüberliegende Elektroden 90 sind jeweils auf den Membranen 66 und der Oberfläche des Substrats 68 angeordnet.
  • Wenn eine Spannung zwischen den einander gegenüberliegenden Elektroden angelegt wird, werden die Membranen 66 aufgrund der zwischen den einander gegenüberliegenden Elektroden erzeugten elektrostatischen Kraft zum Substrat 68 hin elektrostatisch angezogen. Folglich vibrieren die Membranen 66. Wegen dieser Vibration der Membranen 66 werden die Tintentröpfchen 58 durch die in den Tintenkanälen 64 erzeugte interne Druckänderung aus den Düsen 62 ausgestoßen.
  • Übrigens hat der Tintenkopf 60 einen dreischichtigen Aufbau, in welchem ein Siliziumsubstrat 70, eine aus Silizium bestehende Düsenplatte 72 und ein aus Borsilikatglas bestehendes Glassubstrat 74 so geschichtet sind, dass das Siliziumsubstrat 70 zwischen der Düsenplatte 72 auf der Oberseite und dem Glassubstrat 74 auf der Unterseite gehalten wird.
  • Hier, im in der Mitte angeordneten Siliziumsubstrat 70, sind Nuten, welche als fünf unabhängige Tintenkammern 76 dienen, eine gemeinsame Tintenkammer 78, welche diese fünf Tintenkammern 76 miteinander verbindet, und Tintenzufuhrkanäle 80, durch welche diese gemeinsame Tintenkammer 78 mit den jeweiligen Tintenkammern 76 kommuniziert, durch Ätzen des Siliziumsubstrats 70 von seiner Oberfläche gebildet.
  • Diese Nuten sind durch die Düsenplatte 72 verschlossen, so dass die Teile definiert sind. Außerdem sind, durch Ätzen des Siliziumsubstrats 70 von der Rückseite, fünf unabhängige Vibrationskammern 71 gebildet.
  • In der Düsenplatte 72 sind die Düsen 62 an Vorderende-Teilen der jeweiligen Tintenkammern 76 entsprechenden Stellen so gebildet, das sie mit den jeweiligen Tintenkammern 76 kommunizieren.
  • Ferner wird Tinte aus einem nicht gezeigten Tintenbehälter durch einen Tintenzufuhranschluss 82 in die gemeinsame Tintenkammer 78 gefördert.
  • Übrigens dichtet ein Abdichtungsteil 84 feine Fugen ab, welche durch die einander gegenüberliegenden Elektroden 90 und das Siliziumsubstrat 70 gebildet sind.
  • Außerdem sind die jeweiligen einander gegenüberliegenden Elektroden 90 des Glassubstrats 74 zur Endteil-Seite auf der linken Seite der Zeichnungen hin herausgeführt, um Klemmenelektroden mit geringem Abstand 86 zu bilden, welche jeweils mittels eines zweiten Substrats als Grundmate rial gemäß dieser Ausführungsform, welches mit einer Halbleitervorrichtung zum Ansteuern der Membranen versehen ist, mit einem Verbinder mit geringem Kontaktabstand 88 verbunden werden. Übrigens wird diese Verbindung ausgeführt, während die Temperatur so gesteuert wird, dass eine relative Lageabweichung der Klemmen voneinander verhindert wird, wenn die Klemmen miteinander kontaktiert werden.
  • Gemäß der obigen Beschreibung können die Klemmenelektroden mit einem geringen Abstand verbunden werden. Mithin lässt sich eine Verbindung erzielen, selbst wenn die volle Breite der Tintenkammer klein gebildet ist.
  • Außerdem steht die auf dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand 88 befestigte Halbleitervorrichtung zum Ansteuern der Membranen durch eine Isolierschicht in engem Kontakt mit der Oberfläche des Substrats. Selbst wenn in der Halbleitervorrichtung Wärme entsteht, geht die in der Halbleitervorrichtung entstandene Wärme demgemäß auf das Substrat über und wird dann von diesem abgestrahlt. Mithin dient nicht nur die Oberfläche der Halbleitervorrichtung, sondern auch die Oberfläche des Substrats zur Wärmeabstrahlung. Demgemäß ist selbst bei großer Verlustwärme der Halbleitervorrichtung eine zufriedenstellende Wärmeabstrahlung möglich.
  • Im Fall übrigens, in welchem ein elektrisch leitende Elemente, das heißt, elektrisch leitende Partikel, enthaltendes anisotropisches, leitfähiges Haftmittel oder ein anisotropischer, leitfähiger Film, bei welchem das anisotropische, leitfähige Haftmittel als ein dünner Film gebildet ist, zwischen die Klemmenelektroden 86 des Glassubstrats 74 und die Klemmenelektroden des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 88 gelegt wird, wenn die beiden Klemmenelektroden miteinander kontaktiert werden, werden diese miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden durch das anisotropische, leitfähige Haftmittel oder den anisotropischen, leitfähigen Film in engen Kontakt gebracht. Im gegenteiligen Fall, in welchem kein solches anisotropisches, leitfähiges Haftmittel und kein solcher anisotropischer, leitfähiger Film dazwischengelegt wird, werden die miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden mittels Schweißen oder Kontaktieren metallisch verbunden.
  • Ausführungsform 8
  • Übrigens ist der obenerwähnte Tintenkopf 400 (siehe 11) mit einem piezoelektrischen Betätiger gemäß Ausführungsform 6 oder der obenerwähnte Tintenkopf 60 (siehe 12) mit einem elektrostatischen Betätiger gemäß Ausführungsform 7 an einem Wagen 501 befestigt wie in 13 im Einsatz gezeigt. Übrigens ist hier ein Beispiel einer Anwendung des Tintenkopfs 400 mit einem piezoelektrischen Betätiger gezeigt. Der Wagen 501 ist beweglich an einer Führungsschiene 502 befestigt, und die Position des Wagens 501 wird in der Richtung der Breite eines Papiers 504, welches durch eine Walze 503 vorgeschoben wird, gesteuert. Der Mechanismus in 13 ist in einem in 14 gezeigten Tintenstrahldrucker 510 montiert. Übrigens kann der obenerwähnte Tintenkopf 400 als ein Zeilenkopf eines Zeilendruckers montiert werden. In diesem Fall ist kein Wagen erforderlich. Obwohl hier der Tintenkopf 400, welcher von einem Typ mit einem piezoelektrischen Betätiger zum Ausstoßen eines Tintentröpfchens in Randrichtung war, und der Tintenstrahldrucker 510 mit dem Tintenkopf 400 als Beispiele beschrieben wurden, wird eine ähnliche Konfiguration auch in dem Fall hergestellt, in welchem der obenerwähnte Tintenkopf 60 verwendet wird, welcher von einem Typ mit einem elektrostatischen Betätiger gemäß Ausführungsform 7 zum Ausstoßen eines Tintentröpfchens von der Vorderseite ist.
  • Ausführungsform 9
  • 15 ist eine erläuternde Ansicht, welche eine Flüssigkristallvorrichtung gemäß dieser Ausführungsform zeigt, welche den Zustand nach Fertigstellung eines Array-Prozesses und eines Zellenprozesses, aber vor der Stufe eines Modulprozesses aufweist, das heißt, bevor elektronische Schaltungen wie ein Treibersystem oder dergleichen angebracht werden, um eine Flüssigkristallzelle elektrisch steuern zu können.
  • Eine Flüssigkristallvorrichtung 600 hat eine Flüssigkristallzelle 602 als ein erstes Substrat; einen Verbinder mit geringem Kontaktabstand 604 als ein zweites Substrat, welches mit zwei Halbleitervorrichtungen 606a und 606b so versehen ist, dass die Halbleitervorrichtungen 606a und 606b mit ihren kurzen Seiten an den oberen Enden angeordnet sind, das heißt, die kurzen Seiten der Halbleitervorrichtungen 606a und 606b sind so angeordnet, dass sie im wesentlichen parallel zur Klemmenausrichtungsrichtung der Flüssigkristallzelle 602, welche ein Verbindungsstück ist, liegen; und ein flexibles Substrat 608. Die jeweiligen Halbleitervorrichtungen 606a und 606b sind durch eine Isolierschicht in engem Kontakt mit dem Substrat des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 604 befestigt. Die Flüssigkristallzelle 602 wird durch Einspritzen und Einschließen eines Flüssigkristall-Materials zwischen einem ersten Substrat 602a und einem zweiten Substrat 602b gebildet. Bildelement-Elektroden, mit den Bildelement-Elektroden verbundene Dünnfilmtransistoren, mit den Sources und Gates der Dünnfilmtransistoren elektrisch verbundene Source-Leitungen und Datenleitungen und so weiter sind auf einem der Substrate, das heißt, dem ersten Substrat 602a (dem in 15 auf der Oberseite befindlichen Substrat) gebildet. Andererseits sind zum Beispiel entgegengesetzte Elektroden, Farbfilter und so weiter auf dem anderen Substrat, das heißt, dem zweiten Substrat 602b (dem in 15 auf der Unterseite befindlichen Substrat) angeordnet. Im Modulprozess werden auf der Flüssigkristallzelle 602 gebildete Klemmenelektroden 610 (deren Abstand maximal 60 μm beträgt) und durch die Isolierschicht auf der Oberfläche des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 604 als ein drittes Substrat gebildete Klemmenelektroden mit geringem Abstand 612 (deren Abstand maximal 60 μm beträgt) übereinandergelegt, oder werden diese Klemmenelektroden 610 und 612 durch elektrisch leitende Elemente übereinandergelegt. Dann werden die Klemmenelektroden 610 und 612 durch Andrücken und Erwärmen miteinander verbunden. Außerdem werden Klemmenelektroden 614 (deren Abstand minimal 80 μm beträgt) am Ende eines Verdrahtungsmusters, welches auf der Oberfläche des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 604 durch die Isolierschicht so gebildet ist, dass es sich zum den Klemmenelektroden mit geringem Abstand 612 entgegengesetzten anderen Ende des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 604 hin erstreckt, jeweils mit Klemmenelektroden 616 des flexiblen Substrats 608 verbunden. Mithin sind die Klemmenelektroden 610 mit den jeweiligen Halbleitervorrichtungen 606a und 606b zum Ansteuern des Flüssigkristalls elektrisch leitend verbunden, wohingegen die jeweiligen Halbleitervorrichtungen 606a und 606b mit dem flexiblen Substrat 608 elektrisch leitend verbunden sind. Das heißt, die anderen Endteile 612a der Klemmenelektroden 612 und die anderen Endteile 614a der Klemmenelektroden 614 befinden sich auf den Elektrodenpositionen der jeweiligen Halbleitervorrichtungen 606a und 606b. Mithin sind die beiden Endteile 612a und 614a mit den Elektroden der Halbleitervorrichtungen 606a beziehungsweise 606b so verbunden, dass die Klemmen der jeweiligen Halbleitervorrichtungen 606a und 606b, die Klemmenelektroden 612 und die Klemmenelektroden 614 elektrisch leitend miteinander verbunden sind.
  • Mithin sind die Halbleitervorrichtungen 606a und 606b in engem Kontakt mit der Oberfläche des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 604 angeordnet. Wenn in den Halbleitervorrichtungen 606a und 606b Wärme entsteht, geht diese entstandene Wärme demgemäß auf das Substrat über, und das Substrat spielt die Rolle eines Kühlblechs (Kühlkörpers). Folglich strahlt das Substrat selbst bei zunehmenden Verlustwärmewerten der jeweiligen Halbleitervorrichtungen 606a und 606b die in den Halbleitervorrichtungen 606a und 606b entstandene Wärme wirksam ab, so dass ein stabiler Betrieb der Halbleitervorrichtungen 606a und 606b möglich ist.
  • Ferner werden die Halbleitervorrichtungen 606a und 606b durch das Substrat gehalten und sind die in den jeweiligen Halbleitervorrichtungen 606a und 606b angebrachten Elektroden mit den fest auf der Oberfläche des Substrats gebildeten Klemmenelektroden 612a und 614a verbunden. Mithin ist es, selbst wenn eine äußere Kraft auf die Halbleitervorrichtungen 606a und 606b einwirkt, möglich, Verbindungsfehler gegenüber dem ein Bandträgergehäuse verwendenden Verfahren nach Stand der Technik zu beschränken.
  • Weil die Halbleitervorrichtungen 606a und 606b innerhalb des Substrats angebracht sind, wird außerdem das Befestigen der Halbleitervorrichtungen 606a und 606b vor oder hinter dem Verbinder mit geringem Kontaktabstand 604, das heißt, auf der Flüssigkristallzelle 602 oder dem flexiblen Substrat 608, überflüssig. Folglich ist es möglich, die Montagefläche zu verringern.
  • Außerdem können die Halbleitervorrichtungen 606a und 606b so angeordnet sein, dass die kurzen Seiten der Halbleitervorrichtungen 606a und 606b im wesentlichen parallel zur Klemmenausrichtungsrichtung der Flüssigkristallzelle 602 liegen. Im Gegenteil können die Halbleitervorrichtungen 606a und 606b so angeordnet sein, dass die langen Seiten der Halbleitervorrichtungen 606a und 606b im wesentlichen parallel zur Klemmenausrichtungsrichtung des Verbindungsstücks 706 liegen. Im ersteren Fall kann die Breite des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 604 gegenüber der Größe in Querrichtung der Flüssigkristallzelle 602 verringert werden, so dass die Montage einfach wird.
  • Mithin kann durch separates Bereitstellen des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 604 als drittes Substrat die durch die Klemmenelektroden 610 in der Flüssigkristallzelle 602 eingenommene Fläche minimiert werden. Folglich kann ein großer Anzeigeteil in der Flüssigkristallzelle geschaffen werden, selbst wenn die Flüssigkristallzelle die gleiche Fläche wie eine dem Stand der Technik entsprechende hat. Außerdem kann die Anzahl der Klemmen in einem Verbindungsteil erhöht werden, weil die Verbindung mit einem geringen Abstand erzielt werden kann. Entsprechend können der Verdrahtungsabstand und der Bildelementabstand verringert werden, so dass eine hohe Genauigkeit erzielt werden kann. Wenn der Verbinder mit geringem Kontaktabstand 604 aus einem Material gebildet ist, dessen Wärmeausdehnungskoeffizient im wesentlichen gleich demjenigen oder kleiner als derjenige des Materials der Flüssigkristallzelle 602 ist, wird ferner der Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 604 im wesentlichen gleich demjenigen oder kleiner als derjenige der Flüssigkristallzelle 602, wenn die Klemmenelektroden 610 mit den Klemmenelektroden 612 des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 604, welcher mit den Klemmenelektroden 610 zu kontaktieren ist, kontaktiert werden. Eine relative Lageabweichung der Klemmenelektroden 610 und 612 voneinander kann verhindert werden, wenn die beiden Klemmenelektroden miteinander kontaktiert werden.
  • Im Fall übrigens, in welchem ein elektrisch leitende Elemente, das heißt, elektrisch leitende Partikel, enthaltendes anisotropisches, leitfähiges Haftmittel oder ein anisotropischer, leitfähiger Film, bei welchem das anisotropische, leitfähige Haftmittel als ein dünner Film gebildet ist, zwischen die Klemmenelektroden 610 der Flüssigkristallzelle 602 und die Klemmenelektroden 612 des Verbinders mit geringem Kontaktabstand 604 gelegt wird, wenn die beiden Klemmenelektroden miteinander kontaktiert werden, werden diese miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden durch das anisotropische, leitfähige Haftmittel oder den anisotropischen, leitfähigen Film in engen Kontakt gebracht. Im gegenteiligen Fall, in welchem kein solches anisotropisches, leitfähiges Haftmittel und kein solcher anisotropischer, leitfähiger Film dazwischengelegt wird, werden die miteinander zu verbindenden Klemmenelektroden mittels Schweißen oder Kontaktieren metallisch verbunden.
  • Ausführungsform 10
  • 16 zeigt ein Mobiltelefon, welches ein Beispiel eines die in Ausführungsform 9 gezeigte Flüssigkristallvorrichtung verwendenden elektronischen Geräts ist.
  • Die Flüssigkristallvorrichtung wird in einem in 16 gezeigten Anzeigeteil 802 eines Mobiltelefons 800 verwendet. Entsprechend kann der Bildelementabstand der Flüssigkristallvorrichtung durch Verwendung des mit den Halbleitervorrichtungen zum Ansteuern des Flüssigkristalls versehenen Verbinders mit geringem Kontaktabstand verringert werden, so dass eine Flüssigkristallvorrichtung mit einer hohen Genauigkeit erzielt werden kann. Folglich kann das Mobiltelefon 800 mit dem leicht abzulesenden Anzeigeteil 802 trotz seiner geringen Größe realisiert werden.

Claims (16)

  1. Verbinder (20, 700), enthaltend ein Substrat (22, 702) mit einer Vielzahl von ersten Klemmenelektroden (30, 710), welche auf einer Oberfläche des Substrats (22, 702) gebildet sind und durch eine Isolierschicht mit der Oberfläche in Kontakt stehen und längs eines Rands des Substrats (22, 702) angeordnet sind, und einer Vielzahl von zweiten Klemmenelektroden (32, 712), welche auf der Oberfläche gebildet sind und durch eine Isolierschicht mit der Oberfläche in Kontakt stehen und längs eines anderen Rands des Substrats (22, 702) angeordnet sind, und eine erste Verdrahtung (24A, 704A) und eine zweite Verdrahtung (248, 7048), sich erstreckend von und verbunden mit den ersten beziehungsweise den zweiten Klemmenelektroden (30, 32; 710, 712), und eine mit der ersten und der zweiten Verdrahtung (24A, 248; 704A, 7048) elektrisch verbundene Halbleitervorrichtung (33, 713), wobei ein Abstand der ersten Klemmenelektroden (30, 710) kleiner als ein Abstand der zweiten Klemmenelektroden (32, 712) ist; und wobei die Anzahl der ersten Klemmenelektroden (30, 710) größer als die Anzahl der zweiten Elektroden (32, 712) ist; dadurch gekennzeichnet, dass: das Substrat (22, 702) aus Silizium gebildet ist; eine Isolierschicht (50) auf der Oberfläche in Kontakt mit dieser gebildet ist; und die erste Verdrahtung (24A, 704A), die zweite Verdrahtung (248, 7048), und die Halbleitervorrichtung (33, 713) auf der Isolierschicht (50) in engem Kontakt mit dieser angeordnet sind.
  2. Verbinder nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleitervorrichtung (33) so angeordnet ist, dass lange Seiten der Halbleitervorrichtung (33) im wesentlichen parallel zu einer Ausrichtungsrichtung der ersten Klemmenelektroden (30) gelegt sind.
  3. Verbinder nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleitervorrichtung (713) so angeordnet ist, dass kurze Seiten der Halbleitervorrichtung (713) im wesentlichen parallel zu einer Ausrichtungsrichtung der ersten Klemmenelektroden (710) gelegt sind.
  4. Kontaktabstandswandler, enthaltend: einen Verbinder nach Anspruch 1 und ein Verbindungsstück (26, 706) mit äußeren Klemmenelektroden (28, 708), welche mit den ersten Klemmenelektroden (30, 710) elektrisch verbunden sind.
  5. Kontaktabstandswandler nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (22, 702) eine Eigenschaft hat, dass sein Wärmeausdehnungskoeffizient im wesentlichen gleich einem oder kleiner als ein Wärmeausdehnungskoeffizient des Verbindungsstücks (26, 706) ist.
  6. Kontaktabstandswandler nach Anspruch 4 oder 5, bei welchem das Verbindungsstück (26, 706) aus Silizium gebildet ist.
  7. Kontaktabstandswandler nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die ersten Klemmenelektroden (30, 710) mit den äußeren Klemmenelektroden (28, 708) durch elektrisch leitende Elemente (38) elektrisch verbunden sind.
  8. Mikromaschine, enthaltend: einen Verbinder nach Anspruch 1; und ein Verbindungssubstrat mit einem Bewegungsmechanismus-Teil und einer Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden, welche mit den ersten Klemmenelektroden des Verbinders zu verbinden sind.
  9. Piezoelektrischer Betätiger, enthaltend: einen Verbinder nach Anspruch 1; und ein Verbindungssubstrat mit einem piezoelektrischen Element und einer Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden, welche mit den ersten Klemmenelektroden des Verbinders zu verbinden sind.
  10. Elektrostatischer Betätiger, enthaltend: einen Verbinder nach Anspruch 1; und ein Verbindungssubstrat mit einem elektrostatischen Vibrator und einer Vielzahl von äußeren Klemmenelektroden, welche mit den ersten Klemmenelektroden des Verbinders zu verbinden sind.
  11. Tintenkopf, enthaltend einen piezoelektrischen Betätiger nach Anspruch 9.
  12. Tintenkopf, enthaltend einen elektrostatischen Betätiger nach Anspruch 10.
  13. Tintenstrahldrucker, enthaltend einen Tintenkopf nach Anspruch 11.
  14. Tintenstrahldrucker, enthaltend einen Tintenkopf nach Anspruch 12.
  15. Flüssigkristallvorrichtung, enthaltend: einen Verbinder nach Anspruch 1; und ein Paar von Verbindungssubstraten mit einem zwischen den Verbindungssubstraten gehaltenen Flüssigkristall und eine Vielzahl von auf einem der Verbindungssubstrate gebildeten äußeren Klemmenelektroden, welche mit den ersten Klemmenelektroden des Verbinders zu verbinden sind.
  16. Elektronisches Gerät, enthaltend eine Flüssigkristallvorrichtung nach Anspruch 15.
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