DE60012720T2 - Magnetische materialien - Google Patents

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Description

  • Diese Erfindung betrifft magnetische Materialien und insbesondere die Anwendung der Rotationssymmetrie, um magnetische Eigenschaften der Materialien maßzuschneidern.
  • Das Informationsvolumen, das auf einer Computer-Harddisk gespeichert werden kann, ist in den vergangenen 40 Jahren um einen Faktor 107 gestiegen und verspricht, in den kommenden Dekaden mit einer exponentiellen Rate weiter zu steigen. Heutige herkömmliche magnetische Materialien werden nicht in der Lage sein, die nachgefragten Leistungsanforderungen der Industrie für zukünftige magnetische Datenspeicher zu erfüllen. Eine zur Zeit berücksichtigte Option ist eine Synergie der Nanotechnologie und der Quantenmechanik, um magnetische Partikel auf einer Nanometerskala, Nanomagneten genannt, herzustellen. Diese besitzen aufgrund ihrer extrem geringen Größe sehr unterschiedliche magnetische Eigenschaften aus ihrem Ausgangsvolumenmaterial. Jeder Nanomagnet ist analog zu einem Riesenatom aus einem künstlichen Element, wodurch der Aufbau neuer magnetischer Materialien auf einer Riesenatombasis ermöglicht wird. Das schnell wachsende Feld des Nanomagnetismus kann unter anderem beschleunigten Ersatz für Harddisk-Medien und eine neue Generation von nicht-flüchtigen Computerspeicherchips mit geringer Leistung und hoher Geschwindigkeit bereitstellen.
  • Die wichtigste Eigenschaft eines natürlich auftretenden magnetischen Elements oder Legierung ist seine Anisotropie. Dies bezieht sich auf das Vorliegen bevorzugter Magnetisierungsrichtungen innerhalb des Materials und ist letztlich verantwortlich zum Festlegen der Art und Weise, in der sich ein magnetisches Material verhält und der technologischen Anwendungen, für die es geeignet ist. In einem herkömmlichen magnetischen Material stammt die Anisotropie aus der Form und der Symmetrie der elektronischen Fermioberfläche und ist damit dem speziellen Element oder Legierung instrinsisch, und kann nicht leicht maßgeschneidert werden. In Nanomagneten hängt die Anisotropie jedoch nicht nur von der Bandstruktur des Ausgangsmaterials ab, sondern auch von der Form des Nanomagneten. Eines der hervorstechendsten Merkmale der künstlichen magnetischen Materialien ist, daß ihre magnetischen Eigenschaften durch Wahl der Form der Nanomagnetbestandteile manipuliert werden können.
  • Fernandez et al.: "Magnetic force microscopy of single-domain cobalt dots patterned using interference lithography (IEEE Transactions on Magnetics, US, IEEE Inc. New York, Band 32, Nr. 5, 1. September 1996, Seiten 4472-4474) beschreibt die Anwendung einer Interferenz-Lithographie bei der Herstellung von Kobaltpunkten.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Speicherelement Nanomagneten mit einer Rotationssymmetrie, die ausgewählt wird, um eine hohe Remanenz und eine geeignete Koerzitivität bereitzustellen, und bei dem das Element eine Rotationssymmetrie der Ordnung 3 oder 5 hat.
  • Die Bauteile der Erfindung sind künstliche magnetische Materialien, die auf der Oberfläche eines Substrates gebildet werden, wie ein Siliciumstück, unter Anwendung einer Technik, wie der Elektronenstrahl-Lithographie. Die Bauteile können eine Größe von 40-500 nm, eine Dicke von 3-10 nm haben und eine dreieckige oder fünfeckige Geometrie haben, die jeweils den Rotationssymmetrien der Ordnung 3 und 5 entspricht. Die Ordnung kann jedoch auch größer sein. Das Ausgangsmaterial kann ein Supermalloy (Ni80Fe14Mo5) sein, der aus zwei Gründen gewählt wird. Erstens ist diese Legierung intrinsisch weitestgehend isotrop, so daß jegliche Anisotropie in den Nanomagneten von deren Form kommen muß. Zweitens sind der Supermalloy und sein Molybdän-freier verwandter Permalloy zwei der am weitesten verbreiteten weichen magnetischen Legierungen der Industrie und Forschung und demonstrieren als solche effektiv die neuen und geänderten Eigenschaften, die einem einfachen Material durch die Nanometerstrukturierung verliehen werden können. Wie nachstehend beschrieben, sind wir in der Lage, künstliche magnetische Materialien mit einer enorm breiten Reichweite magnetischer Eigenschaften zu fertigen, einfach indem die Symmetrie der Nanomagnetbestandteile variiert wird.
  • Beispiele, die sich auf die vorliegende Erfindung beziehen, werden nunmehr mit Bezug auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert, in der:
  • 1 ein Abtastelektronengefügebild von einigen der künstlichen magnetischen Materialien zeigt;
  • 2 Hystereseschleifen für Nanomagnete unterschiedlicher Größe, Dicke und geometrischer Form zeigt;
  • 3 eine Hystereseschleife für einen superparamagnetischen dreieckigen Nanomagneten zeigt;
  • 4 experimentell gemessene Koerzitivitäten abhängig von der Nanomagnetgröße zeigt;
  • 5 das experimentell gemessene anisotrope Feld innerhalb verschiedener Nanomagneten zeigt;
  • 6 den vorherrschenden anisotropen Term aus 5 zeigt, der als ein anisotropes Feld (A) und als eine anisotrope Energie pro Nanomagnet (B) für verschiedene Nanomagneten ausgedrückt ist;
  • 7 Suszeptibilitäten abhängig von der Nanomagnetgröße und -symmetrie zeigt; und
  • 8 eine schematische Anordnung eines superparamagnetischen Nanomagneten bei Verwendung als ein Magnetfeldsensor oder logisches Element zeigt.
  • Es kann ein standardgemäßes abhebebasiertes Elektronenstrahl-Lithographieverfahren angewendet werden, um Bauteile gemäß der vorliegenden Erfindung zu bilden. Das Probesubstrat bezog sich auf ein Einkristallsilicium. Der Abstand zwischen jedem Nanomagneten war immer wenigstens gleich dem Durchmesser des Nanomagneten, und für die kleinsten Strukturen war er so dreimal groß wie der Durchmesser. Die Oberflächenrauhigkeit der Nanomagneten war geringer als 0,5 nm und die Mikrostruktur zeigt 5 nm zufällig verteilte Körner. Die Oberseite jedes Nanomagneten wurde mit einer 5 nm dicken Goldschicht bedeckt, um Oxidation zu verhindern. Es wurde herausgefunden, daß die Unversehrtheit der geometrischen Form in Strukturen erhalten blieb, die 50 nm groß waren. 1 zeigt Abtastelektronenmikroskopbilder von einigen der Strukturen.
  • Um die magnetischen Eigenschaften dieser verschiedenen künstlichen Materialien zu bestimmen, haben wir deren Hystereseschleifen (M-H-Schleifen) unter Anwendung einer bekannten hochempfindlichen magnetooptischen Methode gemessen. Die Siliciumoberfläche kann unter einem Lichtmikroskop betrachtet werden, während ein Laserfleck (Größe ≈ 5 μm) über die Oberfläche bewegt wird, bis er oben auf einer der Stellen künstlichen Materials fokussiert wird. Die Polarisation des reflektierten Laserstrahls wird analysiert, um den longitudinalen Kerr-Effekt zu erhalten, der als eine Sonde der Magnetisierungskomponente dient, die in der optischen Einfallsebene liegt. Diese Magnetisierung wird dann aufgenommen, während ein mit 27 Hz alternierendes Magnetfeld bis zu 79577 A/m (1000 Oe) Stärke in der Ebene der Probe angelegt wird. Alle Messungen wurden bei Raumtemperatur durchgeführt.
  • 2 und 3 zeigen einige der Hystereseschleifen, die von Nanomagneten unterschiedlicher Größe, Dicke und geometrischer Form gemessen wurden. Man sieht sofort, daß die Schleifen sehr unterschiedlich zueinander und zu derjenigen sind, die aus einem herkömmlichen unstrukturierten Material erhalten wird. Die Vielzahl technologischer Anwendungen, die durch die in dieser Figur dargestellten Proben abgedeckt werden, ist erheblich. Die bekannten kleinen in 2B gezeigten Rechtecke können zum Herstellen eines künstlichen Ersatzes für Harddisk-Medien geeignet sein: Die hier verwendeten Nanomagneten können im Prinzip Datenspeicherdichten oberhalb von 15,5 Gbits/cm2 (100 Gbits/inch2) haben, d.h. zehnmal größer als die heutigen herkömmlichen Medien aus dem Stand der Technik. Die bekannten größeren Rechtecke in 2D können gut für magnetische Direkzugriffsspeicher (MRAM) geeignet sein, ein neu entstehender Ersatz für Halbleiterspeicher: Ein Speicherchip, der magnetische Elemente dieser Größe verwendet, könnte 1 Gbit eines nicht-flüchtigen Speichers hoher Geschwindigkeit bieten. Das überraschende ist, daß ein großer Bereich magnetischer Eigenschaften durch die dreieckigen und fünfeckigen Nanomagneten offenbart wird. Die Dreiecke in 2E, die eine hohe Remanenz und eine niedrige Koerzitivität haben, könnten als ein Speicherelement verwendet werden, während die Fünfecke aus 2F und die superparamagnetischen Dreiecke aus 3 einen exzellenten hochempfindlichen Magnetfeldsensor oder Harddisk-Lesekopf bilden würden, mit einer effektiven relativen Permeabilität von 3000 und einer Hysterese von Null. Diese verschiedenen Anwendungen sind ein direktes Ergebnis einer Variation der Größe, Dicke und besonders wichtig, der Symmetrie der Nanomagneten, die das künstliche Material bilden.
  • Um diesen wichtigen Effekt zu quantifizieren, haben wir die Koerzitivität aus den Hystereseschleifen abhängig von der Größe, Dicke und Symmetrieordnung der Nanomagnete gemessen. Die Koerzitivität ist ein Maß des angelegten Feldes, das notwendig ist, um die Magnetisierung auf Null zu vermindern (d.h. die Hystereseschleifen haben eine zentrale Breite, die zweimal so groß wie die Koerzitivität ist), und ist als solche ein Maß dafür, wie schnell ein externes Feld die Magnetisierungsrichtung eines Nanomagnetens umkehren kann. Dies ist ein Schlüsselparameter beim Bewerten der Eignung eines gegebenen magnetischen Materials für technologische Anwendungen. 4 zeigt die Ergebnisse, in der wir, um die unterschiedlichen Geometrien miteinander vergleichen zu können, die Größe der Nanomagneten durch die Quadratwurzel ihrer Fläche ausdrücken. Wir haben die Wiederholbarkeit einiger dieser experimentellen Ergebnisse auf einem zweiten Probensatz bestätigt.
  • Das erste deutliche Merkmal aus den Daten der 4 ist, daß die 2-fachen und 4-fachen Symmetrien eine Verhaltensklasse anzeigen, während die 3-fachen und 5-fachen Symmetrien eine weitere Klasse anzeigen: 2-/4-fache Nanomagneten zeigen hohe Koerzitivitäten, die zunächst mit abnehmender Längenskala steigen. 3-/5-fache Nanomagneten zeigen niedrige Koerzitivitäten, die mit abnehmender Längenskala auf Null abfallen. Die zweite Beobachtung, die in 4 gemacht werden kann, ist, daß in allen Fällen das ein Anstieg der Dicke zu einem starken Anstieg der Koerzitivität führt, was nicht der Fall in unstrukturierten Magnetfilmen ist.
  • Das Verhalten der 2-fachen Nanomagneten ist überschaubar und wird aufgrund eines wohl verstandenen Phänomens Formanisotropie genannt. Die Magnetisierung bevorzugt sich mit der längsten Achse des Nanomagnetens "stromlinienförmig zu machen", um die Oberfläche der Polflächen zu minimieren. Das diesen Effekt antreibende Feld ist das Entmagnetisierungsfeld, das zwischen zwei Polflächen durch das Innere des Magneten reicht. Das Entmagnetisierungsfeld skaliert etwa mit dem Verhältnis t/a, wobei die t die Dicke des Nanomagneten ist, und a dessen Größe, und so sieht man in 4A eine Koerzitivität, die mit abnehmender Größe ansteigt.
  • Die Wirkungen der 3-, 4- und 5-fachen Symmetrien sind im Gegensatz dazu nicht so leicht verständlich. Dies liegt darin, daß das Entmagnetisierungsfeld einer beliebigen Struktur durch einen kartesischen Tensor zweiter Stufe beschrieben wird, und so nur einachsige (2-fache) Symmetrien aufweisen kann. Es liegt daher keine Formanisotropie, wenigstens nicht im herkömmlichen Sinne, in der Ebene dieser Symmetriestrukturen höherer Ordnung vor. Nichtsdestotrotz erfahren die quadratischen Nanomagneten deutlich ein ziemlich starkes Hindernis beim Ändern der Magnetisierungsrichtung, und daher muß irgendeine Anisotropie vorliegen. Die Tatsache, daß diese Anisotropie deutlich schwächer in den dreieckigen Magneten ist, zeigt, daß, auch wenn es keine klassische Formanisotropie ist, sie weiterhin mit der Form des Nanomagneten verbunden ist.
  • Es gibt ein kürzlich entdecktes Merkmal in quadratischen Nanomagneten, das Strukturanisotropie genannt wird. Diese tritt auf wegen der sehr geringen Abweichungen von der gleichförmigen Magnetisierung, die in nahezu allen Nanomagneten auftritt. Bis zum heutigen Tage hat man sich noch nicht klargemacht, bis zu welchem Ausmaß diese neue Anisotropie wichtig ist, die magnetischen Eigenschaften von Nanomagneten zu definieren. Um die Hypothese zu testen, daß dieses geänderte Verhalten, das man in 2 bis 4 sieht, durch die Strukturanisotropie verursacht wird, haben wir eine direkte Messung der Anisotropie in den Nanomagneten unter Anwendung einer Technik durchgeführt, die wir magnetooptische Anisotropiemessung mit moduliertem Feld nennen. Ein starkes statisches magnetisches Feld H (= 27852 A/m (350 Oe)) wird in der Ebene der Nanomagneten angelegt, und ein schwächeres oszillierendes Feld Ht (1114 A/m (14 Oe) Amplitude) wird in der Ebene der Nanomagneten senkrecht zu H angelegt. Die Amplitude der resultierenden Oszillation der Magnetisierung wird durch die gleiche magnetooptische Technik aufgezeichnet, die zum Erhalten der Hystereseschleifen der 2 und 3 verwendet wird, und wird direkt auf die Amplitude und Symmetrie irgendeiner in den Nanomagneten vorliegenden Anisotropie bezogen. Wir haben die Anisotropie für dreieckige, quadratische und fünfeckige Nanomagneten in der Größenordnung von 50-500 nm bei einer Dicke von 5 nm experimentell gemessen und die Ergebnisse in 5 dargestellt. In dieser Polarzeichnung bezeichnet der Winkel die Richtung ϕ in der Ebene des Nanomagneten, der Radius den Radius des Nanomagneten in dieser Richtung und die Farbe die experimentell gemessene Größe
    Figure 00080001
    für einen Nanomagneten dieser Größe, wobei MS die Sättigungsmagnetisierung (800 emu cm–3) und E(ϕ) die mittlere magnetische Energiedichte des Nanomagneten ist, wenn er in der Richtung ϕ magnetisiert ist. Auch wenn Ha nicht die gewöhnliche Definition des anisotropen Feldes ist, kann gezeigt werden, daß irgendwelche Oszillationen in Ha die gleiche Symmetrieordnung wie die zugrundeliegende Anisotropie und eine Amplitude gleich der Größe des anisotropen Feldes haben. 5 zeigt experimentelle Daten von 22 verschiedenen Proben eines künstlichen magnetischen Materials (8 Größen der Dreiecke, 8 Größen der Quadrate und 6 Größen der Fünfecke), wobei jedes in entweder 19 oder 37 unterschiedlichen Richtungen ϕ (0-180° in 10° Schritten für die Dreiecke und Quadrate; 0-180° in 5° Schritten für die Fünfecke) gemessen werden, was insgesamt 526 Messungen ausmacht.
  • Es ist aus 5 unmittelbar ersichtlich, daß dort starke anisotrope Felder in all den untersuchten Nanomagneten vorliegen. Die dreieckigen Nanomagneten weisen eine Anisotropie mit einer 6-fachen Symmetrie auf, die quadratischen Nanomagneten zeigen eine 4-fache symmetrische Anisotropie, und die fünfeckigen Nanomagneten besitzen eine beachtliche 10-fache Anisotropie. Eine Frequenzverdopplung tritt in den dreieckigen und fünfeckigen Strukturen auf, da die Energie immer quadratisch in der Magnetisierung ist, und so ungerade Symmetrieordnungen nicht unterstützt werden können.
  • Wir haben eine Fourier-Analyse auf die graphischen Darstellungen der 5 angewandt, um die Größe der anisotropen Felder abhängig von der Nanomagnetgröße und -symmetrie zu erhalten, und zeigen die Ergebnisse in zwei unterschiedlichen Formen in 6. In 6A stellen wir die anisotropen Felder direkt graphisch dar, während wir in 6B die anisotrope Energie eines einzelnen Nanomagneten (in Einheiten von kT, wobei k die Boltzmann-Konstante und T gleich 298K ist) unter Verwendung der theoretischen Beziehung Ua = 2MSHaV/n2 gezeichnet haben. In dieser Gleichung ist Ua die anisotrope Energie eines einzelnen Nanomagneten (in ergs), Ha das anisotrope Feld (in Oe), n die Symmetrieordnung der Anisotropie (4 für Quadrate, 6 für Dreiecke, 10 für Fünfecke) und V das Volumen (in cm3) des Nanomagneten. Ein wichtiges Element für unser Verständnis des Einflusses der Symmetrieordnung auf magnetische Eigenschaften wird durch den n2-Term in dieser Gleichung geliefert. Er bedeutet, daß auch wenn all die Geometrien näherungsweise ähnliche anisotrope Felder in 6A zeigen, sie sehr unterschiedliche anisotrope Energien in 6B zeigen.
  • Die anisotrope Energie ist insbesondere wegen eines Superparamagnetismus genannten Phänomens interessant, das der Prozeß ist, bei dem anisotrope Energiebarrieren durch die thermischen Energiefluktuationen von kT in Magneten der Nanometerskala überwunden werden können. Als eine näherungsweise Richtschnur kann eine Barriere auf der Zeitskala unserer Messungen überwunden werden, sobald sie geringer als 10kT in der Höhe ist. Dies bedeutet, daß man erwarten würde, sobald die anisotrope Energie geringer als 10kT ist, daß die Koerzitivität schnell auf Null abfällt. Gemäß 6B sollte dies auftreten, sobald die Elementgröße geringer als etwa 150 nm ist, wobei die Quadrate als letzte abfallen, wenn die Größe vermindert wird. Umgekehrt sollte, sobald die anisotrope Energie größer als 10kT ist, die Koerzitivität näherungsweise dem anisotropen Feld folgen. Dies erläutert den Unterschied im Verhalten, den man in 4 zwischen den Quadraten auf der einen Seite und den Dreiecken und Fünfecken auf der anderen Seite beobachtet. Das anisotrope Feld der Quadrate (6A) zeigt einen Scheitelwert, wenn die Elementgröße vermindert wird, und dieser Scheitelwert wird direkt in den Koerzitivitätdaten der Quadrate (4C) reflektiert. Das anisotrope Feld der Fünfecke zeigt keinen Scheitelwert, und dies wird auch direkt in den Koerzitivitätdaten reflektiert (4D), auch wenn der Abfall auf Null bei einer etwas höheren Größe in den Koerzitivitätdaten auftritt als im anisotropen Feld aufgrund der thermischen Aktivierung. Schließlich zeigt das anisotrope Feld der Dreiecke einen Scheitelwert wie bei den Quadraten, da jedoch die anisotropen Energien im Dreieck geringer sind, tritt die thermische Aktivierung bei einer größeren Größe ein und verhindert, daß der Scheitelwert in der Koerzitivitätdaten ersichtlich wird (4B). Wir können daher die experimentell bestimmten Koerzitivitätdaten als eine Kombination der Strukturanisotropie und thermischen Aktivierung erklären.
  • Materialien mit einer hohen Remanenz, die eine endliche Koerzitivität besitzen (und daher eine Speicherfunktion), sind nicht die einzigen technologisch wichtigen magnetischen Materialien. Ebenso wichtig sind die Materialien mit einer Remanenz von Null und einer Koerzitivität von Null, die Anwendungen in Magnetsensoren und logischen Elemente finden, in diesem Fall ist es die Suszeptibilität χ, die der Schlüsselparameter ist. χ ist definiert als 4π∂M/∂H, wobei M die Magnetisierung eines Nanomagnetens ist, und H das angelegte Magnetfeld. χ ist daher direkt proportional zur Steigung der Hystereseschleifen beim Feld Null, so wie in 2F gezeigt. Wir haben χ unter Verwendung unseres magnetooptischen Experimentes (bei einer Frequenz von 27 Hz) abhängig von der Nanomagnetgröße und -symmetrie bei einer konstanten Dicke von 3.7 ± 0.5 nm gemessen und stellen die Ergebnisse in 7 dar. χ hat nur dann eine Bedeutung, wenn die Koerzitivität Null ist, und deshalb haben wir uns auf diesen Fall beschränkt. Zum Vergleich haben wir auch in dieser Figur die aus der Langevin-Funktion abgeleitete theoretische Suszeptibilität gezeichnet. Dies ist ein statistisches thermodynamisches Konzept, das für einen einzelnen Riesenspin im freien Raum anwendbar wäre. Drei Beobachtungen können aus 7 gemacht werden. Erstens sind die experimentell bestimmten Suszeptibilitäten der kleinsten Nanomagneten alle nahe am Langevin-Modell im freien Raum, selbst wenn keine Fit-Parameter verwendet wurden, was zeigt, daß unser experimentelles System gut unter Kontrolle ist. Zweitens sind die Abweichungen vom Langevin-Modell am größten für die Nanomagneten mit quadratischer Symmetrie. Dies ist konsistent, da diese die stärkste anisotrope Strukturenergie besitzen, was bedeutet, daß der in einem quadratischen Nanomagneten enthaltene Riesenspin wenigstens wie ein Riesenspin im freien Raum aussieht. Es ist die Strukturanisotropie, die letztlich bewirkt, daß alle Symmetrien vom Langevin-Modell mit steigender Größe abfallen. Drittens sind die hier gemessenen Suszeptibilitäten in der Höhe um zwei Größenordnungen größer als bei magnetischen Teilchen mit gleicher Form und gleichem Formfaktor erhalten worden wären, werden jedoch auf einer größeren Längenskala als die Nanometerlängenskala gebildet (d.h. Mikrometer und darüber, wie die meisten herkömmlichen Magnetfeldsensoren verwenden). Im letzteren Fall kommt die Suszeptibilität aus der Bewegung der Bezirkswände gegen das interne Entmagnetisierungsfeld, das sehr stark sein kann. Die einzigartige Rolle der Nanometerskalenstrukturierung ist damit deutlich demonstriert.
  • 4 und 5 zeigen gut die Art, in der Nanometerstrukturen wirklich die Erzeugung neuer magnetischer Materialien nachbilden. Ein Supermalloy wächst mit einer fcc-Kristallographie, die gewöhnlich zu einer 2- oder 4-fachen Anisotropie führt. Nichtsdestotrotz zeigt 5A eine 6-fache Symmetrie, die gewöhnlich für Materialien mit einer hcp-Kristallographie reserviert ist. In diesem Fall kann die Symmetrie der Nanomagnetform (dreieckig) verwendet werden, um eine Änderung in der kristallographischen Phase nachzubilden. Ebenso würden die relativ hohen Koerzitivitäten der quadratischen und dreieckigen Nanomagneten (4A und 4C) gewöhnlich nur in magnetischen Materialien mit einer hohen Anisotropie und einer schwach gekoppelten Mikrostruktur gefunden werden. In diesem Fall bildet eine sorgfältige Wahl der Nanomagnetsymme trie eine Änderung im Element und eine Änderung in der Mikrostruktur nach. Schließlich gibt die Elementarkristallographie vor, daß ein Kristallgitter keine 10-fache Symmetrie besitzen kann, und deshalb würden wir nicht erwarten, ein natürlich auftretendes Kristallelement oder Legierung mit einer 10-fachen magnetischen Anisotropie vorzufinden. 5C zeigt jedoch, daß wir Erfolg hatten, ein solches künstlich zu erzeugen unter Verwendung einer Nanostrukturierung. In diesem Fall ist eine Nanometerformgebung angewandt worden, um einem kristallinen Material eine Eigenschaft zu verleihen, die gewöhnlich für Quasi-Kristalle reserviert ist.
  • Die schematische Abbildung der 8 zeigt eine mögliche Anordnung unter Verwendung eines superparamagnetischen Nanomagneten als Teil eines Sensors oder logischen Elementes. Ein dreischichtiges Spinventil 12 ist an beiden Seiten mit Verbindungsleitungen 14 verbunden. Das Ventil 12 umfaßt eine magnetische Bodenschicht 16, eine nicht-magnetische Abstandsschicht 18 und ein oder mehrere Nanomagneten 20 in einem superparamagnetischen Zustand als eine Oberschicht. Die Pfeile 22 zeigen den Durchgang des Stromes durch das Ventil 12 und der Pfeil 24 zeigt die Magnetisierung in der magnetischen Bodenschicht 16.
  • Zusammenfassend haben wir die Relevanz der Symmetrie der Form der Nanomagneten für deren magnetische Eigenschaften bestimmt und haben sie für praktische Anwendungen angewandt. Für finden, daß die Symmetrie eine wichtige Rolle spielt, die es ermöglicht, magnetische Eigenschaften über einen sehr weiten Bereich zu steuern. Wir haben gezeigt, daß der Schlüsseleffekt, der die Symmetrie mit den magnetischen Eigenschaften verbindet, die Strukturanisotropie ist. Dies liefert neue künstliche magnetische Materialien, bei denen die magnetischen Eigenschaften auf eine spezielle Anwendung mit einem sehr hohen Genauigkeitsgrad maßgeschneidert werden können.
  • Die erste neue Idee ist die Verwendung einer Strukturanisotropie über die Symmetrie des Elementes, um die magnetischen Eigenschaften maßzuschneidern. Bis zum heutigen Tage haben die Fachleute lediglich rechteckförmige, quadratische oder kreisförmige Elemente berücksichtigt. Wir haben erkannt, daß die Strukturanisotropie die durch andere Formen, wie Dreiecke, Fünfecke und Sechsecke hervorgerufen wird, zur Steuerung der magnetischen Eigenschaften des Elementes verwendet werden kann. Die zweite neue Idee ist die Verwendung eines Superparamagnetismus in Nanostrukturen, um eine Hystere zu beseitigen. In herkömmlichen Materialien führt ein Supermagnetismus zu sehr hohen Sättigungsfeldern, und ist als solcher für magnetische Sensoren unbrauchbar. Wir zeigen hier jedoch, daß in Nanostrukturen der Superparamagnetismus zu sehr niedrigen Sättigungsfeldern (einigen Oe – siehe 2F) führen kann. An sich würde das für einen Sensor oder ein logisches Element äußerst geeignet sein. Noch interessanter ist jedoch die Tatsache, daß der Superparamagnetismus eine Hysterese von nahezu Null garantiert, die eine Grundvoraussetzung für einen guten Sensor ist (siehe 3). Das größte Problem, was die aktuelle Verwendung von Nanostrukturen als Sensoren betrifft, ist die Tatsache, daß grundsätzlich Hysteresen größer werden, wenn die seitlichen Abmessungen der Bauteile vermindert werden.
  • Diese beiden Ideen können kombiniert werden, indem die Strukturanistropie auf einen niedrigen Wert unter Auswahl einer geeigneten Form (dreieckig, fünfeckig oder kreisförmig) eingestellt wird, die dann der Nanostruktur ermöglicht, ein Superparamagnet zu werden und damit als guter Sensor oder gutes logisches Element zu arbeiten.

Claims (4)

  1. Speicherelement, das Nanomagneten mit einer Rotationssymmetrie umfaßt, die ausgewählt wurde, um eine hohe Remanenz und eine geeignete Koerzitivität bereitzustellen, und bei dem das Element eine Rotationssymmetrie der Ordnung 3 oder 5 hat.
  2. Speicherelement nach Anspruch 1, das aus einem künstlichen magnetischen Material gebildet ist, das auf der Oberfläche eines Substrates ausgebildet ist.
  3. Speicherelement nach Anspruch 1 oder 2, das aus Supermalloy (Ni80Fe14Mo5) gebildet ist.
  4. Speicherelement nach Anspruch 1, 2 oder 3, im Größenbereich von 40-500 nm pro Seite und im Dickenbereich von 3-10 nm.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9925213D0 (en) 1999-10-25 1999-12-22 Univ Cambridge Tech Magnetic logic elements
US8134441B1 (en) * 2008-06-02 2012-03-13 The Regents Of The University Of California Nanomagnetic signal propagation and logic gates
US8138874B1 (en) 2009-07-20 2012-03-20 The Regents Of The University Of California Nanomagnetic register
WO2011044100A2 (en) * 2009-10-05 2011-04-14 University Of Delaware Ferromagnetic resonance and memory effect in magnetic composite materials
US9196280B2 (en) * 2009-11-12 2015-11-24 Marquette University Low-field magnetic domain wall injection pad and high-density storage wire
KR200452028Y1 (ko) * 2010-02-23 2011-02-01 정진시그널(주) 투명 반사부를 갖는 도로 표지병
US8766754B2 (en) 2012-07-18 2014-07-01 The Regents Of The University Of California Concave nanomagnets with widely tunable anisotropy
US9460737B2 (en) 2013-04-18 2016-10-04 Headway Technologies, Inc. Supermalloy and mu metal side and top shields for magnetic read heads
FR3031622B1 (fr) * 2015-01-14 2018-02-16 Centre National De La Recherche Scientifique Point memoire magnetique
ES2833377T3 (es) * 2015-06-04 2021-06-15 Endomagnetics Ltd Materiales marcadores y formas de localizar un marcador magnético

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0810653B2 (ja) * 1990-11-22 1996-01-31 科学技術庁金属材料技術研究所長 磁性体微粒子の配列格子構造
US5710436A (en) 1994-09-27 1998-01-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Quantum effect device
US5741435A (en) * 1995-08-08 1998-04-21 Nano Systems, Inc. Magnetic memory having shape anisotropic magnetic elements
US5714536A (en) * 1996-01-11 1998-02-03 Xerox Corporation Magnetic nanocompass compositions and processes for making and using
JPH09298320A (ja) * 1996-05-09 1997-11-18 Kobe Steel Ltd 酸化物超電導コイル用永久電流スイッチおよびそれを用いたスイッチ装置並びにスイッチング方法
US6451220B1 (en) * 1997-01-21 2002-09-17 Xerox Corporation High density magnetic recording compositions and processes thereof
JPH10326920A (ja) * 1997-03-26 1998-12-08 Delta Tsuuring:Kk 磁気抵抗効果センサー及びその製造方法
JPH1179894A (ja) * 1997-09-04 1999-03-23 Mitsubishi Gas Chem Co Inc ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜
US5898549A (en) * 1997-10-27 1999-04-27 International Business Machines Corporation Anti-parallel-pinned spin valve sensor with minimal pinned layer shunting
JP3216605B2 (ja) * 1998-07-06 2001-10-09 日本電気株式会社 ドットアレー状磁性膜並びにこれを用いた磁気記録媒体及び磁気抵抗効果素子
US6269018B1 (en) * 2000-04-13 2001-07-31 International Business Machines Corporation Magnetic random access memory using current through MTJ write mechanism

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Publication number Publication date
EP1437746A3 (de) 2004-09-08
JP2008288580A (ja) 2008-11-27
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DE60012720D1 (de) 2004-09-09
AU763157B2 (en) 2003-07-17
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EP1437746B1 (de) 2006-10-04

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