DE10215505A1 - Antiferromagnetisches Schichtsystem und Verfahren zur magnetischen Datenspeicherung in derartigen antiferromagnetischen Schichtsystemen - Google Patents
Antiferromagnetisches Schichtsystem und Verfahren zur magnetischen Datenspeicherung in derartigen antiferromagnetischen SchichtsystemenInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstofftechnik und betrifft antiferromagnetische Schichtsysteme und Verfahren zur magnetischen Datenspeicherung, die beispielsweise in Computerfestplatten zur Anwendung kommen können. DOLLAR A Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Angabe eines antiferromagnetischen Schichtsytems und von Verfahren, mit deren Hilfe ein gezieltes Einschreiben und Lesen von Informationen in derartigen antiferromagnetischen Schichtsystemen möglich ist. DOLLAR A Gelöst wird die Aufgabe durch ein antiferromagnetisches Schichtsystem, bestehend aus mindestens einer ferromagnetischen und mindestens einer antiferromagnetischen Schicht, wobei die Curie-Temperatur des ferromagnetischen Schichtmaterials über der Blockingtemperatur des antiferromagnetischen Schichtmaterials liegt, und bei dem die ferromagnetischen und antiferromagnetischen Schicht(en) durch Austauschanisotropieeffekte miteinander mindestens hinsichtlich ihrer Magnetisierungskonfiguration gekoppelt sind, und bei dem die Schichtdicke der antiferromagnetischen Schicht(en) eine Funktion der Betriebstemperatur des eingesetzten antiferromagnetischen Schichtsystems ist, wobei mit zunehmenden Betriebstemperaturen die Schichtdicken ebenfalls zunehmen.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Werkstofftechnik und betrifft
antiferromagnetische Schichtsysteme und Verfahren zur magnetischen
Datenspeicherung in derartigen antiferromagnetischen Schichtsystemen, die
beispielsweise in Computerfestplatten oder in anderen magnetischen
Massenspeichern zur Anwendung kommen können.
Zur magnetischen Datenspeicherung werden bisher granulare hartmagnetische
Materialien wie z. B. aufgestäubte Kobalt-Platin-Schichten und Schichtsysteme als
Speichermedium verwendet. Die Speicherinformation liegt in Form der magnetischen
Struktur vor, wobei sich eine magnetische Domäne über mehrere Körner erstreckt.
Ein Übergang zwischen zwei entgegengesetzt magnetisierten Bereichen stellt eine
Speichereinheit (ein Bit) dar. Die Information wird durch lokale magnetische Felder
eingeschrieben und kann somit durch starke externe Felder unbeabsichtigt verändert
oder gelöscht werden. Die Funktionsweise diese herkömmlichen Speicherplatten
wird in den Patenten US 4,789,598 und US 5,523,173 beschrieben.
In den letzten Jahren konnte durch Weiterentwicklung der magnetischen Materialien
und Bauteile eine jährliche Steigerung der Speicherdichte von ca. 30% und mehr
erreicht werden. Die Erhöhung der Speicherdichte verringert die Fläche, die einer
Speichereinheit zur Verfügung steht umgekehrt proportional. Damit rücken
benachbarte Domänenübergänge näher zusammen. Deren Streufeld, das auch zum
Auslesen der Information über Mangetowiderstands-Leseköpfe genutzt wird,
destabilisiert aber die Magnetisierung der einzelnen Domänen. Gleichzeitig erhöht
sich bei Verkleinerung der magnetischen Bereiche auch deren Anfälligkeit gegenüber
thermischen Fluktuationen und durch sie bewirkte Ummagnetisierungsprozesse.
Letzeres wird auch als "superparamagnetisches Limit" bezeichnet. Um kleinere
Bereiche dennoch stabil zu magnetisieren, muss die magnetische Anisotropie der
magnetischen Körner erhöht oder deren Magnetisierung und damit das Streufeld
verringert werden. Beide Möglichkeiten um Informationen schreiben zu können,
führen zu einer Erhöhung der Koerzitivfeldstärke, die nötig ist, um einen Bereich
umzumagnetisieren. Das Magnetfeld, welches vom Schreibkopf erzeugt werden
kann, ist durch die Sättigungsmagnetisierung des Jochmaterials begrenzt. Aufgrund
der genannten Einschränkungen findet die magnetische Speicherdichte bei ca.
100 Gbit/Zoll^2 (15,5 Gbit/cm^2) ein oberes Maximum.
In antiferromagnetischen Materialien sind benachbarte atomare Momente im
Gegensatz zu Ferromagneten nicht parallel, sondern antiparallel ausgerichtet. Sie
haben deshalb eine verschwindende mittlere Magnetisierung. Werden die beiden
antiparallel ausgerichteten magnetischen Untergitter (nur die Atome, deren Spins den
gleichen Richtungssinn haben) betrachtet, so nehmen die
Untergittermagnetisierungen bestimmte Richtungen bevorzugt ein. Wie die
Ferromagnete besitzen Antiferromagnete im allgemeinen eine ein- oder mehrachsige
Anisotropie. Antiferromagnete wechselwirken aufgrund des verschwindenden
Gesamtmomentes nicht mit externen Magnetfeldern, solange die antiparallele
Ausrichtung der Untergitter nicht aufgebrochen wird.
Aufgrund der intrinsischen magnetischen Eigenschaften eines Antiferromagneten
kann dieser als Speichermedium dienen. Die Untergittermagnetisierungen des
Antiferromagneten sind auf Magnetfelder, wie sie in technischen Geräten
vorkommen, nicht empfindlich. Eine eingeschriebene Information wäre daher
unempfindlich gegen Störfelder. Zusätzlich kann der Übergangsbereich zwischen
zwei Domänen sehr schmal gehalten werden, da im Antiferromagneten Übergänge
zwischen entgegengesetzten Untergittermagnetisierungen auf atomarer Skala
möglich sind. Aufgrund der verschwindenden mittleren Magnetisierung erzeugen
antiferromagnetische Domänen keine Streufelder. Dadurch sind auch keine
Entmagnetisierungseffekte zu erwarten. Antiferromagneten bieten daher die
Voraussetzung für eine deutliche Erhöhung der Speicherdichte gegenüber
herkömmlichen ferromagnetischen Schichten. Bislang ist es aber nicht möglich
Informationen gezielt in den Antiferromagneten einzuschreiben. Ebenso ist noch
keine Methode für das Auslesen von Informationen aus Antiferromagneten bekannt.
Die Aufgabe der Erfindung besteht in der Angabe eines antiferromagnetischen
Schichtsystems und von Verfahren, mit deren Hilfe ein gezieltes Einschreiben und
Lesen von Informationen in derartigen antiferromagnetischen Schichtsystemen
möglich ist.
Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst.
Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
Das erfindungsgemäße antiferromagnetische Schichtsystem besteht aus mindestens
einer ferromagnetischen und mindestens einer antiferromagnetischen Schicht, wobei
die Curie-Temperatur des ferromagnetischen Schichtmaterials über der
Blockingtemperatur des Schichtsystems liegt. Dabei sind die ferromagnetischen und
antiferromagnetischen Schicht(en) durch Austauschanisotropieeffekte miteinander
mindestens hinsichtlich ihrer Magnetisierungskonfiguration gekoppelt. Unter
Ausnutzung der Temperaturabhängigkeit der Rückwirkung der ferromagnetischen
Schicht auf die antiferromagnetische Schicht kann durch die Auswahl der Dicke der
antiferromagnetischen Schicht die Temperaturabhängigkeit der Stabilität der
Magnetisierungskonfiguration gesteuert werden. Damit sind die Schichtdicken der
antiferromagnetischen Schicht(en) eine Funktion der Betriebstemperatur des
eingesetzten antiferromagnetischen Schichtsystems, wobei mit zunehmender
Betriebstemperatur die Schichtdicken ebenfalls zunehmen.
Auf diese Art und Weise ist es möglich, eine bei Betriebstemperatur gegen hohe
Magnetfelder stabile Information zu speichern und durch gesteuerte
Temperaturerhöhung in vorteilhafterweise relativ geringen Bereichen das
Einschreiben und Lesen von Daten in die antiferromagnetische Schicht(en) zu
erreichen.
Vorteilhafterweise sind die ferromagnetische(n) und antiferromagnetische(n)
Schicht(en) nicht oder nur teilweise im direkten Kontakt, wobei in jedem Fall eine
magnetische Wechselwirkung zwischen den Schichten realisiert ist.
Es ist auch vorteilhaft, wenn zwischen mindestens einer der ferromagnetischen und
antiferromagnetischen Schichten eine nichtmagnetische Zwischenschicht angeordnet
ist, wobei die magnetische Wechselwirkung zwischen der ferromagnetischen und der
antiferromagnetischen Schicht durch die nichtmagnetische Zwischenschicht nicht
wesentlich behindert werden darf.
Vorteilhafterweise weisen die nichtmagnetischen Zwischenschichten Schichtdicken
zwischen 0,2 und 2,0 nm auf.
Ebenfalls vorteilhafterweise sind die Schichtsysteme ausgedehnt und/oder
strukturiert.
Auch vorteilhafterweise ist als ferromagnetisches Schichtmaterial NiFe (Permalloy)
eingesetzt.
Weiterhin ist vorteilhaft, dass als antiferromagnetisches Schichtmaterial NiO, IrMn
und/oder FeMn eingesetzt sind.
Es ist auch vorteilhaft, wenn bei Betriebstemperaturen zwischen 0 und 150°C
Schichtdicken der antiferromagnetischen Schicht zwischen 1 und 20 nm vorhanden
sind.
Ebenfalls ist es vorteilhaft, wenn die Schichten laterale Abmessungen im Mikro-
und/oder Nanobereich aufweisen.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur magnetischen Datenspeicherung in
antiferromagnetischen Schichtsystemen wird mindestens ein Schichtsystem aus
mindestens einer ferromagnetischen Schicht und aus mindestens einer
antiferromagnetischen Schicht hergestellt. Dabei weist das eingesetzte
ferromagnetische Schichtmaterial eine Curie-Temperatur oberhalb der
Blockingtemperatur des eingesetzten antiferromagnetischen Schichtmaterials auf.
Die mindestens eine antiferromagnetische Schicht des Schichtsystems wird einer
ein- oder mehrstufigen lokalen Wärmebehandlung bei einer Temperatur oberhalb der
Blockingtemperatur des antiferromagnetischen Schichtmaterials und unterhalb der
Curie-Temperatur des ferromagnetischen Schichtmaterials unterzogen und
anschließend wird die Abkühlung in Gegenwart eines globalen oder lokalen
gerichteten Magnetfeldes durchgeführt.
Vorteilhafterweise wird die lokale Wärmebehandlung mittels eines Lasers, einer
Nahfeldoptik oder einer leitfähigen Rastersondenspitze durchgeführt.
Ebenfalls vorteilhafterweise wird das Lesen der gespeicherten Daten über
magnetooptische oder magnetoresistive Verfahren durchgeführt.
Werden eine antiferromagnetische Schicht und eine ferromagnetische Schicht in
Kontakt gebracht, so koppeln diese über Austauschanisotropieeffekte mindestens
hinsichtlich ihrer Magnetisierungskonfiguration. Abhängig von der Balance der
Stabilitäten (Anisotropien) der ferromagnetischen und antiferromagnetischen Schicht
bildet sich in der antiferromagnetischen Schicht eine Magnetisierungskonfiguration,
die derjenigen der ferromagnetischen Schicht folgt oder in der ferromagnetischen
Schicht eine Magnetisierungskonfiguration, die derjenigen der antiferromagnetischen
Schicht folgt. Durch Temperaturerhöhung über die Blockingtemperatur wird die
Stabilität der Magnetisierungskonfiguration der antiferromagnetischen Schicht so
stark geschwächt, dass diese die Magnetisierungskonfiguration der
ferromagnetischen Schicht annimmt und diese beim Abkühlen unter die
Blockingtemperatur beibehält.
Bei dem weiteren erfindungsgemäßen Verfahren zur magnetischen
Datenspeicherung in antiferromagnetischen Schichtsystemen wird das eingesetzte
antiferromagnetische Schichtsystem bei einer Betriebstemperatur oberhalb der
Blockingtemperatur der antiferromagnetischen Schicht eingesetzt. Über ein
ferromagnetisches Bauteil wird dann die Magnetisierungskonfiguration des
ferromagnetischen Bauteils in der antiferromagnetischen Schicht mittels
Austauschkopplung lokal gespeichert und/oder die Magnetisierungskonfiguration der
antiferromagnetischen Schicht von dem ferromagnetischen Bauteil gelesen. Dabei
wird zum Speichern der Daten ein Magnetfeld angelegt und das Lesen der Daten
wird ohne Anlegen eines Magnetfeldes durchgeführt.
Im weiteren wird die Erfindung an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Dabei zeigt
Fig. 1 den Aufbau eines Datenspeichers aus dem erfindungsgemäßen
Schichtsystem unter Einsatz von Bauteilen zur lokalen Temperaturerhöhung
und
Fig. 2 den Aufbau eines Datenspeichers aus dem erfindungsgemäßen
Schichtsystem unter Einsatz eines magnetischen Bauteils zur Speicherung der Daten.
Auf eine kreisrunde Scheibe, die als Trägermaterial dient, wird ein Schichtsystem,
bestehend aus 12 nm NiO, 10 nm Ni81Fe19 und 2 nm Ta als Oxidationsbarriere
mittels Kathodenzerstäubung bei 20°C flächig aufgebracht. Während der
Schichtabscheidung liegt ein rotationssymmetrisches Magnetfeld der Stärke 1 kA/cm
an. Die Blockingtemperatur des so hergestellten Schichtsystems liegt bei 70°C. Im
Betrieb rotiert die Scheibe unter einem beweglichen Schreib-Lese-Kopf. Im
Temperaturbereich von 0°C bis 70°C, der Betriebstemperatur, lässt sich die
antiferromagnetische Schicht durch Magnetfelder bis 0,5 T nicht beeinflussen. Durch
Einkoppeln eines energiereichen Lichtfleckes in Rotationsrichtung unmittelbar vor
dem Schreib-Lese-Kopf, lässt sich das Schichtsystem auf Temperaturen von < 85°
erwärmen. Die Größe des erwärmten Bereichs hängt von der Größe des Lichtfleckes
ab. Durch einen fokussierten Laserstrahl wird ein Lichtfleck von 300 nm
Durchmesser erzielt oder durch eine Nahfeldoptik (angespitzter Lichtwellenleiter)
das Licht auf eine Fläche von wenigen zehn nm konzentriert.
Durch das lokale Überschreiten der Blockingtemperatur wird die durch den
Schreibkopf in der ferromagnetischen Schicht erzeugte Magnetisierung in die
Magnetisierungskonfiguration der antiferromagnetischen Schicht übertragen. Da sich
die Scheibe unter dem Lichtfleck und dem Schreib-Lese-Kopf hinwegbewegt, kühlt
die beschriebene Stelle unmittelbar nach dem Schreibvorgang wieder unter die
Blockingtemperatur von 70°C ab, so dass die eingeschriebene Information stabil
gegen äußere Felder ist. Zum Auslesen der geschriebenen Information dient das
Streufeld der ferromagnetischen Ni81Fe19-Schicht, das von einen magnetoresistiven
Lesekopf gemessen wird.
Auf eine kreisrunde Scheibe, die als Trägermaterial dient, wird eine 8 nm dicke NiO-
Schicht mittels Kathodenzerstäubung bei 20°C flächig aufgebracht. Während der
Schichtabscheidung liegt ein rotationssymmetrisches Magnetfeld der Stärke 1 kA/cm
an. Im Betrieb bewegt sich die Scheibe unter einem ebenfalls beweglichen Schreib-
Lese-Kopf. Der Schreib-Lese-Kopf besteht aus einem Schichtsystem NiFe(1 nm) Cu
(0,8 nm) Co (10 nm) sowie einem magnetischen Joch, welches von einer Stromspule
umgeben ist und in dessen Öffnung sich das Schichtsystem befindet. Zum Schreiben
wird der Schreib-Lese-Kopf an die Speicherscheibe angenähert, bis die magnetische
Kopplung zwischen der antiferromagnetischen NiO-Schicht und der 1 nm dicken
Ni81Fe19-Schicht des Lesekopfes hergestellt ist. Durch einen Strom in der Stromspule
wird der Ni81Fe19-Schicht eine Magnetisierung aufgezwungen, die durch die
Austauschanisotropie von der antiferromagnetischen Schicht übernommen wird. Zum
Auslesen der Information wird der Schreib-Lese-Kopf auf die gleiche Weise wie zum
Schreiben an die Speicherscheibe angenähert. Jedoch fließt kein Strom durch die
Spule, so dass sich die dadurch freie Ni81Fe19-Schicht entsprechend der
Austauschanisotropie der antiferromagnetischen NiO-Schicht ausrichtet.
1
ferromagnetische Schicht
2
antiferromagnetische Schicht
3
Trägerschicht
4
Schreib-Lese-Kopf
5
Sammellinse
6
Laser-Strahl
7
Nahfeldoptik
8
erwärmter Bereich
Claims (13)
1. Antiferromagnetisches Schichtsystem, bestehend aus mindestens einer
ferromagnetischen und mindestens einer antiferromagnetischen Schicht, wobei
die Curie-Temperatur des ferromagnetischen Schichtmaterials über der
Blockingtemperatur des antiferromagnetischen Schichtmaterials liegt, und bei
dem die ferromagnetischen und antiferromagnetischen Schicht(en) durch
Austauschanisotropieeffekte miteinander mindestens hinsichtlich ihrer
Magnetisierungskonfiguration gekoppelt sind, und bei dem die Schichtdicke der
antiferromagnetischen Schicht(en) eine Funktion der Betriebstemperatur des
eingesetzten antiferromagnetischen Schichtsystems ist, wobei mit zunehmenden
Betriebstemperaturen die Schichtdicken ebenfalls zunehmen.
2. Antiferromagnetisches Schichtsystem nach Anspruch 1, bei dem die
ferromagnetische(n) und antiferromagnetische(n) Schicht(en) nicht oder nur
teilweise im direkten Kontakt stehen, wobei in jedem Fall eine magnetische
Wechselwirkung zwischen den Schichten realisiert ist.
3. Antiferromagnetisches Schichtsystem nach Anspruch 2, bei dem zwischen
mindestens einer der ferromagnetischen und antiferromagnetischen Schichten
eine nichtmagnetische Zwischenschicht angeordnet ist, wobei die magnetische
Wechselwirkung zwischen der ferromagnetischen und der antiferromagnetischen
Schicht durch die nichtmagnetische Zwischenschicht nicht wesentlich behindert
werden darf.
4. Antiferromagnetisches Schichtsystem nach Anspruch 3, bei dem die
nichtmagnetischen Zwischenschichten Schichtdicken zwischen 0,2 und 2,0 nm
aufweisen.
5. Antiferromagnetisches Schichtsystem nach Anspruch 1, bei dem die
Schichtsysteme ausgedehnt und/oder strukturiert sind.
6. Antiferromagnetisches Schichtsystem nach Anspruch 1, bei dem als
ferromagnetisches Schichtmaterial NiFe (Permalloy) eingesetzt ist.
7. Antiferromagnetisches Schichtsystem nach Anspruch 1, bei dem als
antiferromagnetisches Schichtmaterial NiO, IrMn und/oder FeMn eingesetzt sind.
8. Antiferromagnetisches Schichtsystem nach Anspruch 1, bei dem bei
Betriebstemperaturen zwischen 0 und 150°C Schichtdicken der
antiferromagnetischen Schicht zwischen 1 und 20 nm realisiert sind.
9. Antiferromagnetisches Schichtsystem nach Anspruch 1, bei dem die Schichten
laterale Abmessungen im Mikro- und/oder Nanobereich aufweisen.
10. Verfahren zur magnetischen Datenspeicherung in antiferromagnetischen
Schichtsystemen nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem
mindestens ein Schichtsystem aus mindestens einer ferromagnetischen Schicht
und aus mindestens einer antiferromagnetischen Schicht hergestellt wird, wobei
das eingesetzte ferromagnetische Schichtmaterial eine Curie-Temperatur
oberhalb der Blockingtemperatur des eingesetzten antiferromagnetischen
Schichtmaterials aufweist, und die mindestens eine antiferromagnetische
Schicht des Schichtsystems einer ein- oder mehrstufigen lokalen
Wärmebehandlung bei einer Temperatur oberhalb der Blockingtemperatur des
antiferromagnetischen Schichtmaterials und unterhalb der Curie-Temperatur des
ferromagnetischen Schichtmaterials unterzogen wird, und anschließend die
Abkühlung in Gegenwart eines globalen oder lokalen gerichteten Magnetfeldes
durchgeführt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die lokale Wärmebehandlung mittels
eines Lasers, einer Nahfeldoptik oder einer leitfähigen Rastersondenspitze
durchgeführt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem das Lesen der gespeicherten Daten über
magnetooptische oder magnetoresistive Verfahren durchgeführt wird.
13. Verfahren zur magnetischen Datenspeicherung in antiferromagnetischen
Schichtsystemen nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das
eingesetzte antiferromagnetische Schichtsystem bei einer Betriebstemperatur
oberhalb der Blockingtemperatur der antiferromagnetischen Schicht eingesetzt
wird und über ein ferromagnetisches Bauteil die Magnetisierungskonfiguration
des ferromagnetischen Bauteils in der antiferromagnetischen Schicht mittels
Austauschkopplung lokal gespeichert und/oder die Magnetisierungskonfiguration
der antiferromagnetischen Schicht von dem ferromagnetischen Bauteil gelesen
wird, wobei zum Speichern der Daten ein Magnetfeld angelegt wird und das
Lesen der Daten ohne Anlegen eines Magnetfeldes durchgeführt wird.
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