DE60002270T2 - Halbleiterlaser mit einer Sauerstoff-Getterschicht beschichteten Resonatoroberfläche und einer Schicht mit hoher thermischer Leitfähigkeit - Google Patents

Halbleiterlaser mit einer Sauerstoff-Getterschicht beschichteten Resonatoroberfläche und einer Schicht mit hoher thermischer Leitfähigkeit

Info

Publication number
DE60002270T2
DE60002270T2 DE60002270T DE60002270T DE60002270T2 DE 60002270 T2 DE60002270 T2 DE 60002270T2 DE 60002270 T DE60002270 T DE 60002270T DE 60002270 T DE60002270 T DE 60002270T DE 60002270 T2 DE60002270 T2 DE 60002270T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
thermal conductivity
semiconductor laser
high thermal
resonator surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE60002270T
Other languages
English (en)
Other versions
DE60002270D1 (de
Inventor
Fusao Yamanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Publication of DE60002270D1 publication Critical patent/DE60002270D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60002270T2 publication Critical patent/DE60002270T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02235—Getter material for absorbing contamination

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
DE60002270T 1999-08-30 2000-08-28 Halbleiterlaser mit einer Sauerstoff-Getterschicht beschichteten Resonatoroberfläche und einer Schicht mit hoher thermischer Leitfähigkeit Expired - Lifetime DE60002270T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24311399A JP2001068780A (ja) 1999-08-30 1999-08-30 半導体レーザ素子およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60002270D1 DE60002270D1 (de) 2003-05-28
DE60002270T2 true DE60002270T2 (de) 2003-11-20

Family

ID=17099000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE60002270T Expired - Lifetime DE60002270T2 (de) 1999-08-30 2000-08-28 Halbleiterlaser mit einer Sauerstoff-Getterschicht beschichteten Resonatoroberfläche und einer Schicht mit hoher thermischer Leitfähigkeit

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6359921B1 (de)
EP (1) EP1081815B1 (de)
JP (1) JP2001068780A (de)
DE (1) DE60002270T2 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001230483A (ja) * 2000-02-14 2001-08-24 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ装置
JP4408185B2 (ja) * 2001-06-22 2010-02-03 富士フイルム株式会社 半導体レーザ装置
JP2003078199A (ja) * 2001-09-03 2003-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ装置
KR100453962B1 (ko) * 2001-12-10 2004-10-20 엘지전자 주식회사 반도체 레이저 소자 및 그의 벽개면에 윈도우층을형성하는 방법
JP2003273464A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Mitsubishi Electric Corp リッジ導波路型半導体レーザ装置
DE10244786A1 (de) * 2002-09-26 2004-04-08 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren
JP2005005511A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Fanuc Ltd 半導体レーザ装置
JP2007201373A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JP2007207778A (ja) * 2006-01-30 2007-08-16 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気記憶装置の製造方法
CN108317975B (zh) * 2018-01-30 2024-04-09 广州肖宁道路工程技术研究事务所有限公司 路面抗滑纹理测试装置及其扫描机构

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4656638A (en) * 1983-02-14 1987-04-07 Xerox Corporation Passivation for surfaces and interfaces of semiconductor laser facets or the like
JPH0621265Y2 (ja) * 1987-04-13 1994-06-01 三洋電機株式会社 半導体レ−ザ装置
JPH02288287A (ja) 1989-04-27 1990-11-28 Sharp Corp 半導体レーザ素子
EP0416190B1 (de) * 1989-09-07 1994-06-01 International Business Machines Corporation Verfahren zur Spiegelpassivierung bei Halbleiterlaserdioden
JPH03142892A (ja) * 1989-10-27 1991-06-18 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JP3142892B2 (ja) 1991-05-20 2001-03-07 株式会社日立製作所 反応焼結複合セラミックスの製法およびそれを用いた摺動部材の製法
WO1997010630A1 (en) * 1995-09-14 1997-03-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor diode laser and method of manufacturing same
JPH09194204A (ja) * 1995-11-16 1997-07-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化アルミニウムの製造方法および半導体発光素子
JPH09162496A (ja) 1995-12-12 1997-06-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レーザ及びその製造方法
JP2870486B2 (ja) * 1996-06-06 1999-03-17 日本電気株式会社 半導体レーザ素子
JPH103134A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Fuji Photo Film Co Ltd 画像読み取り装置
JPH10112566A (ja) * 1996-10-07 1998-04-28 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ
JPH10154844A (ja) * 1996-11-26 1998-06-09 Fujitsu Ltd 半導体レーザ
US6252254B1 (en) * 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6249534B1 (en) * 1998-04-06 2001-06-19 Matsushita Electronics Corporation Nitride semiconductor laser device

Also Published As

Publication number Publication date
US6359921B1 (en) 2002-03-19
JP2001068780A (ja) 2001-03-16
DE60002270D1 (de) 2003-05-28
EP1081815A2 (de) 2001-03-07
EP1081815A3 (de) 2001-03-28
EP1081815B1 (de) 2003-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60040273D1 (de) LED mit kontrollierter Sauerstoffdotierung und einer dünnen, mehrere Quantentöpfe umfassenden, aktiven Schicht
DE60103904D1 (de) Wärmedämmschicht mit hoher phasenstabilität
DE69917020D1 (de) Substrat mit photokatalytischer beschichtung
DE69907107D1 (de) Keramik mit oxidierbarer schicht
DE60012605D1 (de) Silizium enthaltendes Substrat mit Calciumaluminiumsilikat-Wärmedämmschicht
DE60021464D1 (de) Substrat auf der Basis von Silizium mit einer Wärmedämmschicht
DE69834415D1 (de) Lichtemittierendes galliumnitridhalbleiterelement mit einer aktiven schicht mit multiplexquantentrogstruktur und halbleiterlaserlichtquellenvorrichtung
DE60002270D1 (de) Halbleiterlaser mit einer Sauerstoff-Getterschicht beschichteten Resonatoroberfläche und einer Schicht mit hoher thermischer Leitfähigkeit
DE69507437T2 (de) Lichtemittierende diode mit einer aktiven schicht aus 2,5-substituiertem poly( p-phenylen-vinylen)
DE69903699T2 (de) Wärmedämmendes Beschichtungssystem und Überzug mit einer Metall/Metalloxyd-Haftbeschichtigung
DE69903595D1 (de) Wärmedämmendes Beschichtungssystem mit lokaler Auftragung einer Haftungsschicht
DE69125047D1 (de) Halbleiteranordnung mit einer isolierenden Schicht
DE69510484T2 (de) Metaloxidhalbleiter-Anordnung mit einer Substratkontaktstruktur
DE60236474D1 (de) Oberflächenemittierender Laser mit vertikalem Resonator und mit einer Abstandsschicht zur effizienten Diffusion von Löchern zwischen der p-Elektrode und der aktiven Schicht und dessen Herstellungsverfahren
DE60112726T2 (de) Halbleiter-Photodetektor mit hoher Verstärkung und Herstellungsverfahren
DE50001183D1 (de) Mehrfach-halbleiterlaserstruktur mit schmaler wellenlängenverteilung
DE69806678T2 (de) Halbleiterbauelement mit einer lichtundurchlässigen Schicht
DE60026991D1 (de) Halbleiterlaser mit vergrabener streifenstruktur und aluminium freier begrenzungsschicht
AR021223A1 (es) Articulo de vidrio recubierto, termo-reforzado, y metodo para producir el mismo.
DE69840062D1 (de) Keramisches Substrat mit einer metallischen Schaltung
DE69601957T2 (de) Wellenförmige Stützsäulen einer Feldemissionsvorrichtung mit einer diskontinuierlichen leitfähigen Schicht
DE60037130D1 (de) Dehnungsstreifen mit einer dünnen schicht aus hoch-leitfähigem silizium
DE60041527D1 (de) Beschichtungsanlage mit Innenoberfläche mit einer reflektierenden Schicht
DE50210249D1 (de) Schichtsystem mit einer porösen schicht
DE29815522U1 (de) Halbleiterlaser mit Gitterstruktur

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: FUJIFILM CORP., TOKIO/TOKYO, JP

R082 Change of representative

Ref document number: 1081815

Country of ref document: EP

Representative=s name: KLUNKER, SCHMITT-NILSON, HIRSCH, 80796 MUENCHEN, D