DE50115195D1 - Verfahren und vorrichtung zur züchtung von grossvolumigen orientierten einkristallen - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur züchtung von grossvolumigen orientierten einkristallen

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Ewald Moersen
Richard Schatter
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4017863B2 (ja) * 2001-12-18 2007-12-05 信越石英株式会社 アニール炉及び光学用合成石英ガラスの製造方法
RU2002115062A (ru) * 2002-05-31 2004-02-20 Корнинг Инкорпорейтид (Us) Способ выращивания монокристаллов фторида кальция
US20040099205A1 (en) * 2002-09-03 2004-05-27 Qiao Li Method of growing oriented calcium fluoride single crystals
US7033433B2 (en) * 2003-01-24 2006-04-25 Corning Incorporated Crystal growth methods
EP1475464A1 (de) * 2003-05-06 2004-11-10 Corning Incorporated Verfahren zur Herstellung eines optischen Kristalles
WO2005003413A1 (ja) * 2003-07-03 2005-01-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. ルツボ及びルツボを用いた単結晶の育成方法
DE10347430B4 (de) * 2003-10-13 2006-04-27 Schott Ag Ofen zur Züchtung von Einkristallen aus geschmolzener Kristallrohmasse
DE102004003829A1 (de) * 2004-01-26 2005-08-18 Schott Ag Verfahren zum Reinigen von Kristallmaterial und zum Herstellen von Kristallen, eine Vorrichtung hierzu sowie die Verwendung der so erhaltenen Kristalle
DE102004008749A1 (de) * 2004-02-23 2005-09-08 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines großvolumigen CaF2-Einkristalles mit geringer Streuung und verbesserter Laserstabilität, sowie ein solcher Kristall und dessen Verwendung
DE102004008752A1 (de) * 2004-02-23 2005-09-08 Schott Ag Herstellung von großvolumigen CaF2-Einkristallen für die Verwendung als optische Bauelemente mit einer optischen Achse parallel zur (100) oder (110)-Kristallachse
US7883578B2 (en) * 2004-02-23 2011-02-08 Hellma Materials Gmbh & Co. Kg Process for preparing CaF2 lens blanks especially for 193 nm and 157 nm lithography with minimized deffects
DE102004008754A1 (de) * 2004-02-23 2005-09-08 Schott Ag Herstellung von spannungsarmen, nicht (111)-orientierten, großvolumigen Einkristallen mit geringer Spannungsdoppelbrechung und homogener Brechzahl, sowie deren Verwendung
DE102004008753A1 (de) * 2004-02-23 2005-09-08 Schott Ag Herstellung von spannungsarmen, großvolumigen Kristallen mit geringer Spannungsdoppelbrechung und homogener Brechzahl, sowie deren Verwendung
US20060201412A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Christian Poetisch Method of making highly uniform low-stress single crystals with reduced scattering
DE102005059531A1 (de) * 2005-12-13 2007-06-14 Schott Ag Herstellung hochreiner, besonders strahlungsbeständiger großvolumiger Einkristalle aus Kristallscherben
DE102006017621B4 (de) * 2006-04-12 2008-12-24 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von multikristallinem Silizium
JP4388538B2 (ja) * 2006-09-21 2009-12-24 新日本製鐵株式会社 炭化珪素単結晶製造装置
DE102008033548A1 (de) 2008-07-17 2010-01-21 Schott Ag Verfahren zur Optimierung der Zerteilung eines kristallinen Körpers
DE102009015113A1 (de) 2009-03-31 2010-10-14 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zur Züchtung von Kristallen
KR101136143B1 (ko) * 2009-09-05 2012-04-17 주식회사 크리스텍 사파이어 단결정 성장방법과 그 장치
FR2951739B1 (fr) * 2009-11-30 2011-12-23 Commissariat Energie Atomique Dispositif de controle de l'etat d'avancement de la cristallisation d'un bain de materiau fondu dans un procede de solidification dirigee utilisant les ultrasons
WO2013019399A2 (en) * 2011-08-04 2013-02-07 Gtat Corporation Method for producing a monocrystalline product
CN103160934B (zh) * 2011-12-18 2016-05-18 洛阳金诺机械工程有限公司 一种生长晶体材料时的温度梯度控制装置及其方法
CN102660767B (zh) * 2012-05-28 2015-06-10 哈尔滨工业大学 用于电磁冷坩埚定向凝固设备中的冷却过渡接头
CN102766901B (zh) * 2012-08-20 2015-09-30 元亮科技有限公司 实时可调温度梯度法生长大尺寸高温晶体的装置及方法
CN103409790B (zh) * 2013-08-01 2016-02-03 安徽大晟新能源设备科技有限公司 准单晶铸锭炉的下加热器升降机构
WO2016028764A1 (en) 2014-08-18 2016-02-25 University Of Cincinnati Magnesium single crystal for biomedical applications and methods of making same
CN108821340B (zh) * 2018-09-17 2024-05-14 大冶市都鑫摩擦粉体有限公司 一种硫化锑提纯装置
CN115233214A (zh) * 2022-07-25 2022-10-25 江苏大学 一种振动辅助全域瞬态加热轴类零件熔覆装置及方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4086424A (en) * 1977-03-31 1978-04-25 Mellen Sr Robert H Dynamic gradient furnace and method
US4286424A (en) * 1980-04-11 1981-09-01 Deere & Company Blockage detector for a cotton harvester
DE3323896A1 (de) * 1983-07-02 1985-01-17 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren und vorrichtung zum gerichteten erstarren von schmelzen
JPS6470880A (en) 1987-09-10 1989-03-16 Minolta Camera Kk Digital image processor
US5116456A (en) 1988-04-18 1992-05-26 Solon Technologies, Inc. Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form
US5372088A (en) * 1991-12-30 1994-12-13 At&T Bell Laboratories Crystal growth method and apparatus
JPH10101484A (ja) 1996-09-30 1998-04-21 Canon Inc 結晶製造装置及び方法
JPH10260349A (ja) 1997-03-18 1998-09-29 Nikon Corp 紫外線レーザ用結像光学系
JP3988217B2 (ja) 1997-09-09 2007-10-10 株式会社ニコン 大口径蛍石の製造装置および製造方法
JP4154744B2 (ja) 1997-12-01 2008-09-24 株式会社ニコン フッ化カルシウム結晶の製造方法および原料の処理方法
JP4092515B2 (ja) 1998-02-27 2008-05-28 株式会社ニコン 蛍石の製造方法
DE69910863T2 (de) 1998-02-26 2004-07-15 Nikon Corp. Verfahren zur Herstellung von Calciumfluorid und Calciumfluorid für Fotolithographie
JP2000034193A (ja) 1998-07-16 2000-02-02 Nikon Corp フッ化物単結晶の熱処理方法及び製造方法
DE19912484A1 (de) * 1999-03-19 2000-09-28 Freiberger Compound Mat Gmbh Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen
US6580098B1 (en) 1999-07-27 2003-06-17 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor
US6806069B2 (en) * 2001-01-09 2004-10-19 Pharmachem Laboratories, Inc. Ubiquinone composition and methods related thereto

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Publication number Publication date
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JP4195222B2 (ja) 2008-12-10
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