DE4445002C2 - Hochfrequenzfilter - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Hochfrequenzfilter für bei­ spielsweise ein tragbares Kommunikationsgerät.

Der Bedarf nach kompakteren und zuverlässigeren portablen Kommunikationsgeräten einschließlich tragbarer Telefone (Mobilfunk-Telefone) und Autotelefone steigt. Somit ist es wünschenswert, daß ein in einem solchen Gerät verwendetes Hochfrequenzfilter kleiner, selektiver und bezüglich der Fähigkeit, angelegte Leistungen ohne Beschädigungen zu widerstehen, überlegen ist.

Bekannte Hochfrequenzfilter umfassen solche mit einem di­ elektrischen Resonator (JP 04-211501 AA) und solche mit einem (aku­ stischen) Oberflächenwellen-Resonator (EP 0541284 A1).

Fig. 7 ist eine Perspektivdarstellung eines Hochfrequenz­ filters, das eine dielektrische Filtereinheit (im Folgenden als "dielektrisches Filter" bezeichnet) verwendet. Das dielektrische Filter ist aus zwei Keramikfiltern 11 (dielektrischen Resonatoren) aufgebaut, die auf einem Aluminiumoxid-Substrat 12 (alumina) befestigt sind. Das dielektrische Filter ist ferner mit Eingangs-/Ausgangs- Elektroden 13 und 14 an einer Seite des Aluminiumoxid- Substrats 12 versehen, um Hochfrequenzsignale zu empfangen oder auszugeben.

Fig. 8 ist eine schematische Aufsicht auf einen zusammenge­ setztes Hochfrequenzfilter (im Folgenden als "Oberflächenwellen-Filter" bezeichnet) mit einem Akustik- Oberflächenwellen-Resonator (im Folgenden als "Oberflächenwellen-Resonator" bezeichnet).

Ein solches Hochfrequenzfilter, ist aus EP 0541284 A1 bekannt. Diese Druckschrift zeigt ein Oberflächenwellen-Filter (SAW-Filter; Surface Akustic Wave Filter) mit zwei Oberflächenwellen-Resonatoren von denen einer in einem parallelen Arm und einer in einem seriellen Arm vorgesehen ist.

Fig. 9 ist ein Schaltungsdiagramm einer Einheit mit Filter­ funktion in dem Oberflächenwellen-Filter.

Das solches Oberflächenwellen-Filter hat serielle Oberflächenwellen-Resonatoren 16 und parallele Oberflächenwellen-Resonatoren 17, die sich voneinander hin­ sichtlich der Resonanzfrequenz unterscheiden und auf einem piezoelektrischen Substrat 15 angeordnet und elektrisch miteinander verbunden sind, und es verwendet einen Unter­ schied der Impedanz bezüglich der Frequenz zwischen den se­ riellen Oberflächenwellen-Resonatoren 16 und den parallelen Oberflächenwellen-Resonatoren 17, um ein Bandpaßfilter zu schaffen.

US-A-5254962 beschreibt eine kombinierte Akustikwellen- Vorrichtung und eine Keramikblock-Filterstruktur. Eine Akustikwellen-Vorrichtung, ebenso wie andere elektronische Vorrichtungen, kann auf den Seiten von Keramikblöcken, die eine Keramikblock-Filtervorrichtung bilden, montiert werden. Die Akustik-Oberflächenwellenvorrichtung, die in dem Filterblock montiert ist, erfordert kein zusätzliches Volumen, wie es beim Montieren der Akustik- Oberflächenwellen-Vorrichtungen in ihren eigenen Gehäusen erforderlich wäre. Hierbei ist jeweils nur ein Anschluß der Oberflächenwellen-Vorrichtungen mit der Signalleitung verbunden. Bei dieser Struktur ist die Akustikwel­ lenvorrichtung in Keramikblöcke eingefügt, die auch die Keramikblock-Filtervorrichtung bilden, um das Gesamtvolumen zu reduzieren, wobei weder die Keramikblock- Filtervorrichtung oder Akustikwellenvorrichtung einen Resonator in einem seriellen Armen oder einem parallelen Armen bildet.

Ein dielektrisches Filter hat einen Nachteil hinsichtlich der verschlechterten Selektivität aufgrund seiner Frequenz­ charakteristik der Übertragungsrate, wie durch die Strich- Punkt-Linie in Fig. 5 dargestellt ist. Dies beruht im we­ sentlichen auf der Miniaturisierung des dielektrischen Re­ sonators. Insbesondere gibt es eine Beziehung zwischen der Resonanzschärfe (Q-Wert) des dielektrischen Resonators und seinen räumlichen Abmessung dahingehend, daß die Selektivität umso schlechter wird, je kleiner die Abmessungen sind, und somit müssten die Abmessungen vergrößert werden, um die Selektivität zu steigern.

Die in einem Mobilfunk-Telefon enthaltenen Komponenten ha­ ben eine Dicke von etwa 1-4 mm, und ein dielektrisches Filter einer solchen Dicke erreicht lediglich eine Reso­ nanzschärfe von etwa einigen Hundert. Das dielektrische Filter ist jedoch exzellent hinsichtlich Fähigkeit Leistungen zu widerstehen (Leistungswiderstandsfähigkeit) und zeichnet sich dadurch aus, daß seine Filtercharak­ teristik kaum durch eine Leistung von einigen Watt beeinflußt wird.

Das Oberflächenwellen-Filter hat eine Frequenzcharakteristik der Übertragungsrate, die durch die unterbrochene Linie in Fig. 5 dargestellt ist, und es ist somit exzellent hinsichtlich der Selektivität, das heißt es erreicht einige Tausend bei der Resonanzschärfe und kann weiter als das dielektrische Filter miniaturisiert werden.

Das Oberflächenwellen-Filter hat jedoch den Nachteil des verschlechterten Leistungswiderstandes. Bei einem mit hoher Leistung geladenen Oberflächenwellen-Filter oszillieren seine IDTs in großem Maße und können brechen, und zusätzlich dazu kann es durch Wärme, die durch den elektrischen Widerstand erzeugt wird, zerstört werden, da die feinen Elektroden mit einer hohen Leistung beaufschlagt sind.

Das oben beschriebene zusammengesetzte Oberflächenwellen- Filter arbeitet nach einigen Minuten bei einer hohen Leistung von 5 W nicht mehr. Dies ergibt sich daraus, daß die IDTs sich aufgrund von Migration verschlechtern. Da die Frequenz, bei der die hohe Leistung zugeführt wird, innerhalb des Bereichs des Paßbandes ist, sind die Resonatoren in den seriellen Armen im Resonanzzustand (serielle Resonanz), während die Resonatoren in den parallelen Armen im Antiresonanzzustand (parallele Resonanz) sind.

Dies bedeutet, daß die Resonatoren in den seriellen Armen in einen Ein-Zustand gelangen, während die Resonatoren in den parallelen Armen in einen Aus-Zustand gelangen. In ei­ ner solchen Situation erreicht die den IDTs 16a in den Re­ sonatoren in den seriellen Armen zugeführte Spannung den Unterwert, während die den IDTs 17a in den Resonatoren in den parallelen Armen den Spitzenwert erreichen. Folglich wird die Migration bei den Resonatoren in den parallelen Armen größer, und aufgrund dessen bewirkt eine geringe Lei­ stung, daß, die Resonatoren in den parallelen Armen zerstört werden.

Es wurde somit festgestellt, daß die im Stand der Technik bekannten Filter, nämlich das dielektrische Filter und das Oberflächenwellen-Filter vorteilhaft in einem Aspekt und nachteilig im anderen Aspekt entgegengesetzt zueinander sind, und beide Filter können nicht alle Anforderungen für Miniaturisierung, Selektivität und Leistungswiderstandsfähigkeit erfüllen.

Dementsprechend ist eine Aufgabe der Erfindung ein Hochfre­ quenzfilter zu schaffen, das alle Anforderungen hinsicht­ lich Miniaturisierung, hoher Selektivität und hoher Lei­ stungswiderstandsfähigkeit erfüllt.

Diese Aufgabe wird mit dem Hochfrequenzfilter nach Anspruch 1 gelöst. Die abhängigen Ansprüche geben vorteilhafte Ausführungsorten der Erfindung an.

Das beanspruchte Hochfrequenzfilter arbeitet ähnlich dem be­ kannten zusammengesetzten Hochfrequenzfilter (Fig. 8), das nur durch Oberflächenwellen-Resonatoren gebildet ist, während es eine eigene Filtercharakteristik zeigt.

Falls der Resonanzpunkt des Resonators in den seriellen Ar­ men und der Antiresonanzpunkt des Resonators in den paral­ lelen Armen miteinander übereinstimmen, werden Signale in der Nähe der Frequenz durchgelassen, da der Resonator in den seriellen Armen in einen EIN-Zustand gelangt, während der Resonator in den parallelen Armen in einen AUS-Zustand gelangt. Andererseits kommt der Resonator in den seriellen Armen am Antiresonanzpunkt in den AUS-Zustand, und aufgrunddessen erscheint ein Dämpfungspol auf der Seite der Frequenzen, die höher als das Paßband sind. Desweiteren ge­ langt der Resonator in den Parallelarmen in einen EIN-Zu­ stand im Resonanzpunkt und aufgrunddessen erscheint ein Dämpfungspol selbst auf der Seite der Frequenzen, die nied­ riger als das Paßband sind.

Die Frequenz, bei der Hochleistung zugeführt wird, ist nor­ malerweise innerhalb des Bereichs des Paßbandes, und die einem IDT (Inter-Digital-Transducer) im Akustik-Oberflä­ chenwellen-Resonator zugeführte Spannung geht nach unten, da der Resonator in den seriellen Armen im Paßband in den EIN-Zustand gelangt. Da der Oberflächenwellen-Resonator als Resonator in den seriellen Armen verwendet wird, besteht eine extrem geringe Gefahr, daß der Oberflächenwellen- Resonator zerstört wird.

Der dielektrische Resonator (Keramikfilter) des Resonators in den paral­ lelen Armen gelangt in einen AUS-Zustand in der gleichen Situation, hohe Spannung wird ihm zugeführt. Da jedoch der dielektrische Resonator hinsichtlich des Leistungswider­ standsverhaltens exzellent ist, wird der Resonator in den parallelen Armen nicht zerstört. Somit ist seine Leistungs- Widerstandsfähigkeit deutlich erhöht, verglichen für den Fall, indem beide, der Resonator in den seriellen Armen und der Resonator in den parallelen Armen, Oberflächenwellen- Resonatoren sind.

Desweiteren kann der als Resonator in den parallelen Armen verwendete Oberflächenwellen-Resonator eine hohe Selektivität wie das zusammengesetzte Filter aus Oberflächenwellen-Resonatoren aufweisen.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der beigefügten Zeichnung näher erläutert.

Fig. 1 ist eine Perspektivdarstellung eines Hochfrequenz­ filters,

Fig. 2 ist eine Perspektivdarstellung eines koaxial ausgebildeten dielektrischen Resonators (im Folgenden als "Koaxialresonator" bezeichnet),

Fig. 3 ist eine schematische Aufsicht auf einen Akustik- Oberflächenwellen-Resonator,

Fig. 4 ist eine Aufsicht auf ein Montagesubstrat,

Fig. 5 ist ein Graph zur Erläuterung der Frequenzcharakte­ ristika der Übertragungsrate des Hochfrequenzfilters,

Fig. 6 ist ein Graph zur Erläuterung der Beziehung einer Zufuhrleistung mit der Lebensdauer des Hochfrequenzfilters,

Fig. 7 ist eine Perspektivdarstellung eines dielektrischen Filters,

Fig. 8 ist eine schematische Aufsicht eines zusammengesetz­ ten Hochfrequenzfilters mit einem Akustik-Oberflächenwel­ len-Resonator (Akustik-Oberflächenwellen-Filter), und

Fig. 9 ist ein Schaltungsdiagramm einer Einheit mit Filter­ funktion in dem Akustik-Oberflächenwellen-Filter.

Wie Fig. 1 zeigt, umfaßt ein Ausführungsbeispiel des beanspruchten Hochfre­ quenzfilters ein Montagesubstrat 1, drei dielektrische Ko­ axialresonatoren 2 und zwei Akustik-Oberflächen-Resonatoren 3. Die Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren 3 bilden die Resonatoren in den seriellen Armen und sind mit Signal-Ein­ gangs-/Ausgangs-Leitungen 4 in Reihe geschaltet. Die di­ elektrischen Koaxialresonatoren 2 bilden die Resonatoren in den parallelen Armen und sind jeweils an einem der Eingangs- /Ausgangs-Anschlüsse (später beschriebene Elektrodenmuster 4d bis 4f) mit der Signal-Eingangs-/Ausgangs-Leitung 4 verbunden und mit dem anderen (später beschriebene Kurz­ schlußelektroden) mit einem Masseelement 5.

Das Hochfrequenzfilter hat eine Größe von 6,0 × 7,5 × 3,1 mm³ (0,14 cc) und hat im wesentlichen das gleiche Volumen wie das bekannte dielektrische Filter. Fig. 2 ist eine Per­ spektivdarstellung des dielektrischen Koaxialresonators 2. Der dielektrische Koaxialresonator 2 ist als rechtwinkliges Parallelepiped mit etwa 2,5 mm Länge mal etwa 2,5 mm Breite mal etwa 5,0 mm Dicke ausgebildet. Ein dielektrischer Block 2a, der den dielektrischen Koaxialresonator 2 bildet, ist beispielsweise aus Keramiken des Li₂O-CaO-SrO-Sm₂O₃-TiO₂- Systems zusammengesetzt (dielektrische Konstante ε_r = 110).

Der dielektrische Block 2a hat ein Durchgangsloch von 0,8 mm Durchmesser in Längsrichtung in seinem Mittenteil. Die innere Umfangsfläche des Durchgangslochs ist mit einem inneren Leitungselement 2b mittels eines chemischen Kupferniederschlag beschichtet, während die Außenumfangsfläche des di­ elektrischen Blocks 2a entsprechend mit einem Außenlei­ tungselement 2c mittels eines chemischen Kupferniederschlag (electroless copper plating) beschichtet ist.

Eine der beiden Flächen, die senkrecht zu dem Durchgangs­ loch verlaufen (Vorderfläche in Fig. 2), ist geöffnet, wäh­ rend die andere Endfläche kurzgeschlossen ist. Insbesondere ist eine Kurzschlußelektrode auf der Rückfläche (nicht sichtbare versteckte Fläche des dielektrischen Blocks 2a) ausgebildet, um den Koaxialresonator 2 kurzzuschließen.

Fig. 3 ist eine schematische Aufsicht auf die Oberfläche des Akustikwellenresonators 3. Der Akustik-Oberflächen­ wellen-Resonator 3 hat ein piezoelektrisches Substrat 3a aus LiNbO₃ oder dgl., ein IDT (Inter-Digital-Transducer) 3b darauf und ein paar Reflektoren 3c auf gegenüberliegenden Seiten des IDT. Der IDT 3b hat eine Elektrodenfingerbreite von 0,7 µm, einen Elektrodenfingerzyklus von 1,4 µm und eine Elektrodenfingerlänge von 40 µm, und es sind 180 Elek­ trodenfinger vorhanden. Der Reflektor 3c umfaßt 300 Reflek­ torelemente.

Fig. 4 ist eine Aufsicht auf das Montagesubstrat 1. Das Montagesubstrat ist aus Aluminiumoxid mit 0,635 mm Dicke gebildet. Auf dem Montagesubstrat sind Elektrodenmuster 4a, 4b und 4c ausgebildet, die als Signal-Eingangs-/Ausgangs- Leitung 4 arbeiten. Da die Akustik-Oberflächenwellen- Resonatoren 3 jeweils zwischen den Elektrodenmustern 4a und 4b und zwischen den Elektrodenmustern 4b und 4c auszubilden sind, liegen Bereiche 1a und 1b in den entsprechenden Flä­ chen. Desweiteren sind Elektrodenmuster 4d, 4e und 4f ausgebildet, die sich jeweils von den Elektrodenmustern 4a, 4b und 4c in Richtung auf die Bereiche 1c, 1d und 1e er­ strecken, in denen die dielektrischen Koaxialresonatoren 2 anzuordnen sind.

Wie aus Fig. 4 ersichtlich ist, sind die Elektrodenmuster in drei T-Formen angeordnet, d. h. die Elektrodenmuster 4a und 4d, 4b und 4e und 4c und 4f sind jeweils in T-förmigen Mustern gepaart.

Diese T-förmigen Muster sind Seite an Seite miteinander an­ geordnet, und die Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren 3 sind in den Bereichen 1a und 1b zwischen aneinandergren­ zende seitliche Schenkel der T-Formen angeordnet (zwischen den Elektrodenmustern 4a und 4b, 4b und 4c). Die Längs­ schenkel der T-förmigen Muster (Elektrodenmuster 4d, 4e und 4f) sind zur kapazitiven Kopplung mit den dielektrischen Koaxialresonatoren 2 angeordnet. Die Akustik- Oberflächenwellen-Resonatoren 3 sind mit leitfähigem Mate­ rial verlötet, während die dielektrischen Koaxialresonato­ ren 2 durch ein isolierendes Haftmittel verbunden sind.

Die jeweiligen Enden der entsprechenden seitlichen Schenkel der T-förmigen Muster an entgegengesetzten Enden (Elektrodenmuster 4a und 4c) auf dem Montagesubstrat 1 erstrecken sich zu den Seiten des Montagesubstrats 1. Das Massenelement 5 ist auf gegenüberliegenden Seiten des Montagesubstrats 1 ausgebildet.

Wie vorstehend bemerkt, erlaubt die Kopplung der dielektri­ schen Koaxialresonatoren 2 durch das isolierende Haftmit­ tel, daß eine Kapazität zwischen dem inneren Leitungs­ element 2b des dielektrischen Koaxialresonators 2 und den Elektrodenmustern 4d, 4e und 4f erzeugt wird, wobei die dielektrischen Resonatoren 2 eine Doppelresonanzcharakteri­ stik aufweisen, bei der die Resonanzfrequenz (serielle Resonanzfrequenz) geringfügig höher ist als die Antireso­ nanzfrequenz (parallele Resonanzfrequenz), ähnlich den Aku­ stik-Oberflächenwellen-Resonatoren 3.

Der Resonanzpunkt des Akustik-Oberflächenwellen-Resonators 3, der die Resonatoren in den seriellen Armen bildet, und der Antiresonanzpunkt des dielektrischen Koaxialresonators 2, der den Resonator in den parallelen Armen bildet, stim­ men miteinander überein, und aufgrunddessen werden Signale in der Nähe der Frequenz durchgelassen, da der Akustik- Oberflächenwellen-Resonator 3 in den EIN-Zustand gelangt, während der dielektrische Koaxialresonator 2 in den AUS-Zustand gelangt. Da andererseits der Akustik-Oberflächenwel­ len-Resonator 3 einen AUS-Zustand am Antiresonanzpunkt ein­ nimmt, erscheint ein Dämpfungspol auf der Seite der Fre­ quenzen, die höher als die im Paßband sind. Desweiteren nimmt der dielektrische Koaxialresonator 2 einen EIN-Zu­ stand am Resonanzpunkt ein, und aufgrunddessen erscheint ein Dämpfungspol auch auf der Seite der Frequenzen, die niedriger als das Paßband sind.

Die Frequenz, bei der hohe Leistung zugeführt wird, ist normalerweise innerhalb des Bereichs des Paßbandes, und die Spannung, die dem IDT 3b im Akustik-Oberflächenwellen-Reso­ nator 3 zugeführt wird, geht nach unten, da der Akustik- Oberflächenwellen-Resonator 3 den EIN-Zustand im Paßband einnimmt. Da der Akustik-Oberflächenwellen-Resonator 3 als der Resonator in den seriellen Armen verwendet wird, be­ steht eine extrem geringe Möglichkeit, daß der Akustik- Oberflächenwellen-Resonator 3 zerstört wird. Obwohl eine hohe Spannung dem dielektrischen Koaxialresonator 3 zuge­ führt wird, da er in derselben Situation einen AUS-Zustand einnimmt, ist der dielektrische Koaxialresonator 2 derartig exzellent hinsichtlich des Leistungswiderstandes, daß er nicht zerstört wird.

Fig. 6 ist ein Graph zur Erläuterung einer Beziehung zwi­ schen der zugeführten Leistung und der Lebensdauer, wobei die Lebensdauer des bekannten zusammengesetzten Filters aus Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren durch die unterbro­ chene Linie dargestellt ist, während die Lebensdauer des erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters durch eine durchgezo­ gene Linie wiedergegeben ist. Wie aus dem Graphen ersicht­ lich ist, ist die Erhöhung der Leistungswiderstandsfähig­ keit von etwa einer Größenordnung oder mehr Erhöhung der Lebensdauer begleitet. Da desweiteren der Akustik-Oberflä­ chenwellen-Resonator 2, der den Resonator in den seriellen Armen bildet, verwendet wird, hat das Hochfrequenzfilter, wie durch die durchgezogene Linie in Fig. 5 dargestellt ist, eine Selektivität, die so hoch wie bei dem zusammenge­ setzten Filter mit Akustik-Oberflächenwellen-Resonator vor­ handen ist (unterbrochene Linie).

Somit kann das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter alle Forderungen der erhöhten Miniaturisierung, Selektivität und Leistungswiderstandsfähigkeit erfüllen.

Da desweiteren die Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren 3 und die dielektrischen Koaxialresonatoren 2 auf demselben Montagesubstrat 1 angeordnet sind, kann das Hochfrequenz­ filter einfacher miniaturisiert werden, verglichen mit dem Fall, bei dem diese Komponenten auf separaten Substraten ausgebildet sind.

Die Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren 3 und die dielek­ trischen Koaxialresonatoren 2 sind durch die auf dem Monta­ gesubstrat 1 gebildeten Elektrodenmuster 4a bis 4f verbun­ den, und dies erleichtert die Herstellung, verglichen mit den Fall, in dem die Verbindungen dieser Komponenten durch Verdrahtungen od. dgl. gebildet werden.

Desweiteren bringen die Elektrodenmuster 4a bis 4f, die ge­ mäß Fig. 4 angeordnet sind, ein optimales Layout der Reso­ natoren 2 und 3, und somit kann die Fläche des Montagesub­ strats 1 für eine gesteigerte Miniaturisierung des Hochfre­ quenzfilters reduziert werden. Die seitlichen Schenkel der T-förmigen Muster an entgegengesetzten Enden des Montage­ substrats 1 (Elektrodenmuster 4a und 4c) sind jeweils zu den Seiten des Montagesubstrats 1 verlängert, und dies er­ leichtert die elektrische Verbindung anderer Schaltungen zu den Seiten durch Löten oder andere Mittel. Der gleiche Ef­ fekt kann weiter erhöht werden, da das Masseelement 5 an den Seiten des Montagesubstrats ausgebildet ist.

Claims (6)

1. Hochfrequenzfilter mit verkettet hintereinandergeschalteten Filtereinheiten (2, 3), wobei jede Filtereinheit einen seriellen Arm aufweist, in dem ein Resonator (3) liegt, der in Reihe zur Signalleitung geschaltet ist, und einen parallelen Arm, in dem ein Resonator (2) liegt, dessen Eingangsanschluß (4c) mit der Signalleitung und dessen Ausgangsanschluß (4a) mit einer Masseleitung (5) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Resonator (3) im seriellen Arm jeweils ein Oberflächenwellen-Resonator ist, während der Resonator (2) im parallelen Arm ein Keramikfilter ist.

2. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 1, wobei der Oberflächenwellen-Resonator (3) und der Keramikfilter (2), der einen dielektrischen Resonator ent­ hält, auf einem einzigen Montagesubstrat (1) angeordnet sind.

3. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 2, wobei der Oberflächenwellen-Resonator (3) und der dielektrische Resonator (2) durch ein Elektrodenmuster (4a, 4b, 4c, 4d), das auf dem Montagesubstrat (1) ausgebildet ist, verbunden sind.

4. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 3, bei dem das Elektro­ denmuster (4a, 4b, 4c, 4d) eine Anzahl T-förmiger Muster, die seitlich aneinander angeordnet sind, aufweist, der Oberflächenwellen-Resonator (3) zwischen seitlichen Schenkeln aneinandergrenzender T-förmiger Muster derart angeordnet ist, daß er elektrisch mit den seitlichen Schenkeln verbunden ist und der Keramikfilter mit einem Längsschenkel der T-förmigen Muster kapazitiv gekoppelt ist.

5. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 4, wobei die seitlichen Schenkel der T-förmigen Muster an ent­ gegengesetzt gelegenen Enden des Montagesubstrats (1) zu den Seiten des Montagesubstrats verlängert sind.

6. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 4, wobei das Masseelement (5) an den Seiten des Montagesubstrats (1) ausgebildet ist.