DE4445002A1 - Hochfrequenzfilter - Google Patents
HochfrequenzfilterInfo
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- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 30
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 claims 1
- 240000008881 Oenanthe javanica Species 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100033674 Mus musculus Ren2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150107341 RERE gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
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- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
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- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
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Description
Die Erfindung betrifft ein Hochfrequenzfilter für bei
spielsweise ein tragbares Kommunikationsgerät.
Der Bedarf nach kompakteren und zuverlässigeren portablen
Kommunikationsgeräten einschließlich tragbarer Telefone
(cellular telephone) und Autotelefone steigt. Somit ist es
wünschenswert, daß ein in einem solchen Gerät verwendetes
Hochfrequenzfilter kleiner, selektiver und leistungswider
standsfähiger ist.
Bekannte Hochfrequenzfilter umfassen solche mit einem di
elektrischen Resonator (japanische nichtgeprüfte Patentver
öffentlichung Nr. 110503/1989) und solche mit einem Aku
stik-Oberflächenwellen-Resonator (japanische ungeprüfte Pa
tentveröffentlichung Nr. 260911/1989).
Fig. 7 ist eine Perspektivdarstellung eines Hochfrequenz
filters, das einen dielektrischen Resonator (im Folgenden
als "dielektrisches Filter" bezeichnet) verwendet. Das di
elektrische Filter ist aus zwei dielektrischen Resonatoren
11 aufgebaut, die auf einem Aluminiumoxid-Substrat 12 (alu
mina) befestigt sind. Das dielektrische Filter ist ferner
mit Eingangs-/Ausgangs-Elektroden 13 und 14 an einer Seite
des Aluminiumoxid-Substrats 12 versehen, um Hochfrequenzsi
gnale zu empfangen oder auszugeben.
Fig. 8 ist eine schematische Aufsicht auf einen zusammenge
setztes Hochfrequenzfilter mit einem Akustik-Oberflächen
wellen-Resonator (im Folgenden als "Akustik-Oberflächenwel
len-Filter") bezeichnet.
Fig. 9 ist ein Schaltungsdiagramm einer Einheit mit Filter
funktion in dem Akustik-Oberflächenwellen-Filter.
Das Akustik-Oberflächenwellen-Filter hat serielle Akustik-
Oberflächenwellen-Resonatoren 16 und parallele Akustik-
Oberflächenwellen-Resonatoren 17, die sich voneinander hin
sichtlich der Resonanzfrequenz unterscheiden und auf einem
piezoelektrischen Substrat 15 angeordnet und elektrisch
miteinander verbunden sind, und es verwendet einen Unter
schied der Impedanz bezüglich der Frequenz zwischen den se
riellen Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren 16 und den
parallelen Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren 17, um ein
Bandpaßfilter zu schaffen. Die Akustik-Oberflächenwellen-
Resonatoren 16 und 17 haben ihre jeweiligen IDTs (Inter-Di
gital-Transducer) 16a und 17a und Paare von Reflektorele
menten 16b und 17b auf entgegengesetzten Seiten jedes der
IDTs.
Das dielektrische Filter hat einen Nachteil hinsichtlich
der verschlechterten Selektivität aufgrund seiner Frequenz
charakteristik der Übertragungsrate, wie durch die Strich-
Punkt-Linie in Fig. 5 dargestellt ist. Dies beruht im we
sentlichen auf der Miniaturisierung des dielektrischen Re
sonators. Insbesondere gibt es eine Beziehung zwischen der
Resonanzschärfe (Q-Wert) des dielektrischen Resonators und
seiner Form dahingehend, daß je kleiner die Form ist, desto
größer die Selektivität wird, und somit muß die Form ver
größert werden, um die Selektivität zu steigern.
Die in einem (Cellular)-Telefon enthaltenen Komponenten ha
ben eine Dicke von etwa 1-4 mm, und ein dielektrisches
Filter einer solchen Dicke erreicht lediglich eine Reso
nanzschärfe von etwa einigen Hundert. Das dielektrische
Filter ist jedoch exzellent hinsichtlich der
Leistungswiderstandsfähigkeit und zeichnet sich dadurch
aus, daß seine Filtercharakteristik kaum durch eine Lei
stung von einigen Watt oder so beeinflußt wird.
Das Akustik-Oberflächenwellen-Filter hat eine Frequenzcha
rakteristik der Übertragungsrate, die durch die unterbro
chene Linie in Fig. 5 dargestellt ist, und es ist somit ex
zellent hinsichtlich der Selektivität, das heißt es er
reicht einige Tausend bei der Resonanzschärfe und kann wei
ter als das dielektrische Filter miniaturisiert werden.
Das Akustik-Oberflächenwellen-Filter hat jedoch den Nach
teil des verschlechterten Leistungswiderstandes. Bei einem
mit hoher Leistung geladenen Akustik-Oberflächenwellen-Fil
ter oszillieren seine IDTs in großem Maße und können bre
chen, und zusätzlich dazu kann es durch Wärme, die durch
den elektrischen Widerstand erzeugt wird, zerstört werden,
da die feinen Elektroden mit einer hohen Leistung beauf
schlagt sind.
Das oben beschriebene zusammengesetzte Akustik-Oberflächen
wellen-Filter arbeitet nach einigen Minuten bei einer hohen
Leistung von 5 W nicht mehr. Dies ergibt sich daraus, daß
die IDTs sich aufgrund von Migration verschlechtern. Da die
Frequenz, bei der die hohe Leistung zugeführt wird, inner
halb des Bereichs des Paßbandes ist, sind die Resonatoren
in den seriellen Armen im Resonanzzustand (serielle Reso
nanz), während die Resonatoren in den parallelen Armen im
Antiresonanzzustand (parallele Resonanz) sind.
Dies bedeutet, daß die Resonatoren in den seriellen Armen
in einen Ein-Zustand gelangen, während die Resonatoren in
den parallelen Armen in einen Aus-Zustand gelangen. In ei
ner solchen Situation erreicht die den IDTs 16a in den Re
sonatoren in den seriellen Armen zugeführte Spannung den
Unterwert, während die den IDTs 17a in den Resonatoren in
den parallelen Armen die Spitze erreichen. Folglich wird
die Migration bei den Resonatoren in den parallelen Armen
größer, und aufgrund dessen bewirkt eine geringe Leistung,
daß die Resonatoren in den parallelen Armen zerstört wer
den.
Es wurde festgestellt, daß das dielektrische Filter und das
Akustik-Oberflächenwellen-Filter vorteilhaft in einem
Aspekt und nachteilig im anderen Aspekt im Widerspruch zu
einander sind, und beide Filter können nicht alle Anforde
rungen für Miniaturisierung, Selektivität und Leistungswi
derstandsfähigkeit erfüllen.
Dementsprechend ist eine Aufgabe der Erfindung ein Hochfre
quenzfilter zu schaffen, das alle Anforderungen hinsicht
lich Miniaturisierung, hoher Selektivität und hoher Lei
stungswiderstandsfähigkeit erfüllt.
Das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter hat eine oder meh
rere Einheiten mit Filterfunktion, von denen jede einen Re
sonator in den seriellen Armen aufweist, dessen Eingangs-
/Ausgangs-Anschlüsse mit Signalleitungen in Reihe geschal
tet sind, und einen Resonator in den parallelen Armen, des
sen einer Eingangs-/Ausgangs-Anschluß mit der Signalleitung
und dessen anderer Eingangs-/Ausgangs-Anschluß geerdet ist,
wobei der Resonator in den seriellen Armen durch einen Aku
stik-Oberflächenwellen-Resonator gebildet ist, während der
Resonator in den parallelen Armen durch einen dielektri
schen Resonator gebildet ist.
Ein derartiges Hochfrequenzfilter arbeitet ähnlich dem be
kannten zusammengesetzten Hochfrequenzfilter, das nur durch
Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren gebildet ist, während
er eine eigene Filtercharakteristik zeigt.
Falls der Resonanzpunkt des Resonators in den seriellen Ar
men und der Antiresonanzpunkt des Resonators in den paral
lelen Armen miteinander übereinstimmen, werden Signale in
der Nähe der Frequenz durchgelassen, da der Resonator in
den seriellen Armen in einen EIN-Zustand gelangt, während
der Resonator in den parallelen Armen in einen AUS-Zustand
gelangt. Andererseits kommt der Resonator in den seriellen
Armen am Antiresonanzpunkt in den AUS-Zustand, und auf
grund dessen erscheint ein Dämpfungspol auf der Seite der
Frequenzen, die höher als das Paßband sind. Desweiteren ge
langt der Resonator in den Parallelarmen in einen EIN- Zu
stand im Resonanzpunkt und aufgrund dessen erscheint ein
Dämpfungspol selbst auf der Seite der Frequenzen, die nied
riger als das Paßband sind.
Die Frequenz, bei der Hochleistung zugeführt wird, ist nor
malerweise innerhalb des Bereichs des Paßbandes, und die
einem IDT (Inter-Digital-Transducer) im Akustik-Oberflä
chenwellen-Resonator zugeführte Spannung geht nach unten,
da der Resonator in den seriellen Armen im Paßband in den
EIN-Zustand gelangt. Da der Akustik-Oberflächenwellen-Reso
nator als Resonator in den seriellen Armen verwendet wird,
besteht eine extrem geringe Möglichkeit, daß der Akustik-
Oberflächenwellen-Resonator zerstört wird.
Der dielektrische Resonator des Resonators in den paral
lelen Armen gelangt in einen AUS-Zustand in der gleichen
Situation, hohe Spannung wird ihm zugeführt. Da jedoch der
dielektrische Resonator hinsichtlich des Leistungswider
standsverhaltens exzellent ist, wird der Resonator in den
parallelen Armen nicht zerstört. Somit ist seine Leistungs-
Widerstandsfähigkeit deutlich erhöht, verglichen für den
Fall, indem beide, der Resonator in den seriellen Armen und
der Resonator in den parallelen Armen, Akustik-Oberflächen
wellen-Resonatoren sind.
Desweiteren kann der als Resonator in den parallelen Armen
verwendete Akustik-Oberflächenwellen-Resonator eine hohe
Selektvität wie das zusammengesetzte Filter aus Akustik-
Oberflächenwellen-Resonatoren aufweisen.
Das Patent Nr. 5254962 der Vereinigten Staaten beschreibt
eine kombinierte Akustikwellen-Vorrichtung und eine Kera
mikblock-Filterstruktur. Eine Akustikwellen-Vorrichtung
kann, wie andere elektronische Vorrichtungen, in den Seiten
von Keramikblocks, die eine Keramikblock-Filtervorrichtung
bilden, montiert werden. Die Akustik-Oberflächenwellenvor
richtung, die in dem Filterblock montiert ist, erfordert
oder verlagert kein Volumen, das zum Montieren der Akustik-
Oberflächenwellen-Vorrichtungen in ihren eigenen Gehäusen
erforderlich wäre.
Bei der obengenannten Struktur ist jedoch die Akustikwel
lenvorrichtung in Keramikblöcke eingefügt, die die Keramik
block-Filtervorrichtung bilden, um das Gesamtvolumen zu re
duzieren, und die Keramikblock-Filtervorrichtung oder Aku
stikwellenvorrichtung bildet nicht den Resonator in den se
riellen Armen oder den parallelen Armen.
Die vorstehenden Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile
der Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Be
schreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen
deutlich.
Fig. 1 ist eine Perspektivdarstellung eines Hochfrequenz
filters gemäß der Erfindung,
Fig. 2 ist eine Perspektivdarstellung eines dielektrischen
Koaxialresonators,
Fig. 3 ist eine schematische Aufsicht auf einen Akustik-
Oberflächenwellen-Resonator,
Fig. 4 ist eine Aufsicht auf ein Montagesubstrat,
Fig. 5 ist ein Graph zur Erläuterung der Frequenzcharakte
ristika der Übertragungsrate des Hochfrequenzfilters gemäß
der Erfindung und des bekannten Hochfrequenzfilters,
Fig. 6 ist ein Graph zur Erläuterung der Beziehung einer
Zufuhrleistung mit der Lebensdauer des Hochfrequenzfilters
gemäß der Erfindung und des bekannten Akustik-Oberflächen
wellen-Hochfrequenzfilters,
Fig. 7 ist eine Perspektivdarstellung eines dielektrischen
Filters,
Fig. 8 ist eine schematische Aufsicht eines zusammengesetz
ten Hochfrequenzfilters mit einem Akustik-Oberflächenwel
len-Resonator (Akustik-Oberflächenwellen-Filter), und
Fig. 9 ist ein Schaltungsdiagramm einer Einheit mit Filter
funktion in dem Akustik-Oberflächenwellen-Filter.
Wie Fig. 1 zeigt, umfaßt ein erfindungsgemäßes Hochfre
quenzfilter ein Montagesubstrat 1, drei dielektrische Ko
axialresonatoren 2 und zwei Akustik-Oberflächen-Resonatoren
3. Die Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren 3 bilden die
Resonatoren in den seriellen Armen und sind mit Signal-Ein
gangs-/Ausgangs-Leitungen 4 in Reihe geschaltet. Die di
elektrischen Koaxialresonatoren 2 bilden die Resonatoren in
den parallelen Armen und jeweils an einem der Eingangs-
/Ausgangs-Anschlüsse (später beschriebene Elektrodenmuster
4d bis 4f) mit der Signal-Eingangs-/Ausgangs-Leitung 4 ver
bunden und mit dem anderen (später beschriebene Kurz
schlußelektroden) mit einem Masseelement 5.
Das Hochfrequenzfilter hat eine Größe von 6,0×7,5×3,1
mm³ (0,14 cc) und hat im wesentlichen das gleiche Volumen
wie das bekannte dielektrische Filter. Fig. 2 ist eine Per
spektivdarstellung des dielektrischen Koaxialresonators 2.
Der dielektrische Koaxialresonator 2 ist als rechtwinkliges
Parallelepiped mit etwa 2,5 mm Länge mal etwa 2,5 mm Breite
mal etwa 5,0 mm Dicke ausgebildet. Ein dielektrischer Block
2a, der den dielektrischen Koaxialresonator 2 bildet, ist
beispielsweise aus Keramiken des Li₂O-CaO-SrO-Sm₂O₃-TiO₂-
Systems zusammengesetzt (dielektrische Konstante εr = 110).
Der dielektrische Block 2a hat ein Durchgangsloch von
0,8 mm Durchmesser in Längsrichtung in seinem Mittenteil.
Die innere Umfangsfläche des Durchgangslochs ist mit einem
inneren Leitungselement 2b mittels elektrolosem Kupferplat
tieren beschichtet, während die Außenumfangsfläche des di
elektrischen Blocks 2a entsprechend mit einem Außenlei
tungselement 2c mittels elektrolosem Kupferplattieren be
schichtet ist.
Eine der beiden Flächen, die senkrecht zu dem Durchgangs
loch verlaufen (Vorderfläche in Fig. 2), ist geöffnet, wäh
rend die andere Endfläche kurzgeschlossen ist. Insbesondere
ist eine Kurzschlußelektrode auf der Rückfläche (nicht
sichtbare versteckte Fläche des dielektrischen Blocks 2a)
ausgebildet, um den Koaxialresonator 2 kurzzuschließen.
Fig. 3 ist eine schematische Aufsicht auf die Oberfläche
des Akustikwellenresonators 3. Der Akustik-Oberflächen
wellen-Resonator 3 hat ein piezoelektrisches Substrat 3a
aus LiNbO₃ oder dgl., ein IDT (Inter-Digital-Transducer) 3b
darauf und ein paar Reflektoren 3c auf gegenüberliegenden
Seiten des IDT. Der IDT 3b hat eine Elektrodenfingerbreite
von 0,7 µm, einen Elektrodenfingerzyklus von 1,4 µm und
eine Elektrodenfingerlänge von 40 µm, und es sind 180 Elek
trodenfinger vorhanden. Der Reflektor 3c umfaßt 300 Reflek
torelemente.
Fig. 4 ist eine Aufsicht auf das Montagesubstrat 1. Das
Montagesubstrat ist aus Aluminiumoxid mit 0,635 mm Dicke
gebildet. Auf dem Montagesubstrat sind Elektrodenmuster 4a,
4b und 4c ausgebildet, die als Signal-Eingangs-/Ausgangs-
Leitung 4 arbeiten. Da die Akustik-Oberflächenwellen-
Resonatoren 3 jeweils zwischen den Elektrodenmustern 4a und 4b
und zwischen den Elektrodenmustern 4b und 4c auszubilden
sind, liegen Bereiche 1a und 1b in den entsprechenden Flä
chen. Desweiteren sind Elektrodenmuster 4d, 4e und 4f
ausgebildet, die sich jeweils von den Elektrodenmustern 4a,
4b und 4c in Richtung auf die Bereiche 1c, 1d und 1e er
strecken, in denen die dielektrischen Koaxialresonatoren 2
anzuordnen sind.
Wie aus Fig. 4 ersichtlich ist, sind die Elektrodenmuster
in drei T-Formen angeordnet, d. h. die Elektrodenmuster 4a
und 4d, 4b und 4e und 4c und 4f sind jeweils in T-förmigen
Mustern gepaart.
Diese T-förmigen Muster sind Seite an Seite miteinander an
geordnet, und die Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren 3
sind in den Bereichen 1a und 1b zwischen aneinandergren
zende seitliche Schenkel der T-Formen angeordnet (zwischen
den Elektrodenmustern 4a und 4b, 4b und 4c). Die Längs
schenkel der T-förmigen Muster (Elektrodenmuster 4d, 4e und
4f) sind zur kapazitiven Kopplung mit den dielektrischen
Koaxialresonatoren 2 angeordnet. Die Akustik-
Oberflächenwellen-Resonatoren 3 sind mit leitfähigem Mate
rial verlötet, während die dielektrischen Koaxialresonato
ren 2 durch ein isolierendes Haftmittel verbunden sind.
Die einen Enden der entsprechenden seitlichen Schenkel der
T-förmigen Muster an entgegengesetzten Enden (Elektrodenmu
ster 4a und 4c) auf dem Montagesubstrat 1 zu den Seiten des
Montagesubstrats 1. Das Massenelement 5 ist auf den gegen
überliegenden Seiten des Montagesubstrats 1 ausgebildet.
Wie vorstehend bemerkt, erlaubt die Kopplung der dielektri
schen Koaxialresonatoren 2 durch das isolierende Haftmit
tel, daß eine Kapazität, die zwischen dem inneren Leitungs
element 2b des dielektrischen Koaxialresonators 2 und den
Elektrodenmustern 4d, 4e und 4f erzeugt wird, wobei die
dielektrischen Resonatoren 2 eine Doppelresonanzcharakteri
stik aufweisen, in der die Resonanzfrequenz (serielle
Resonanzfrequenz) geringfügig höher ist als die Antireso
nanzfrequenz (parallele Resonanzfrequenz), ähnlich den Aku
stik-Oberflächenwellen-Resonatoren 3.
Der Resonanzpunkt des Akustik-Oberflächenwellen-Resonators
3, der die Resonatoren in den seriellen Armen bildet, und
der Antiresonanzpunkt des dielektrischen Koaxialresonators
2, der den Resonator in den parallelen Armen bildet, stim
men miteinander überein, und aufgrund dessen werden Signale
in der Nähe der Frequenz durchgelassen, da der Akustik-
Oberflächenwellen-Resonator 3 in den EIN-Zustand gelangt,
während der dielektrische Koaxialresonator 2 in den AUS-Zu
stand gelangt. Da andererseits der Akustik-Oberflächenwel
len-Resonator 3 einen AUS-Zustand am Antiresonanzpunkt ein
nimmt, erscheint ein Dämpfungspol auf der Seite der Fre
quenzen, die höher als die im Paßband sind. Desweiteren
nimmt der dielektrische Koaxialresonator 2 einen EIN- Zu
stand am Resonanzpunkt ein, und aufgrund dessen erscheint
ein Dämpfungspol auch auf der Seite der Frequenzen, die
niedriger als das Paßband sind.
Die Frequenz, bei der hohe Leistung zugeführt wird, ist
normalerweise innerhalb des Bereichs des Paßbandes, und die
Spannung, die dem IDT 3b im Akustik-Oberflächenwellen-Reso
nator 3 zugeführt wird, geht nach unten, da der Akustik-
Oberflächenwellen-Resonator 3 den EIN-Zustand im Paßband
einnimmt. Da der Akustik-Oberflächenwellen-Resonator 3 als
der Resonator in den seriellen Armen verwendet wird, be
steht eine extrem geringe Möglichkeit, daß der Akustik-
Oberflächenwellen-Resonator 3 zerstört wird. Obwohl eine
hohe Spannung dem dielektrischen Koaxialresonator 3 zuge
führt wird, da er in derselben Situation einen AUS-Zustand
einnimmt, ist der dielektrische Koaxialresonator 2 derartig
exzellent hinsichtlich des Leistungswiderstandes, daß er
nicht zerstört wird.
Fig. 6 ist ein Graph zur Erläuterung einer Beziehung zwi
schen der zugeführten Leistung und der Lebensdauer, wobei
die Lebensdauer des bekannten zusammengesetzten Filters aus
Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren durch die unterbro
chene Linie dargestellt ist, während die Lebensdauer des
erfindungsgemäßen Hochfrequenzfilters durch eine durchgezo
gene Linie wiedergegeben ist. Wie aus dem Graphen ersicht
lich ist, ist die Erhöhung der Leistungswiderstandsfähig
keit von etwa einer Größenordnung oder mehr Erhöhung der
Lebensdauer begleitet. Da desweiteren der Akustik-Oberflä
chenwellen-Resonator 2, der den Resonator in den seriellen
Armen bildet, verwendet wird, hat das Hochfrequenzfilter,
wie durch die durchgezogene Linie in Fig. 5 dargestellt
ist, eine Selektivität, die so hoch wie bei dem zusammenge
setzten Filter mit Akustik-Oberflächenwellen-Resonator vor
handen ist (unterbrochene Linie).
Somit kann das erfindungsgemäße Hochfrequenzfilter alle
Forderungen der erhöhten Miniaturisierung, Selektivität und
Leistungswiderstandsfähigkeit erfüllen.
Da desweiteren die Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren 3
und die dielektrischen Koaxialresonatoren 2 auf demselben
Montagesubstrat 1 angeordnet sind, kann das Hochfrequenz
filter steigend miniaturisiert werden, verglichen mit dem
Fall, bei dem diese Komponenten auf separaten Substraten
ausgebildet sind.
Die Akustik-Oberflächenwellen-Resonatoren 3 und die dielek
trischen Koaxialresonatoren 2 sind durch die auf dem Monta
gesubstrat 1 gebildeten Elektrodenmuster 4a bis 4f verbun
den, und dies erleichtert die Herstellung, verglichen mit
den Fall, in dem die Verbindungen dieser Komponenten durch
Verdrahtungen od. dgl. gebildet werden.
Desweiteren bringen die Elektrodenmuster 4a bis 4f, die ge
mäß Fig. 4 angeordnet sind, ein optimales Layout der Reso
natoren 2 und 3, und somit kann die Fläche des Montagesub
strats 1 für eine gesteigerte Miniaturisierung des Hochfre
quenzfilters reduziert werden. Die seitlichen Schenkel der
T-förmigen Muster an entgegengesetzten Enden des Montage
substrats 1 (Elektrodenmuster 4a und 4c) sind jeweils zu
den Seiten des Montagesubstrats 1 verlängert, und dies er
leichtert die elektrische Verbindung anderer Schaltungen zu
den Seiten durch Löten oder andere Mittel. Der gleiche Ef
fekt kann weiter erhöht werden, da das Masseelement 5 an
den Seiten des Montagesubstrats ausgebildet ist.
Claims (6)
1. Hochfrequenzfilter mit einer oder mehreren Einheiten mit
Filterfunktion, von denen jede aus einem Resonator in den
seriellen Armen gebildet ist, dessen Eingangs-/Ausgangs-An
schlüsse mit einer Signalleitung in Reihe verbunden sind,
und einem Resonator in den parallelen Armen, dessen einer
Eingangs-/Ausgangs-Anschluß mit der Signalleitung und des
sen anderer mit einem Massenelement verbunden ist, wobei
der Resonator in den seriellen Armen ein Akustik-Oberflä
chenwellen-Resonator ist, während der Resonator in den par
allelen Armen ein dielektrischer Resonator ist.
2. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 1,
wobei der Akustik-Oberflächenwellen-Resonator und der di
elektrische Resonator auf einem einzelnen Montagesubstrat
angeordnet sind.
3. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 2,
wobei der Akustik-Oberflächenwellen-Resonator und der di
elektrische Resonator durch ein Elektrodenmuster, das auf
dem Montagesubstrat ausgebildet ist, verbunden sind.
4. Hochfrequenzfilter mit einer oder mehreren Einheiten mit
Filterfunktion, von denen jede einen Resonator in den seri
ellen Armen aufweist, dessen Eingangs-/Ausgangs-Anschluß
mit einer Signalleitung in Reihe geschaltet ist und einem
Resonator in den parallelen Armen, dessen einer Eingangs-
/Ausgangs-Anschluß mit der Signalleitung und dessen anderer
mit einem Massenelement verbunden ist, wobei der Resonator
in den seriellen Armen ein Akustik-Oberflächenwellen-Reso
nator ist, während der Resonator in den parallelen Armen
ein dielektrischer Resonator ist, wobei der Akustik-Ober
flächenwellen-Resonator und der dielektrische Resonator auf
einem einzelnen Montagesubstrat angeordnet sind, der Aku
stik-Oberflächenwellen-Resonator und der dielektrische Re
sonator über ein Elektrodenmuster, das auf dem Montagesub
strat ausgebildet ist, verbunden sind, wobei das Elektro
denmuster eine Anzahl T-förmiger Muster, die seitlich an
einander angeordnet sind, aufweist, der Akustik-Oberflä
chenwellen-Resonator zwischen seitlichen Schenkeln aneinan
dergrenzender T-förmiger Muster derart angeordnet ist, daß
er elektrisch mit den seitlichen Schenkeln verbunden ist,
und der dielektrische Resonator zur Kapazitätskopplung mit
irgendeinem der Längsschenkel der T-förmigen Muster ange
ordnet ist.
5. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 4,
wobei die seitlichen Schenkel der T-förmigen Muster an ent
gegengesetzt gelegenen Enden des Montagesubstrats zu den
Seiten des Montagesubstrats verlängert sind.
6. Hochfrequenzfilter nach Anspruch 4,
wobei das Massenelement an den Seiten des Montagesubstrats
ausgebildet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5318128A JPH07176912A (ja) | 1993-12-17 | 1993-12-17 | 高周波フィルタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4445002A1 true DE4445002A1 (de) | 1995-06-22 |
DE4445002C2 DE4445002C2 (de) | 2002-10-31 |
Family
ID=18095824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4445002A Expired - Fee Related DE4445002C2 (de) | 1993-12-17 | 1994-12-16 | Hochfrequenzfilter |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5808523A (de) |
JP (1) | JPH07176912A (de) |
DE (1) | DE4445002C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19619750A1 (de) * | 1996-05-15 | 1997-11-20 | Thomson Brandt Gmbh | Verstärkerschaltung mit Filter für digitale und analoge Signale |
EP0813298A2 (de) * | 1996-06-14 | 1997-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Hochfrequenzfilter |
US6542725B2 (en) | 1996-05-15 | 2003-04-01 | Thomson Licensing S.A. | Amplifier circuit arrangement for alternatively processing a digital or an analog signal |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1035648A3 (de) * | 1999-03-10 | 2000-12-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bereichsumschaltbares Filter mit einem Oberflächenwellenresonator und Antennenduplexer mit solch einem Filter |
NO323325B1 (no) * | 2005-08-11 | 2007-03-19 | Norspace As | Elektronisk filter |
US10283830B2 (en) * | 2017-01-23 | 2019-05-07 | Nokia Solutions And Networks Oy | Hybrid TM-TE-TM triple-mode ceramic air cavity filter |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0541284A1 (de) * | 1991-10-28 | 1993-05-12 | Fujitsu Limited | Akustisches Oberflächenwellenfilter |
US5254962A (en) * | 1992-06-19 | 1993-10-19 | Motorola, Inc. | Combined acoustic wave device and ceramic block filter structure |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5896351U (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-30 | 日本電気株式会社 | アンテナ共用器 |
FI93503C (fi) * | 1993-03-03 | 1995-04-10 | Lk Products Oy | Radiotaajuussuodatin |
-
1993
- 1993-12-17 JP JP5318128A patent/JPH07176912A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-16 DE DE4445002A patent/DE4445002C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-28 US US08/963,117 patent/US5808523A/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0813298A2 (de) * | 1996-06-14 | 1997-12-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Hochfrequenzfilter |
EP0813298A3 (de) * | 1996-06-14 | 1998-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Hochfrequenzfilter |
US5894251A (en) * | 1996-06-14 | 1999-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency filter having saw and dielectric filters with different frequency temperature characteristic signs |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4445002C2 (de) | 2002-10-31 |
US5808523A (en) | 1998-09-15 |
JPH07176912A (ja) | 1995-07-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |